专利名称：微电容mos变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种微电容MOS变容管和变容二极管的开 路去嵌测试结构。
背景技术：
金属氧化物半导体(MetalOxide Semicoductor,以下简称M0S)变容管和变容二 极管都是电容随电压变化的元件，是射频和混合信号(mix-signal)电路，尤其是电压控制 振荡器(Voltage Controlled Oscillator，以下简称VC0)电路中的重要元件。而随着集 成电路的发展，某些电路的驱动工作频率已经超过3GHz，例如，在高速电路中，产生时钟信 号的VCO电路需要采用最小电容值小于或等于IOOfF(IO-uiF)的微电容MOS变容管或变容 二极管。为了在电路设计过程中获得电路的各个参数，并利用这些参数进行电路设计，需 要采用测试结构对设计的电路进行测试。在测试过程中，由于微电容MOS变容管和变容二 极管自身的电容很小，因此，微电容MOS变容管和变容二极管的电容很容易受到其自身的 寄生电容和测试结构的寄生电容的影响，进而会使实际电路与设计电路之间存在很大的偏 差。因此在电路设计过程中，需要引入去嵌测试结构来去除微电容MOS变容管和变容二极 管自身和测试结构中的寄生电容。但现有去嵌测试结构只提供了去除MOS变容管和变容二 极管自身的寄生电容的去嵌测试结构。由于变容二极管和MOS变容管所用的测试结构类似，故以MOS变容管为例进行说 明。现有技术通常利用栅氧化层构成MOS变容管的栅极电容(以下简称Cgg)，栅氧化层的 厚度随栅极电压的变化而变化，从而达到通过电压控制Cgg的目的。但这样就产生了微电容 MOS变容管自身的寄生电容，由于该寄生电容的存在，会对微电容MOS变容管的性能带来不 利影响。微电容MOS变容管自身的寄生电容和测试结构的寄生电容对微电容MOS变容管元 件性能的影响可以通过MOS变容管的调谐比率参数表现出来。MOS变容管的调谐比率Ratio为Ratio =
I雜 ^miiI 十 ‘ρ其中，Cgg.max为通过有效电压控制的Cgg的最大值，Cgg.min为通过有效电压控制的Cgg 的最小值，Cp为寄生电容。如果在量测过程中对寄生电容的去嵌处理不彻底，就会造成式中 寄生电容Cp部分增大，从而降低MOS变容管的调谐比率。图IA是现有技术随MOS变容管的有效区面积增大而增大的调谐比率变化的示意 图。如图IA所示，其中，纵坐标为调谐比率Ratio，横坐标为有效区面积(um2)，其中有效区 面积与MOS变容管的结构有关。可以看出，随着MOS变容管的有效区面积的增大，MOS变容 管的调谐比率由5. 55增大至7. 95，与理论上MOS变容管的调谐比率存在很大偏差。因此寄 生电容对MOS变容管的调谐比率有显著影响，也就是说，MOS变容管的调谐比率可以反映出寄生电容对MOS变容管元件的影响。图IB是现有技术常用的四步去嵌测试结构的示意图。如图IB所示，该测试结构 IOlB包括简单开路102B、简单短路103B、短路一 104B、短路二 105B和开路106B五种测试 结构。其中，G是接地端口，S是接信号端口，在图IB所示的各个测试结构中，就MOS变容 管而言，右侧的接信号端口 S接源/漏极端，左侧的接信号端口 S接栅极端，4个接地端口 G 均接地。
图IC是现有技术所使用的开路去嵌测试结构的结构图。如图IC所示，图中斜线 所代表的区域为顶金属层101C，此时，与MOS变容管的源/漏极端连接的右侧的接信号端 口 S和与栅极端连接的接信号端口 S之间是断开的。采用这种测试结构，端口只与顶金属 层连接并且顶金属层下没有其他金属层，这会使顶金属层IOic中的位于两个信号端口连 线方向两侧的两对相邻接地端口之间完全断开，此时，顶金属层会给整个测试结构引入寄 生电容，而这个寄生电容不是MOS变容管元件自身的寄生电容，而是测试结构的寄生电容， 就测试结构的寄生电容来说，现有去嵌结构仅可以去除测试结构顶金属层以上的测试结构 引入的那部分寄生电容，而无法去除测试结构顶层金属到源/漏极端及栅极端口之间测试 结构所引入的寄生电容，这会导致整个结构的寄生电容无法完全通过去嵌清除。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式
部分中进 一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的 关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。为解决微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构无法完全清除寄生 电容的问题，提高开路测试结构参数与实际电路参数的一致性，本发明提供了一种用于微 电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构，所述开路去嵌测试结构包括多个金 属层和有源区；所述多个金属层包括顶金属层，与所述有源区连接的第1金属层和所述顶 金属层与所述第1金属层之间的至少一个中间金属层，所述第1金属层包括一个回路；所述 顶金属层分为四个互不相连的区域，所述区域包括分别与两个信号端口连接的两个信号 端口顶金属层区域，及分别将位于所述两个信号端口连线方向同侧的两个相邻接地端口连 接在一起的两个接地端口顶金属层区域；所述中间金属层包括与所述信号端口顶金属层区 域相应的位于信号端口顶金属层区域下的中间金属层区域和与所述接地端口顶金属层区 域相应的位于接地端口顶金属层区域下的中间金属层区域，所述位于信号端口顶金属层区 域下的中间金属层区域和所述位于接地端口顶金属层区域下的中间金属层区域的覆盖范 围均在相应的所述信号端口顶金属层区域和所述接地端口顶金属层区域的覆盖范围内；所 述接地端口顶金属层区域和所述位于接地端口顶金属层区域下的中间金属层区域和所述 第1金属层的回路逐层连接；至少去除一层所述位于信号端口顶金属层区域下的中间金属 层区域，实现断开所述信号端口顶金属层区域与所述第1金属层的连接。进一步的，所述中间金属层有7个，包括按与所述有源区之间的距离由小到大依 次排列的第2金属层至第8金属层；所述接地端口顶金属层区域和位于接地端口顶金属层 区域下的第8金属层区域至第2金属层区域以及所述第1金属层的回路逐层连接；至少去 除位于信号端口顶金属层区域下的第8金属层区域至第2金属层区域中的任意一层，实现断开所述信号端口顶金属层区域与所述第1金属层的连接。进一步的，所述至少去除所述位于信号端口顶金属层区域下的第8金属层区域至 第2金属层区域中的任意一层包括去除所述位于信号端口顶金属层区域下的第2金属层 区域，所述信号端口顶金属层区域与所述位于信号端口顶金属层区域下的第8金属层区域 至第3金属层区域逐层连接。进一步的，所述多个金属层之间和所述第1金属层与所述有源区之间通过通孔连
接。 进一步的，所述顶金属层与所述第8金属层间的通孔为直径较大的双列通孔，所 述第8金属层至第1金属层间和所述第1金属层和所述有源区间的通孔为直径较小的三列 通孑L。进一步的，所述位于所述接地端口顶金属层区域下的第8金属层区域至第2金属 层区域有相同的结构和连接关系。进一步的，所述位于所述信号端口顶金属层区域下的第8金属层区域至第2金属 层区域有相同的结构和连接关系。进一步的，所述多个金属层的尺寸与所述微电容MOS变容管或变容二极管的尺寸 相匹配。进一步的，所述多个金属层的尺寸包括所述多个金属层的宽度和长度。进一步的，所述变容二极管包括PN结变容二极管。根据本发明的测试结构可以有效解决微电容MOS变容管和变容二极管的开路去 嵌测试结构无法完全清除寄生电容的问题，提高测试结构参数与实际电路参数的一致性。
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发 明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。在附图中，图IA是现有技术随MOS变容管的有效区面积增大而增大的调谐比率变化的示意 图；图IB是现有技术常用的四步去嵌测试结构的示意图；图IC是现有技术所使用的开路去嵌测试结构的结构图；图2A是根据本发明的一个实施例的微电容MOS变容管的开路去嵌测试结构的结 构图；图2B是根据本发明的一个实施例的微电容MOS变容管的开路去嵌测试结构的图 2A的102E的结构图；图2C是根据本发明的一个实施例的微电容MOS变容管的开路去嵌测试结构的图 2B的A截面剖视图；图2D是根据本发明的一个实施例的微电容MOS变容管的开路去嵌测试结构的图 2B的B截面剖视图；图3是根据本发明的一个实施例的微电容MOS变容管的开路去嵌测试结构的随 MOS变容管的有效区面积增大而增大的调谐比率变化的示意图；图4是根据本发明的优选实施例的微电容MOS变容管的开路去嵌测试结构的金属层之间的连接结构图。
具体实施例方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然 而，对于本领域技术人员来说显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以 实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进 行描述。为了彻底了解本发明，将在下列的描述中提出详细的结构，以便说明本发明是如 何解决微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构无法完全清除寄生电容的问 题。显然，本发明的施行并不限定于半导体领域的技术人员所熟习的特殊细节。本发明的 较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。为了克服微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构无法完全清除寄 生电容的问题，本发明提出了一种微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构来 克服这一问题。图2A是根据本发明的一个实施例的微电容MOS变容管的开路去嵌测试结构的结 构图，图2B是根据本发明的一个实施例的微电容MOS变容管的开路去嵌测试结构的图2A 的102E的结构图，为对实施例进行更好地说明，图2C是根据本发明的一个实施例的微电容 MOS变容管的开路去嵌测试结构的图2B的A截面剖视图。如图2A、图2B和图2C所示，本 实施例的结构可以包括多个金属层和有源区209B。具体来说，图2B和2C中所示的结构还包括，SN离子注入区211B，N阱区213B，SP 离子注入区212B。由于SN离子注入区211B，N阱区213B，SP离子注入区212B在结构上和 现有技术的去嵌测试结构相同，因此，不再对其进行详细描述。多个金属层包括顶金属层101C，与有源区209B连接的第1金属层201B和顶金属 层IOlC与第1金属层201B之间的至少一个中间金属层，第1金属层201B包括一个回路， 使连接到第1金属层201B的回路上的各金属层之间互相连接。虽然图2A、2B和图2C中只给出了 7个中间金属层的示意图，但本领域技术人员应 该明了，参照图2A、2B和图2C所示的结构完全可以扩展得出7个以外的个数的中间金属层 的技术方案。在一个实施例中的中间金属层具体为顶金属层IOlC与第1金属层201B之间有 7个中间金属层，这7个中间金属层按与有源区209B之间的距离由小到大依次为第2金属 层202B至第8金属层208B。顶金属层IOlC分为四个互不相连的区域，这些区域包括分别与两个信号端口 S 连接的两个信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2，通过这两个信号端口顶金属层区域 101CS1和101CS2之间的互不相连实现了两个信号端口 S之间的断开，和分别将位于两个 信号端口 S连线方向同侧的两个相邻接地端口 G连接在一起的两个接地端口顶金属层区域 101CG1和101CG2，通过这两个接地端口顶金属层区域101CG1和101CG2实现了位于两个信 号端口 S连线方向同侧的两个相邻接地端口 G之间的连接。中间金属层包括与信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2相应的位于信号端口 顶金属层区域101CS1和101CS2下的中间金属层区域和与接地端口顶金属层区域101CG1和101CG2相应的位于接地端口顶金属层区域IOlCGl和101CG2下的中间金属层区域。位 于各端口顶金属层区域下的中间金属层区域的覆盖范围均在各端口顶金属层区域覆盖范 围内。接 地端口顶金属层区域101CG1和101CG2和位于接地端口顶金属层区域101CG1 和101CG2下的中间金属层区域以及第1金属层201B的回路逐层连接，从而使接地端口顶 金属层区域101CG1和101CG2与第1金属层20IB的回路之间保持连接。在顶金属层IOlC与第1金属层201B之间有7个中间金属层的情况下，接地端口 顶金属层区域101CG1和101CG2和位于接地端口顶金属层区域101CG1和101CG2下的第8 金属层区域至第2金属层区域以及第1金属层201B的回路逐层连接，从而使接地端口顶金 属层区域101CG1和101CG2与第1金属层201B的回路之间保持连接。至少去除一层位于信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2下的中间金属层区 域。其中，以4层中间金属层为例，可以通过去除位于信号端口顶金属层区域101CS1和 101CS2下的第2金属层区域，和/或位于信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2下的第 3金属层区域，和/或位于信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2下的第4金属层区域， 实现断开信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2与第1金属层201B的连接。此时，就进 行去嵌处理的效果来说，只去除位于信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2下的第2金 属层区域的去嵌处理效果要优于只去除位于信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2下的 第3金属层区域的效果，也就是说，在去除位于信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2下 的中间金属层区域的过程中，与信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2保持连接的位于 信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2下的中间金属层区域越多，去嵌处理的效果就越 好。图2D是根据本发明的一个实施例的微电容MOS变容管的开路去嵌测试结构的图 2B的B截面剖视图。如图2D所示，至少去除位于信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2 下的第8金属层区域至位于信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2下的第2金属层区域 中的任意一层，实现断开信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2与第1金属层201B的连 接。通过断开信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2与第1金属层201B的连接，使得两 个信号端口 S之间实现了断开。需要进行说明的是，虽然图2D中只给出了去除位于信号端 口顶金属层区域101CS1和101CS2下的第二金属层区域的示意图，但本领域技术人员应该 明了，参照图2D完全可以扩展得出去除位于信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2下的 其他中间金属层区域的技术方案。第1金属层201B包括一个回路，使得连接到第1金属层 201B的回路上的两个接地端口顶金属层区域101CG1和101CG2之间形成了连接，从而将四 个接地端口G连接在一起。本实施例在进行开路去嵌测试时，可以使各信号端口 S彼此断开，并使各接地端 口 G之间彼此连接，从而避免了现有测试结构中位于两个信号端口 S连线方向两侧的两对 相邻接地端口 G之间完全断开的情况，满足了去嵌处理的要求。同时由于顶金属层IOlC下 的各个金属层的存在，在进行去嵌处理时，不仅能够去除测试结构顶金属层以上的测试结 构引入的寄生电容，还可以在去嵌处理过程中使整个去嵌测试结构中顶金属层下的各金属 层间和各金属层与有源区209B间的寄生电容可通过去嵌测试结构本身进行去除。与现有 技术相比，本发明的去嵌测试结构可以有效去除整个测试结构的寄生电容。由于本发明只涉及去嵌测试结构，因此不对去嵌处理过程进行详细说明，本领域技术人员应该明了，通过 本发明的去嵌测试结构，进行相应的去嵌处理，即可达到有效去除微电容MOS变容管和变 容二极管去嵌测试结构中的寄生电容的目的。
优选地，信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2与第1金属层201B间的断开可 通过以下结构实现信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2与位于信号端口顶金属层区 域101CS1和101CS2下的第8金属层区域至位于信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2 下的第3金属层区域逐层连接，从而使信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2与位于信 号端口顶金属层区域101CS1和101CS2下的第3金属层区域之间的各金属层区域连接在一 起。通过去除位于信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2下的第3金属层区域与第1金 属层201B间的位于信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2下的第2金属层区域，实现位 于信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2下的第3金属层区域与第1金属层201B间断 开，从而保证信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2与第1金属层201B间断开，并且第 1金属层201B在结构中包括一个回路。连接到第1金属层201B的回路上的两个接地端口 顶金属层区域101CG1和101CG2间彼此相连，进而使通过接地端口顶金属层区域101CG1和 101CG2连接到第1金属层201B的回路上的4个接地端口 G彼此连接。本实施例在进行开路去嵌测试时，可以在去嵌处理过程中使整个去嵌测试结构中 顶金属层下的各金属层间和各金属层与有源区209B间的寄生电容可通过去嵌测试结构本 身进行去除。通过本发明的去嵌测试结构，进行相应的去嵌处理，即可达到完全去除微电容 MOS变容管和变容二极管去嵌测试结构中的寄生电容的目的。图3是根据本发明的一个实施例的微电容MOS变容管的开路去嵌测试结构的随 MOS变容管的有效区面积增大而增大的调谐比率变化的示意图。如图3所示，其中，纵坐标 为调谐比率Ratio，横坐标为有效区面积(um2)，其中有效区面积与MOS变容管的结构有关。 可以看出，随着MOS变容管的有效区面积的增大，本发明实施例的去嵌测试结构使MOS变容 管的调谐比率接近10，这与理论上MOS变容管的调谐比率十分接近，开路去嵌测试结构取 得了良好的去嵌技术效果。图4是根据本发明的优选实施例的微电容MOS变容管的开路去嵌测试结构的金属 层之间的连接结构图。如图4所示，本优选实施例的结构在图2A至图2D所示的结构的基础 上，可以进一步包括金属层之间和所述第1金属层201B与有源区209B之间通过通孔401 连接。具体来说，通孔401是在金属层间的介质中为了使金属连接线402穿过而留出的 通道。需要进行说明的是，图4中为了使图示清楚并没有画出金属层间的介质，并且只画出 了两个通孔来进行说明。虽然本发明附图中给出了圆形的通孔，但本发明并不局限于此，只 要能保证金属线能够穿过的任何形状的通孔都应纳入本发明的范围。顶金属层IOlC与第8金属层208B间的通孔为直径较大的双列通孔401，第8金属 层208B至第1金属层201B间及第1金属层201B和所述有源区209B间的通孔为直径较小 的三列通孔。具体来说，为了使顶金属层IOlC与第8金属层208B间的连接更牢固可靠，在顶金 属层IOlC与第8金属层208B间使用了直径较大的双列通孔401，而其余金属层间的通孔 为直径较小的三列通孔。就结构方面来说，这两种通孔的结构是一样的，区别仅在于通孔的列数和直径，因此，不再对直径较小的三列通孔进行详细描述。本领域技术人员应该明了的 是，本优选实施例仅给出了优选的技术方案，但本发明并非局限于此，通孔列数和直径完全 可以根据实际设计需要来进行选择，在本发明所披露的技术方案的基础上所进行的这些选 择都应纳入本发明的保护范围。本发明的一个优选实施例的结构在图2A至图2D所示的结构的基础上，可以进一 步包括位于接地端口顶金属层区域101CG1和101CG2下的第8金属层区域至第2金属层 区域有相同的结构和连接关系。位于信号端口顶金属层区域101CS1和101CS2下的第8金 属层区域至第2金属层区域有相同的结构和连接关系。采用这种中心对称的结构和连接关 系， 可以使测试结构更加工整，可以节约测试结构的设计时间。金属层的尺寸与所用微电容MOS变容管装置的尺寸相匹配。具体来说，由于测试结构中所用的微电容MOS变容管的尺寸会有差别，因此测试 结构的尺寸也会相应进行调节，但这种调节不会改变本发明去嵌测试结构的各金属层、有 源区209B、及各端口的相对位置关系和连接关系，因此，在不改变上述关系的基础上对金属 层尺寸和形状的修改也应纳入本发明的范围。金属层的尺寸包括所述金属层的宽度和长度。具体来说，对金属层的尺寸的修改 主要包括对金属层的宽度和长度的修改。由于MOS变容管和变容二极管所需测试结构的相似性，因此，本领域技术人员在 不改变去嵌测试结构的各金属层、有源区209B、及端口的相对位置关系和连接关系的基础 上，对MOS变容管测试结构所连接的器件加以修改即可得到变容二极管的去嵌测试结构， 因此，包括PN结变容二极管在内的变容二极管的去嵌测试结构也应纳入本发明的范围。本发明在进行开路去嵌测试时，可以使各信号端口 S彼此断开，并使各接地端口 G 之间彼此连接，从而避免了现有测试结构中位于两个信号端口 S连线方向两侧的两对相邻 接地端口 G之间完全断开的情况，满足了去嵌处理的要求。同时由于顶金属层IOlC下的 各个金属层的存在，在进行去嵌处理时，可以在去嵌处理过程中使整个去嵌测试结构中顶 金属层下的各金属层间和各金属层与有源区209B间的寄生电容可通过去嵌测试结构本身 进行去除。与现有技术相比，本发明的去嵌测试结构可以有效去除整个测试结构的寄生电 容。由于本发明只涉及去嵌测试结构，因此不对去嵌处理过程进行详细说明，本领域技术人 员应该明了，通过本发明的去嵌测试结构，进行相应的去嵌处理，即可达到有效去除微电容 MOS变容管和变容二极管去嵌测试结构中的寄生电容的目的。本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于 举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人 员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的 变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由 附属的权利要求书及其等效范围所界定。
权利要求
1.一种微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述开路 去嵌测试结构包括多个金属层和有源区；所述多个金属层包括顶金属层，与所述有源区连接的第1金属层和所述顶金属层与所 述第1金属层之间的至少一个中间金属层，所述第1金属层包括一个回路；所述顶金属层分为四个互不相连的区域，所述区域包括分别与两个信号端口连接的 两个信号端口顶金属层区域，及分别将位于所述两个信号端口连线方向同侧的两个相邻接 地端口连接在一起的两个接地端口顶金属层区域；所述中间金属层包括与所述信号端口顶金属层区域相应的位于信号端口顶金属层区 域下的中间金属层区域和与所述接地端口顶金属层区域相应的位于接地端口顶金属层区 域下的中间金属层区域，所述位于信号端口顶金属层区域下的中间金属层区域和所述位于 接地端口顶金属层区域下的中间金属层区域的覆盖范围均在相应的所述信号端口顶金属 层区域和所述接地端口顶金属层区域的覆盖范围内；所述接地端口顶金属层区域和所述位于接地端口顶金属层区域下的中间金属层区域 和所述第1金属层的回路逐层连接；至少去除一层所述位于信号端口顶金属层区域下的中间金属层区域，实现断开所述信 号端口顶金属层区域与所述第1金属层的连接。
2.根据权利要求1所述的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述中间金属层有7个，包 括按与所述有源区之间的距离由小到大依次排列的第2金属层至第8金属层；所述接地端口顶金属层区域和位于接地端口顶金属层区域下的第8金属层区域至第2 金属层区域以及所述第1金属层的回路逐层连接；至少去除位于信号端口顶金属层区域下的第8金属层区域至第2金属层区域中的任意 一层，实现断开所述信号端口顶金属层区域与所述第1金属层的连接。
3.根据权利要求2所述的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述至少去除所述位于信 号端口顶金属层区域下的第8金属层区域至第2金属层区域中的任意一层包括去除所述 位于信号端口顶金属层区域下的第2金属层区域，所述信号端口顶金属层区域与所述位于 信号端口顶金属层区域下的第8金属层区域至第3金属层区域逐层连接。
4.根据权利要求2所述的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述多个金属层之间和所 述第1金属层与所述有源区之间通过通孔连接。
5.根据权利要求4所述的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述顶金属层与所述第8金 属层间的通孔为直径较大的双列通孔，所述第8金属层至第1金属层间和所述第1金属层 和所述有源区间的通孔为直径较小的三列通孔。
6.根据权利要求2所述的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述位于所述接地端口顶 金属层区域下的第8金属层区域至第2金属层区域有相同的结构和连接关系。
7.根据权利要求2所述的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述位于所述信号端口顶 金属层区域下的第8金属层区域至第2金属层区域有相同的结构和连接关系。
8.根据权利要求1所述的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述多个金属层的尺寸与 所述微电容MOS变容管或变容二极管的尺寸相匹配。
9.根据权利要求8所述的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述多个金属层的尺寸包 括所述多个金属层的宽度和长度。
10.根据权利要求1所述的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述变容二极管包括PN结变容二极管。
全文摘要
本发明公开了一种微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构，包括多个金属层和有源区，多个金属层包括顶金属层，与有源区连接的第1金属层和顶金属层与第1金属层之间的至少一个中间金属层，第1金属层包括一个回路，顶金属层分为四个互不相连的端口顶金属层区域，各区域下的中间金属层区域的范围均在相应端口顶金属层区域的范围内，接地端口顶金属层区域与其下的中间金属层区域和第1金属层的回路逐层连接，至少去除一层位于信号端口顶金属层区域下的中间金属层区域，断开信号端口顶金属层区域与第1金属层的连接。根据本发明的结构能够有效清除寄生电容，提高测试结构参数与实际电路参数的一致性。
文档编号H01L29/93GK102136465SQ20101010240
公开日2011年7月27日 申请日期2010年1月27日 优先权日2010年1月27日
发明者吴颜明, 蒋立飞 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司