切割带集成晶片背面保护膜的制作方法

专利名称：：切割带集成晶片背面保护膜的制作方法
技术领域：
：本发明涉及切割带集成晶片背面保护膜(dicingt即e-integratedwaferbacksurfaceprotectivefilm)。切割带集成晶片背面保护膜用于保护芯片形工件(如半导体芯片)的背面和增强强度。此外，本发明涉及使用所述切割带集成晶片背面保护膜的半导体器件和生产所述器件的方法。
背景技术：
：最近，日益要求半导体器件及其包装的变薄和小型化。因此，作为半导体器件及其包装，已广泛利用以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式将半导体芯片(芯片形工件)固定至基板的那些(通过倒装芯片接合生产的半导体器件；可将其称为倒装芯片安装的半导体器件)。在该类半导体器件等中，在一些情况下半导体芯片(芯片形工件)的背面用保护膜保护，以防止损害半导体芯片(例如，参见专利文献i至io)。专利文献1:JP--A--2008--166451专利文献2:JP--A--2008--006386专利文献3:JP--A--2007--261035专利文献4:JP--A--2007--250970专利文献5:JP--A--2007--158026专利文献6:JP--A--2004--221169专利文献7:JP--A--2004--214288专利文献8:JP--A--2004--142430专利文献9:JP--A--2004--072108专利文献10:JP-A-2004-06355
发明内容然而，为保护半导体芯片背面，粘贴背面保护膜至通过在切割步骤中切割半导体晶片获得的半导体芯片的背面导致增加粘贴步骤，因此步骤数量增加，成本等增加。此外，由于变薄，在切割步骤后的半导体芯片的拾取步骤中，在一些情况下可能损害半导体芯片。因而，期望增强半导体晶片或半导体芯片直至拾取步骤。考虑到前述问题，本发明的目的是提供从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用的切割带集成晶片背面保护膜。此外，本发明的另一目的是提供切割带集成晶片背面保护膜，其在半导体芯片的切割步骤中能够显示优良的保持力，并能在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后显示标识性能和外观性。作为为解决上述传统问题深入研究的结果，本发明人已发现，当将有色晶片背面保护膜层压至具有基材和压敏粘合剂层的切割带的压敏粘合剂层上，从而以集成方式形成切割带和晶片背面保护膜时，从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤，均能够利用以集成方式形成切割带和晶片背面保护膜的层压体(切割带集成晶片背面3保护膜)，以及在半导体晶片的切割步骤中能够显示优良的保持力，在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后能够显示标识性能和外观性，由此完成本发明。g卩，本发明提供切割带集成晶片背面保护膜，其包括切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和晶片背面保护膜，所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述晶片背面保护膜是有色的，并且所述有色晶片背面保护膜具有3GPa以上的弹性模量(23°C)。如上所述，由于本发明的切割带集成晶片背面保护膜以以下形式形成晶片背面保护膜与包括基材和压敏粘合剂层的切割带集成，以及晶片背面保护膜是有色的，因此工件可通过在切割晶片(半导体晶片)时粘贴切割带集成晶片背面保护膜至工件(半导体晶片)来保持和有效地切割。此外，切割工件以形成芯片形工件(半导体芯片)后，通过与有色晶片背面保护膜一起，从切割带的压敏粘合剂层剥离芯片形工件，能够容易地获得保护其背面的芯片形工件，并且还能够有效地改进芯片形工件背面的标识性能和外观性等。此外，由于有色晶片背面保护膜的弹性模量(23°C)为3GPa以上，因此即使当将已用晶片背面保护膜保护其背面的芯片形工件设置于支承体上直至拾取步骤后的倒装芯片接合步骤时，也能够抑制或防止芯片形工件通过有色晶片背面保护膜至支承体的粘贴。此外，在本发明的切割带集成晶片背面保护膜中，由于以如上所述的集成方式形成切割带和有色晶片背面保护膜，因此当在切割步骤前粘贴切割带至半导体晶片背面时也可粘贴有色晶片背面保护膜，因而仅粘贴晶片背面保护膜的步骤(晶片背面保护膜粘贴步骤)不是必需的。此外，在随后的切割步骤和拾取步骤中，由于粘贴有色晶片背面保护膜至半导体晶片的背面或通过切割形成的半导体芯片的背面，因此能够有效地保护半导体晶片或半导体芯片，因而在切割步骤或随后的步骤(拾取步骤等)中，能够抑制或防止损害半导体芯片。在本发明中，有色晶片背面保护膜优选具有激光标识性能。此外，切割带集成晶片背面保护膜可适合用于倒装芯片安装的半导体器件。本发明还提供使用切割带集成晶片背面保护膜生产半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤粘贴工件至上述切割带集成晶片背面保护膜的有色晶片背面保护膜上，切割所述工件以形成芯片形工件，与所述有色晶片背面保护膜一起，从所述切割带的压敏粘合剂层剥离芯片形工件，和通过倒装芯片接合将所述芯片形工件固定至被粘物。此外，本发明进一步提供倒装芯片安装的半导体器件，其使用上述切割带集成晶片背面保护膜制造，其中所述半导体器件包括芯片形工件和粘贴至所述芯片形工件背面的切割带集成晶片背面保护膜的晶片背面保护膜。由于切割带和晶片背面保护膜以集成方式形成以及晶片背面保护膜是有色的，因此从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤，均可利用本发明的切割带集成晶片背面保护膜。具体地，本发明的切割带集成晶片背面保护膜在半导体晶片的切割步骤中显示优良的保持力，并且在半导体芯片的倒装芯片接合步骤期间和之后能够显示标识性能和外观性。此外，在倒装芯片接合步骤等中，由于半导体芯片的背面用有色晶片背面保护膜保护，因此能够有效地抑制或防止半导体芯片的破坏、碎裂(chipping)和弯曲等。不必说，在除了从半导体芯片的切割步骤至倒装芯片接合步骤的步骤之外的步骤中，本发明的切割带集成晶片背面保护膜能够有效地显示其功能。此外，由于有色晶片背面保护膜的弹性模量(23°C)为3GPa以上，因此即使当将已用晶片背面保护膜保护其背面的芯片形工件设置于支承体上直至拾取步骤后的倒装芯片接合步骤时，也能够抑制或防止芯片形工件通过有色晶片背面保护膜至支承体的粘贴。图1为示出本发明的切割带集成晶片背面保护膜的一个实施方案的横截面示意图。图2A至2D为示出使用本发明的切割带集成晶片背面保护膜生产半导体器件的方法的一个实施方案的横截面示意图。酬feiff綱1切割带集成晶片背面保护膜2有色晶片背面保护膜3切割带31基材32压敏粘合剂层4半导体晶片(工件)5半导体芯片(芯片形工件)51在半导体芯片的电路面形成的凸起(bump)6被粘物61用于结合附着至被粘物6的连接垫(connectingpad)的导电性材料具体实施例方式参考图1描述本发明的实施方案，但本发明不限于该实施方案。图1为示出本发明的切割带集成晶片背面保护膜的一个实施方案的横截面示意图。在图1中，l为切割带集成晶片背面保护膜，2为晶片背面保护膜，其是有色的(有时简称为"有色晶片背面保护膜")，3为切割带，31为基材，32为压敏粘合剂层。此外，在本说明书的图中，没有给出不需要描述的部分，存在通过放大、縮小等示出的部分，从而容易描述。如图1所示，切割带集成晶片背面保护膜1具有以下构造有色晶片背面保护膜2形成于切割带3的压敏粘合剂层32上，所述切割带3具有基材31和形成于基材31上的压敏粘合剂层32。在这点上，在直至将其粘贴至晶片背面的期间，可用隔离体(s印arator)等保护有色晶片背面保护膜2的表面(要粘贴至晶片背面的表面)。此外，切割带集成晶片背面保护膜可具有在切割带压敏粘合剂层的整个表面上形成有色晶片背面保护膜的构造，或可具有部分地形成有色晶片背面保护膜的构造。例如，如图1所示，切割带集成晶片背面保护膜可具有以下构造在切割带的压敏粘合剂层上，仅在要粘贴半导体晶片的部分上形成有色晶片背面保护膜。(有色晶片背面保护膜)有色晶片背面保护膜具有膜形状。在切割粘贴至有色晶片背面保护膜上的工件(半导体晶片)的切割-加工步骤(切割步骤)中，有色晶片背面保护膜具有支承与其密切5粘合的工件的功能，在切割步骤后，具有保护芯片形工件(半导体芯片)背面的功能，并且在与有色晶片背面保护膜一起，从切割带剥离切割的芯片形工件后，显示优良的标识性能和外观性。如上所述，由于有色晶片背面保护膜具有优良的标识性能，可通过有色晶片背面保护膜，通过利用各种标识方法如打印方法和激光标识方法进行标识，从而赋予芯片形工件的非电路面或使用芯片形工件的半导体器件的非电路面各种信息如文字信息和图形信息。此外，通过控制着色的颜色，可以观察具有优良可见度的通过标识赋予的信息(文字信息、图形信息等)。此外，由于有色晶片背面保护膜是有色的，切割带和有色晶片背面保护膜可以容易地彼此区分，因而可改进加工性等。此外，由于有色晶片背面保护膜具有优良的外观性，可以提供具有增值外观(value-addeda卯earance)的半导体器件。例如，作为半导体器件，可以通过使用不同颜色将其产品分类。此外，作为有色晶片背面保护膜，重要的是具有紧密的粘合性，以使在切割_加工工件时切屑不飞散。如上所述，有色晶片背面保护膜不用于半导体芯片至支承构件如基板的模片接合，而用于保护要倒装芯片安装的(或已倒装芯片安装的)半导体芯片的背面(非电路面)，并因此具有最合适的功能和构成。在这点上，要用于强烈粘附半导体芯片至支承构件如基板的应用的模片接合膜为粘合剂层，并用封装材料封装，因此该膜是无色的，并且也不具有标识性能(特别地，激光标识性能)。因此，有色晶片背面保护膜具有与模片接合膜不同的功能或构造，因而不适合使用该保护膜作为模片接合膜。在本发明中，有色晶片背面保护膜可由树脂组合物形成，并优选由包含热塑性树脂和热固性树脂的树脂组合物构成。在这点上，有色晶片背面保护膜可由不使用热固性树脂的热塑性树脂组合物构成，或可由不使用热塑性树脂的热固性树脂组合物构成。热塑性树脂的实例包括天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯_乙酸乙烯酯共聚物、乙烯_丙烯酸共聚物、乙烯_丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂如尼龙_6和尼龙-6，6、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、饱和聚酯树脂如PET(聚对苯二甲酸乙二酯)和PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)，或氟碳树脂。热塑性树脂可单独，或以两种以上组合使用。在这些热塑性树脂中，仅包含少量离子杂质、具有高耐热性和能够确保半导体元件可靠性的丙烯酸类树脂是优选的。丙烯酸类树脂不特别限制，其实例包括含有一种或两种以上具有30个以下碳原子，优选4至18个碳原子的直链或支化烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯作为组分的聚合物。即，在本发明中，丙烯酸类树脂具有也包括甲基丙烯酸类树脂的广泛含义。所述烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。此外，形成丙烯酸类树脂的其它单体(除具有30个以下碳原子的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯以外的单体)没有特别限制，其实例包括含羧基单体如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸；酸酐单体如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基单体如(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟6癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟月桂酯和(4-羟甲基环己基)_甲基丙烯酸酯；含磺酸单体如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰氨基_2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰氨基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸基团单体如2-羟乙基丙烯酰磷酸酉旨(2-hydroethylacryloylphosphate)。该树脂可根据已知方法合成或可使用商购可得产品。此外，热固性树脂的实例包括环氧树脂和酚醛树脂以及氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂和热固性聚酰亚胺树脂。热固性树脂可单独，或以两种以上组合使用。作为热固性树脂，仅包含少量腐蚀半导体元件的离子杂质的环氧树脂是合适的。此外，优选使用酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂。环氧树脂不特别限制，例如，可使用双官能环氧树脂或多官能环氧树脂如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、苯酚酚醛清漆(phenolnovolak)型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆(o-cresolnovolak)型环氧树脂、三羟基苯甲烷型环氧树脂和四羟苯基乙烷(tetr即henylolethane)型环氧树脂，或环氧树脂如乙内酰脲型环氧树脂、三縮水甘油基异氰脲酸酯型环氧树脂或縮水甘油基胺型环氧树脂。作为环氧树脂，在以上示例的那些中，酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯甲烷型环氧树脂和四羟苯基乙烷型环氧树脂是优选的。这是因为这些环氧树脂与作为固化剂的酚醛树脂具有高反应性，且耐热性等优良。所述环氧树脂可根据已知方法合成或可使用商购可得产品。此外，上述酚醛树脂起到环氧树脂的固化剂的作用，其实例包括酚醛清漆型酚醛树脂如苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂和壬基苯酚酚醛清漆树脂；甲阶型酚醛树脂；和聚氧苯乙烯(polyoxystyrenes)如聚对氧苯乙烯。酚醛树脂可单独，或两种以上组合使用。在这些酚醛树脂中，苯酚酚醛清漆树脂和苯酚芳烷基树脂是特别优选的。这是因为可改进半导体器件的连接可靠性。所述酚醛树脂可根据已知方法合成或可使用商购可得产品。环氧树脂与酚醛树脂的混合比优选使得例如酚醛树脂中的羟基为0.5至2.0当量，基于每当量环氧树脂组分中的环氧基团。更优选0.8至1.2当量。S卩，当混合比变为在该范围之外时，固化反应不能充分进行，环氧树脂固化产物的特性趋于劣化。环氧树脂和酚醛树脂的热固化促进催化剂不特别限制，可适当选自已知的热固化促进催化剂并使用。热固化促进催化剂可单独或两种以上组合使用。作为热固化促进催化剂，例如，可使用胺类固化促进催化剂、磷类固化促进催化剂、咪唑类固化促进催化剂、硼类固化促进催化剂或磷_硼类固化促进催化剂。在本发明中，有色晶片背面保护膜优选由包含环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂的树脂组合物形成。由于这些树脂仅包含少量离子杂质并具有高的耐热性，因此能够确保半导体元件的可靠性。在此情况下的混合比不特别限制，但是，例如，环氧树脂与酚醛树脂的混合量可适当选自10至300重量份的范围，基于100重量份的丙烯酸类树脂组分。重要的是有色晶片背面保护膜具有至半导体晶片的背面(非电路形成面)的紧密粘合性。该具有紧密粘合性的有色晶片背面保护膜例如可由包含环氧树脂的树脂组合物形7成。为了交联，可将能够与在聚合物分子链末端的官能团等反应的多官能化合物作为交联剂添加至有色晶片背面保护膜中。由于该构造，能够增强在高温下的紧密粘合性，并能够实现耐热性的改进。交联剂不特别限制，可使用已知的交联剂。具体地，作为交联剂，不仅可提及异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂和过氧化物类交联剂，还提及脲类交联剂、金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、噁唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂和胺类交联剂等。作为交联剂，异氰酸酯类交联剂或环氧类交联剂是合适的。交联剂可单独或以两种以上组合使用。异氰酸酯类交联剂的实例包括低级脂肪族多异氰酸酯例如1，2_亚乙基二异氰酸酯、l，4-亚丁基二异氰酸酯和1，6-六亚甲基二异氰酸酯；脂环族多异氰酸酯例如亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异氟尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯和氢化苯二甲撑二异氰酸酯；芳香族多异氰酸酯例如2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6_甲苯二异氰酸酯、4，4'-二苯甲烷二异氰酸酯和苯二甲撑二异氰酸酯。此外，也使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加合物[商品名"C0L0NATEL"，由NipponPolyurethaneIndustryCo.，Ltd.制造]、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加合物[商品名"C0L0NATEHL"，由Ni卯onPolyurethaneIndustryCo.，Ltd.制造]等。此外，环氧类交联剂的实例包括N，N，N'，N'-四縮水甘油基-间_苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1，3-双(N，N-縮水甘油基氨甲基)环己烷、1，6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油基醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油基醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脱水山梨糖醇多縮水甘油醚、三羟甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油醚、邻苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羟乙基)异氰酸酯、间笨二酚二縮水甘油醚和双酚-S-二縮水甘油醚，以及在分子中具有两个以上环氧基团的环氧类树脂。交联剂的量不特别限制，可依赖于交联程度适当选择。具体地，优选交联剂的量为例如0.05至7重量份，基于100重量份聚合物组分(特别地，在分子链末端具有官能团的聚合物)。当交联剂的量基于100重量份聚合物组分在0.05至7重量份范围内时，能够高水平地显示紧密粘合性和内聚性(cohesionproperty)。在本发明中，代替使用交联剂或与使用交联剂一起，也可以通过用电子束或紫外线照射进行交联处理。在本发明中，有色晶片背面保护膜是有色的。即，有色晶片背面保护膜是有色的，不是无色或透明的。在有色晶片背面保护膜中，通过着色显示的颜色不特别限制，但是，例如，优选暗色如黑色、蓝色或红色，黑色是更优选的。在本发明中，暗色主要指具有60以下(0至60)，优选50以下(0至50)，更优选40以下(0至40)的在LW颜色空间中定义的L*的暗色。此外，黑色主要是指具有35以下(0至35)，优选30以下(0至30)，更优选25以下(0至25)的在LW颜色空间中定义的i;的黑色系颜色。在这点上，在黑色中，在LW颜色空间中定义的各a*和b*可根据L*的值适当选择。例如，a*和b*两者均优选在-10至10，更优选-5至5，进一步优选-3至3(特别地0或约0)的范围内。在本发明中，在LW颜色空间中定义的i;、^和l/可通过用色差计(商品名"CR-200"，由MinoltaLtd制造；色差计)的测量来确定。L*a*b*颜色空间为在1976年由Commissionlnternationalede1，Eclairage(CIE)建议的颜色空间，是指称为CIE1976(L*a*b*)颜色空间的颜色空间。此外，在日本工业标准(JapaneseIndustrialStandards)JISZ8729中定义了lAiV"颜色空间。在有色晶片背面保护膜着色时，根据目标颜色，可使用着色剂(着色试剂)。作为该着色剂，可适合使用各种暗色着色剂如黑色着色剂、蓝色着色剂和红色着色剂，黑色着色剂是更适合的。着色剂可为任意颜料和染料。着色剂可单独或以两种以上组合使用。在这点上，作为染料，可以使用任何形式的染料如酸性染料、反应性染料、直接染料、分散染料和阳离子染料。此外，同样关于颜料，其形式不特别限制，可在已知颜料中适当选择和使用。黑色着色剂不特别限制，例如，可选自无机黑色颜料和黑色染料。此外，黑色着色剂可为青色着色剂(蓝_绿着色剂)、品红色着色剂(红_紫着色剂)和黄色着色剂(黄着色剂)的着色剂混合物。黑色着色剂可单独或以两种以上的组合使用。当然，黑色着色剂可与除黑色之外颜色的着色剂组合使用。黑色着色剂的具体实例包括炭黑(如炉黑、槽黑、乙炔黑、热裂炭黑或灯黑)、石墨、氧化铜、二氧化锰、苯胺黑、茈黑、钛黑、花青黑、活性炭、铁素体(如非磁性铁素体或磁性铁素体)、磁铁矿、氧化铬、氧化铁、二硫化钼、铬配合物、复合氧化物型黑颜料和蒽醌型有机黑颜料。作为黑色着色剂，可使用以下黑色染料如C.I.溶剂黑3、7、22、27、29、34、43、70，C.I.直接黑17、19、22、32、38、51、71，C.I.酸性黑1、2、24、26、31、48、52、107、109、110、119、154，和C.I.分散黑1、3、10、24;和黑色颜料如C.I.颜料黑1、7;等。作为该黑色着色剂，例如，商品名"0ilBlackBY"、商品名"0ilBlackBS"、商品名"0ilBlackHBB"、商品名"OilBlack803"、商品名"OilBlack860"、商品名"0ilBlack5970"、商品名"0ilBlack5906"和商品名"0ilBlack5905"(由OrientChemicalIndustriesCo.，Ltd.制造)等是商购可得的。除了黑色着色剂之外的着色剂的实例包括青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂。青色着色剂的实例包括青色染料如C.I.溶剂蓝25、36、60、70、93、95;C.I.酸性蓝6和45;青色颜料如C.I.颜料蓝1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、22、25、56、60、63、65、66;C.I.瓮蓝4、60;和C.I.颜料绿7。此外，在品红色着色剂中，品红色染料的实例包括C.I.溶剂红1、3、8、23、24、25、27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122;C.I.分散红9;C.I.溶剂紫8、13、14、21、27;C.I.分散紫1;C.I.碱性红1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、32、34、35、36、37、38、39、40;C.I.碱性紫1、3、7、10、14、15、21、25、26、27和28。在品红色着色剂中，品红色颜料的实例包括C.I.颜料红1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245;C.I.颜料紫3、9、19、23、31、32、33、36、38、43、50;C.I.瓮红1、2、10、13、15、23、29和35。此外，黄色着色剂的实例包括黄色染料如C.I.溶剂黄19、44、77、79、81、82、93、98、103、104、112和162;黄色颜料如C.I.颜料橙31、43;C.I.颜料黄1、2、3、4、5、6、7、10、11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195;C.I.瓮黄1、3和20。各种着色剂如青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂可分别单独或以两种以上的组合使用。在此点上，在使用各种着色剂如青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂的两种以上的情况下，这些着色剂的混合比(或共混比)不特别限制，可根据各着色剂的种类和目标颜色等适当选择。此外，在黑色着色剂为通过混合青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂形成的着色剂混合物的情况下，各青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂可单独或以两种以上的组合使用。青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂在着色剂混合物中的混合比(或共混比)不特别限制，只要能够显示黑色系颜色(例如，具有在上述范围内的在LW颜色空间中定义的C乂和bl勺黑色系颜色)即可，可根据各着色剂的类型等适当选择。青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂在着色剂混合物中的含量例如可在相对于着色剂总量的青色着色剂/品红色着色剂/黄色着色剂=10-50重量％/10-50重量％/10-50重量％(优选20-40重量％/20-40重量％/20-40重量％)范围内适当选择。着色剂的含量可适当选自在形成有色晶片背面保护膜的树脂组合物(排除溶剂)中0.1至10重量％，优选0.5至8重量％，更优选1至5重量％的范围。在这点上，根据需要，可适当向有色晶片背面保护膜中共混其它添加剂。除了填料之外，其它添加剂的实例包括阻燃剂、硅烷偶联剂和离子捕集剂，增量剂、防老剂、抗氧化剂和表面活性剂。填料可为任意无机填料和有机填料，但无机填料是合适的。通过共混填料如无机填料，能够实现赋予有色晶片背面保护膜导电性、改进有色晶片背面保护膜的导热性、控制有色晶片背面保护膜的弹性模量等。在这点上，有色晶片背面保护膜可为导电性的或非导电性的。无机填料的实例包括由以下组成的各种无机粉末二氧化硅，粘土，石膏，碳酸钙，硫酸钡，氧化铝，氧化铍，陶瓷如碳化硅和氮化硅，金属或合金如铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯，和焊料及碳等。填料可以单独或两种以上组合使用。特别地，填料适合为二氧化硅及更适合为熔凝硅石。无机填料的平均粒径优选在0.1至80iim的范围。无机填料的平均粒径通过激光衍射型粒径分散测量设备来测量。填料(例如无机填料)的共混量可为150重量份以下(0至150重量份)，或可为100重量份以下(0至100重量份)，基于100重量份树脂组分总量。在本发明中，填料的共混量优选80重量份以下(0至80重量份)，更优选0至70重量份，基于100重量份树脂组分总量。阻燃剂的实例包括三氧化锑、五氧化锑和溴化环氧树脂。阻燃剂可单独，或以两种以上的组合使用。硅烷偶联剂的实例包括P-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和Y-环氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶联剂可单独，或以两种以上的组合使用。离子捕集剂的实例包括水滑石和氢氧化铋。离子捕集剂可单独，或以两种以上的组合使用。有色晶片背面保护膜例如可通过利用包括以下步骤的常用方法形成混合热固性树脂如环氧树脂和/或热塑性树脂如丙烯酸类树脂、着色剂(着色试剂)，和任选的溶剂及其它添加剂以制备树脂组合物，接着将其成形为膜形层。具体地，作为有色晶片背面保护膜的膜形层例如可通过以下方法形成包括施涂树脂组合物至切割带的压敏粘合剂层上的方法，包括施涂树脂组合物至适当隔离体(如隔离纸)上以形成树脂层，然后将其转移(转换)至切割带的压敏粘合剂层上的方法，和类似方法。在这点上，在有色晶片背面保护膜由包含热固性树脂如环氧树脂的树脂组合物形成的情况下，有色晶片背面保护膜处于以下状态在该膜施涂至半导体晶片前的阶段，热固性树脂未固化或部分固化。在此情况下，将其施涂至半导体晶片(通常，具体地，在当封装材料在倒装芯片接合步骤中固化时)后，在有色晶片背面保护膜中的热固性树脂完全或基本完全固化。如上所述，由于有色晶片背面保护膜处于即使当膜包含热固性树脂时热固性树脂也未固化或部分固化的状态下，有色晶片背面保护膜的凝胶分数不特别限制，但例如，适当选自50重量％以下(0至50重量％)的范围，优选30重量％以下(0至30重量％)，更优选10重量％以下(0至10重量％)。有色晶片背面保护膜的凝胶分数可通过以下测量方法〈凝胶分数的测量方法>从有色晶片背面保护膜中取样约O.lg样品，并精确称重(样品重量)，将样品在网型片(mesh-typesheet)中包裹后，在室温下浸入约50ml甲苯中1周。此后，从甲苯中取出溶剂不溶性物质(网型片中的内容物)，并在13(TC下干燥约2小时，将干燥后的溶剂不溶性物质称重(浸渍并干燥后的重量)，然后根据以下方程(a)计算凝胶分数(重量％)。[oogo]凝胶分数(重量％)=[(浸渍并干燥后的重量)/(样品重量)]X100(a)此外，有色晶片背面保护膜的凝胶分数可通过树脂组分的种类和含量、交联剂的种类和含量及加热温度和加热时间等控制。有色晶片背面保护膜为有色膜形制品，着色形式不特别限制。有色晶片背面保护膜可为例如由热塑性和/或热固性树脂及包含着色剂等的树脂组合物形成的膜形制品，或可为具有以下构造的膜形制品将由包含热塑性树脂和/或热固性树脂的树脂组合物形成的树脂层与着色剂层层压。着色剂层优选由着色剂和包含热塑性树脂和/或热固性树脂的树脂组合物形成。在这点上，在有色晶片背面保护膜为树脂层和着色剂的层压体的情况下，为层压形式的有色晶片背面保护膜优选具有一树脂层、着色剂层和另一树脂层以该顺序层压的形式。在此情况下，在着色剂两侧的两树脂层可为具有相同组成的树脂层或可为具有不同组成的树脂层。在本发明中，在有色晶片背面保护膜为由包含热固性树脂如环氧树脂的树脂组合物形成的膜形制品的情况下，可有效地显示至半导体晶片的紧密粘合性。此外，由于在工件(半导体晶片)的切割步骤中使用切割水(cuttingwater)，有色晶片背面保护膜吸收水分，从而在一些情况下具有常规状态以上的水分含量。当在维持该高水分含量的情况下进行倒装芯片接合时，水蒸气残留在有色晶片背面保护膜和工件或其加工体(芯片形工件)之间的紧密粘合界面处，并且在一些情况下产生漂浮。因此，作为有色晶片背面保护膜，由具有高透湿性的芯材料组成的层的存在扩散水蒸气，由此可以避免该问题。从该观点，有色晶片背面保护膜可为将由该芯材料组成的层在其一面或两面层压的膜。芯材料的实例包括膜(例如，聚酰亚胺膜、聚酯膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜等)、用玻璃纤维或塑料无纺纤维增强的树脂基板，硅基板和玻璃基板。有色晶片背面保护膜的厚度不特别限制，但例如可适当选自5至500iim的范围。在本发明中，有色晶片背面保护膜的厚度优选约5至150ym，更优选约5至100ym。有色晶片背面保护膜可具有单层或层压层的形式。作为本发明中的有色晶片背面保护膜，重要的是在23t:下的弹性模量(拉伸贮能弹性模量E')为3GPa以上。当有色晶片背面保护膜的弹性模量为3GPa以上时，在与有色晶片背面保护膜一起，从切割带的压敏粘合剂层剥离芯片形工件之后，当将有色晶片背面保护膜设置在支承体上时，能够抑制或防止有色晶片背面保护膜至支承体的粘贴。此外，从粘合性等的观点，有色晶片背面保护膜的弹性模量优选50GPa以下，更优选lOGPa以下，进一步优选5GPa以下。在这点上，在有色晶片背面保护膜由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，如上所述，热固性树脂通常处于未固化或部分固化的状态，因此有色晶片背面保护膜在23t:下的弹性模量为在热固性树脂未固化或部分固化状态下及在23t:下的弹性模量。有色晶片背面保护膜在23t:下的弹性模量(拉伸贮能弹性模量E')通过如下测定制备不层压至切割带上的有色晶片背面保护膜，并使用由RheometricsCo.，Ltd.制造的动态粘弹性测量设备"SolidAnalyzerRSA2"，于规定温度(23°C)下，在氮气气氛中，在样品宽度10mm、样品长度22.5mm、样品厚度0.2mm、频率1Hz和升温速率10°C/分钟的条件下，以拉伸模式测量弹性模量，并将其作为所得拉伸贮能弹性模量E'的值。有色晶片背面保护膜的弹性模量可通过树脂组分(热塑性树脂和/或热固性树脂)的种类和含量，及填料如二氧化硅填料的种类和含量等来控制。此外，在有色晶片背面保护膜中可见光的透光率(可见光透射比，波长400至800nm)不特别限制，但是为，例如，20%以下(0至20%)，优选10%以下(0至10%)，进一步优选5%以下(0至5%)的范围。当有色晶片背面保护膜具有20%以下的可见光透射比时，光的透射对半导体元件的影响小。有色晶片背面保护膜的可见光透射比(％)可基于可见光通过有色晶片背面保护膜前后的强度变化来确定，所述确定通过如下进行制备具有厚度(平均厚度)为20iim不层压至切割带上的有色晶片背面保护膜，用具有波长400至800nm的可见光以规定强度照射该有色晶片背面保护膜(厚度20iim)，并使用商品名"ABSORPTIONSPECTROPHOTOMETER"(由ShimadzuCorporation制造)测量透过的可见光的强度。在这点上，也可以从厚度不为20ym的有色晶片背面保护膜的可见光透射比(X;波长400至800nm)的值导出具有厚度20ym的有色晶片背面保护膜的可见光透射比(X;波长400至800nm)。在本发明中，在当测定有色晶片背面保护膜的可见光透射比(％)时有色晶片背面保护膜的厚度(平均厚度)为20iim，但有色晶片背面保护膜的厚度仅为当测定有色晶片背面保护膜的可见光透射比(％)时的厚度，其可与在切割带集成晶片背面保护膜中有色晶片背面保护膜的厚度相同或不同。有色晶片背面保护膜的可见光透射比(％)可通过树脂组分的种类和含量，着色剂(如颜料或染料)的种类和含量，及填料的种类和含量等来控制。在本发明中，有色晶片背面保护膜优选具有低的吸湿度(moistureabsorbance)。具体地，作为有色晶片背面保护膜，当使膜在温度85t:和湿度85%RH的气氛下静置168小时时的吸湿度优选1重量％以下，更优选0.8重量％以下。通过调节有色晶片背面保护膜(在温度85t:和湿度85%RH的气氛下静置168小时后)的吸湿度至1重量％以下，能够增强激光标识性能。此外，例如，在回流(reflow)步骤中能够抑制或防止产生空白。有色晶片背面保护膜的吸湿度例如可通过改变要添加的无机填料的量来调节。有色晶片背面保护膜的吸湿度(重量％)为从当使膜在温度85t:和湿度85%RH的气氛下静置168小时时的重量变化计算的值。在有色晶片背面保护膜由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，有色晶片背面保护膜的吸湿度为当在热固化后使膜在温度85t:和湿度85%RH的气氛下静置168小时时获得的值。此外，在本发明中，有色晶片背面保护膜优选具有小的挥发性物质比。具体地，作为有色晶片背面保护膜，在温度25(TC下加热1小时后重量减少的比率(重量减少率)优选1重量％以下，更优选0.8重量％以下。通过调节有色晶片背面保护膜的重量减少率(在温度25(TC下加热1小时后)至1重量％以下，能够增强激光标识性能。此外，例如，在回流步骤中能够抑制或防止产生裂纹。有色晶片背面保护膜的重量减少率例如可通过添加在无铅焊料回流时能够减少裂纹产生的无机物质，例如无机填料如二氧化硅或氧化铝来调节。有色晶片背面保护膜的重量减少率(重量％)为从当将膜在25(TC下加热1小时时的重量变化计算的值。在有色晶片背面保护膜由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，有色晶片背面保护膜的重量减少率为当在热固化后将膜在25(TC下加热1小时时获得的值。有色晶片背面保护膜优选通过隔离体(可剥离衬垫，图中未示出)来保护。隔离体具有作为保护有色晶片背面保护膜直至其实际使用的保护材料的功能。此外，隔离体能够进一步用作在当将有色晶片背面保护膜转移至在切割带基材上的压敏粘合剂层时的支承基材。当粘贴工件至切割带集成晶片背面保护膜的有色晶片背面保护膜上时剥离隔离体。作为隔离体，也可以使用聚乙烯或聚丙烯的膜，以及其表面用脱模剂如氟类脱模剂或长链烷基丙烯酸酯类脱模剂涂布的塑料膜(聚对苯二甲酸乙二酯)或纸。隔离体可通过常规已知方法形成。此外，隔离体的厚度等不特别限制。(切割带)切割带由基材和形成于基材上的压敏粘合剂层构成。因而，切割带充分具有层压基材和压敏粘合剂层的构造。基材(支承基材)可用作压敏粘合剂层等的支承材料。作为基材，例如，可使用合适的薄材料，例如纸类基材如纸；纤维类基材如织物、无纺布、毡和网；金属类基材如金属箔和金属板；塑料基材如塑料膜和片；橡胶类基材如橡胶片；发泡体(foamedbody)如发泡片；及其层压体[特别地，塑料类材料与其它基材的层压体，塑料膜(或片)彼此的层压体等]。在本发明中，作为基材，可适合使用塑料基材如塑料膜和片。该塑料材料的原料实例包括烯属树脂如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作为单体组分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离子键树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物，和乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规，交替)共聚物；聚酯如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT);丙烯酸类树脂；聚氯乙烯(PVC);聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS);酰胺类树脂如聚酰胺(尼龙)和全芳族聚酰胺(wholearomaticpolyamides)(芳族聚酰胺)；聚醚醚酮(PEEK);聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素类树脂；硅酮树脂；和氟化树脂。此外，作为基材的材料，也可以使用聚合物如上述树脂的各交联体。这些原料可单独或以两种以上的组合使用。在将塑料基材用作基材的情况下，变形性如伸长度(elongationdegree)可通过拉伸处理等控制。基材的厚度不特别限制，可依赖于强度、屈挠性及预期的使用用途等适当选择。例如，厚度通常为1000iim以下(例如1至1000iim)，优选1至500ym，进一步优选3至300iim，特别地约5至250iim，但不限于此。在这点上，基材可具有单层形式和层压层形式的任何形式。可实施常规使用的表面处理例如化学或物理处理如铬酸盐处理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高压电击或电离辐射处理，或用底漆剂(undercoatingagent)的涂布处理，以改进与邻接层的紧密粘合性、保持性等。此外，在不损害本发明的优点等的范围内，基材可包含各种添加剂(着色剂、填料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、阻燃剂等)。压敏粘合剂层由压敏粘合剂形成，并具有压敏粘合性。该压敏粘合剂不特别限制，可在已知压敏粘合剂中适当选择。具体地，作为压敏粘合剂，具有上述特性的压敏粘合剂可在例如以下的已知压敏粘合剂中适当选择和使用丙烯酸类压敏粘合剂、橡胶类压敏粘合剂、乙烯基烷基醚类压敏粘合剂、硅酮类压敏粘合剂、聚酯类压敏粘合剂、聚酰胺类压敏粘合剂、氨基甲酸乙酯类压敏粘合剂、氟类压敏粘合剂、苯乙烯_二烯嵌段共聚物类压敏粘合剂，和蠕变特性改进压敏粘合剂，其中将具有约20(TC以下熔点的热熔性树脂混合入这些压敏粘合剂中(例如，参见JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17981、JP-A-56-13040等)。此外，作为压敏粘合剂，也可使用照射固化型压敏粘合剂(或能量射线固化型压敏粘合剂)或热膨胀性压敏粘合剂。压敏粘合剂可单独或以两种以上的组合使用。在本发明中，作为压敏粘合剂，可适合使用丙烯酸类压敏粘合剂和橡胶类压敏粘合剂，特别地，丙烯酸类压敏粘合剂是合适的。作为丙烯酸类压敏粘合剂，可提及其中将使用一种以上的烷基(甲基)丙烯酸酯((甲基)丙烯酸烷基酯)作为单体组分的丙烯酸类聚合物(均聚物或共聚物)用作基础聚合物的丙烯酸类压敏粘合剂。在上述丙烯酸类压敏粘合剂中的(甲基)丙烯酸烷基酯的实例包括(甲基)丙烯酸烷基酯，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸十九烷酯和(甲基)丙烯酸二十烷酯。作为(甲基)丙烯14酸烷基酯，具有4至18个碳原子的(甲基)丙烯酸烷基酯是适合的。此外，(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基可为线性或支化的。为了改善内聚力、耐热性及交联性等目的，上述丙烯酸类聚合物可包含与上述(甲基)丙烯酸烷基酯可聚合的其它单体组分(可共聚合单体组分)对应的单元。该类可共聚合单体组分的实例包括含羧基单体如(甲基)丙烯酸(丙烯酸或甲基丙烯酸)、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸；含酸酐基团单体如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基单体如(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯、(甲基)丙烯酸羟丁酯、(甲基)丙烯酸羟己酯、(甲基)丙烯酸羟辛酯、(甲基)丙烯酸羟癸酯、(甲基)丙烯酸羟月桂酯和甲基丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯；含磺酸基单体如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基单体如2-羟乙基丙烯酰磷酸酯；(N-取代的)酰胺类单体如(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺，N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺和N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸氨基烷基酯类单体如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲氨基乙酯和(甲基)丙烯酸叔丁氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯类单体如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯和(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；氰基丙烯酸类单体如丙烯腈和甲基丙烯腈；含环氧基丙烯酸类单体如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；苯乙烯类单体如苯乙烯和a-甲基苯乙烯；乙烯基酯类单体例如乙酸乙烯酯和丙酸乙烯酯；烯烃类单体如异戊二烯、丁二烯和异丁烯；乙烯基醚类单体例如乙烯醚；含氮单体如N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺和N-乙烯基己内酰胺；马来酰亚胺类单体如N-环己基马来酰亚胺J-异丙基马来酰亚胺J-月桂基马来酰亚胺和N-苯基马来酰亚胺；衣康酰亚胺类单体如N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺和N-月桂基衣康酰亚胺；琥珀酰亚胺类单体如N-(甲基)丙烯酰氧亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧六亚甲基琥珀酰亚胺和N-(甲基)丙烯酰基-8-氧八亚甲基琥珀酰亚胺；二醇类丙烯酸酯单体如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯(methoxyethyleneglycol(meth)acrylate)和甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯(methoxypolypropyleneglycol(meth)acrylate);具有杂环、卣原子或硅原子等的丙烯酸酯类单体，如(甲基)丙烯酸四氢糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯(fluorine(meth)acrylate)和含硅酮(甲基)丙烯酸酯(silicone(meth)acrylate);多官能单体如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯和二(甲基)丙烯酸己酯等。这些可共聚合单体组分可单独或以两种以上的组合使用。在将照射固化型压敏粘合剂(或能量射线固化型压敏粘合剂)用作压敏粘合剂的情况下，照射固化型压敏粘合剂(组合物)的实例包括其中在聚合物侧链或主链中具有自由基反应性碳-碳双键的聚合物用作基础聚合物的内部照射固化型压敏粘合剂，及其中将UV固化型单体组分或低聚物组分共混入压敏粘合剂中的照射固化型压敏粘合剂等。此外，在将热膨胀性压敏粘合剂用作压敏粘合剂的情况下，提及包含压敏粘合剂和发泡剂(特别地，热膨胀性微球)等的热膨胀性压敏粘合剂作为热膨胀性压敏粘合剂。在本发明中，在不损害本发明优点的范围内，压敏粘合剂层可包含各种添加剂(例如，增粘剂、着色剂、增稠剂、增量剂、填料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联剂等)。交联剂不特别限制，可使用已知的交联剂。具体地，作为交联剂，不仅可提及异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂和过氧化物类交联剂，还提及脲类交联剂、金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、噁唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂和胺类交联剂等，异氰酸酯类交联剂和环氧类交联剂是合适的。异氰酸酯类交联剂和环氧类交联剂的具体实例包括在关于有色晶片背面保护膜的段落中具体示例的化合物(具体实例)。交联剂可单独或以两种以上的组合使用。此外，交联剂的量不特别限制。在本发明中，代替使用交联剂或与使用交联剂一起，也可以通过用电子束或紫外线照射进行交联处理。压敏粘合剂层例如可通过利用包括混合压敏粘合剂和任选的溶剂及其它添加剂，然后将该混合物成形为片状层的通常使用的方法形成。具体地，压敏粘合剂层例如可通过以下方法形成包括施涂包含压敏粘合剂和任选的溶剂及其它添加剂的混合物至基材上的方法，包括施涂上述混合物至适当隔离体(如隔离纸)上以形成压敏粘合剂层，然后将其转移(转换)至基材的方法，或类似方法。压敏粘合剂层的厚度不特别限制，例如，为约5至300iim，优选5至80ym，更优选15至50iim。当压敏粘合剂层的厚度在上述范围内时，能够有效地显示适当的压敏粘合力。压敏粘合剂层可为单层或多层。根据本发明，可使切割带集成晶片背面保护膜具有抗静电功能。由于该构造，能够防止电路由于以下原因导致的中断在紧密粘合(粘合)时和其剥离时静电能的产生或工件(半导体晶片等)通过静电能的充电。赋予抗静电功能可通过适当的方式如以下方法进行添加抗静电剂或导电性物质至基材、压敏粘合剂层和有色晶片背面保护膜的方法，或在基材上设置由电荷转移配合物(complex)组成的导电层或金属膜等的方法。作为这些方法，优选难以产生具有改变半导体晶片品质风险的杂质离子的方法。为了赋予导电性和改进热传导性等的目的而共混的导电性物质(导电性填料)的实例包括银、铝、金、铜、镍或导电性合金等的球形、针形、片形金属粉末；金属氧化物如氧化铝；无定形炭黑和石墨。然而，从不具有漏电性的观点，有色晶片背面保护膜优选非导电性的。在本发明中，切割带可如上所述制备并使用，或可使用商购可得产品。此外，切割带集成晶片背面保护膜可以缠绕成巻形物(roll)的形式形成或可以将片(膜)层压的形式形成。例如，在膜具有缠绕成巻形物的形式时，根据需要，以通过隔离体保护切割带集成晶片背面保护膜的状态将膜缠绕成巻形物，由此可制备膜作为处于缠绕成巻形物状态或形式的切割带集成晶片背面保护膜。在这点上，处于缠绕成巻形物状态或形式的切割带集成晶片背面保护膜可由基材、在基材表面上形成的压敏粘合剂层、在压敏粘合剂层上形成的晶片背面保护膜，和在基材另一表面上形成的可剥离处理层(后表面处理层)构成。此外，切割带集成晶片背面保护膜的厚度(晶片背面保护膜的厚度和由基材和压敏粘合剂层组成的切割带的厚度的总厚度)可选自，例如，11至300m的范围，并优选15至200iim，更优选20至150iim。在切割带集成晶片背面保护膜中，晶片背面保护膜厚度与切割带的压敏粘合剂层厚度的比不特别限制，但例如，可适当选自晶片背面保护膜厚度/切割带的压敏粘合剂层厚度=150/5至3/100的范围，并优选100/5至3/50，更优选60/5至3/40。当晶片背面保护膜厚度与切割带的压敏粘合剂层厚度的比在上述范围内时，能够显示适当的压敏粘合力，并能够显示优良的切割性和拾取性。此外，在切割带集成晶片背面保护膜中，晶片背面保护膜厚度与切割带厚度(基材和压敏粘合剂层的总厚度)的比不特别限制，但例如，可适当选自晶片背面保护膜厚度/切割带厚度=150/50至3/500的范围，并优选100/50至3/300，更优选60/50至3/150。当晶片背面保护膜厚度与切割带厚度的比在150/50至3/500范围内时，拾取性良好，并能够抑制或防止在切割时产生横向残渣。如上所述，通过控制晶片背面保护膜厚度与切割带的压敏粘合剂层厚度的比或晶片背面保护膜厚度与切割带厚度(基材和压敏粘合剂层的总厚度)的比，能够改进切割步骤时的切割性和拾取步骤时的拾取性等，并且从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够有效地利用切割带集成晶片背面保护膜。(切割带集成晶片背面保护膜的生产方法)使用切割带集成晶片背面保护膜1作为实例描述本发明的切割带集成晶片背面保护膜的生产方法。首先，基材31可通过常规已知的成膜方法形成。成膜方法的实例包括压延成膜法、在有机溶剂中的流延法、在严格密闭体系中的膨胀挤出法、T-模挤出法、共挤出法和干法层压法。接着，压敏粘合剂层32通过以下形成将压敏粘合剂组合物施涂至基材31上，接着干燥(根据需要，在加热下交联)。施涂方法的实例包括辊涂、丝网涂布(screencoating)和凹版涂布(gravurecoating)。在这点上，压敏粘合剂组合物的施涂可直接在基材31上进行，以在基材31上形成压敏粘合剂层32，或可将压敏粘合剂组合物施涂至其表面已进行剥离处理以形成压敏层的隔离纸等上，然后将其转移至基材31上，从而在基材31上形成压敏粘合剂层32。因而，切割带3通过在基材31上形成压敏粘合剂层32来制备。另一方面，涂布层可通过施涂用于形成有色晶片背面保护膜2的形成材料至隔离纸上以在干燥并在规定条件下进一步干燥(在需要热固化的情况下，根据需要进行热处理并干燥)后具有规定厚度来形成。有色晶片背面保护膜2通过将该涂布层转移至压敏粘合剂层32上而在压敏粘合剂层32上形成。在这点上，晶片背面保护膜2还可通过在压敏粘合剂层32上直接施涂用于形成有色晶片背面保护膜2的形成材料，接着在规定条件下干燥(在需要热固化的情况下，根据需要进行热处理并干燥)，而在压敏粘合剂层32上形成。从而，获得根据本发明的切割带集成晶片背面保护膜1。此外，在形成有色晶片背面保护膜2时进行热固化的情况下，重要的是进行热固化至实现部分固化的程度，但优选不进行热固化。在包括倒装芯片接合步骤生产半导体器件时可适当使用本发明的切割带集成晶17片背面保护膜。即，在生产倒装芯片安装的半导体器件时使用本发明的切割带集成晶片背面保护膜，因而以切割带集成晶片背面保护膜的有色晶片背面保护膜粘贴至半导体芯片背面的状态或形式生产倒装芯片安装的半导体器件。因此，本发明的切割带集成晶片背面保护膜可用于倒装芯片安装的半导体器件(处于通过倒装芯片接合法将半导体芯片固定至被粘物如基板的状态或形式的半导体器件)。(半导体晶片)工件(半导体晶片)不特别限制，只要其为已知或通常使用的半导体晶片即可，并可在由各种材料制成的半导体晶片中适当地选择和使用。在本发明中，作为半导体晶片，可适当地使用硅晶片。(半导体器件的生产方法)用于生产本发明半导体器件的方法不特别限制，只要其为使用切割带集成晶片背面保护膜生产半导体器件的方法即可。例如，可提及包括以下步骤的生产方法等粘贴工件至切割带集成晶片背面保护膜的有色晶片背面保护膜的步骤(安装步骤)；切割工件以形成芯片形工件的步骤(切割步骤)；与有色晶片背面保护膜一起，从切割带的压敏粘合剂层剥离芯片形工件的步骤(拾取步骤)；禾口通过倒装芯片接合将芯片形工件固定至被粘物的步骤(倒装芯片接合步骤)。更具体地，作为生产半导体器件的方法，例如，半导体器件可使用本发明的切割带集成晶片背面保护膜生产，在有色晶片背面保护膜上任选地设置隔离体后，如下适当地剥离。其后，参考图2A至2D，使用切割带集成晶片背面保护膜1作为实例描述该方法。图2A至2D为示出使用本发明的切割带集成晶片背面保护膜生产半导体器件的方法的一个实施方案的横截面示意图。在图2A至2D中，如上所述，4为工件(半导体晶片)，5为芯片形工件(半导体芯片)，51为在半导体芯片5的电路面形成的凸起，6为被粘物，61为用于结合附着至被粘物6的连接垫的导电性材料，1、2、3、31和32分别为切割带集成晶片背面保护膜、有色晶片背面保护膜、切割带、基材和压敏粘合剂层。(安装步骤)首先，如图2A所示，将半导体晶片(工件)4粘贴(压接)至切割带集成晶片背面保护膜1中的有色晶片背面保护膜2上，以通过紧密粘合和保持来固定半导体晶片(安装步骤)。通常在用加压装置如加压辊加压的同时进行本步骤。[o"e](切割步骤)接着，如图2B所示，切割半导体晶片4。从而，将半导体晶片4切割成规定尺寸并个体化(形成小片)，以生产半导体芯片(芯片形工件)5。所述切割根据常规方法例如从半导体晶片4的电路面侧进行。另外，本步骤可采取例如形成达到切割带集成晶片背面保护膜l的切口(slit)的称作完全切割的切割方法。在本发明中，重要的是在切割步骤中将工件全部切割(完全切割)。在此情况下，重要的是工件与有色晶片背面保护膜一起切割，同时完全切割有色晶片背面保护膜。即，重要的是本步骤为通过一起切割工件与有色晶片背面保护膜来形成芯片形工件的步骤。在这点上，在一起切割工件与有色晶片背面保护膜时，以在切割带上不形成切口的形式或以至少部分地形成切口(优选部分地从而不切开切割带)的形式进行切割。本步骤中使用的切割设备不特别限制，可使用常规已知的设备。此外，由于半导体晶片4通过切割带集成晶片背面保护膜1粘合并固定，可抑制芯片破裂和碎屑飞散，以及还可抑制半导体晶片破损。在这点上，当有色晶片背面保护膜2由包含环氧树脂的树脂组合物形成时，即使当将其通过切割切开时，也抑制或防止在切开面上产生粘合剂从有色晶片背面保护膜挤出。结果，可抑制或防止切开面自身的再附着(粘连(blocking)),从而可更加方便地进行以下要描述的拾取。在切割带集成晶片背面保护膜扩展(e邓anding)的情况下，扩展可使用常规已知的扩展设备进行。所述扩展设备具有能够推动切割带集成晶片背面保护膜向下通过切割环的环形外环，和直径小于外环并支撑切割带集成晶片背面保护膜的内环。由于该扩展步骤，可以防止相邻的半导体芯片在以下要描述的拾取步骤中通过彼此接触而损坏。(拾取步骤)如图2C所示进行半导体芯片5的拾取，以与有色晶片背面保护膜2—起，从切割带3剥离半导体芯片5，从而收集粘合并固定至切割带集成晶片背面保护膜1上的半导体芯片5。拾取方法不特别限制，可采用常规已知的各种方法。例如，可提及包括用针状物从切割带集成晶片背面保护膜1的基材31侧向上推动各半导体芯片5，并用拾取设备拾取推出的半导体芯片5的方法。在这点上，拾取的半导体芯片5在背面(也称为无电路面、无电极形成面等)用有色晶片背面保护膜2保护。(倒装芯片接合步骤)拾取的半导体芯片5通过倒装芯片接合法(倒装芯片安装法)固定于被粘物6如基材。具体地，以半导体芯片5的电路面(也称为前面、电路图案形成面、电极形成面等)与被粘物6相对的形式根据常规方式将半导体芯片5固定于被粘物6上。例如，使在半导体芯片5的电路面处形成的凸起51与粘贴至被粘物6的连接垫的导电性材料61接触，并在加压下熔融导电性材料，由此能够确保半导体芯片5和被粘物6之间的电连接，并将半导体芯片5固定于被粘物6上。在这点上，在固定半导体芯片5至被粘物6时，重要的是将半导体芯片5和被粘物6的相对面以及间隙预先洗涤，然后将封装材料(如封装树脂)填充入该间隙中。作为被粘物，可使用各种基板如引线框和电路板(如布线电路板)。基板的材料不特别限制，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的实例包括环氧基板、双马来酰亚胺三嗪基板和聚酰亚胺基板。在倒装芯片接合中，凸起的材料和导电性材料不特别限制，其实例包括焊料(合金)如锡_铅类金属材料、锡_银类金属材料、锡_银_铜类金属材料、锡_锌类金属材料、锡_锌_铋类金属材料和金类金属材料及铜类金属材料。此外，在本步骤中，将导电性材料熔融以连接半导体芯片5的电路面处的凸起和在被粘物6表面上的导电性材料。导电性材料熔融时的温度通常为约26(TC(例如，25(TC至300°C)。通过形成具有环氧树脂等的晶片背面保护膜，可使本发明的切割带集成晶片背面保护膜具有能够忍耐在倒装芯片接合步骤中的高温的耐热性。此外，在洗涤在倒装芯片接合中半导体芯片5和被粘物6之间的相对面(电极形成面)以及间隙时使用的洗涤液不特别限制，该液体可为有机洗涤液或可为水性洗涤液。在本发明的切割带集成晶片背面保护膜中的有色晶片背面保护膜具有对洗涤液的耐溶剂型，并且对这些洗涤液基本不具有溶解性。因此，如上所述，可采用各种洗涤液作为该洗涤液，并可通过任何常规方法无需任何特别的洗涤液实现该洗涤。在本发明中，在封装半导体芯片5和被粘物6之间的间隙时使用的封装材料不特别限制，只要该材料为具有绝缘性的树脂(绝缘树脂)即可，可在已知封装材料如封装树脂中适当选择和使用。封装树脂优选具有弹性的绝缘树脂。封装树脂的实例包括含环氧树脂的树脂组合物。作为环氧树脂，可提及以上示例的环氧树脂。此外，由包含环氧树脂的树脂组合物组成的封装树脂可包含除了环氧树脂之外的热固性树脂(如酚醛树脂)或除了环氧树脂之外的热塑性树脂。此外，可利用酚醛树脂作为环氧树脂用固化剂，作为该酚醛树脂，可提及以上示例的酚醛树脂。在用封装树脂的封装步骤中，封装树脂通常通过加热来固化以实现封装。在很多情况下封装树脂的固化通常在175t:下进行60至90秒。然而，在本发明中，不限于此，例如，固化可在165至185t:的温度下进行几分钟。在有色晶片背面保护膜由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，在固化封装树脂时构成有色晶片背面保护膜的热固性树脂可完全或几乎完全固化。半导体芯片5和被粘物6之间间隙的距离通常为约30至300ym。在本发明的使用切割带集成晶片背面保护膜生产的半导体器件(倒装芯片安装的半导体器件)中，由于有色晶片背面保护膜粘贴至芯片形工件背面上，可以优良的可见性实施各种标识。特别地，即使当标识方法为激光标识方法时，标识也能够以优良的对比率实施，因而可以观察通过具有良好可见性的激光标识实施的各种信息(文字信息、图形信息等)。在激光标识时，可利用已知激光标识设备。此外，作为激光器，可以利用各种激光器如气体激光器、固态激光器和液体激光器。具体地，作为气体激光器，可利用任何已知气体激光器而没有特别限制，但二氧化碳激光器((A激光器)和准分子激光器(ArF激光器、KrF激光器、XeCl激光器、XeF激光器等)是合适的。作为固态激光器，可利用任何已知的固态激光器而没有特别限制，但YAG激光器(如Nd:YAG激光器)和YV04激光器是合适的。由于本发明的使用切割带集成晶片背面保护膜生产的倒装芯片安装的半导体器件为通过倒装芯片安装法安装的半导体器件，该器件与通过模片接合安装法安装的半导体器件相比具有变薄和小型化的形状。因而，可适当采用倒装芯片安装的半导体器件作为各种电子器件和电子部件或其材料和构件。具体地，作为利用本发明的倒装芯片安装的半导体器件的电子器件，可提及所谓的"移动电话"和"PHS"，小尺寸计算机[所谓的"PDA"(手持终端)，所谓的"笔记本尺寸的个人计算机"，所谓的"NetBook(商标)"和所谓的"可穿戴计算机"等]，具有"移动电话"和计算机集成形式的小尺寸电子器件，所谓的"DigitalCamora(商标)"，所谓的"数码摄像机"，小尺寸电视机，小尺寸游戏机，小尺寸数字音频播放机，所谓的"电子记事本"，所谓的"电子词典"，用于所谓的"电子书"的电子器件终端，移动电子器件(可携带电子器件)如小尺寸数字型手表等。不必说，也可提及除了移动器件之外的电子器件(固定型电子器件等)，例如所谓的"桌面个人计算机"、薄型电视机、用于记录和复制的电子器件(硬盘录像机(harddiskrecorders)、DVD播放机等)、投影仪和微型机等。此外，电子部件或用于电子器件和电子部件的材料和构件不特别限制，其实例包括用于所谓"CPU"的部件和用于各种记忆器件(所谓的"存储器"、硬盘等)的构件。实施例以下将详细地示例性描述本发明的优选实施例。然而，在这些实施例中描述的材料和混合量等不意于将本发明的范围限制于此，除非另外说明，它们仅为说明性实例。此外，除非另外说明，在各实例中的份为重量标准。实施例1〈有色晶片背面保护膜的制造>基于IOO份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(商品名"PARACR0NW-197CM"，由NegamiChemicalIndustrialCo.，Ltd.制造)，将113份环氧树脂(商品名"EPICOAT1004"，由JERCo.，Ltd.制造)、121份酚醛树脂(商品名"MILEXXLC-4L"，由MitsuiChemicals,Inc.制造)、246份球形二氧化硅(商品名"S0-25R"，由AdmatechsCo.，Ltd.制造，平均粒径0.5iim)、5份染料1(商品名"OILGREEN502"，由OrientChemicalIndustriesCo.，Ltd.制造)和5份染料2(商品名"OILBLACKBS"，由OrientChemicalIndustriesCo.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制备具有固体浓度为23.6重量％的树脂组合物溶液。将树脂组合物溶液施涂至由具有厚度50ym的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的作为可剥离衬垫(隔离体)的可剥离处理膜上，然后在13(TC下干燥2分钟，以制造具有厚度(平均厚度)20i！m的有色晶片背面保护膜A，所述可剥离处理膜已进行硅酮剥离处理。〈切割带集成晶片背面保护膜的制造>将上述有色晶片背面保护膜A使用手动辊粘贴至切割带(商品名"V-8-T"，由NittoDenkoCorporation制造；基材的平均厚度65ym，压敏粘合剂层的平均厚度lOym)的压敏粘合剂层上，以制造切割带集成晶片背面保护膜。实施例2〈有色晶片背面保护膜的制造>基于IOO份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(商品名"PARACRONW-197CM"，由NegamiChemicalIndustrialCo.，Ltd.制造)，将113份环氧树脂(商品名"EPICOAT1004"，由JERCo.，Ltd.制造)、121份酚醛树脂(商品名"MILEXXLC-4L"，由MitsuiChemicals,Inc.制造)、246份球形二氧化硅(商品名"S0-25R"，由AdmatechsCo.，Ltd.制造，平均粒径0.5iim)、10份染料1(商品名"OILGREEN502"，由OrientChemicalIndustriesCo.，Ltd.制造)和10份染料2(商品名"OILBLACKBS"，由OrientChemicalIndustriesCo.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制备具有固体浓度为23.6重量％的树脂组合物溶液。将树脂组合物溶液施涂至由具有厚度50ym的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的作为可剥离衬垫(隔离体)的可剥离处理膜上，然后在13(TC下干燥2分钟，以制造具有厚度(平均厚度)20i！m的有色晶片背面保护膜B，所述可剥离处理膜已进行硅酮剥离处理。〈切割带集成晶片背面保护膜的制造>将上述有色晶片背面保护膜B使用手动辊粘贴至切割带(商品名"V-8-T"，由NittoDenkoCorporation制造；基材的平均厚度65ym，压敏粘合剂层的平均厚度10i！m)的压敏粘合剂层上，以制造切割带集成晶片背面保护膜。此外，在根据实施例1至2的切割带集成晶片背面保护膜中，有色晶片背面保护膜的厚度(平均厚度)为20iim。此外，关于切割带(商品名"V-8-T"，由NittoDenkoCorporation制造)，基材的厚度(平均厚度)为65ym，压敏粘合剂层的厚度(平均厚度)为lOym，总厚度为75ym。因此，在根据实施例1至2的切割带集成晶片背面保护膜中，有色晶片背面保护膜厚度与切割带的压敏粘合剂层厚度的比(有色晶片背面保护膜厚度/切割带的压敏粘合剂层厚度；以平均厚度计的比)为20/10，有色晶片背面保护膜厚度与切割带厚度(基材和压敏粘合剂层的总厚度)的比(有色晶片背面保护膜厚度/切割带厚度；以平均厚度计的比)为20/75。(评价1:晶片背面保护膜物理性质的测量)关于在实施例1至2中制造的切割带集成晶片背面保护膜中的晶片背面保护膜(有色晶片背面保护膜)，测量可见光透射比(％)、吸湿度(重量％)和重量减少率(重量％)。测量结果示于表l中。〈可见光透射比的测量方法〉在实施例1至2中制造的各有色晶片背面保护膜(有色晶片背面保护膜A至B)(厚度20iim)使用商品名"ABS0RPTI0NSPECTR0PH0T0METER"(由ShimadzuCorporation制造)在规定强度下用具有波长400nm至800nm的可见光照射，并测量透过的可见光的强度。从可见光通过有色晶片背面保护膜前后的强度变化，确定可见光透射比(％)。〈吸湿度的测量方法〉使在实施例1至2中制造的各有色晶片背面保护膜(有色晶片背面保护膜A至B)在温度85t:和湿度85%RH的恒温恒湿室中静置168小时。从静置前后的重量变化，确定吸湿度(重量％)。〈重量减少率的测量方法〉使在实施例1至2中制造的各有色晶片背面保护膜(有色晶片背面保护膜A至B)在25(TC的干燥机中静置1小时。从静置前后的重量变化(重量减少量)，确定重量减少率(重量％)。(评价2)此外，在实施例1至2中制造的切割带集成晶片背面保护膜上，通过以下评价或测量方法来评价或测量有色晶片背面保护膜的弹性模量、切割性、拾取性、倒装芯片接合性、晶片背面的标识性能和晶片背面的外观性。评价或测量结果全部一起描述于表2中。〈有色晶片背面保护膜的弹性模量的测量方法>有色晶片背面保护膜的弹性模量通过如下测定制备不层压至切割带上的有色晶片背面保护膜，并使用由RheometricsCo.，Ltd.制造的动态粘弹性测量设备"SolidAnalyzerRSA2"，于规定温度(23°C)下，在氮气气氛中，在样品宽度10mm、样品长度22.5mm、样品厚度0.2mm、频率1Hz和升温速率10°C/分钟的条件下，以拉伸模式测量弹性模量，将其作为所得的拉伸贮能弹性模量E'的值。〈切割性/拾取性的评价方法>使用实施例1至2的各切割带集成晶片背面保护膜，通过实际切割半导体晶片评价切割性，然后评价剥离性，将各评价作为切割带集成晶片背面保护膜的切割性或拾取性的评价。将半导体晶片(直径8英寸，厚度0.6mm;硅镜面晶片)进行背面研磨处理，并使用具有厚度0.2mm的镜面晶片作为工件。从切割带集成晶片背面保护膜剥离隔离体后，将镜面晶片(工件)在7(TC下通过辊压接合粘贴在有色晶片背面保护膜上，并进一步进行切割。此处，所述切割作为完全切割进行，以成为10mm见方的芯片尺寸。在这点上，半导体晶片磨削条件、粘贴条件和切割条件如下。(半导体晶片的磨削条件)磨削设备商品名"DFG-8560"，由DISCOCorporation制造半导体晶片8英寸直径(从厚度0.6mm将背面磨削至厚度0.2mm)(粘贴条件)粘贴设备商品名"MA-3000II"，由NittoSeikiCo.，Ltd.制造粘贴速度10mm/min粘贴压力0.比MPa粘贴时的阶段温度7(TC(切割条件)切割设备商品名"DFD-6361"，由DISCOCorporation制造切割环"2-8-1"(由DISCOCorporation制造)切割速度30mm/sec切割刮刀Zl;"2030-SE27HCDD"，由DISCOCorporation制造Z2;"2030-SE27HCBB"，由DISCOCorporation制造切割刮刀旋转速率Zl;40，OOOr/minZ2;45，OOOr/min切割方法阶梯切割(st印cutting)晶片芯片尺寸10.0mm2在切割中，确认镜面晶片(工件)是否牢固保持在切割带集成晶片背面保护膜上而未剥离以进行令人满意的切割。将良好进行切割的情况评级为"良好"，将未良好进行切割的情况评级为"差"，如此评价切割性。接下来，通过用针状物从切割带集成晶片背面保护膜的切割带侧向上推动工件，将通过切割获得的芯片形工件与有色晶片背面保护膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离，由此拾取处于背面用有色晶片背面保护膜保护的状态的芯片形工件。测定此时的芯片(总计400片)的拾取率(％)，以评价拾取性。因此，当拾取率越接近于100%时，拾取性越好。此处，拾取条件如下。(半导体晶片的拾取条件)拾取设备商品名"SPA-300"，由ShinkawaCo.，Ltd.制造拾取针状物的数量9个针状物向上推动针状物的速度20mm/s向上推动针状物的距离500iim拾取运行时间l秒切割带扩展量3mm〈倒装芯片接合性的评价方法>在通过使用根据各实施例的切割带集成晶片背面保护膜的上述〈切割性/拾取性的评价方法>获得的根据各实施例的芯片形工件上，以芯片形工件的表面(电路面)与具有对应于电路面的布线的电路板表面相对的形式，使在芯片形工件的电路面处形成的凸起与粘贴至电路板连接垫的导电性材料(焊料)接触，使导电性材料通过升高温度至26(TC在加压下熔融，然后冷却至室温，由此将芯片形工件固定至电路板上，从而制造半导体器件。根据以下评价标准评价此时的倒装芯片接合性。〈倒装芯片接合性的评价标准>良好通过倒装芯片接合法能够实现安装而没有任何问题；差通过倒装芯片接合法不能实现安装。〈晶片背面标识性能的评价方法>在通过上述〈倒装芯片接合性的评价方法>获得的半导体器件中芯片形工件(即，有色晶片背面保护膜的前面)的背面上实施激光标识。关于通过激光标识(条形码信息)获得的信息，根据以下评价标准评价使用根据各实施例的切割带集成晶片背面保护膜获得的半导体器件的激光标识性能。(激光标识性能的评价标准)良好判断通过激光标识获得的信息为满意可见的人员数量为在随机选择的10个成人中的8个人以上。差判断通过激光标识获得的信息为满意可见的人员数量为在随机选择的10个成人中的7个人以下。〈晶片背面外观的评价方法>在通过使用根据各实施例的切割带集成晶片背面保护膜的上述〈切割性/拾取性的评价方法>获得的根据各实施例的芯片形工件上，根据以下评价标准目视评价芯片形工件背面的外观性。(外观性的评价标准)良好在晶片(硅晶片)背面和芯片形工件中的有色晶片背面保护膜之间没有观察到剥离(漂浮)；差在晶片(硅晶片)背面和芯片形工件中的有色晶片背面保护膜之间观察到剥离(漂浮)。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>从表2中，确认根据实施例1至2的切割带集成晶片背面保护膜以优良的水平具有作为切割带的功能和作为晶片背面保护膜的功能。由于切割带和晶片背面保护膜在本发明的切割带集成晶片背面保护膜中以集成方式形成，以及晶片背面保护膜是有色的，因此从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均可利用切割带集成晶片背面保护膜。即，在通过倒装芯片接合法生产半导体器件时，本发明的切割带集成晶片背面保护膜可适合用作具有切割带和晶片背面保护膜两者功能的切割带集成晶片背面保护膜。虽然已详细地并参考其具体实施方案描述本发明，但本领域技术人员显而易见的是，其中可进行各种变化和改进而不背离其范围。本申请基于2009年1月30日提交的日本专利申请2009-020459和2009年10月30日提交的日本专利申请2009-251127，在此将其全部内容引入以作参考。此外，将此处弓I用的所有参考文献整体弓I入。权利要求一种切割带集成晶片背面保护膜，其包括切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和晶片背面保护膜，所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述晶片背面保护膜是有色的，并且所述有色晶片背面保护膜具有3GPa以上的弹性模量(23℃)。2.根据权利要求1所述的切割带集成晶片背面保护膜，其中所述有色晶片背面保护膜具有激光标识性能。3.根据权利要求1所述的切割带集成晶片背面保护膜，其用于倒装芯片安装的半导体器件。4.一种使用切割带集成晶片背面保护膜生产半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤粘贴工件至根据权利应要求1所述的切割带集成晶片背面保护膜的所述有色晶片背面保护膜上，切割所述工件以形成芯片形工件，与所述有色晶片背面保护膜一起，从所述切割带的压敏粘合剂层剥离芯片形工件，禾口通过倒装芯片接合将所述芯片形工件固定至被粘物。5.—种倒装芯片安装的半导体器件，其使用根据权利要求1所述的切割带集成晶片背面保护膜制造，所述半导体器件包括芯片形工件和粘贴至所述芯片形工件背面的切割带集成晶片背面保护膜的晶片背面保护膜。全文摘要本发明提供切割带集成晶片背面保护膜，其包括切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和晶片背面保护膜，所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述晶片背面保护膜是有色的，并且所述有色晶片背面保护膜具有3GPa以上的弹性模量(23℃)。优选所述有色晶片背面保护膜具有激光标识性能。所述切割带集成晶片背面保护膜可适用于倒装芯片安装的半导体器件。文档编号H01L21/68GK101794723SQ20101010603公开日2010年8月4日申请日期2010年1月29日优先权日2009年1月30日发明者高本尚英申请人:日东电工株式会社