专利名称：显示单元的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种包括有机EL(电发光)装置的显示单元。
背景技术：
最近几年，在显示图像的显示单元领域中，已经研制出包括发射光可以根据 流动电流值改变的电流驱动型光学装置(诸如有机EL装置)作为像素的光发射装 置的显示单元，并且这种显示单元被商业化制造(例如，见日本未审查专利申请公开 No. 2008-083272)。有机EL装置是与液晶装置等不同的自发光装置。因此，包括有机EL装置的显示 单元(有机EL显示单元)不需要光源(背光)。因此，在有机EL显示单元中，与需要光源 的液晶显示单元相比，图像可见度较高，电耗较低并且装置响应速度较高。有机EL显示单元中的驱动系统同液晶显示单元一样包括简单(无源)矩阵系统 和有源矩阵系统。前一个系统具有难于实现较大和较高清晰度的显示单元，虽然其结构比 较简单。因此，目前已经积极研发有源矩阵系统。在这样的系统中，流经每个像素的发光装 置的电流由为每个发光装置(一般为TFT(薄膜晶体管))所设置的驱动电路中的有源装置 控制。图14图示一般有机EL显示单元的示意性构造。图14中所示的显示单元100包 括其中以矩阵状态布置的多个像素的显示部分110以及用于驱动每个像素120的驱动部分 (水平驱动电路130、写入扫描电路140以及功率源扫描电路150)。每个像素120由红色用像素120R、绿色用像素120G以及蓝色用像素120B组成。 如图15和16所示，像素120R、120G和120B由有机EL装置121(有机EL装置121R、121G 和121B)以及连接到其的像素电路122组成。图15图示像素120R、120G和120B的电路构 造。图16图示像素120R、120G和120B的布局。像素电路122由取样用晶体管Tws、保持电容Cs以及驱动用晶体管组成，并且 具有2TrlC的电路构造。从写入扫描电路140引出的栅极线WSL沿行方向延伸，并且通过 触点126A连接到晶体管Tws的栅极123A。从功率源扫描电路150引出的漏极线DSL也沿行 方向延伸，并且通过引出配线128A连接到晶体管Td,的漏极124C。此外，从水平驱动电路 130引出的信号线DTL沿列方向延伸，并且通过触点126B和引出配线128B连接到晶体管Tws 的漏极123C。晶体管Tws的源极123B通过触点126C连接到驱动用晶体管TD,的栅极124A 以及保持电容Cs (端子125A)的一个端部。晶体管的源极124B以及保持电容Cs (端子 125B)的另一个端部通过触点126D连接到有机EL装置121R、121G和121B(下面称为有机 EL装置121R等)的阳极127A。有机EL装置121R等的阴极127B连接到接地线GND。
发明内容
图17图示沿图16的线A-A所取得剖面构造。在与图16的线A_A所对应的部分 中，每个像素120在衬底111上具有栅极124A(端子125A)、栅极绝缘膜112、源极124B(端子125B)、绝缘保护膜113、绝缘平坦膜114、孔径限定绝缘膜115、有机EL装置121以及绝 缘保护膜116。例如在有机EL装置121R等的阳极127A的正下方，存在膜厚为约1 μ m的 源极124B(端子125B)。为了防止在阳极127中由于源极124B(端子125B)产生凹槽和凸 起，形成绝缘平坦膜114。但是，在实践中，如图17所示，例如，由于源极124B(端子125B)的原因，在阳极 127A中产生尺寸约为0. 3μπι到0.4μπι的凹凸127D。凹凸127D反映了源极124Β(端子 125Β)的形状，并且沿列方向延伸较长。因此，在外部光L进入阳极127Α的情况下，光由凹 凸127D绕射反射。因此，存在反射光被观察者(未图示)看到并且图像质量降低的缺点。鉴于此，在本发明中，期望提供能够降低绕射反射的显示单元。根据本发明实施例，提供一种包括显示部分的第一显示单元，显示部分具有用于每个像素的有机EL装置和像素电路。像素电路具有用于写入视频信号的写入用第一晶体 管以及用于基于第一晶体管所写入的视频信号驱动有机EL装置的驱动用第二晶体管。第 二晶体管包括栅极、源极和漏极。有机EL装置具有阳极、有机层以及阴极。源极或漏极的 上表面至少形成于和阳极或阴极相对的区域中。在本发明实施例的第一显示单元中，第二晶体管的源极或漏极的上表面至少形成 于和有机EL装置的阳极或阴极相对的区域中。因此，与源极或漏极的端部相对应的台阶不 是存在于阳极或阴极的正下方，并且阳极或阴极形成在平面上。根据本发明实施例，提供一种包括显示部分的第二显示单元，所述显示部分具有 用于每个像素的有机EL装置和像素电路。像素电路具有用于写入视频信号的写入用第 一晶体管以及用于基于第一晶体管所写入的视频信号驱动有机EL装置的驱动用第二晶体 管。第二晶体管包括栅极、源极和漏极。有机EL装置具有阳极、有机层以及阴极。源极或 漏极具有包括连续弯曲面的长边部分。根据本发明实施例的第二显示单元，第二晶体管的源极或漏极具有包括连续弯曲 面的长边部分。因此，在有机EL装置的阳极或阴极中，形成与源极或漏极的长边部分中形 成的连续弯曲面对应的凹凸。在本发明实施例的第一和第二显示单元中，显示部分可以在每个像素中具有连接 在栅极和源极或漏极之间的保持电容。在此情况下，保持电容能够由源极和漏极中的一者 形成，其中，源极或漏极的上表面至少形成于和阳极或阴极相对的区域中。根据本发明实施例的第一显示单元，第二晶体管的源极或漏极的上表面至少形成 于和有机EL装置的阳极或阴极相对的区域中。因此，当外部光进入阳极或阴极时，绕射反 射能够降低。结果，能够抑制由于绕射反射引起图像质量的降低。根据本发明实施例的第二显示单元，在第二晶体管的源极或漏极中设置包括连续 弯曲面的长边部分。因此，当外部光进入阳极或阴极时，能够降低某个方向的绕射反射的产 生。结果，能够抑制由于绕射反射引起图像质量的降低。本发明的其他或进一步目标、特征和优点从下面说明书中将更进一步清晰。
图1是图示根据本发明第一实施例的显示单元的示意构造图。图2是图1的像素的电路构造图。
图3是图1的像素的布局图。图4是图3的像素的截面图。图5是图1的像素的修改示例的布局图。图6是图示根据本发明第二实施例的包括在显示单元中的像素的布局图。图7是图6的像素的截面图。图8是图示包括根据上述实施例的显示单元的模组的示意构造的平面图。图9是图示包括根据上述实施例的显示单元的第一应用示例的外观的立体图。图IOA是图示第二应用示例的前侧的外观的立体图，而图IOB是图示第二应用示 例的后侧的外观的立体图。
图11是图示第三应用示例的外观的立体图。图12是图示第四应用示例的外观的立体图。图13A是第四应用示例闭合的正面图，图13B是其侧视图，图13C是第五应用示例 闭合的正面图，图13D是其左视图，图13E是其右视图，图13F是其俯视图，而图13G是其仰 视图。图14现有显示单元的示意性构造图。图15是图14的像素的电路构造图。图16是图14的像素的布局图。图17是图16的像素的截面图。
具体实施例方式下面将参照附图详细地描述本发明的示例性实施例。以下面次序进行描述1.第一实施例(源极区域较大)2.修改示例3.第二实施例(在阴极的端部中包括连续弯曲面)4.修改示例5.模组和应用示例1.第一实施例图1图示根据本发明第一实施例的显示单元1的整体构造示例。显示单元1在例 如由玻璃、硅(Si)晶片树脂等制成的衬底40 (下述)中包括显示部分10和形成于显示部 分10周边的周边电路部分20 (驱动部分)。显示部分10在显示部分10中，多个像素11以矩阵状态布置在显示部分10的整个区域上。显 示部分10通过有源矩阵驱动基于外部输入的视频信号20a显示图像。每个像素11包括红 色用像素11R、绿色用像素IlG以及蓝色用像素11B。图2图示像素IlRUlG和IlB的电路构造的示例。图3图示像素11R、IlG和IlB 的布局。在像素IlRUlG和IlB中，如图2中所示，设置有机EL装置12R、12G和12B (发光 装置)以及像素电路13。像素电路13由晶体管Tws (第一晶体管)、晶体管Tte以及连接在晶体管Tte的栅极 和源极之间的保持电容Cs组成，并且具有2TrlC的电路构造。晶体管Tws是用于写入视频信号的写入用晶体管。晶体管Tte是用于基于由晶体管Tws所写入的视频信号驱动有机EL 装置12R、12G和12B (下面一般称为有机EL装置12)的驱动用晶体管。晶体管Tws和Tte例 如由η沟道MOS型薄膜晶体管(TFT)形成。周边电路部分20周边电路部分20具有定时控制电路21、水平驱动电路22、写入扫描电路23以及 功率源扫描电路24。定时控制电路21包括显示信号生成电路21Α和显示信号保持控制电路 21Β。此外，在周边电路部分20中，设置栅极线WSL、 漏极线DSL、信号线DTL和接地线GND。 接地线意欲连接到接地，并且当接地线连接到接地时获得接地电压(基准电压)。显示信号生成电路21Α意欲基于从外部输入的视频信号20a例如为每1屏(每1 场显示)生成用于在显示部分10上进行显示的显示信号21a。显示信号保持控制电路21B意欲存储和保持从显示信号生成电路21A为每1屏 (每1场显示)输出到例如由SRAM(静态随机存取存储器)组成的场存储器的显示信号 21a。显示信号保持控制电路21B还充当控制以使得用于驱动每个像素11的水平驱动电路 22、写入扫描电路23以及功率源扫描电路24彼此同时操作的角色。具体而言，显示信号保 持控制电路21B分别将控制信号21b输出到写入扫描电路23、将控制信号21c输出到功率 源扫描电路24以及将控制信号21d输出到显示信号驱动电路21C。水平驱动电路22能够根据从显示信号保持控制电路21B输出的控制信号21d输 出电压。具体而言，水平驱动电路22意欲通过连接到显示部分10的每个像素11的信号线 DTL将给定电压供应到由写入扫描电路23选定的像素11。写入扫描电路23能够根据从显示信号保持控制电路21B输出的控制信号21b输 出电压。具体而言，写入扫描电路23意欲通过连接到显示部分10的每个像素11的栅极线 WSL将给定电压供应到作为驱动目标的像素11，以控制取样用晶体管Tws。功率源扫描电路24能够根据从显示信号保持控制电路21B输出的控制信号21c 输出电压。具体而言，功率源扫描电路24意欲通过连接到显示部分10的每个像素11的漏 极线DSL将给定电压供应作为驱动目标的像素11，以控制有机EL装置12R等的发光和灭 光。布局接着，参考图2和图3给出每个元件的连接关系的描述。从写入扫描电路23引出 的栅极线WSL沿行方向延伸，并且通过触点34A连接到晶体管Tws的栅极31A。从功率源扫 描电路24引出的漏极线DSL也沿行方向延伸，并且通过引出配线36A连接到晶体管Tte的 漏极32C。此外，从水平驱动电路22引出的信号线DTL沿列方向延伸，并且通过触点34B和 引出配线36B连接到晶体管Tws的漏极31C。晶体管Tws的源极31B连接到驱动用晶体管Tte 的栅极32A以及保持电容Cs (端子33A)的一个端部。晶体管Tte的源极32B以及保持电容 Cs (端子33B)的另一个端部通过触点34D连接到有机EL装置12的阳极35A。有机EL装 置12的阴极35B连接到接地线GND。剖面构造图4图示沿图3的线A-A所取得的剖面构造。在与图3的线A-A所对应的部分中， 每个像素11在衬底40上具有栅极32A (端子33A)、栅极绝缘膜41、源极32B (端子33B)、绝 缘保护膜42、绝缘平坦膜43、有机EL装置12、孔径限定绝缘膜44以及绝缘保护膜45。
栅极32A (端子33A)形成在衬底40的表面上，并且一般形成在包括与下述的EL 孔径44A相对的区域的区域中。图3以栅极32A(端子33A)形成于包括与除了 EL孔径44A 的上部的区域相对于的区域的区域作为示例。栅极绝缘膜41覆盖包括栅极32A (端子33A) 的衬底40的整个表面。因为栅极32A极薄，所以由于栅极32A引起的凹凸实际上并不存在 与栅极绝缘膜41中。也就是说，栅极绝缘膜41的上表面从光学上讲等于平面。源极32B (端子33B)形成于栅极绝缘膜41和绝缘保护膜42之间。源极32B的上 表面32B-1 (端子33B的上表面33B-1)是平面，并至少形成于和阳极35A相对的区域中。如 下面所述，阳极35A的部分上表面对应于EL孔径44A。因此，上表面32B-1 (33B-1)形成在 包括与EL孔径44A相对的区域的区域中。绝缘保护膜42覆盖栅极绝缘膜41和源极32B (端子33B)的整个表面。因为绝缘保护膜42沿栅极绝缘膜41和源极32B (端子33B)的表面形成，所以绝缘保护膜42具有与 源极32B (端子33B)的端部对应的台阶42A。台阶42A形成于和阳极35A不相对的区域中。 在绝缘保护膜42的上表面，至少与阳极35A相对的区域是平面。绝缘平坦膜43被设置为平坦源极32B (端子33B)的基体，并且覆盖绝缘保护膜42 的整个表面。绝缘平坦膜43在对应于台阶42A的区域中例如具有台阶43A，台阶43A的高 度约为台阶42A的高度的一半或更少。台阶43A形成于和阳极35A不相对的区域中。在绝 缘平坦膜43的上表面，至少与阳极35A相对的区域是平面。有机EL装置12具有这样的结构，例如其中阳极35A、有机层35C和阴极35B按次 序从衬底40侧叠层。有机层35C具有这样的堆叠结构，其中，用于提高孔注射效率的孔注 射层、用于提高孔传输到发光层的效率的孔传输层、用于通过电子_孔再结合而生成光发 射的发光层以及用于提高电子传输到发光层的效率的电子传输层按次序从阳极35A侧叠 层。阳极35A在绝缘平坦膜43中形成于由台阶43A所包围的部分的表面(平面)上。因 此，在阳极35A中，不存在与台阶42A和43A对应的凹凸，并且阳极35A沿着绝缘平坦膜43 的平面是平坦膜。阴极35B至少形成于有机层35C的上表面。例如，阴极35B覆盖有机膜 35C和限定绝缘膜44的孔径的整个表面。限定绝缘膜44的孔径形成于和有机EL装置12的阳极35A相同的平面上，并且具 有与阳极35A对应的孔径(EL孔径44A)。EL孔径44A形成于和阳极35A的上表面相对的 区域的部分中，并限定绝缘膜44的孔径覆盖阳极35A的外边缘(周围边缘)。也就是说，在 EL孔径44A的底面，仅部分暴露阳极35A的上表面。有机层35C与阳极35A的上表面中的 EL孔径44A的底面上的暴露部分接触。绝缘保护膜45覆盖阴极35B的整个表面。绝缘保护膜45由对有机EL装置12中 发射的光透明的材料形成。因此，绝缘保护膜45不仅能够通过有机EL装置12的发射光而 且能够通过与有机EL装置12的发射光相同波段的外部光。操作和效果在此实施例的显示单元1中，像素电路13在每个像素中被打开/关闭控制，并且 驱动电流被置入每个像素11的有机EL装置12。因此，发生电子-孔再结合以开始光发射。 光以多种模式在阳极35A和阴极35B之间反射，并且透射过阴极35B，然后被提取到外部。 结果，在显示部分10中显示图像。在现有显示单元中，例如，如图17所示，膜厚为约Iym的源极124B (端子125B)存在于有机EL装置121R等的阳极127A的正下方。这导致在阳极127A中生成尺寸约从0. 3μm到0.4μm的凹凸127D。凹凸127D反映了源极124Β(端子125Β)的形状，并且沿列 方向延伸较长。因此，在外部光L进入阳极127Α的情况下，光由凹凸127D绕射反射。结果， 存在例如反射光被观察者(未图示)看到并且图像质量降低的缺点。同时，在此实施例中，如同现有示例一样，膜厚为约Iym的源极32Β (端子33Β) 存在于有机EL装置12的阳极35Α的正下方。但是，在此实施例中，源极32Β的上表面 32Β-1 (端子33Β的上表面33Β-1)至少形成于和阳极35Α相对的区域中。因此，对应于源 极32Β (端子33Β)形成于绝缘保护膜42和绝缘平坦膜43中的台阶42Α和43Α不是存在于 阳极35Α的正下方，阳极35Α形成于绝缘平坦膜43的平面上。也即是说，在阳极35Α中，不 存在与台阶42Α和43Α对应的凹凸，并且阳极35Α沿着绝缘平坦膜43的平面是平坦膜。因 此，在外部光L进入阳极35Α的情况下，不产生与现有情况下的绕射反射。因此，不存在由 于绕射反射而降低图像质量的可能性。修改示例在上述实施例中，已经以上表面32Β-1(33Β-1)至少形成于和阳极35Α相对的区域 中作为示例。但是，上表面32Β-1(33Β-1)的形成位置可以从与阳极35Α相对的区域在能够 与现有示例相比降低绕射反射的范围中偏移。例如，如图5所示，上表面32Β-1(33Β-1)的 形成位置在图中可以相对于阳极35Α向上偏移，并且仅与阳极35Α的短边部分35Α-1 (短边 以及其附近的部分)不相对。在图5的情况下，阳极35Α的纵向的一侧以及其附近的部分 与上表面32Β-1 (33Β-1)相对，并且至少不生成绕射反射。因此，与现有示例相比，可以降低 绕射反射。结果，能够抑制由于绕射反射引起图像质量的降低。此外，虽然没有图示，但是 仅当阳极35Α中生成的凹凸极小(诸如约0. Ιμπι)时，上表面32Β-1(33Β-1)的端部可以稍 微位于阳极35Α的端部的内侧。第二实施例图6图示根据本发明第二实施例的显示单元的像素11(11R、11G和11B)的布局。 此实施例的显示单元的构造与上述实施例和修改示例的显示单元1的构造不同之处在于 包括取代晶体管Tte的栅极32A的栅极52A以及包括取代晶体管Tte的源极32B的源极52B。 此外，此实施例的显示单元的构造与上述实施例和修改示例的显示单元1的构造不同之处 在于分别地包括取代保持电容Cs的端子33A的端子53A以及包括取代保持电容Cs的端 子33B的端子53B。因此，下面主要给出与上述实施例和修改示例的不同点的描述，并且与 上述实施例和修改示例的相同点的描述适当省略。布局在此实施例中，栅极52A (端子53A)的面积小于上述实施例的栅极32A (端子33A) 的面积。除了主要用作晶体管Tte的栅极32A的部分之外，栅极52A(端子53A)位于和阳极 35A相对的区域内。也即是说，栅极52A(端子53A)的结构与图16中所示的现有示例的栅 极124A (端子125A)的相似。同时，类似地，源极52B(端子53B)的面积小于上述实施例的源极32B(端子33B) 的面积。除了主要用作晶体管Tte的源极52B的部分之外，源极52B (端子53B)位于和阳极 35A相对的区域内。也即是说，在此点上，源极52B(端子53B)的结构与图16中所示的现有 示例的源极124B(端子125B)的相似。
但是，与现有示例的源极124B(端子125B)不同，源极52B(端子53B)不是直的，而是在源极52B(端子53B)的至少长边部分54(长边以及其附近的部分)中沿纸内方向呈 波浪形。也即是说，源极52B (端子53B)至少在源极52B (端子53B)的长边部分54中包括 连续弯曲面。图6以源极52B (端子53B)不仅在长边部分54而且在短边部分55 (短边以 及其附近部分)中包括连续弯曲面的情况下作为示例。此外，图6以和源极52B(端子53B) 形成于相同层中的晶体管Tws的源极31B也在长边以及其附近部分包括连续弯曲面。剖面构造图7图示沿图6的线A-A所取得的剖面构造。在与图6的线A-A所对应的部分中， 每个像素11在衬底40上具有栅极52A (端子53A)、栅极绝缘膜41、源极52B (端子53B)、绝 缘保护膜42、绝缘平坦膜43、有机EL装置12、孔径限定绝缘膜44以及绝缘保护膜45。栅极52A(端子53A)形成在衬底40的表面上，并且如上所述形成在阳极35A中除 了主要充当晶体管Tte的栅极32A的部分之外相对的区域内。栅极绝缘膜41覆盖包括栅极 52A(端子53A)的衬底40的整个表面。因为栅极52A(端子53A)极薄，所以实际上并不存 在由于栅极52A(端子53A)引起的凹凸。也就是说，栅极绝缘膜41的上表面从光学上讲等 于平面。源极52B(端子53B)形成于栅极绝缘膜41和绝缘保护膜42之间。源极52B的上 表面52B-1 (端子53B的上表面53B-1)是平面，并且如上所述形成在阳极35A中除了主要 充当晶体管Tte的栅极52B的部分之外相对的区域内。此外，上表面52B-1(53B-1)形成于 和EL孔径44A中除了主要充当晶体管Tte的源极52B的部分之外相对的区域内。绝缘保护膜42覆盖栅极绝缘膜41和源极52B (端子53B)的整个表面。因为绝缘 保护膜42沿栅极绝缘膜41和源极52B (端子53B)的表面形成，所以绝缘保护膜42在与源 极52B (端子53B)对应区域中具有台阶42A。台阶42A同源极52B (端子53B)的端部一样 沿面内方向成波浪形(包括连续弯曲面)。台阶42A形成于与阳极35A和EL孔径44A相对 的区域内。在绝缘保护膜42的上表面，与阳极35A和EL孔径44A相对的区域是沿面内方 向成波浪形的凹凸面。绝缘平坦膜43被设置为平坦源极52B (端子53B)的基体，并且覆盖绝缘保护膜42 的整个表面。绝缘平坦膜43对应于台阶42A的区域中例如具有台阶43A，台阶43A的高度 约为的台阶42A的高度的一半或更少。台阶43A同台阶42A—样沿面内方向成波浪形(包 括连续弯曲面)。台阶43A形成于与阳极35A和EL孔径44A相对的区域内。在绝缘平坦膜 43的上表面，至少与阳极35A和EL孔径44A相对的区域是沿面内方向成波浪形的凹凸面。在有机EL装置12中，阳极35A形成于包括绝缘平坦膜43的台阶43A(凹凸面)的 表面上。因此，在阳极35A中，形成与台阶43A对应的凹凸，并且沿着绝缘平坦膜43的凹凸 面具有台阶35D。台阶35D同台阶43A—样沿面内方向成波浪形(包括连续弯曲面)。台 阶35D暴露于EL孔径44A的底面。在有机层35C和阴极35B中也形成与台阶35D对应的 凹凸。效果在此实施例的显示单元中，如同现有示例一样，膜厚为约Iym的源极52B (端子 53B)存在于有机EL装置12的阳极35A的正下方。此外，如现有示例中一样，源极52B (端 子53B)的上表面52B-1(53B-1)形成于和EL孔径44A中除了主要充当晶体管Tte的源极52B的部分之外相对的区域内。但是，在此实施例中，源极52B(端子53B)在源极52B(端子53B)的长边部分54中包括连续弯曲面。因此，在阳极35A中，形成与源极52B(端子53B) 的长边部分54中形成的连续弯曲面对应的凹凸。此外，在此实施例中，源极52B (端子53B) 在源极52B (端子53B)的短边部分55中也包括连续弯曲面。因此，在阳极35A中，形成与 源极52B(端子53B)的短边部分55中形成的连续弯曲面对应的凹凸。因此，在外部光L进 入阳极35A的情况下，在某个方向中不产生绕射反射。因此，不存在由于绕射反射而降低图 像质量的可能性。修改示例在上述实施例中，以源极52B(端子53B)在长边部分54和短边部分55中包括连 续弯曲面的情况作为示例。但是，可以在与现有示例相比能够降低绕射反射的范围内减小 连接弯曲面的形成区域。例如，虽然未示出，连续弯曲面可以仅设置在源极52B(端子53B) 的长边部分54中，在短边部分55中没有设置这样的连续弯曲面，而是在短边部分55中设 置线性端面。由此，能够降低某个方向中绕射反射的生成。结果，能够抑制由于绕射反射引 起图像质量的降低。模组和应用示例将给出在上述实施例及其修改示例中所描述的显示单元的应用示例的描述。上述 实施例等的显示单元可以应用于将从外部输入的视频信号或内部生成的视频信号显示为 图像或视频的任何领域的电子装置(诸如，电视机装置、数码相机、笔记本个人电脑、诸如 移动电话的移动终端以及录像机)的显示单元。模组上述实施例等的显示单元包含在各种电子装置中作为例如图8中所述的模组，诸 如下述的第一到第五应用示例。在模组中，例如，从密封显示部分10的构件(未示出)暴 露的区域设置在衬底2—侧，并且外部连接端子(未示出)通过定时控制电路21、水平驱动 电路22、写入扫描电路23以及功率源扫描电路24的延伸配线形成于暴露区域210中。外 部连接端子可以设置有用于输入和输出信号的柔性印刷电路(FPC) 220。第一应用示例图9图示上述实施例等的显示单元的应用的电视机装置的外观。电视机装置例如 具有包括前面板310和过滤玻璃320的视频显示屏部分300。视频显示屏部分300由上述 实施例等的显示单元组成。第二应用示例图10A-10B图示上述实施例等的显示单元的应用的数码相机的外观。数码相机例 如具有用于闪光灯410的发光部分、显示屏部分420、菜单开关430以及快门按钮440。显 示屏部分420由上述实施例等的显示单元组成。第三应用示例图11图示上述实施例等的显示单元的应用的笔记本个人电脑的外观。笔记本个 人电脑例如具有主体510、用于输入字符等操作的键盘520以及用于显示图像的显示屏部 分530。显示屏部分530由上述实施例等的显示单元组成。第四应用示例图12图示上述实施例等的显示单元的应用的录像机的外观。录像机例如具有主体610、设置在主体610的前侧面上用于捕获目标620的透镜、捕获启动/停止开关630以 及显示屏部分640。显示屏部分640由上述实施例等的显示单元组成。第五应用示例图13A-13G图示上述实施例等的显示单元的应用的移动电话的外观。在移动电话 中，例如，上封装件710和下封装件720通过连接部分(铰链部分)730连接。移动电话具 有显示屏740、子显示屏750、图片灯760和相机770。显示屏740或子显示屏750由上述实 施例等的显示单元组成。虽然参考实施例、修改示例以及应用示例已经描述本发明，但是本发明不限于上 述实施例等，并且可以作出各种修改。例如，在上述实施例等中，已经给出显示单元是有源矩阵型的描述。但是，用于驱 动有源矩阵的像素电路13的构造不限于在上述实施例等中描述的情况，电容装置或晶体 管可以根据需要加到像素电路13中。在此情况下，根据像素电路13的变化，除了上述的水 平驱动电路22、写入扫描电路23以及功率源扫描电路24之外，可以添加必要的驱动电路。此外，在上述实施例等中，水平驱动电路22、写入扫描电路23以及功率源扫描电 路24的驱动可以由信号保持控制电路21B控制。但是，其他电路可以控制水平驱动电路 22、写入扫描电路23以及功率源扫描电路24的驱动。此外，水平驱动电路22、写入扫描电 路23以及功率源扫描电路24可以由固件(电路)控制或者由软件(程序)控制。此外，在上述实施例等中，已经给出晶体管Tws的源极和漏极以及晶体管Tte的漏极 固定的情况的描述。但是，无需多言，根据电流的流向，源极和漏极之间的相对关系可以与 上述解释的相反。此外，在上述实施例等中，已经给出晶体管Tws和Tte由η沟道MOS型TFT形成的情 况的描述。但是，至少一个晶体管Tws和Tte可以由ρ沟道MOS型TFT形成。在晶体管Tte由 P沟道MOS型TFT形成的情况下，有机EL装置12的阳极35Α变为上述实施例等中的阴极， 而有机EL装置12的阴极35Β变为阳极。此外，在上述实施例等中，晶体管Tws和Tte可以是 无定形硅型TFT或者低温多晶硅型TFT。本申请包含在2009年3月6日在日本专利局递交的日本在先专利申请 JP2009-053159所公开的主题有关的主题，该申请的全部内容通过引用方式结合于此。本领域的技术人员应该理解到可以根据设计要求和其他因素进行各种修改、组 合、子组合和替换，只要它们在权利要求的范围或者其等同范围内。
权利要求
一种显示单元，包括显示部分，所述显示部分具有用于每个像素的有机EL装置和像素电路；其中，所述像素电路具有用于写入视频信号的第一晶体管以及用于基于所述第一晶体管所写入的所述视频信号驱动所述有机EL装置的第二晶体管；所述第二晶体管包括栅极、源极和漏极；所述有机EL装置具有阳极、有机层以及阴极；并且所述源极或所述漏极的上表面至少形成于和所述阳极或阴极相对的区域中。
2.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述显示部分在所述每个像素中具有连接 在所述栅极和所述源极或所述漏极之间的保持电容；并且所述保持电容由所述源极和所述漏极中的一者以及所述栅极形成，其中，所述源极或 所述漏极的所述上表面至少形成于和所述阳极或阴极相对的区域中。
3.—种显示单元，包括显示部分，所述显示部分具有用于每个像素的有机EL装置和像 素电路；其中，所述像素电路具有用于写入视频信号的第一晶体管以及用于基于所述第一晶体 管所写入的所述视频信号驱动所述有机EL装置的第二晶体管；所述第二晶体管包括栅极、源极和漏极；所述有机EL装置具有阳极、有机层以及阴极；并且所述源极或所述漏极具有包括连续弯曲面的长边部分。
4.根据权利要求3所述的显示单元，其中，所述源极或所述漏极还具有包括连续弯曲 面的短边部分。
全文摘要
本发明提供一种显示单元，其能够降低绕射反射。该显示单元包括显示部分，所述显示部分具有用于每个像素的有机EL装置和像素电路。像素电路具有用于写入视频信号的第一晶体管以及用于基于第一晶体管所写入的视频信号驱动有机EL装置的第二晶体管。第二晶体管包括栅极、源极和漏极。有机EL装置具有阳极、有机层以及阴极。源极或漏极的上表面至少形成于和阳极或阴极相对的区域中。
文档编号H01L27/32GK101826299SQ20101012495
公开日2010年9月8日 申请日期2010年3月1日 优先权日2009年3月6日
发明者内野胜秀, 妹尾佑树, 山本哲郎, 种田贵之 申请人:索尼公司