专利名称：一种通过印刷粘接材料封装的半导体器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，特别涉及一种通过印刷粘接材料封装的半导体器件及其制造方法。
背景技术：
在集成电路的封装中，目前普遍使用引线框架来承载芯片和连接外部器件。引线框架通常是由铜或者合金的平面板材经过冲压或蚀刻的方法制成，具有高强度、抗腐蚀、抗氧化、高导电率、高导热性、延展性好、容易成形的特点，还有极好的镀层性能，能良好的粘接塑封体，并且具有与所述芯片和塑封体的热膨胀系数极接近的热膨胀系数。以下结合附图1至图5详细说明现有的半导体封装技术中，粘接芯片和引线框架的具体制造过程。如图1所示，引线框架100通过设有的载片台110来承载芯片150，并设有2个引脚120、130将芯片150连接到外部元器件。如图2所示，目前常用的粘接芯片的方法是在载片台110的表面利用点胶方式铺设形成粘接材料140 ；其中，所述的粘接材料140可以是胶黏剂环氧树脂，包含利用点胶形成的导电或非导电的环氧树脂；该粘接材料140也可以是利用点胶形成的焊膏或者共晶材料。如图3所示，再将芯片150(例如集成电路IC)放置到粘接材料140上，与载片台110固定粘接。如图4所示，利用引线结合技术(WireBonding， 俗称打线)将芯片150分别与引脚120和引脚130通过若干金属引线160连接。如图5所示，对引线框架100进行塑封成型，将其封装在塑封体170内，以完成封装程序，使该半导体封装内的芯片150通过所述引脚120和130实现与外部其他器件的连接。上述芯片与引脚的连接，也可如图6所示，使用若干金属连接平板180将芯片150 分别与引脚120和引脚130连接来实现。其中，所述的金属连接平板180是利用点胶形成的粘接材料(例如焊膏或环氧树脂)分别与芯片150以及引脚120、引脚130结合连接。随后，如图7所示，对引线框架100进行塑封成型，将其封装在塑封体170内，以完成封装程序。上述芯片与引脚的连接，还可以如图8所示，使用金属引线160将芯片150与引脚 120连接，并同时使用金属连接平板180将芯片150与引脚130连接。其中，所述的金属引线160利用引线结合技术分别与芯片150以及引脚120结合连接；而所述的金属连接平板 180则利用点胶形成的粘接材料(例如焊膏或环氧树脂)分别与芯片150以及引脚130结合连接。随后，如图9所示，对引线框架100进行塑封成型，将其封装在塑封体170内，以完成封装程序。但是，上述所描述的利用点胶方式形成的粘接材料粘接芯片和引线框架，存在以下缺点1、在相同的封装尺寸中，由于采用点胶方式在载片台上先铺设形成粘接材料(焊膏或环氧树脂)，当其上贴附并粘接芯片后，该粘接材料会从芯片周围溢出，基于该无法避免的溢出效应，将会限制被封装的芯片尺寸大小。
2、在载片台上通过点胶铺设来形成用于粘接芯片的粘接材料(焊膏或环氧树脂)，这种方式会导致所形成的粘接材料的厚度并不均勻一致，由此会使得贴附粘接在其上的芯片产生倾斜的情况。3、采用焊膏或环氧树脂作为粘接材料将芯片粘接到载片台上后，会产生很高的应力，极容易导致芯片产生裂纹，影响芯片的可靠性。4、采用焊膏作为粘接材料将芯片粘接到载片台上后，还需要在氮气或者在氮气及氢气的混合气体的环境下进行回流焊。5、在粘接芯片的过程中，若采用焊膏或者共晶材料作为粘接材料，需要较高的工艺操作温度，这会导致引线框架快速氧化。鉴于上述，非常有必要提出一种新的半导体封装及方法，通过改善现有的芯片粘接技术，以克服所述的缺点，从而提高产品的质量和生产效率。
发明内容
本发明的目的是提供一种通过印刷粘接材料封装的半导体器件及其制造方法，其通过改善现有的芯片粘接技术，克服现有技术所存在的缺陷，使得产品的质量和生产效率得以提高。为了达到上述目的，本发明的技术方案是提供一种通过印刷粘接材料封装的半导体器件，其特征在于，包含第一引线框架，其设有电性隔离的第一载片台、第二载片台；半导体芯片，通过在其顶面的若干顶部电极上印刷形成的、导电的第一印刷粘接材料固定贴附于第一载片台和第二载片台上；设置在第二引线框架上的第三载片台，通过在其顶面印刷形成的、导电的第二印刷粘接材料固定贴附于上述半导体芯片底面的若干底部电极上。上述第一载片台、第二载片台上分别设有若干引脚，将粘接固定在上述第一载片台、第二载片台上的上述半导体芯片的若干顶部电极与外部元器件连通。上述粘接固定在上述半导体芯片底面的第三载片台上设有若干引脚，将上述半导体芯片的若干底部电极与外部元器件连通。上述半导体芯片的若干顶部电极上分别包含若干区域的、通过印刷形成的上述第一印刷粘接材料。上述在半导体芯片顶面印刷形成的上述第一印刷粘接材料具有与上述顶部电极相同或不同的形状。上述在半导体芯片顶面印刷形成的上述第一印刷粘接材料的尺寸等于或小于上述顶部电极的面积。上述第三载片台顶面印刷形成的上述第二印刷粘接材料尺寸与上述半导体芯片面积相等。上述第三载片台顶面印刷形成的上述第二印刷粘接材料尺寸与上述半导体芯片面积不相等。上述通过印刷粘接材料封装的半导体器件，还包含塑封体，其将上述第一载片台、 第二载片台、半导体芯片、第三载片台封装在其内部，使上述第一载片台、第二载片台、第三载片台上分别设有的若干引脚暴露在上述塑封体外。上述第三载片台的底面还设有散热焊盘，上述散热焊盘暴露在上述塑封体外。一种通过印刷粘接材料封装的半导体器件的制造方法，其特征在于，包含以下步骤步骤1. 1在晶圆顶面上印刷导电的第一印刷粘接材料；步骤1. 2高温固化第一印刷粘接材料；步骤2. 1在第三载片台顶面上印刷导电的第二印刷粘接材料；步骤2. 2高温固化第二印刷粘接材料步骤3.高温下将半导体芯片顶面通过第一印刷粘接材料，同时粘接到第一载片台和第二载片台上；步骤4.高温下将第三载片台通过第二印刷粘接材料粘接至半导体芯片底面；步骤5.高温下对第一印刷粘接材料、第二印刷粘接材料进行高温固化；步骤6.将第一载片台、第二载片台、半导体芯片、第三载片台封装在塑封体内。上述步骤1是利用丝网或网板印刷技术对晶圆进行印刷，一次完成一片晶圆的印刷，具体包含以下步骤步骤1. 1. 1在丝网或网板上开设若干开口 ；其中，上述若干开口的数量和位置，分别对应该片晶圆顶面需要设置第一印刷粘接材料的顶部电极的数量和位置；步骤1. 1. 2在上述各个开口中印刷形成第一粘接材料；其中，上述第一粘接材料的厚度是由上述丝网或网板上开口的厚度决定。上述步骤1. 1. 1中若干开口具有与上述顶部电极相同或不同的形状。上述步骤1. 1. 1中若干开口的尺寸等于或小于上述顶部电极的面积。上述步骤1还包含对晶圆进行划分以及切割操作，形成若干独立的半导体芯片的步骤1.3。上述步骤2. 1是利用丝网或网板印刷技术对第二引线框架上的第三载片台顶面进行印刷，一次完成一条第二引线框架的印刷，具体包含以下步骤步骤2. 1. 1在丝网或网板上开设若干开口 ；其中，上述若干开口的数量和位置，分别对应该条第二引线框架上需要设置第二印刷粘接材料的第三载片台的数量和位置；步骤2.1.2在上述各个开口中印刷形成第二粘接材料；其中，上述第二粘接材料的厚度是由上述丝网或网板上开口的厚度决定。上述步骤2. 1. 1中若干开口的尺寸等于或小于在上述步骤4中第三载片台贴附的上述半导体芯片的面积。上述步骤1. 2及步骤2. 2中上述固化温度为110°C 130°C ；上述步骤3中将上述半导体芯片粘接到上述第一载片台和第二载片台、上述步骤 4中将上述第三载片台粘接到上述半导体芯片时的温度在95°C 130°C ；上述步骤5中对第一印刷粘接材料和第二印刷粘接材料的固化温度是175°C。在上述步骤6中封装前，还包含在整条第二引线框架的第三载片台底面黏贴薄膜的步骤；上述薄膜黏贴在上述散热焊盘上及上述第一载片台、第二载片台、第三载片台分别设有的若干引脚上。本发明所提供的通过印刷粘接材料封装的半导体器件及其制造方法，通过分别在半导体芯片和第三载片台上印刷粘接材料来连接，该粘接材料的大小、形状、厚度根据所需芯片表面的电性能和粘接区域来决定；而不需要利用传统点胶或点焊锡进行连接，故本发明所述的半导体封装具有以下优点1、在相同的封装尺寸中，由于采用了在载片台上印刷粘接材料的方法，当芯片贴附并粘接后，不会发生粘接材料在芯片周围溢出的情况，故可以实现最大面积的芯片(即该芯片的尺寸和载片台相同)的封装。2、通过印刷方式而形成的粘接材料，厚度均勻一致，有效减少芯片贴附后的倾斜，
成品率较高。3、采用具有印刷特性的粘接材料，相比于现有技术中采用的焊膏或普通环氧树脂等粘接材料，在芯片粘接至载片台上后，所产生的应力也相对较低，减少芯片的裂纹；并且该具有印刷特性的粘接材料具有良好的导电率和导热性。4、采用具有印刷特性的粘接材料，在粘接芯片的过程中，相比于现有技术，所需的工艺操作温度相对低，因此引线框架的氧化过程缓慢。5、在印刷粘接材料后，可直接在线固化粘接材料，生产连续且快速，有效提高生产效率。综上，本发明提供的半导体封装及其制造方法，能有效改善半导体产品的质量和性能，提高生产效率。
图1至图9是现有技术中利用点胶粘接方式封装半导体器件的步骤示意图；图IOa至图1 是本发明提供的通过印刷粘接材料封装的半导体器件的制造方法的步骤示意图；图IOb至图14b是对应图IOa至图14a本发明提供的通过印刷粘接材料封装的半导体器件的制造方法的步骤侧视图；图15是本发明提供的通过印刷粘接材料封装的半导体器件中MOSFET芯片的示意图；图16至图19是本发明提供的通过印刷粘接材料封装的半导体器件的制造方法中在MOSFET芯片上涂覆第一印刷粘接材料的若干结构示意图；图20是本发明提供的通过印刷粘接材料封装的半导体器件的制造方法中在第三载片台上涂覆第二印刷粘接材料的结构示意图；图21是本发明提供的通过印刷粘接材料封装的半导体器件的制造方法的流程示意图。
具体实施例方式以下结合附图，通过优选的具体实施例，详细说明本发明。本发明所提供的半导体封装及制造方法，可适用于所有的半导体芯片，包括功率 MOSFET及IC芯片等等。在以下所提供的各具体实施例的详细描述中，以功率MOSFET芯片
8为例来详细说明本发明对功率MOSFET芯片的封装方法；另外，在所述的实施例中，以具有印刷特性的粘接材料(为与背景技术中所采用的不具备印刷特性的普通粘接材料显示区别，避免混淆，以下简称“印刷粘接材料”)为例，作为本发明封装方法中所采用的通过印刷形成的粘接材料，从而更好的理解本发明的各项优点及有益效果。但应当注意的是，这些具体描述及实例并非用来限制本发明的范围。如图13所示，是本发明提供的一种通过印刷粘接材料封装的半导体器件，其包含设置在第一引线框架10上的第一载片台11和第二载片台12，通过设置第一印刷粘接材料 31贴附在第一载片台11和第二载片台12上的半导体芯片20，和通过设置的第二印刷粘接材料32贴附在半导体芯片20上的第三载片台13，该第三载片台13设置在第二引线框架上。其中第一载片台11和第二载片台12相互电性隔离用来承载半导体芯片20，还分别设有若干引脚延伸至第一引线框架10外，作为栅极引脚G或源极引脚S用来与外部元器件连接。如图10所示，在本实施例中，设第一载片台11的引脚为栅极引脚G、第二载片台 12的若干引脚为源极引脚S，该栅极引脚G和源极引脚S延伸在第一引线框架10下表面的同一侧。请配合参见图15到图19所示，上述半导体芯片20是MOSFET芯片，其包含设置在顶面的顶部栅极21和顶部源极22 (图15所示)，以及设置在其底面的底部漏极(图中未示)。半导体芯片20通过分别在顶部栅极21和顶部源极22上印刷形成导电型的第一印刷粘接材料311、322，固定贴附在第一载片台11和第二载片台12上，使顶部栅极21和顶部源极22能分别通过第一载片台11的栅极引脚G、第二载片台12的源极引脚S与外部元器件连接。第一印刷粘接材料31的形状尺寸和厚度均可根据需要确定。半导体芯片20的顶部栅极21和顶部源极22上分别印刷形成的单个区域的第一印刷粘接材料311、312，可以是具有与顶部栅极21和顶部源极22相同形状和大小尺寸的(图中未示)，也可以是印刷尺寸小于顶部栅极21或顶部源极22面积的第一印刷粘接材料311、312 (如图16所示)。在本发明的又一实施例中，在半导体芯片20的顶部栅极21上包含印刷形成的单个区域、相同形状的，尺寸相同或小于顶部栅极21的第一印刷粘接材料311，而在顶部源极 22上印刷形成2个或更多个横向区域的第一印刷粘接材料312(如图17所示)；也可以是在顶部源极22上印刷形成2个或更多个纵向区域的第一印刷粘接材料312(如图18所示)。又或者，在本发明的另一实施例中，如图19所示，在半导体芯片20的顶部栅极21 上通过印刷形成了单个区域的圆形且尺寸小于顶部栅极21的第一印刷粘接材料311，而在顶部源极22上设有单个区域的圆形或椭圆形、尺寸小于顶部源极22的第一印刷粘接材料 312。如图12或图20所示，上述第三载片台13的顶面设有导电型的第二印刷粘接材料 32，并通过该第二印刷粘接材料32固定贴附在半导体芯片20的底部漏极上。该第二印刷粘接材料32的印刷面积和厚度根据需要确定，具有与半导体芯片20相同或不同的形状，以及相同、稍小或稍大一点的尺寸，只要该第二印刷粘接材料32的尺寸大小和厚度能保证具有足够的粘接区域，以将第三载片台13牢固粘接至半导体芯片20上而不发生脱落即可。第三载片台13上还设置有若干引脚延伸至第二引线框架外，在本实施例中，设该若干引脚为漏极引脚D，如图12和图13所示，上述若干漏极引脚D延伸在第二引线框架下表面、与上述栅极引脚G、源极引脚S相对的一侧。半导体芯片20的底部漏极通过第三载片台13的漏极引脚D与外部元器件连接。上述半导体器件还包含塑封体40，用于将第一载片台11、第二载片台12、半导体芯片20、第三载片台13封装在其内部。封装时使栅极引脚G、源极引脚S暴露在该塑封体 40的底面同一侧，而漏极引脚D暴露在底面的相对一侧；同时还使第三载片台13设有的散热焊盘131暴露在塑封体40的底部，用于对半导体芯片20进行散热。如图21所示，详细介绍了上述通过印刷粘接材料封装的半导体器件的制造方法， 图IOa到图1 是对应上述封装步骤的半导体器件的正视图，图IOb到图14b是对应上述各步骤的半导体器件的侧视图。如图10所示，在第一引线框架10上设置相互电绝缘的第一载片台11和第二载片台12，使第一载片台11的栅极引脚G、第二载片台12的若干源极引脚S分别延伸至第一引线框架10外同一侧与外部器件连接。之后，在半导体芯片20上印刷形成第一印刷粘接材料31，具体通过以下步骤实现首先在丝网或网板上开设若干对开口，其对应整个晶圆表面上的若干个半导体芯片20。若干对开口的位置与MOSFET顶面需要第一印刷粘接材料31的顶部栅极21和顶部源极22的位置相同，开口可以分别是与顶部栅极21或顶部源极22有相同或不同的形状， 有相同或稍小一些的尺寸。随后，印刷整个晶圆的一面，在上述若干对开口中形成第一印刷粘接材料31。所述的第一印刷粘接材料31的厚度是由开口的厚度决定，也就是由丝网或者网板的厚度决定， 其决定了最终制造完成的半导体器件的电性能和结合强度；当该第一印刷粘接材料31的厚度越薄时，半导体器件的电阻越小，具有越好的电性能，但当该第一印刷粘接材料31的厚度过于薄时，其也将因结合强度不够而容易发生碎裂的情况，所以一般情况下，该第一印刷粘接材料31的厚度在25 μ m左右或略小于25 μ m,在保证半导体器件具有相对较好电性能的同时，也保证其具有一定的结合强度(约为2 3kg)。再对所形成的第一印刷粘接材料31进行1小时左右的高温固化，固化温度为 110°C 130°C。最后切割整个晶圆以形成若干个独立的、在其顶部栅极21和顶部源极22 上分别设有第一印刷粘接材料31的半导体芯片20。如图11所示，将半导体芯片20的顶部栅极21和顶部源极22向下，同时倒装到第一载片台11和第二载片台12上，使顶部栅极21与第一载片台11固定连接、顶部源极22 和第二载片台12连接。在倒装芯片20的过程中，需要对第一载片台11和第二载片台12进行加热在 95°C 130°C (最好是120°C)的高温下将芯片20通过第一印刷粘接材料31同时贴附至第一引线框架10的第一载片台11和第二载片台12上，所需时间大约为200ms，所需压力与 MOSFET芯片20的尺寸大小相关，一般单位面积上的压力是85g/mm2。如图20所示，用与上述印刷半导体芯片20相类似的步骤，在第三载片台13上印刷形成第二印刷粘接材料32。即通过在丝网或网板上开设若干开口，与整条第二引线框架上的若干个第三载片台13位置相对应；根据不同需要，将开口设为具有与之后要贴附连接的MOSFET芯片20相同或不同的形状，相同、稍小或稍大一点的尺寸。然后印刷整条第二引线框架，在上述若干开口中形成厚度与开口厚度(即丝网或网板上厚度)相同的第二印刷粘接材料32，再进行1小时、110°C 130°C的高温固化，得到一面涂覆有第二印刷粘接材料 32的第三载片台13。如图12所示，以95°C 130°C (最好是120°C )的高温加热第三载片台13，在单位面积85g/mm2的压力下，时间200ms后，即能将第三载片台13通过第二印刷粘接材料32 固定贴附在半导体芯片20的底部漏极上，使第三载片台13上设有的漏极引脚D延伸在第二引线框架外、与第一载片台11的栅极引脚G、第二载片台12的源极引脚S相对的一侧。 随后在烤箱中以175°C进行1小时的固化。如图13所示，并通过塑封体40对第一载片台11、第二载片台12、半导体芯片20、 第三载片台13进行封装，使第一载片台11的栅极引脚G、第二载片台12的源极引脚S、暴露在该塑封体40的底面一侧，而第三载片台13的漏极引脚D暴露在底面的相对一侧。如图14所示，由于第三载片台13还需要通过暴露在塑封体40的底部的散热焊盘 131对半导体芯片20进行散热，该散热焊盘131设置在第三载片台13的底面，即没有涂覆第二印刷粘接材料32的一面。因此在封装前，需要在整条第二引线框架背面相应位置黏贴薄膜，以防止封装时塑封体40流到暴露的散热焊盘131和上述暴露的栅极引脚G、源极引脚 S、漏极引脚D上。最后对整条的第一、第二引线框架切割，以形成若干个独立的半导体器件。由于在通过印刷粘接材料封装的半导体器件的制造过程中没有使用任何点胶或点焊锡进行连接， 完全避免了上述现有连接技术所存在的缺陷，使得产品的质量和生产效率得以提高。尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
权利要求
1.一种通过印刷粘接材料封装的半导体器件，其特征在于，包含第一引线框架(10)，其设有电性隔离的第一载片台(11)、第二载片台(12)； 半导体芯片(20)，通过在其顶面的若干顶部电极上印刷形成的、导电的第一印刷粘接材料(31)固定贴附于第一载片台(11)和第二载片台上(12)；设置在第二引线框架上的第三载片台(13)，通过在其顶面印刷形成的、导电的第二印刷粘接材料(3 固定贴附于所述半导体芯片00)底面的若干底部电极上。
2.如权利要求1所述通过印刷粘接材料封装的半导体器件，其特征在于，所述第一载片台(11)、第二载片台(1 上分别设有若干引脚，将粘接固定在所述第一载片台(11)、第二载片台(12)上的所述半导体芯片00)的若干顶部电极与外部元器件连通。
3.如权利要求1所述通过印刷粘接材料封装的半导体器件，其特征在于，所述粘接固定在所述半导体芯片OO)底面的第三载片台(13)上设有若干引脚，将所述半导体芯片 (20)的若干底部电极与外部元器件连通。
4.如权利要求1所述通过印刷粘接材料封装的半导体器件，其特征在于，所述半导体芯片OO)的若干顶部电极上分别包含若干区域的、通过印刷形成的所述第一印刷粘接材料(31)。
5.如权利要求1所述通过印刷粘接材料封装的半导体器件，其特征在于，所述在半导体芯片OO)顶面印刷形成的所述第一印刷粘接材料(31)具有与所述顶部电极相同或不同的形状。
6.如权利要求1所述通过印刷粘接材料封装的半导体器件，其特征在于，所述在半导体芯片OO)顶面印刷形成的所述第一印刷粘接材料(31)的尺寸等于或小于所述顶部电极的面积。
7.如权利要求1所述通过印刷粘接材料封装的半导体器件，其特征在于，所述第三载片台(13)顶面印刷形成的所述第二印刷粘接材料(32)尺寸与所述半导体芯片OO)面积相等。
8.如权利要求1所述通过印刷粘接材料封装的半导体器件，其特征在于，所述第三载片台(13)顶面印刷形成的所述第二印刷粘接材料(32)尺寸与所述半导体芯片OO)面积不相等。
9.如权利要求1所述通过印刷粘接材料封装的半导体器件，其特征在于，还包含塑封体(40)，其将所述第一载片台(11)、第二载片台(12)、半导体芯片(20)、第三载片台(13) 封装在其内部，使所述第一载片台(11)、第二载片台(12)、第三载片台(1 上分别设有的若干引脚暴露在所述塑封体GO)夕卜。
10.如权利要求9所述通过印刷粘接材料封装的半导体器件，其特征在于，所述第三载片台(1 的底面还设有散热焊盘(131)，所述散热焊盘(131)暴露在所述塑封体GO)夕卜。
11.一种通过印刷粘接材料封装的半导体器件的制造方法，其特征在于，包含以下步骤步骤1. 1在晶圆顶面上印刷导电的第一印刷粘接材料(31)； 步骤1. 2高温固化第一印刷粘接材料(31)；步骤2. 1在第三载片台(1 顶面上印刷导电的第二印刷粘接材料(32)； 步骤2. 2高温固化第二印刷粘接材料(32)步骤3.高温下将半导体芯片00)顶面通过第一印刷粘接材料(31)，同时粘接到第一载片台(11)和第二载片台(12)上；步骤4.高温下将第三载片台(1 通过第二印刷粘接材料(3 粘接至半导体芯片 (20)底面；步骤5.高温下对第一印刷粘接材料(31)、第二印刷粘接材料(3 进行高温固化； 步骤6.将第一载片台(11)、第二载片台(12)、半导体芯片(20)、第三载片台(13)封装在塑封体(40)内。
12.如权利要求11所述通过印刷粘接材料封装的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤1是利用丝网或网板印刷技术对晶圆进行印刷，一次完成一片晶圆的印刷，具体包含以下步骤步骤1. 1. 1在丝网或网板上开设若干开口 ；其中，所述若干开口的数量和位置，分别对应该片晶圆顶面需要设置第一印刷粘接材料(31)的顶部电极的数量和位置；步骤1. 1. 2在所述各个开口中印刷形成第一粘接材料(31)；其中，所述第一粘接材料(31)的厚度是由所述丝网或网板上开口的厚度决定。
13.如权利要求12所述通过印刷粘接材料封装的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤1.1.1中若干开口具有与所述顶部电极相同或不同的形状。
14.如权利要求12所述通过印刷粘接材料封装的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤1. 1. 1中若干开口的尺寸等于或小于所述顶部电极的面积。
15.如权利要求11所述通过印刷粘接材料封装的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤1还包含对晶圆进行划分以及切割操作，形成若干独立的半导体芯片00)的步骤1.3。
16.如权利要求11所述通过印刷粘接材料封装的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤2. 1是利用丝网或网板印刷技术对第二引线框架上的第三载片台(1 顶面进行印刷，一次完成一条第二引线框架的印刷，具体包含以下步骤步骤2. 1. 1在丝网或网板上开设若干开口 ；其中，所述若干开口的数量和位置，分别对应该条第二引线框架上需要设置第二印刷粘接材料(3 的第三载片台(1 的数量和位置；步骤2. 1.2在所述各个开口中印刷形成第二粘接材料(32)；其中，所述第二粘接材料(3 的厚度是由所述丝网或网板上开口的厚度决定。
17.如权利要求16所述通过印刷粘接材料封装的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤2. 1. 1中若干开口的尺寸等于或小于在所述步骤4中第三载片台(13)贴附的所述半导体芯片00)的面积。
18.如权利要求11所述通过印刷粘接材料封装的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤1. 2及步骤2. 2中所述固化温度为110°C 130°C ； 所述步骤3中将所述半导体芯片OO)粘接到所述第一载片台(11)和第二载片台 (12)、所述步骤4中将所述第三载片台(13)粘接到所述半导体芯片时的温度在95°C 130 0C ；所述步骤5中对第一印刷粘接材料(31)、第二印刷粘接材料(3 的固化温度是 175°C。
19.如权利要求11所述通过印刷粘接材料封装的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤6中封装前，还包含在整条第二引线框架的第三载片台(1 底面黏贴薄膜的步骤；所述薄膜黏贴在所述散热焊盘(131)上及所述第一载片台(11)、第二载片台(12)、 第三载片台(13)分别设有的若干引脚上。
全文摘要
一种通过印刷粘接材料封装的半导体器件，其特征在于，包含第一引线框架，其设有电性隔离的第一载片台、第二载片台；半导体芯片，通过在其顶面的若干顶部电极上印刷形成的、导电的第一印刷粘接材料固定贴附于第一载片台和第二载片台上；设置在第二引线框架上的第三载片台，通过在其顶面印刷形成的、导电的第二印刷粘接材料固定贴附于上述半导体芯片底面的若干底部电极上。其中，所述的印刷粘接材料的大小、形状和厚度根据实际需要确定，或者由相粘接的半导体芯片与载片台的接触区域决定。本发明所提供的半导体封装，利用印刷形成粘接材料的特点，克服了现有技术中存在的明显缺点和不足，能有效改善半导体产品的质量和性能，提高生产效率。
文档编号H01L23/495GK102315186SQ20101022681
公开日2012年1月11日 申请日期2010年6月30日 优先权日2010年6月30日
发明者张晓天, 鲁军 申请人:万国半导体股份有限公司