专利名称：一种高分断能力的低功耗继电器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种高分断能力的低功耗继电器，其触点包括至少一组单刀单掷或至少一组单刀双掷，用于较高电压回路的闭合和分断。
背景技术：
如图1所示，现有技术中的单刀单掷低压继电器，包括限位片1，线包2、衔铁3、轭铁4、弹簧5、进线片6、出线片7和动簧片8，动簧片8上下两侧焊有第一凸台9和第二凸台 10，并通过一铜编织线11与进线片6电连接，限位片1的下侧与第一凸台9相对应地焊接有挡止部13，出线片7始端的上侧与第二凸台10相对地焊接有第三凸台12。为了闭合和分断较高电压回路，必须增大挡止部13和第三凸台12之间的间距，因为继电器触点分断时， 电压很高而间距不足将导致第二凸台10和第三凸台12之间的空气被电离而击穿导电，大大地降低了继电器的使用寿命。然而，增大挡止部13和第三凸台12之间的间距，也就意味着继电器的线包需要较高的吸合和维持电压，增大了继电器的功耗。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种高分断能力的低功耗继电器，它功耗低而分断能力高，适用于较高电压回路的闭合和分断。为实现上述目的，本发明采用这样一种高分断能力的低功耗继电器，包括限位片 1，线包2、衔铁3、轭铁4、弹簧5、进线片6、出线片7和动簧片8，所述的动簧片8上下两侧焊有第一凸台9和第二凸台10，并通过一铜编织线11与所述的进线片6电连接，所述的限位片1的下侧与所述的第一凸台9相对地焊接有挡止部13，所述的出线片7始端的上侧与所述的第二凸台10相对地焊接有第三凸台12，加大所述的挡止部13和所述的第三凸台12 之间的距离，同时，所述的高分断能力的低功耗继电器还包括一自动延时降压电路，工作电压经所述的自动延时降压电路加载至所述的线包两端。特别地，所述的自动延时降压电路包括第一晶体管Tl、第二晶体管T2、二极管D1、 电容Cl和电阻Rl、R2、R3，控制端Vt经所述的电阻Rl接至第一晶体管Tl的基极，所述的第一晶体管Tl的集电极经所述的线包接至工作电压正端，所述的第一晶体管Tl的集电极还经所述的二极管Dl与所述的电容Cl的正端连接，所述的电容Cl的正端经所述的电阻R2 接至所述的第二晶体管T2的基极，所述的第二晶体管T2的集电极接至所述的第一晶体管 Tl的发射极，所述的第一晶体管Tl的发射极经电阻R3与第二晶体管T2的发射极和电容 Cl的负端一起接至工作电压负端。特别地，所述的自动延时降压电路包括第三晶体管T3、二极管D2、电阻R4和电容 C2，控制端Vt的电压加至所述的第三晶体管T3的基极，所述的工作电压正端经所述的电阻 R4、所述的线包接至所述的第三晶体管T3的集电极，所述的第三晶体管T3的发射极接至工作电压负端，在所述的线包的两端反并接一续流二极管D2，在所述的电阻R4两端并接所述的电容C2。
本发明和现有技术的区别在于采用增大挡止部和第三凸台之间的间距，提高继电器的分断能力，再辅助以一自动延时降压电路，采用较大工作电压吸合继电器线包，经一定时间延时后，又降低电压维持吸合，大大地降低了功耗，结构简单，制造成本低廉。
图1是现有技术中的普通低压继电器的结构示意图。图2是本发明实施例中自动延时降压电路原理图。图3是本发明另一种实施例中自动延时降压电路原理图。图中1、限位片，2、线包，3、衔铁，4、轭铁，5、弹簧，6、进线片，7、出线片，8、动簧片， 9、第一凸台，10、第二凸台，11、铜编织线，12、第三凸台，13、挡止部，Rl R4、电阻，Tl T3、 晶体管，J、继电器，Dl D2、二极管，Cl C2、电容，Vt、控制端。
具体实施例方式一种高分断能力的低功耗继电器，包括限位片1，线包2、衔铁3、轭铁4、弹簧5、进线片6、出线片7和动簧片8，动簧片8上下两侧焊有第一凸台9和第二凸台10，并通过一铜编织线11与进线片6电连接，限位片1的下侧与第一凸台9相对地焊接有挡止部13，出线片7始端的上侧与第二凸台10相对地焊接有第三凸台12，加大挡止部13和第三凸台12 之间的距离，同时，辅助以一自动延时降压电路，工作电压经自动延时降压电路加载至线包两端。如图2所示，是实施例一中的自动延时降压电路的电路原理图，包括第一晶体管 Tl、第二晶体管T2、二极管D1、电容Cl和电阻Rl、R2、R3，控制端Vt经电阻Rl接至第一晶体管Tl的基极，第一晶体管Tl的集电极经线包接至工作电压正端，第一晶体管Tl的集电极还经二极管Dl与电容Cl的正端连接，电容Cl的正端经电阻R2接至第二晶体管T2的基极，第二晶体管T2的集电极接至第一晶体管Tl的发射极，第一晶体管Tl的发射极经电阻 R3与第二晶体管T2的发射极和电容Cl的负端一起接至工作电压负端。实施例一的工作原理当控制端Vt无信号输入时，第一晶体管Tl截止，工作电压通过继电器J的线包、二极管Dl向电容Cl充电，当电容Cl正端的电压逐渐上升至使第二晶体管T2导通，电阻R3被短接，此时，在控制端Vt输入控制信号，使第一晶体管Tl导通，工作电压全部加载于继电器 J的线包上，线包吸合，触点工作，同时，二极管Dl截止，当电容Cl上的电量通过电阻R2放电至使第二晶体管T2截止，工作电压经过分压电阻R3降压后加载至线包两端，维持继电器 J的线包吸合。如图3所示，是另一个实施例中的自动延时降压电路的电路原理图，自动延时降压电路包括第三晶体管T3、二极管D2、电阻R4和电容C2，控制端Vt的电压加至第三晶体管 T3的基极，工作电压正端经电阻R4、线包接至第三晶体管T3的集电极，第三晶体管T3的发射极接至工作电压负端，在线包的两端反并接一续流二极管D2，在电阻R4两端并接电容 C2。实施例二的工作原理在控制端Vt输入控制信号，上电瞬间，工作电压通过电容C2耦合全部加载于继电器J的线包，线包吸合，触点工作，经延时后，工作电压经过分压电阻R4 分压后，得到较小电压维持继电器J的线包吸合。
权利要求
1.一种高分断能力的低功耗继电器，包括限位片(1)，线包O)、衔铁(3)、轭铁、弹簧(5)、进线片(6)、出线片(7)和动簧片(8)，所述的动簧片⑶上下两侧焊有第一凸台(9) 和第二凸台(10)，并通过一铜编织线(11)与所述的进线片(6)电连接，所述的限位片⑴ 的下侧与所述的第一凸台(9)相对地焊接有挡止部(13)，所述的出线片(7)始端的上侧与所述的第二凸台(10)相对地焊接有第三凸台(12)，其特征在于加大所述的挡止部(13) 和所述的第三凸台(12)之间的距离，同时，所述的高分断能力的低功耗继电器还包括一自动延时降压电路，工作电压经所述的自动延时降压电路加载至所述的线包两端。
2.根据权利要求1所述的高分断能力的低功耗继电器，其特征在于所述的自动延时降压电路包括第一晶体管(Tl)、第二晶体管(T2)、二极管(Dl)、电容(Cl)和电阻(Rl、R2、 R3)，控制端(Vt)经所述的电阻(Rl)接至第一晶体管(Tl)的基极，所述的第一晶体管(Tl) 的集电极经所述的线包接至工作电压正端，所述的第一晶体管(Tl)的集电极还经所述的二极管(Dl)与所述的电容(Cl)的正端连接，所述的电容(Cl)的正端经所述的电阻(R2) 接至所述的第二晶体管0 的基极，所述的第二晶体管0 的集电极接至所述的第一晶体管(Tl)的发射极，所述的第一晶体管(Tl)的发射极经电阻(R3)与第二晶体管(T2)的发射极和电容(Cl)的负端一起接至工作电压负端。
3.根据权利要求1所述的高分断能力的低功耗继电器，其特征在于所述的自动延时降压电路包括第三晶体管(T3)、二极管(D2)、电阻(R4)和电容(C2)，控制端(Vt)的电压加至所述的第三晶体管(T3)的基极，所述的工作电压正端经所述的电阻(R4)、所述的线包接至所述的第三晶体管CH)的集电极，所述的第三晶体管CH)的发射极接至工作电压负端， 在所述的线包的两端反并接一续流二极管(D2)，在所述的电阻(R4)两端并接所述的电容 (C2)。
全文摘要
本发明涉及一种高分断能力的低功耗继电器，包括限位片，线包、衔铁、轭铁、弹簧、进线片、出线片和动簧片，动簧片上下两侧焊有第一凸台和第二凸台，并通过一铜编织线与进线片电连接，限位片的下侧与第一凸台相对地焊接有挡止部，出线片始端的上侧与第二凸台相对地焊接有第三凸台，其特征在于，加大挡止部和第三凸台之间的距离，同时，所述的高分断能力的低功耗继电器还包括一自动延时降压电路，工作电压经自动延时降压电路加载至线包两端。采用增大挡止部和第三凸台之间的间距，提高继电器的分断能力，再辅助以一自动延时降压电路，采用较大工作电压吸合继电器线包，经一定时间延时后，又降低电压维持吸合，大大地降低了功耗，结构简单，制造成本低廉。
文档编号H01H50/64GK102231347SQ20101025119
公开日2011年11月2日 申请日期2010年8月8日 优先权日2010年8月8日
发明者方兴余 申请人:浙江上方光伏科技有限公司