专利名称：硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件制造方法及构造的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种与二极管有关的构造及其制造方法，特别是关于一种硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件制造方法及构造。
背景技术：
举凡工业、家电、电力系统、交通、商业、航空、电脑通讯到军事用途，都可见到电力电子使用的踪迹，在电力电子技术领域中，常利用表面粘着型二极管元件来达到各种需求。如图1所示，前述表面粘着型二极管元件的概要制造方法如下对一本质材料为硅的硅晶圆片100，进行刻蚀101、设置绝缘层102、以及表面金属化103等功能线路制作工艺后，切割硅晶圆片104成单一晶粒，再于单一晶粒的两极上各分别延伸设置一电气接脚 105后封装106，如此便可制成常见的表面粘着型二极管元件。另外，前述习知表面粘着型二极管元件的结构可依前述电气接脚以及所填充的绝缘层不同而有不同的实施态样如图2所示，该表面粘着型二极管元件的晶粒1的电气接脚2可以分别设置在位于晶粒1左右两侧的两极，而设置在晶粒1外层的封装层3则可以是填充于晶粒1外部的玻璃。或者，如图3所示，该表面粘着型二极管元件的晶粒1的两极分别设置于晶粒1 的上下两侧，其中一电气接脚2设置在晶粒1的下方电极处，另外，再在晶粒1的上方电极处打线接合设置另一电气接脚2，并在晶粒1外部填充保护晶粒1的玻璃或是环氧树脂 (ePoxy)封装层3。另外，如图4所示，该表面粘着型二极管元件的晶粒1的两极分别设置于晶粒1的上下两侧，并在晶粒1上下两侧各焊接设置一电气接脚2，并将电气接脚2弯折至同一侧以方便使用，并再用环氧树脂(ePoxy)作为封装3以包覆、固定及保护晶粒1与电气接脚2。虽然，前述三种电气接脚2与封装层3的实施态样，都具有可以保护晶粒1的功用，但是，这种将硅晶圆片切割成晶粒1后，再一一针对每一晶粒1设置电气接脚2与封装保护的封装层3，不仅相当耗费工时，也容易增加成本。再者，前述硅晶圆片在进行刻蚀时， 也很容易因为硅晶圆片的材料强度不够、刚性不足，而发生开沟刻蚀、或研磨加工碎裂的问题。因此，对于表面粘着型二极管元件的制作厂商而言，如何改善硅晶圆片材料强度不够、晶粒需要封装保护、简化表面粘着型二极管的制作工艺等，都是亟需马上解决的问题。有鉴于此，本发明人乃累积多年相关领域的研究以及实验，特创作出一种硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件制造方法及构造，可以改善习知表面粘着型二极管因刚性不足，容易加工碎裂的问题，而且无需封装的工序，可缩小元件体积，并能降低制作成本
发明内容
本发明的目的系在提供一种硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件制造方法及构造，可以加强二极管的材料强度，避免加工破裂的情形，以达到简化工艺、缩小尺寸、降低制作成本的目的。为达成上述目的，本发明硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件制造方法及构造，其中制造方法系包括下列步骤第一步骤将一扩散后晶片与一可耐高温的高强度基板层迭烧结熔接后，令扩散后晶片与基板形成一共构体。第二步骤对该扩散后晶片的表面进行刻蚀开沟，以形成多个隔离沟槽，使扩散后晶片上形成多个建构在同一平面上相互隔离排列的电极。第三步骤在扩散后晶片上的多个隔离沟槽内填入绝缘物质，令多个建构在同一平面上的电极相互绝缘隔离。第四步骤对上述扩散后晶片的电极表面金属化，以延伸电极的电气特性，完成所有的功能线路制作。第五步骤将扩散后晶片与基板所形成的共构体进行切割，以分离出多个单一个体，每一单一个体表面均具有两个建构在同一平面上且相互绝缘隔离的电极，使每一单一个体形成可以直接应用的单一表面粘着型二极管元件。上述工艺中，若扩散后晶片为单面扩散型，则可以令前述单一表面粘着型二极管元件建构在同一平面上且相互绝缘隔离的两个电极为P/P或N/N电极，形成双向表面粘着型二极管元件。以下再针对本发明各工艺的详细实施方式作进一步的说明，其中前述第一步骤中，为使扩散后晶片与基板容易烧结熔接，因此，可以进一步在扩散后晶片与基板之间设置一耐高温的合金焊材，以供扩散后晶片与基板能相互熔接接合。该基板实施时，基板的材质可以是非导体，例如陶瓷、玻璃等，并且在陶瓷等基板顶面可以设置金属化的接合层，以达到与扩散后晶片容易层迭烧结熔接的目的。前述陶瓷基板顶面接合层实施时，可以利用印刷方式制成厚膜接合层，或者利用电镀方式制成薄膜接合层。再者，为达到更好的散热效果，该基板实施时，其材质也可以是导体，例如金、银、 铜、铁、铝等金属，或是较高阻值半导体等；此基板的材质如果为导体或是半导体实施例时， 底部需设置一保护层，以保护扩散后晶片，并达到防潮绝缘的效果。由于基板相对于扩散后晶片比较不易变形、刚性强，所以在扩散后晶片与基板烧结熔接共构后，若扩散后晶片刻蚀开沟过深，或是该扩散后晶片研磨过薄时，在后续工艺中扩散后晶片也不容易发生断裂问题，因此较不怕碰撞，而且具有缩小体积的功效。前述第三步骤在扩散后晶片上的多个隔离沟槽内填入绝缘物质实施时，可以填充玻璃或是长氧化层等各种可以达到隔离电极的实施方式实施设置。前述第四步骤中，对扩散后晶片的电极表面金属化，其目的是使电极易于粘着或焊接，并完成所有的功能线路制作，金属化后还可以在表面金属化的每一电极上，以印刷或焊接方式增设一金属电极板；此金属电极板的设置亦可以在第五步骤切割后进行。除此之外，为强化工艺后每一个表面粘着型二极管元件的绝缘保护，可以在每一个表面粘着型二极管元件除电极以外的外表面上设置一绝缘层，该绝缘层实施时可以是固态或液态环氧树脂(EPOXY)或绝缘胶，以达到绝缘保护的目的。上述工艺中，扩散后晶片为单面扩散型，切割后可以形成单面扩散型硅晶粒，则可以令前述单一表面粘着型二极管元件建构在同一平面上且相互绝缘隔离的两个电极为P/P 或N/N电极，形成双向表面粘着型二极管元件。该双向表面粘着型二极管元件结构如下—种表面粘着型二极管元件，系包括一单面扩散型硅晶粒以及一与硅晶粒底面烧结熔接共构的基板，其中，该硅晶粒底面与基板之间设置一耐高温的合金焊材，以供硅晶粒与基板相互烧结熔接，且硅晶粒两电极的四周设有填充绝缘物质的隔离沟槽，以分隔出两个建构于同一平面上的P/P或N/N电极，每一电极外表面设有金属化导接层。实施时，前述基板的材质可以是非导体，例如陶瓷、玻璃，而且，该陶瓷或玻璃基板顶面也可以设置金属化的接合层，以达到与扩散后晶片容易层迭烧结熔接的目的。而且， 前述基板顶面接合层实施时，可以是以印刷方式制成的厚膜接合层，或者利用电镀方式制成的薄膜接合层。再者，为达到更好的散热效果，该基板实施时，其材质也可以是导体，例如金、银、 铜、铁、铝等，或者以较高阻值半导体替代；此基板的材质如果为导体或半导体的实施例时， 为确保达到保护扩散后晶片以及防潮绝缘的效果，金属基板底部可设置一保护层。此外，实施时，也可以视实际组装需要，在前述金属化导接层的外表面再设置一方便组装的金属电极板，以达到容易加工组装的目的。再者，为强化每一表面粘着型二极管元件的绝缘保护，实施时还可以在每一个表面粘着型二极管元件除电极以外的外表面上设置一绝缘层，该绝缘层实施时可以是固态或液态环氧树脂(EPOXY)或绝缘胶，以达到绝缘保护的目的。上述工艺中，若扩散后晶片为双面扩散型，切割后可以形成双面扩散型硅晶粒，故可以令前述单一表面粘着型二极管元件建构在同一平面上且相互绝缘隔离的两个电极为 P/N电极，形成单向表面粘着型二极管元件。本单向表面粘着型二极管元件工艺实施例与前述步骤不同之处，是由于扩散后晶
片为双面扩散型，扩散后晶片必须分隔成PPNNPP.......多个电极，因此在进行第三步骤
时，不必在N/N间的沟槽内填入绝缘物质，以便在进行第四步骤时能同时对N/N间的沟槽、 以及P、N电极面作金属化；此N/N间空出的沟槽可在第四步骤之前以刻蚀开沟或黄光显影工艺设置之。此实施例中，由于第四步骤对扩散后晶片的电极表面金属化时，金属化部位亦包含N/N间的沟槽表面，因此在进行第五步骤切割前，再对N/N间的沟槽内填入绝缘物质，则第五步骤切割后，即可分离出多个单一表面粘着型二极管，且每一表面粘着型二极管的表面均具有两个建构在同一平面上相互绝缘隔离的P/N电极，使每一单一表面粘着型二极管可以直接应用；此填入的绝缘物质亦可于第五步骤切割后再以沾附、成型等方式实施之。藉由上述步骤所制成的单向表面粘着型二极管元件结构如下一种表面粘着型二极管元件，系包括一双面扩散型硅晶粒以及一与该硅晶粒底面烧结熔接共构的基板，其中，该硅晶粒底面与基板之间设置一耐高温的合金焊材，以供硅晶粒与基板相互烧结熔接，且硅晶粒两极的四周；设有填充绝缘物质的隔离沟槽，以分隔出两个建构于同一平面上的P/N电极，且每一电极表面金属化设置导接层，该导接层由其中一电极延伸到其侧边的隔离沟槽与绝缘物质之间。本实施例单向的表面粘着型二极管元件的其他实施方式，与前述双向表面粘着型二极管元件的实施例相同，在此不另赘述。相较于习知技术，本发明硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件制造方法及构造，可以简化表面粘着型二极管的工艺，以达到缩短工时的目的，而且制造时扩散后晶片不仅不易破裂，其切割成型之后的表面粘着型二极管元件还可以直接应用，具有缩小体积、使用方便的功效。
图1为现有的表面粘着型二极管的制造流程图；图2为现有的表面粘着型二极管的结构侧视图，用以表示电气接脚设置在位于晶粒左右两侧的两极；图3为现有的表面粘着型二极管的结构侧视图，用以表示晶粒的两极分别设置于晶粒的上下两侧，其中一电气接脚设置在晶粒的下方电极处，另外，晶粒的上方电极处打线接合设置另一电气接脚的示意图；图4为现有的表面粘着型二极管的结构侧视图，用以表示晶粒的两极分别设置于晶粒的上下两侧，并在晶粒上下两侧各焊接设置一电气接脚，并将电气接脚弯折至同一侧的示意图；图5为本发明的制造步骤流程图；图6为表示本发明由一扩散后晶片与一基板层迭烧结成共构体的立体分解图；图7为表示本发明由一扩散后晶片与一基板层迭烧结成共构体的剖面示意图；图8为表示扩散后晶片为单面扩散型，且同一平面上相互绝缘隔离的两个电极为 P/P电极的共构体剖面示意图；图9为表示扩散后晶片为单面扩散型，且多个隔离沟槽内填入绝缘物质，令多个建构在同一平面上的P/P电极相互绝缘隔离的共构体剖面示意图；图10为表示扩散后晶片为单面扩散型，且电极表面金属化的共构体剖面示意图；图11为表示扩散后晶片为单面扩散型，且表面金属化的每一电极设置有一金属电极板的共构体剖面示意图；图12为表示扩散后晶片为单面扩散型的单一个体硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件结构剖面示意图；图13为表示扩散后晶片为双面扩散型，将电极分隔为P/N两极的共构体剖面示意图；图14为表示扩散后晶片为双面扩散型，且扩散后晶片表面金属化部包含N/N电极间的沟漕表面的共构体剖面示意图；图15为表示扩散后晶片为双面扩散型，且于N/N电极间的沟漕内填入绝缘物质的共构体剖面示意图；图16为表示扩散后晶片为双面扩散型，且表面金属化的每一电极设置有一金属电极板的共构体剖面示意图；图17为表示扩散后晶片为双面扩散型的单一个体硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件结构剖面示意图；图18为表示本创作单一个体硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件的俯视图；图19为表示本创作单一个体硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件的侧视图。主要元件符号说明10扩散后晶片110单面扩散型硅晶粒120双面扩散型硅晶粒11 电极IllP 电极112N 电极12绝缘物质13电极板14导接层20 基板21接合层22保护层30共构体40表面粘着型二极管元件50 焊材60绝缘层200 第一步骤201 第二步骤202第三步骤203第四步骤204第五步骤
具体实施例方式以下依据本发明的技术手段，列举出适于本发明的实施方式，并配合图式说明如后如图5至图7所示，本发明硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件制造方法及构造，该制造方法包括下列步骤第一步骤200 将一扩散后晶片10与一可耐高温的高强度基板20层迭烧结熔接后，令扩散后晶片10与基板20形成一共构体30。第二步骤201 如图5、图8所示，对该扩散后晶片10的表面进行刻蚀开沟，以形成多个隔离沟槽，使扩散后晶片10上形成多个建构在同一平面上相互隔离排列的电极11。第三步骤202 如图5、图9所示，在扩散后晶片10上的多个隔离沟槽内填入绝缘物质12，令多个建构在同一平面上的电极11相互绝缘隔离。第四步骤203 如图5、图10所示，对扩散后晶片10的电极11表面金属化，以延伸电极11的电气特性，完成所有的功能线路制作。
第五步骤204 如图5、图11所示，将扩散后晶片10与基板20所形成的共构体30 进行切割，以分离出多个单一个体，如图12所示，每一单一个体表面均具有两个建构在同一平面上且相互绝缘隔离的电极11，使每一单一个体形成可以直接应用的单一表面粘着型二极管元件40。上述工艺中，若扩散后晶片10为单面扩散型，切割后可以形成单面扩散型硅晶粒 110，则可以令前述单一表面粘着型二极管建构在同一平面上且相互绝缘隔离的两个电极 11为P/P或N/N电极111、112 (如图8、图14所示)，形成双向表面粘着型二极管元件。以下再针对本发明各工艺的详细实施方式作进一步的说明，其中如图5至图7所示，前述第一步骤200中，为使扩散后晶片10与基板20容易烧结熔接，因此，可以进一步在扩散后晶片10与基板20之间设置一耐高温的合金焊材50，以供扩散后晶片10与基板20能相互烧结熔接。该基板20实施时，基板20的材质可以是非导体，例如陶瓷、玻璃等，并且在该陶瓷或玻璃基板20顶面可以设置金属化的接合层21，以达到与扩散后晶片10容易层迭烧结熔接的目的。前述基板20顶面接合层21实施时，可以利用印刷方式制成厚膜接合层，或者利用电镀方式制成薄膜接合层。再者，为达到更好的散热效果，该基板20实施时，其材质也可以是导体，例如金、 银、铜、铁、铝等金属，或者是较高阻值半导体等替代，此基板20的材质如果为导体或半导体实施例时，为确保达到保护扩散后晶片10以及防潮绝缘的效果，基板20底部需设置一保护层22。由于基板20相对于扩散后晶片10比较不易变形、刚性强，所以在扩散后晶片10 与基板20烧结熔接共构后，若扩散后晶片10刻蚀开沟过深，或是该扩散后晶片10研磨过薄时，扩散后晶片10也不容易发生断裂问题，因此较不怕碰撞，而且具有缩小体积的功效。如图5、图9所示，前述第三步骤202在扩散后晶片10上的多个隔离沟槽内填入绝缘物质12，实施时，可以填充玻璃或是长氧化层等各种可以达到隔离电极11的实施方式实施设置。如图5、图10所示，前述第四步骤203中，对扩散后晶片10表面金属化，其目的是使电极11易于粘着或焊接，并完成所有的功能线路制作，金属化后还可以在表面金属化的每一电极11上，以印刷或高温焊接方式增设一金属电极板13，如图11所示；此金属电极板 13的设置亦可以在第五步骤204切割后进行。如图5、图12所示，除此之外，为强化工艺后每一单一个体表面粘着型二极管元件 40的绝缘保护，可以在每一个表面粘着型二极管元件40除电极11以外的外表面上增加设置一绝缘层60，该绝缘层60实施时可以是固态或液态环氧树脂(EPOXY)或绝缘胶，以达到绝缘保护的目的。如图5、图13、以及图17所示，上述工艺中，若扩散后晶片10为双面扩散型，切割后可以形成双面扩散型硅晶粒120，则可以令前述单一表面粘着型二极管元件40的两个电极11为P/N电极111、112，并建构在同一平面上相互绝缘隔离，即形成单向表面粘着型二极管元件。如图5、图14所示，本单向表面粘着型二极管元件工艺实施例与前述步骤不同之处，是由于扩散后晶片10为双面扩散型，扩散后晶片10必须分隔成PPNNPP···....多个电极111、111、112、112，因此在进行第三步骤202时，不必在N/N间112、112的沟槽内填入绝缘物质12，以便在进行第四步骤203时能同时对N/N间的沟槽、以及P、N电极111、112面作金属化；此N/N间空出的沟槽可在第四步骤的前以刻蚀开沟或黄光显影工艺设置之。如图5、图15所示，此实施例中，由于第四步骤203对扩散后晶片10表面金属化时，金属化部位亦包含N/N电极112、112间的沟槽表面，因此在进行第五步骤204切割前， 需再对Ν/Ν电极112、112间的沟槽内填入绝缘物质12，如图16、图17所示，则第五步骤204 切割后，即可分离出多个单一表面粘着型二极管元件10，且每一单一表面粘着型二极管元件的表面均具有两个建构在同一平面上相互绝缘隔离的P/N电极111、112，使每一单一个体形成可以直接应用的表面粘着型二极管元件40。为强化工艺后每一表面粘着型二极管元件40的绝缘保护，可以选择在每一个表面粘着型二极管元件40除电极11以外的外表面上增加设置一绝缘层60，该绝缘层60实施时可以是固态或液态环氧树脂(EPOXY)或绝缘胶等，以达到绝缘保护的目的。藉由上述步骤，本发明硅晶片与基板20共构表面粘着型二极管元件40结构可以分为单向及双向二极管两种构造，以下作更进一步的说明(1)双向表面粘着型二极管元件40结构如下如图12、图18、图19所示，一种表面粘着型二极管元件40，包括一单面扩散型硅晶粒110以及一与该硅晶粒110底面烧结熔接的基板20，其中，该硅晶粒110底面与基板 20之间设置一耐高温的合金焊材50，以供硅晶粒110与基板20相互烧结接合；所述硅晶粒 110两电极的四周均设有填充绝缘物质12的隔离沟槽，以分隔出两个建构于同一平面上的 P/P电极111、111或N/N电极112、112(请另参考图13)，且每一电极11外表面设有金属化导接层14。(2)单向表面粘着型二极管元件40结构如下如图16至图19所示，一种表面粘着型二极管元件40，包括一双面扩散型硅晶粒 120以及一与该硅晶粒120底面烧结熔接共构的基板20，其中，该硅晶粒120底面与基板20 之间设置一耐高温的合金焊材50，以供硅晶粒与基板20相互烧结接合；所述硅晶粒120两电极的四周均设有填充绝缘物质12的隔离沟槽，以分隔出两个建构于同一平面上的P/N电极11，且每一电极11外表面金属化设置导接层14，该导接层14由其中一电极11延伸到其侧边的隔离沟槽与绝缘物质12之间。实施时，前述基板20的材质可以是非导体，例如陶瓷、玻璃等，而且，该陶瓷等基板20顶面也可以设置金属化的接合层21，以达到与扩散后晶片10容易层迭烧结熔接的目的。而且，前述陶瓷等基板20顶面接合层21实施时，可以是以印刷方式制成的厚膜接合层 21，或者利用电镀方式制成的薄膜接合层21。再者，为达到更好的散热效果，该基板20实施时，其材质也可以是导体，例如金、 银、铜、铁、铝等，或可使用较高阻值半导体替代；此基板20的材质如果为导体或半导体的实施例时，为确保达到保护扩散后晶片10以及防潮绝缘的效果，金属基板20底部需设置一保护层22。此外，实施时，也可以视实际组装需要，在前述金属化导接层14的外表面再设置一方便组装的金属电极板13，以达到容易加工组装的目的。再者，为强化每一表面粘着型二极管元件40的绝缘保护，实施时还可以在每一个表面粘着型二极管元件40除电极11以外的外表面上设置一绝缘层60，该绝缘层60实施时可以是固态或液态环氧树脂(EPOXY)或绝缘胶，以达到绝缘保护的目的。
上述各名称为方便描述本发明的技术内容所定，而非用以限制本案的权利要求范围；是以，举凡依据本案的创作精神所作的等效元件转换、替代，均应涵盖在本案的保护范围内，谨此声明。
权利要求
1.一种硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件的制造方法，其特征在于，所述的制造方法包括下列步骤第一步骤将一扩散后晶片与一可耐高温的高强度基板层迭烧结熔接后，令扩散后晶片与基板形成一共构体；第二步骤对所述的扩散后晶片的表面进行刻蚀开沟，以形成多个隔离沟槽，使扩散后晶片上形成多个建构在同一平面上相互隔离排列的电极；第三步骤在扩散后晶片上的多个隔离沟槽内填入绝缘物质，令多个建构在同一平面上的电极相互绝缘隔离；第四步骤对扩散后晶片的电极表面金属化，以延伸电极的电气特性，完成所有的功能线路制作；第五步骤将扩散后晶片与基板所形成的共构体进行切割，以分离出多个单一个体，每一单一个体表面均具有两个建构在同一平面上且相互绝缘隔离的电极，使每一单一个体形成可以直接应用的单一表面粘着型二极管元件。
2.如权利要求1所述的硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件的制造方法，其特征在于，扩散后晶片为单面扩散型，以令多个建构在同一平面上相互隔离排列的电极建构在同一平面上且相互绝缘隔离的两个电极为P/P电极或N/N电极，形成双向表面粘着型二极管元件。
3.如权利要求1所述的硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件的制造方法，其特征在于，扩散后晶片为双面扩散型，多个建构在同一平面上相互隔离排列的电极为 PPNNPP...电极，进行第三步骤时，N/N间的沟槽内未填入绝缘物质，使第四步骤同时对N/N 间的沟槽、以及P、N电极面作金属化后，在第五步骤切割前，对N/N间的沟槽内填入绝缘物质，令第五步骤切割后，分离出多个单一表面粘着型二极管元件，且每一单一表面粘着型二极管元件的表面均具有两个建构在同一平面上相互绝缘隔离的P/N电极。
4.如权利要求2或3所述的硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件的制造方法，其特征在于，扩散后晶片与基板之间进一步设置一耐高温的合金焊材，以供扩散后晶片与基板相互烧结熔接。
5.如权利要求2或3所述的硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件的制造方法，其特征在于，基板的材质为非导体。
6.如权利要求2或3所述的硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件的制造方法，其特征在于，基板材质为导体或半导体，且基板底部设置一保护层。
7.如权利要求2或3所述的硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件的制造方法，其特征在于，绝缘物质为玻璃、氧化层。
8.如权利要求2或3所述的硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件的制造方法，其特征在于，在表面金属化的每一电极上，设置一延伸金属特性的金属电极板。
9.如权利要求2或3所述的硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件的制造方法，其特征在于，第五步骤后，在每一个单一表面粘着型二极管除电极以外的外表面上设置一绝缘保护的绝缘层。
10.一种表面粘着型二极管元件，其特征在于，所述的元件包括一单面扩散型硅晶粒以及一与所述的硅晶粒底面烧结熔接共构的基板，其中，所述的硅晶粒底面与基板之间设置一耐高温的合金焊材，以供硅晶片与基板相互烧结熔接，且硅晶粒两电极的四周设有填充绝缘物质的隔离沟槽，以分隔出两个建构于同一平面上的P/P或N/N电极，且每一电极外表面设有金属化导接层。
11.一种表面粘着型二极管元件，其特征在于，所述的元件包括一双面扩散型硅晶粒以及一与所述的硅晶粒底面烧结熔接共构的基板，其中，所述的硅晶粒底面与基板之间设置一耐高温的合金焊材，以供硅晶粒与基板相互烧结接合；且硅晶粒两电极的四周设有填充绝缘物质的隔离沟槽，以分隔出两个建构于同一平面上的P/N电极，且每一电极外表面金属化设置导接层，所述的导接层由其中一电极延伸到其侧边的隔离沟槽与绝缘物质之间。
12.如权利要求10或11所述的表面粘着型二极管元件，其特征在于，基板材质为非导体或较高阻值的半导体。
13.如权利要求10或11所述的表面粘着型二极管元件，其特征在于，基板为底部设置保护层的导体或半导体。
14.如权利要求10或11所述的表面粘着型二极管元件，其特征在于，二极管元件在电极以外的表面设置绝缘层。
全文摘要
本发明公开了一种硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件制造方法及构造；该制造方法是将一扩散后晶片与一可耐高温的高强度基板烧结熔接共构后，再对该扩散后晶片进行刻蚀开沟、填入绝缘物质、以及表面金属化等工艺，使多个电极皆建构在同一平面上，以完成所有功能线路制作后，再对该共构体进行切割，即可分离出多个可直接应用的单一表面粘着型二极管元件；相较习知先将硅晶圆片所有功能线路制作完成并切割成单一晶粒之后，再经封装及测试的二极管元件制造方法，本发明具有简化工艺、降低工时的功效，且工艺中晶片不易破裂损坏，并符合轻薄短小的世界潮流。
文档编号H01L21/329GK102201368SQ20101014816
公开日2011年9月28日 申请日期2010年3月24日 优先权日2010年3月24日
发明者吴文湖, 黄文彬 申请人:美丽微半导体股份有限公司