专利名称：高场强度变阻器材料的制作方法
高场强度变阻器材料
本发明依照权利要求1涉及用于电涌放电器(surge arrester)的变阻器材料， 依照权利要求9涉及用于制备所述变阻器材料的方法，以及依照权利要求11涉及所述变 阻器材料用于具有范围为250 400V/mm的目标切换场强度(target switching field strength)的电涌放电器的用途。
变阻器，即电流/电压非线性电阻器，是现有技术中公知的且经常用作过压保护 装置。通常，过压保护装置用于电力系统或电子设备的电路中以通过除去叠加在正常电压 上的过电压而保护该电力系统或电子设备。该过压保护的基础是基于该变阻器在正常电压 时起绝缘器作用但在施加过电压时显示出低电阻的特征。
在已知的变阻器中，广泛使用ZnO基变阻器材料的圆盘。除主要组分ZnO之外，该 变阻器材料通常包括很多对该变阻器的特征具有影响的其他添加剂。
在这一点，该变阻器材料的高非线性特征主要归因于Bi2O3的存在，其在ZnO颗粒 周围形成了 Bi原子的单层并产生了势垒，以及归因于过渡金属(例如Co、Mn和其他)的存 在，其通过在颗粒边界处产生附加的缺陷而稳定了该势垒。传统的变阻器材料进一步包括 若干摩尔％浓度的Sb2O3或S^2用于通过形成抑制颗粒生长的所谓“尖晶石”的微结构控 制。
除该ZnO相、该颗粒间的氧化铋相和该尖晶石相之外，通常还存在称作烧绿石相 的第四相，其通式为Bi3Sb3Si2O14，其可能还包括较少浓度的其他掺杂剂。依照例如Inada 等，Japanese Journal of Applied Physics，1980，第 19 卷第 3 期第 409-419 页，该烧绿石 相在约650 750°C温度(根据实际组成)的烧结过程中开始出现且在高于950 1050°C 的温度消失，其中由烧绿石形成了尖晶石。然而，经过甚至在高于1200°C的温度下烧结的变 阻器通常也具有一定程度的烧绿石相，因为在制备中存在的相对慢的冷却速度过程中的形 成。依照前述^ada的报道，认为该烧绿石在该非欧姆性质中不起作用。
好的变阻器材料所需的性质分别是含义明确的切换电压Vs或切换场强度Es、在切 换区域中的高非线性系数α (依照方程I = (V/C)a)、高能量摄取量、低功率损失和在使用 寿命过程中的高稳定性。
该切换电压Vs约为3伏特/颗粒边界且取决于串联的颗粒边界的总数，因此也取 决于串联的变阻器圆盘的数量和块尺寸。该切换场强度&是材料的性质，且分别是由该材 料的粒度或颗粒边界的密度确定的。下面，Es定义为在0. ImA/cm2的电流密度时的切换场 强度。
大多数可在市场上获得的变阻器材料具有在150 250V/mm范围的切换场 强度。因此，具有这种切换场强度的变阻器能够表示为“正常场变阻器(normal field varistors) ”或“中等场变阻器(medium fieldvaristors) ”。因此，具有低于150V/mm的切 换场强度的变阻器表示为“低场变阻器(low field varistors)”，具有高于250V/mm的切 换场强度的变阻器表示为“高场变阻器(high field varistors)”。下面，进行在措辞“高 场变阻器” (Es = 250 400V/mm)和“超高场变阻器(extra high fieldvaristors) ” (Es > 400V/mm)之间的另外的区分。
高场变阻器材料对于高压放电器(或“电涌放电器”)是特别有利的，因为其可以 降低其尺寸。然而提供这种高场变阻器材料是非常困难的，这主要是由于其热管理所致。
一方面，在高场变阻器的正常连续操作过程中的功率损失是在较小的体积中产生 的，这使得该变阻器圆盘和该放电器外壳的部件在升高的温度下操作。由于导致所有包含 的材料的老化，因此较高的温度通常是不适宜的或不可接受的。在正常操作条件下的高温 还降低了该变阻器在过压脉冲过程中吸收热负荷的能力并增加了在该负荷条件之后热失 控的风险。因此，对于高场变阻器材料来说，与具有正常切换场强度的变阻器材料相比，需 要显著较低的比功率损失(specific power losses)(标准化到体积和所施加的场强度的 功率损失)。
另一方面，由于体积更小，因此在过压脉冲过程中的热负荷也更严重。因此还需要 优良的冲击性能(impulse performance)，导致在高电流区域中需要高电非线性和高的能 量吸收能力。
此外，必须避免电性质随使用寿命的降低。
为了达到高或超高的场强度，该变阻器材料的粒度必须显著降低。
已知有几种影响该粒度并由此影响该切换场强度的可能方式。一种选择是降低烧 结温度(例如如在US-B-4，719，064中提及的)，结果产生更小的颗粒和更高的切换场强度。 然而这仅在一定的范围内可行，因为较低的烧结温度通常导致较低的非线性和降低的冲击 性能。关于通过降低顶温度(top temperature)并缩短在烧结过程中的停留时间而降低非 线性系数，其效果例如示于Balzer等，J. Am. Ceram. Soc.，第87卷，No. 10 (2004)，第1932页 中。过低的烧结温度的另一个缺点在于以下事实由此该材料在烧结过程中通常不会适当 致密化，留下多孔结构，其能够降低该能量吸收能力。
另一种用于调节变阻器材料的电性质的选择是通过改变其化学组成。
在传统变阻器材料中所包含的组分中，Bi2O3是唯一在烧结过程中形成液相的组 分。Bi2O3含量的降低因此降低了在烧结过程中液相的量，减缓了颗粒生长并因此也提高了 切换场强度。然而，通过减少铋而提高该切换场强度的作用是相对较小的。此外，对于较小 的颗粒需要较多的铋以覆盖颗粒边界并形成稳定的势垒。否则大大降低了非线性。
如上所述，Sb2O3通常用于传统的变阻器材料中用于控制该微结构并用于提高该切 换场强度(switching field strength)。已知锑在烧结的早期阶段形成锌锑尖晶石，其阻 碍了颗粒的生长。SId2O3的添加例如公开于EP-A-0961300中。然而，如下面将详细指出的 那样，近来已发现由于吸收部分可获得的氧化铋，从而Sb2O3对该变阻器材料的非线性和功 率损失具有负面影响。
进一步提出添加范围为0. 1 几mol%的硅用于达到较高的场强度。在这一点 上，例如参见US-B-5，107，242,依照该文献使用其量为0. 6 2. Omol %的氧化硅，所述氧化 硅沉淀在该颗粒边界层中以防止ZnO颗粒的发展。硅的使用进一步教导于EP-A-0320196、 US-B-4, 920，328、US-B-4, 719，064、DE-A-2739848 和 US-B-5, 075，666 中。
硅的添加促使形成锌硅尖晶石，其具有与锑相同的作用。然而，对于具有高硅含量 的组合物，切换场强度的提高通常是巨大的，不仅导致高场变阻器材料，而且导致超高场变 阻器材料。
给出现有技术状况的以上缺点，本发明的目的是提供具有低功率损失水平的高场变阻器材料。另一个目的是所述变阻器材料同时在其他电性质(特别是电特征，即非线性 电流-电压曲线(或分别为电流密度-场强度曲线)、冲击性能和使用寿命稳定性)方面具 有优良的性质。
通过依照权利要求1的变阻器材料实现了本发明的目的。在从属权利要求中限定 了本发明的优选实施方案。
依照权利要求1，本发明的变阻器材料包括形成ZnO相的ZnO和形成Bi2O3相的表 示为Bi2O3的Bi。该变阻器材料进一步包括尖晶石相。
与传统的变阻器材料相反，本发明的高场变阻器材料的特征在于其仅包括有限量 的烧绿石相或没有烧绿石相。如权利要求1中所限定，在本发明的变阻器材料中烧绿石相 的量使得该烧绿石相与该尖晶石相的比例小于0.15 1。因此该比例表示用Cu Ka辐射 测定的该烧绿石相的最高峰与该尖晶石相的最高峰的X射线强度比。然而，烧绿石相和尖 晶石相本身的最高峰通常并不适用于定量，因为其与该变阻器材料的其他相互相重叠。代 替测定相的最高峰，可以测定不同的主峰，对于其，与最高峰的峰比值是已知的。在这种情 况中，所测定的峰的强度必须乘以该峰比值以计算该最高峰的强度。
本发明基于以下令人惊奇的发现在烧结过程中烧绿石的形成伴随着非线性的降 低以及该变阻器材料的功率损失的提高。并无任何被理论限制的目的，我们认为与烧绿石 结合的铋部分在颗粒边界处损失，由此导致低的且不稳定的势垒。
该发现与现有技术(特别是Inada等的文章)中所教导的相反，其教导该烧绿石 在非欧姆性质中不起作用。
通过依照本发明降低或避免该烧绿石相，得到了甚至在提高的温度时仍具有优良 的非线性系数和非常低的功率损失的高场变阻器材料。关于功率损失，依照本发明能够得 到在115°C时低于40mW/(cm2*kV)，优选低于35mW/(cm2*kV)的值。
依照本发明的优选实施方案，该烧绿石相与该尖晶石相的比例小于0.1 1。
总的来讲，本发明的高场变阻器材料除了包括ZnO和Bi2O3之外，还包括尖晶石形 成组分(spinel forming component)的混合物，其包括分别表示为Mn02、Co0、Ni0和Cr2O3 的Mn、Co、Ni和Cr。作为与现有技术(特别是US-B-5，107，242)的教导进一步相反处，本 发明的变阻器材料中包含的S^2量通常保持较低，优选小于0. 05mOl%。
依照本发明的变阻器材料能够通过以下得到适当地选择其组分的量和/或设定 在其制备过程中的工艺参数。
依照本发明的变阻器材料的第一种类型，
Bi2O3的量为至少0. 3mol %,更优选为至少0. 6mol %,最优选为0. 6mol % 0. 9mol%,
Sb2O3 的量为低于 1. 8mol %，
Bi2O3与SId2O3的摩尔比为至少0. 5 1，
MnO2, CoO, NiO和Cr2O3的总含量为至少2. 5mol %，更优选为至少!Bmol %。
如上所述，已经发现高浓度的锑不仅形成了提高数量的锌锑尖晶石颗粒，其用作 颗粒生长抑制剂并因此将适于提高该切换场强度，而且形成了烧绿石相，吸收可得到的氧 化铋的一部分并使其颗粒边界活性失活。
通过保持低的锑含量，特别地小于1. 8m0l%，减少了烧绿石相，导致非线性的升高和上述限定的该第一种类型的变阻器材料的功率损失水平的降低。
如在附图的内容中将显示的，当SId2O3的量保持低于1. Smol %时基本上没有形成 烧绿石相。进一步优选Sb2O3的量小于1.511101%，最优选为0.911101% 1.5mol%。
作为高含量锑的替代，本发明的第一种类型的变阻器材料包括尖晶石形成组分 的混合物，其包括过渡金属Mn、Co、Ni和Cr，其中Mn02、CoO、NiO和Cr2O3的总量为至少 2. 5m0l%，更优选为至少3m0l%。由于存在分别高浓度的上述过渡金属组分，形成另外的尖 晶石颗粒，由此可以获得类似于Sb添加的切换场强度增加，但具有以下优点通过结合到 烧绿石相而没有铋从该颗粒边界被除去。因此在本发明的变阻器材料中不影响高质量的势 垒的产生。
与现有技术的一般教导相反，依照其必须大大降低该Bi量，必须提高Sb的掺杂， 应当使用提高的Si掺杂水平，以得到高场强度特征，实验显示本发明的第一种类型的变阻 器材料在非线性系数、比功率损失和长期稳定性方面与依照高场变阻器材料的现有技术的 上述教导制备的材料相比更为优良。
依照本发明的第二类型的变阻器材料，Bi2O3的量小于0. 5mol%，Bi2O3与SId2O3的 摩尔比小于0.4 1，优选小于0.3 1，最优选小于0.25 l，Mn02、Co0、Ni0和Cr2O3的总 量为至少4mol%。由于该组成，能够得到小于0.15的烧绿石相与尖晶石相之比。下面详细 说明用于制备第二种类型变阻器材料的相应方法。
依照另一优选实施方式，该尖晶石形成组分的混合物进一步包括至少一种选自由 Fe、Al、Ti、Mg和Cu构成的组的其他尖晶石形成组分。
进一步优选该材料另外包括至少一种选自由Ag和B构成的组的掺杂剂。
本发明进一步涉及用于制备依照本发明的变阻器材料的方法，其中使包括Bi203、 Sb2O3> MnO2, CoO、NiO和Cr2O3的原料组合物与ZnO和任选的剩余掺杂剂混合，压制成圆盘， 优选为圆柱状圆盘，并在高于1000°C的温度烧结以得到该变阻器材料。
总的来讲，将该变阻器材料的组分分散、研磨并和有机添加剂(例如分散剂、粘结 剂和/或润滑剂)一起混合在水悬浮液(“浆液”)中。通过喷射干燥将该浆液颗粒化成粉 末颗粒。将该粉末压制成圆盘并在高于1000°C的温度烧结以发展最终的变阻器性质。然后 通常将该经烧结的块经受镀金属和上釉步骤。
如果使用依照该第二种类型变阻器材料的组合物，可以通过以下得到小于 0.15 1的烧绿石相与尖晶石相之比将该原料组合物在高于600°C的温度经过煅烧步骤， 然后在将其与ZnO和任选的残余的掺杂剂混合，将其压实成圆柱状圆盘并将其烧结。
给定得到的特征，本发明的变阻器材料特别适用于具有范围为250 400V/mm的 目标切换场强度的电涌放电器。
进一步通过以下实施例描述本发明
实施例
通过除了 ZnO作为主组分还使用表1和2中所示量的Bi2O3和Sb2O3制备变阻器材 料的圆盘。这些实施例的变阻器材料另外包括其包含表示为Mn02、Co0、Ni0和Cr2O3的Mn、 Co,Ni和Cr的尖晶石形成组分的混合物，其中MnO2为约0. 7mol%,Co0为约1. 4mol%,NiO 为约1. 4mol%, Cr2O3为约0. Imol0对于各变阻器材料，表1和2中还显示了各自在115°C 的切换场强度(Es)、非线性系数α和功率损失(Pl)。
用于测定该材料内的相的方法是技术人员公知的，且包括衍射方法，例如中子衍 射或X射线衍射。特别地，在本实施例的内容中通过用Cu Ka辐射的XRD确定所述相。用 于定量分析，使用[622]烧绿石峰和[400]尖晶石峰，因为⑴两个峰都是独立的且因此与 来自其他相的峰没有重叠，和(ii)两个峰都是其相的主峰且如果该相存在就能够容易地 检测到。
表 1
\Bi2O3Sb2O3[mol%][mol%]Esα 在 115°C的 Pl Py/Sp[V/mm][mW/(kV*cm2)]0.75130789250.000.751.536389280.020.75240390230.060.752.540378350.140.75344175510.200.753.5443311190.31
表 2
Bi2O3Sb2O3Esa在 115°C的 PlPy/Sp[mol%][mol%][V/mm][mW/(kV*cm2)]0.25 1.548461530.000.50 1.539875430.010.75 1.536389280.021.00 1.533389300.061.25 1.530991320.070.25 3.5523201200.030.50 3.5461181740.210.75 3.5443321190.311.00 3.543267590.491.25 3.539765460.39
如表1中给出，依照本发明得到了相对高的非线性系数α以及低功率损失，其中 该烧绿石相的量使得该烧绿石相与该尖晶石相之比小于0.15 1。在下面讨论的图4中给出了在表1中给出的变阻器材料的烧绿石相与尖晶石相之比的图示。
如上所讨论，现有技术中教导的用于降低变阻器材料的粒度和用于提高其切换场 强度的一种技术方法是降低Bi2O3量并由此降低在烧结过程中存在的液相的量。然而，需要 最小量的Bi2O3以用铋覆盖所有颗粒边界和用于形成高质量势垒。
如表2中清楚可见，在第一种类型的组合物中过低量的Bi2O3可导致具有相对差 的非线性系数和相对高的功率损失的变阻器材料，尽管烧绿石相与尖晶石相之比是相对低 的。
借助于附图进一步讨论了所得到的结论，其中
图1显示了以下微结构的示意图
a)具有相对大粒度的低场强度变阻器材料，和
b)具有为a)中三分之一的直径的粒度的高场强度变阻器材料；
图2显示了变阻器材料的非线性系数α和切换场强度&作为其铋含量的函数的 图示；
图3显示了变阻器材料的切换场强度&、非线性系数α和功率损失&的相对变 化作为其Sb2O3含量的函数的图示；
图4显示了依照表1的变阻器材料的尖晶石[400]峰与烧绿石[622]峰的归一化 强度(其中使用&ιθ[ιοο]峰用于归一化)以及烧绿石与尖晶石之比作为其Sb2O3含量的函 数的图示；和
图5显示了依照现有技术的中等场变阻器材料和依照本发明的高场变阻器材料 在三个不同的温度时的标准化功率损失(标准化到施加场的强度和块的体积)作为场强度 的函数的图示；
从图1中显而易见，对于以b)给出的高场强度变阻器的更小的粒度，用于覆盖所 有颗粒边界的Bi2O3的最小量变得更高，因为界面面积得以提高。以粗略估计，所需的最小 Bi2O3浓度依照以下式与该倒数粒度(reciprocal grain size)的立方按比例确定
Bi2 = (Cl1Zd2)^Bi1,
其中Cl1和d2是各变阻器材料的颗粒直径，Bi1和Bi2是为了获得稳定势垒相应的 最小Bi2O3浓度。
图2中显示了低铋浓度对非线性系数和切换场强度的影响，依照其用于得到小颗 粒(和因此高切换场强度)的最佳Bi2O3含量与用于高非线性系数的最佳Bi2O3含量导致相 反的方向。本发明的第一种变阻器材料反映了这一点，依照其将表示为Bi2O3的Bi量设定 为至少0. 3mol %，最优选设定为0. 6mol % 0. 9mol %。因此有对于可以得到的所有颗粒边 界是足够的铋，同时将液相的量保持尽可能低。
现有技术中教导的用于提高该变阻器材料的切换场强度的另一技术方法是添加 Sb2O3O然而，如图3中所示，添加Sb2O3受到限制。尽管依照图3，如果超过约2. 5mol%的临 界浓度，随着提高Sb2O3的量而提高了该切换场强度，其伴随着非线性系数的显著降低和功 率损失的大大提高。本发明的第一种类型变阻器材料中反映了这一点，依照其，表示为Sb2O3 的Sb量小于1. 8mol%。
对于高锑浓度，不仅存在锌锑尖晶石，还存在另外的烧绿石相。
依照图4，使用X射线衍射分析具有不同Sb2O3含量的组合物。对于高锑浓度，发8现除了 ZnO和氧化铋相之外，还不仅存在锌锑尖晶石，而且开始形成烧绿石相。在图4中所 示的图示中，将尖晶石的[400]峰(对于CuKa辐射在2 θ = 42. 07° )和烧绿石的[622] 峰(对于CuK α辐射在2 θ = 58. 43° )的强度归一化到SiO的[100]峰(对于CuK α辐 射在2 θ =31.77° )的强度。如图4中能够看到，随着Sb2O3含量的提高逐渐提高尖晶石 相的量，但对于2 2. 5mol %的Sb2O3浓度，开始形成另外的烧绿石相，对于更高的Sb2O3含 量，其继续提高。
已经观察到在烧绿石形成和电性质恶化之间存在强关联，其在相同的浓度O 2. 5mol% Sb2O3)同时开始。没有受理论所限制的任何意图，我们认为在该经烧结的变阻器 中将部分Bi2O3结合到烧绿石相，因此在颗粒边界处消失，并引起不稳定的势垒。在高场材 料的情况中特别发现了这种行为，其中将Bi2O3含量保持较低以使该液相的量最小化。进一 步地，在烧绿石形成的开始时添加Sb2O3以两种方式具有强的负面影响——首先，产生更高 分数的烧绿石相，结合更大量的铋，其次，降低了粒度，这将需要更高量的Bi2O3以充分覆盖 所有颗粒边界并防止差的电性能。
依照本发明的第一种类型变阻器材料，将该锑含量保持在其中未生成可检测到的 烧绿石的水平。依照本发明，通过使用高总浓度的包含四种金属氧化物CoO、MnO2, Cr2O3和 NiO的尖晶石形成组分的混合物，能够实现该切换场强度艮的剩余提高。观察到如果使用比 用于得到所希望电性质所需浓度更高浓度的混合物，在该尖晶石相中能够优选发现过量的 Co、Mn、Cr和Ni原子(与Sb和部分Zn 一起)，改变其组成(Zn、Sb、Co、Mn、Cr、Ni) 304 (即 (ZnxlSbx2Cox3Mnx4Crx5Nix6)O4,其中 xl+x2+x3+x4+x5+x6 = 3)，在该尖晶石中的 &i、Sb、Co、Mn、 Cr和Ni原子的精确比值发生变化，并取决于该变阻器材料的不同添加剂的浓度。此外，在 该变阻器材料中产生更高分数的尖晶石相，降低了粒度，引起该切换场强度适宜地提高。
如上所述，本发明可以提供其切换场强度&在250 400V/mm范围的高场变阻器 材料。因为并未超出用于烧绿石形成的临界Sb2O3含量，因此没有铋被结合，可获得在该变 阻器材料中的所有Bi2O3以形成稳定的势垒。结果是具有优良的非线性系数和非常低的功 率损失的高场变阻器材料，甚至在高温时也如此。
图5中图示了在三个不同的温度依照现有技术的中等场变阻器材料和依照本发 明的高场变阻器材料在AC电压(50Hz)测定的功率损失。由此，将该功率损失标准化到施 加的场强度和该块的体积，而用该切换场强度在AC负载将该场强度归一化。从图5中能够 看到，依照本发明的该材料的低功率损失特征在更高的温度和场强度时甚至更显著。在过 压脉冲之后，高温时非常低的功率损失是特别重要的。由于更小的体积，因此将该高场材料 加热直到更高的温度。返回正常操作模式，该变阻器在首先的几个小时过程中以升高的温 度下运行。给定高温时的低功率损失，在本发明的变阻器材料中大大降低了热失控的危害， 这对于高场变阻器的应用是基本要求。
权利要求
1.用于电涌放电器的变阻器材料，包括形成ZnO相的ZnO和形成颗粒间氧化铋相的表 示为Bi2O3的Bi，所述变阻器材料进一步包括尖晶石相，其特征在于该变阻器材料中包含的 烧绿石相的量使得该烧绿石相与该尖晶石相之比小于0.15 1。
2.权利要求1的变阻器材料，其特征在于该烧绿石相与该尖晶石相之比小于0.1 1。
3.权利要求1或2的变阻器材料，其特征在于目标切换场强度范围为250 400V/mm。
4.权利要求1 3任一项的变阻器材料，其特征在于其包含尖晶石形成组分的混合物， 所述组分包括分别表示为Mn02、CoO、NiO和Cr2O3的Mn、Co、Ni和Cr和任选的表示为SiR 的Si，该SiO2的量小于0. 05mol%o
5.权利要求4的变阻器材料，其特征在于该Bi2O3的量为至少0. 3mol %，更优选为至少0. 6mol %，最优选为0. 6mol % 0. 9mol%,Sb2O3 的量小于 1. 8mol%,Bi2O3与Sb2O3的摩尔比为至少0.5 1，和MnO2, CoO、NiO和Cr2O3的总量为至少2. 5mol %，更优选为至少!Bmol %。
6.权利要求4的变阻器材料，其特征在于Bi2O3 的量小于 0. 5mol%,Bi2O3与Sb2O3的摩尔比小于0.4 1，优选小于0.3 1，最优选小于0.25 1，和MnO2, CoO、NiO 和 Cr2O3 的总量为至少 ^iol %。
7.前述权利要求任一项的变阻器材料，该尖晶石形成组分的混合物另外包括至少一种 选自由狗、Al、Ti、Mg和Cu构成的组的另外的尖晶石形成组分。
8.前述权利要求任一项的变阻器材料，该材料进一步包括至少一种选自由^Vg和B的组 的掺杂剂。
9.用于制备前述权利要求任一项的变阻器材料的方法，其中将包括Bi203、St3203、Mn02、 CoO、NiO和Cr2O3的原料组合物与ZnO和任选的剩余掺杂剂混合，压实成圆盘并在超过 1000°C的温度下烧结以得到该变阻器材料。
10.权利要求9的用于制备权利要求6的变阻器材料的方法，其中在将其与SiO和任选 的剩余掺杂剂混合之前，使Bi203、Sb203、MnO2, CoO、NiO和Cr2O3的原料组合物在超过600°C 的温度下煅烧。
11.前述权利要求任一项的变阻器材料用于具有250 400V/mm的目标切换场强度的 电涌放电器的用途。
全文摘要
本发明涉及高场强度变阻器材料。本发明涉及用于具有250～400V/mm的目标切换场强度的电涌放电器的变阻器材料，其包括形成ZnO相的ZnO和形成颗粒间氧化铋相的表示为Bi2O3的Bi，所述变阻器材料进一步包括尖晶石相，其特征在于该变阻器材料中包含的烧绿石相的量使得该烧绿石相与该尖晶石相之比小于0.15∶1。
文档编号H01C17/00GK102034581SQ20101050149
公开日2011年4月27日 申请日期2010年9月30日 优先权日2009年10月1日
发明者F.格鲁特, M.哈格迈斯特, O.贝克, R.凯斯勒, R.奥斯特伦 申请人:Abb技术有限公司