专利名称：具有新型空穴传导材料的oled的制作方法
技术领域：
本发明涉及有机发光二极管(OLED)电致发光(electroluminescent)器件领域， 其包含含有有机金属配位化合物的光发射层，所述有机金属配位化合物具有特定的具有高三重态(triplet)能量的配体。
背景技术：
尽管有机电致发光(EL)器件已为人所知超过二十年，但由于数种不利影响，它们的性能通常是受限制的。在其最简单的形式中，有机EL器件包含用于空穴注入的阳极，用于电子注入的阴极和夹在这些电极之间以支持产生光发射的电荷复合的有机介质。这些器件通常被称为有机发光二极管(OLED)。目前，最有效的发射体是磷光发射体，其中辐射跃迁是从三重态到基态。通常，铱或钼络合物被用于现有技术的OLED中。一般地，5重量％ 至15重量％的磷光发射体被掺杂进材料中。磷光发射体的使用对基质材料的三重态能级 (triplet level)有严格要求。如果基质的三重态能级低于发射体的三重态能级，则能量从发射体转移至基质， 淬灭光的发射。只有基质的三重态能级高于发射体的三重态能级，能量转移才被抑制并且所得到的OLED显示是高量子效率的。量子效率是进入OLED的注入电荷载流子对和出射光子(extracted photons)的比值。对于红色、黄色和黄绿色发射体这一要求并不难满足，因为大多数基质材料的三重态能级与520-550 nm的发射波长对应。只有对于波长小于520 nm，并且尤其小于470 nm 的发射体，才只有极少的适合的基质材料。由于许多磷光金属络合物良好地传导电子，因此使用传导空穴的基质材料。因此，对具有高三重态能级的空穴传导材料(hole-conducting materials)存在持续需求。
发明内容
OLED。
因此，本发明的一个目标是提供包含具有高三重态能级的新型空穴传导材料的通过包含具有结构I的空穴传导材料的OLED解决了这一目标
权利要求
1. 0LED，其包括至少一个包含化合物I的层，
2.根据权利要求1所述的OLED，其中R1、R2、R3和R4中的至少一个相对于氧处在对位上。
3.根据权利要求1所述的OLED，其中R1=R2和/或R3=R4。
4.根据权利要求1所述的OLED，其中R1=R2=R3=R4Q
5.根据权利要求1所述的0LED，其中R1、! 11中的至少一个相对于氮处在对位上。
6.根据权利要求1所述的0LED，其中R1、! 11独立地选自包括甲基、乙基、丙基、异丙基、 丁基和叔丁基的组。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的0LED，其中所述化合物I被用于阻止由该OLED 的一部分到该OLED的另一部分的三重态激子扩散。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的0LED，其中所述化合物I作为基质材料用在一个或多个发射层中。
9.根据本发明的照明单元，其包括根据权利要求1至7任意一项所述的OLED并用于一个或多个下列应用家庭应用，商店照明，家居照明，重点照明，局部照明，剧场照明，光纤应用，投影系统，自照明显示器，医疗照明应用，像素化显示器，分段显示器，警示标志，指示标志，装饰照明。
全文摘要
本发明涉及有机发光二极管(OLED)电致发光器件领域，其包括具有螺二吨单元的新型空穴传导材料。
文档编号H01L51/00GK102227829SQ200980147395
公开日2011年10月26日 申请日期2009年11月18日 优先权日2008年11月26日
发明者潘普希 B., F. 博尔纳 H., 萨尔贝克 J. 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司