专利名称：工艺数据分析方法和系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及数据分析技术，特别是涉及一种工艺数据分析方法和系统。
背景技术：
目前，各种工艺具有数据采集功能。以半导体制程为例，数据采集(DC，Data Capture)系统会实时采集各种工艺数据，具体而言，该DC系统通常会随着时间的递增记录下各个工艺过程参数值，如压力，温度，射频电压等。通过分析采集到的工艺数据，操作人员不但可以监控分析设备的状况，还可以分析寻找工艺改进的方向，提高工艺的结果。因此，如何能够方便、快捷地分析工艺数据，以便工艺工程师或设备工程师通过工艺数据对机台设备及工艺现状进行监控和改进，在工艺发展中有着不可忽视的作用。一般情况下，操作人员在对工艺数据进行分析时，除了针对某个chamber (腔室) 下某个工艺过程中的个别工艺过程参数进行单独查看分析外，大多数时候更需要通过针对不同情况下的工艺过程参数的对比来分析，通常的分析对象包括以下几类A类、同一 wafer (硅片)不同工艺过程参数之间；B类、同一 chamber不同wafer的同一工艺过程参数之间；C类、不同chamber同一工艺过程参数之间。现有工艺数据分析方法能够依据chamber的不同或者工艺过程参数的不同，设置所述分析对象的曲线属性；例如，可以为两个A类分析对象或者两个C类分析对象设置不同的曲线属性，这里的曲线属性可以包括颜色、线型、线宽等；因此，操作人员可直观的分辨出各曲线分别对应哪个分析对象，方便快捷的对比该两条曲线所分别代表的工艺数据，从而能够为进一步的分析提供直观便捷的平台。但是，由于只能根据chamber的不同或者工艺过程参数的不同分别设置曲线属性，B类分析对象也即同一 chamber下的不同wafer并无单独的属于每个wafer的曲线属性设置方式，因此，若用户选择了同一 chamber下的不同wafer，只能通过一套曲线属性设置方式设置该chamber下的所有的wafer的参数。这样，在分析B类分析对象时，绘图区同样会显示两条曲线，不过所述两条曲线的颜色、线型、线宽等属性都是一样的，让用户无法区分哪条曲线是哪个wafer的数据。而针对对比对象B的分析又是检测工艺数据的一个重要依据，要进行该对比分析，只能通过DC系统将工艺数据导出到excel文件，然后针对数据文件进行手动分析，过程繁琐复杂而且耗时。总之，需要本领域技术人员迫切解决的一个技术问题就是如何能够提供一种便捷、高效的工艺数据分析方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种工艺数据分析方法和系统，用以便捷、高效地进行工艺数据的分析。
为了解决上述问题，本发明公开了一种工艺数据分析方法，包括针对查询得到的工艺数据，进行自顶向下的逐级筛选，定位到分析对象；设置所述分析对象的曲线属性；依据所述曲线属性，绘制相应分析对象的曲线；依据所述曲线，对相应分析对象进行分析。优选的，所述定位到分析对象的步骤为，针对查询得到的工艺数据，按照腔室到硅片到工艺过程参数的筛选顺序，定位到分析对象。优选的，所述定位到分析对象的步骤包括腔室定位步骤识别当前分析对象所属的腔室，并依据所述查询工艺数据，获取所识别腔室的工艺数据；硅片定位步骤识别当前分析对象所属的硅片，并依据所识别腔室的工艺数据，获取所识别硅片的工艺数据；参数定位步骤识别当前分析对象所属的工艺过程参数，并依据所识别硅片的工艺数据，获取所识别工艺过程参数的工艺数据。优选的，所述方法还包括如果下一个分析对象与当前分析对象所属的腔室不同，则返回所述腔室定位步骤；或者，如果下一个分析对象与当前分析对象所属的腔室相同，则返回所述硅片定位步骤；或者，如果下一个分析对象与当前分析对象所属的腔室和硅片均相同，则返回所述参数定位步骤。优选的，所述方法还包括添加参数类型，其中，一个参数类型对应一个或多个工艺过程参数；所述参数定位步骤包括识别当前分析对象所属的参数类型，并依据所识别硅片的工艺数据，获取所识别参数类型的工艺数据；识别前分析对象所属的工艺过程参数，并依据所识别参数类型的工艺数据，获取所识别工艺过程参数的工艺数据。优选的，所述曲线属性包括颜色、线宽、线型和/或曲线放大比例。依据另一实施例，本发明还公开了一种工艺数据分析系统，包括定位模块，用于针对查询得到的工艺数据，进行自顶向下的逐级筛选，定位到分析对象；设置模块，用于设置所述分析对象的曲线属性；绘制模块，用于依据所述曲线属性，绘制相应分析对象的曲线；分析模块，用于依据所述曲线，对相应分析对象进行分析。优选的，所述定位模块，具体用于针对查询得到的工艺数据，按照腔室到硅片到工艺过程参数的筛选顺序，定位到分析对象。优选的，所述定位模块包括腔室定位单元，用于识别当前分析对象所属的腔室，并依据所述查询工艺数据，获取所识别腔室的工艺数据；硅片定位单元，用于识别当前分析对象所属的硅片，并依据所识别腔室的工艺数据，获取所识别硅片的工艺数据；参数定位单元，用于识别当前分析对象所属的工艺过程参数，并依据所识别硅片的工艺数据，获取所识别工艺过程参数的工艺数据。优选的，所述定位模块还包括判断单元，用于针对下一个分析对象，如果其与当前分析对象所属的腔室不同，则通知所述腔室定位单元；或者，如果其与当前分析对象所属的腔室相同，则通知所述硅片定位单元；或者，如果其与当前分析对象所属的腔室和硅片均相同，则返回所述参数定位单兀。优选的，所述系统还包括添加模块，用于添加参数类型，其中，一个参数类型对应一个或多个工艺过程参数；所述参数定位单元包括类型定位子单元，用于识别当前分析对象所属的参数类型，并依据所识别硅片的工艺数据，获取所识别参数类型的工艺数据；参数定位子单元，用于识别前分析对象所属的工艺过程参数，并依据所识别参数类型的工艺数据，获取所识别工艺过程参数的工艺数据。优选的，所述曲线属性包括颜色、线宽、线型和/或曲线放大比例。与现有技术相比，本发明具有以下优点本发明通过对工艺数据采用自顶向下的逐级筛选方法，定位到分析对象；由于不同逐级筛选能够定位到不同的分析对象，使得可以准确、唯一地定位到每个分析对象，这样，可以针对不同分析对象设置不同的曲线属性，而只要针对各分析对象设置的曲线属性不同，用户即可直观、便捷、高效地通过绘图区的曲线走势及具体数据进行对比分析，从而进行工艺分析及设备监控。以半导体制程中的工艺数据分析为例，所述逐级筛选可以针对查询得到的工艺数据，按照腔室到硅片到工艺过程参数的筛选顺序，或者，按照腔室到硅片到参数类型到工艺过程参数，定位到各分析对象。
图1是本发明一种工艺数据分析方法实施例1的流程图；图2是本发明一种工艺数据分析方法实施例2的流程图；图3是本发明一种工艺数据分析的界面示例；图4是本发明一种工艺数据分析系统实施例的结构图。
具体实施例方式为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明。本发明可以应用于各种工艺数据的分析，其中，所述分析可以是个别工艺过程参数的单独查看分析，也可以是不同情况下的工艺过程参数的对比分析。为了简便起见，在本发明的具体实施例中均采用半导体制程为具体应用环境进行介绍，但其并不应作为本发明的应用限制，实际上，本发明可以应用在各种复杂工艺的工艺数据分析中，例如，大型化工产品的生产工艺等等。参照图1，示出了本发明一种工艺数据分析方法实施例1的流程图，具体可以包括步骤101、针对查询得到的工艺数据，进行自顶向下的逐级筛选，定位到分析对象；本发明实施例的核心构思之一在于，对工艺数据采用自顶向下的逐级筛选方法， 定位到分析对象；其中，所述逐级筛选可以包括顶级-一级-二级..底级，由于不同逐级筛选能够定位到不同的分析对象，使得可以准确、唯一地定位到每个分析对象，这样，可以针对不同分析对象设置不同的曲线属性，因此，相对于现有技术，多个分析对象的曲线属性重复导致无法对比区分的情形，本发明能够较好地避免上述情形。以半导体制程中的工艺数据分析为例，所述逐级筛选是一个逐步细化的过程，具体而言，可以针对查询得到的工艺数据，按照腔室到硅片到工艺过程参数 (chamber-wafer-Parameter)的筛选顺序，定位到分析对象。此时，所述步骤101具体可以包括腔室定位步骤识别当前分析对象所属的腔室，并依据所述查询工艺数据，获取所识别腔室的工艺数据；假设操作人员欲分析PMl下waferlDl的I^ress参数，也即，当前分析对象为 “PMl-waferlDl-Press”，这里，PMl为某个具体的chamber，而通过DC系统的查询功能，获取了所有chamber的工艺数据；那么，所述腔室定位步骤则针对“PMl-waferlDl-Press”识别出其所属的腔室PM1，然后获取PMl的工艺数据。硅片定位步骤识别当前分析对象所属的硅片，并依据所识别腔室的工艺数据，获取所识别硅片的工艺数据；其次，所述硅片定位步骤针对“PMl-waferIDl-Press”识别出其所属的硅片 waferlDl，然后进一步在PMl的工艺数据中筛选获取waferlDl的工艺数据。参数定位步骤识别当前分析对象所属的工艺过程参数，并依据所识别硅片的工艺数据，获取所识别工艺过程参数的工艺数据。最后，所述参数定位步骤针对“PMl-waferIDl-Press”识别出其所属的参数 ft~eSS，然后进一步在waferlDl的工艺数据中筛选获取I^ress的工艺数据。综上，定位到分析对象的步骤就是按照chamber-wafer-Parameter的顺序，筛选出该分析对象的工艺数据的过程，这样，就可以依据相应工艺数据进行接下来的曲线属性设置和曲线绘制。步骤102、设置所述分析对象的曲线属性；所述曲线属性的设置，既可以增加分析单个分析对象的方便直观性，又可以通过对不同分析对象设置不同的曲线属性，以区分开所要对比的多个分析对象，使对比更加醒目直观。通常地，所述曲线属性可以包括颜色、线宽、线型等。CN
为了增加分析对比的方便性，在本发明的一种优选实施例中，所述曲线属性还可以包括曲线放大比例(scale)；通常地，曲线的横轴为时间值，纵轴为参数值，这样，在设置了该scale值后，曲线上各点的纵轴值会变成原始值*(scale/100)，假设当前设置scale 为200，曲线上各点的纵轴值会变成原始值的2倍。可以理解，不同分析对象可以设置不同的scale，因此，在不同分析对象曲线在某些区域(也称接近区域)的原始值比较接近时，所述scale的设置能够更方便比较一些分析对象的相关性，从而能够起到比较好的分析对比效果。步骤103、依据所述曲线属性，绘制相应分析对象的曲线；步骤104、依据所述曲线，对相应分析对象进行分析。在分析当前分析对象的同时，如果还想分析其它分析对象，可同样执行步骤 101-步骤104，并设置与当前分析对象不同的曲线属性。即可图形化显示各分析对象的工艺数据。为了增加定位的灵活性，提高分析效率，在本发明的一种优选实施例中，所述方法还可以包括如果下一个分析对象与当前分析对象所属的腔室不同，则返回所述腔室定位步骤；或者，如果下一个分析对象与当前分析对象所属的腔室相同，则返回所述硅片定位步骤；或者，如果下一个分析对象与当前分析对象所属的腔室和硅片均相同，则返回所述参数定位步骤。因此，无论分析对比的多个分析对象属于如下哪类对比对象A类、同一 wafer (硅片)不同工艺过程参数之间；B类、同一 chamber不同wafer的同一工艺过程参数之间；C 类、不同chamber同一工艺过程参数之间，本发明均可为所述多个分析对象设置不同的曲线属性，而只要针对各分析对象设置的曲线属性不同，用户即可直观的通过绘图区的曲线走势及具体数据进行对比分析，从而进行工艺分析及设备监控。在本发明的另一种优选实施例中，所述方法还可以包括添加参数类型，其中，一个参数类型可对应一个或多个工艺过程参数；相应地，所述参数定位步骤具体可以包括识别当前分析对象所属的参数类型，并依据所识别硅片的工艺数据，获取所识别参数类型的工艺数据；识别前分析对象所属的工艺过程参数，并依据所识别参数类型的工艺数据，获取所识别工艺过程参数的工艺数据。例如，压力类型可以对应多个压力参数，以及，温度类型可以对应多个温度参数， 以及，功率类型可以对应入射功率参数、反射功率参数等多个功率参数，等等。本优选实施例按照腔室到硅片到参数类型到工艺过程参数(chamber-wafer-Para mType-Parameter)的筛选顺序，能够细化分析对象的定位。为使本领域技术人员更好地理解本发明，以下结合图2所示的一种工艺数据分析方法实施例2的流程图更进一步说明步骤201、基于数据采集系统的查询功能，得到要查看的工艺数据；
步骤202、识别当前分析对象所属的腔室，并依据所述查询工艺数据，获取所识别腔室的工艺数据；步骤203、识别当前分析对象所属的硅片，并依据所识别腔室的工艺数据，获取所识别硅片的工艺数据；步骤204、识别当前分析对象所属的参数类型，并依据所识别硅片的工艺数据，获取所识别参数类型的工艺数据；步骤205、识别前分析对象所属的工艺过程参数，并依据所识别参数类型的工艺数据，获取所识别工艺过程参数的工艺数据；步骤206、设置当前分析对象的曲线属性；步骤207、依据所述曲线属性，绘制相应分析对象的曲线；步骤208、依据所述曲线，对相应分析对象进行分析；参照图3，示出了本发明一种工艺数据分析的界面示例，其中，左半部分为绘图区， 其顶部标题为“History Graphs (历史数据曲线)”，横轴为时间值，纵轴为参数值；右半部分为工艺数据区，进一步，其上半部分的标题为“klect WafeH硅片选择)”，其中，提供了 Chamber、WaferID (硅片标识)、ParamType、ParamName (参数名称)等选项卡，以通过识别来实现当前分析对象的定位；以及，在曲线属性(Line Attribute)中提供了 Color (颜色)、Width (线宽)、DashMyle (线型)Jcale (线型比例)等选项卡；在Chamber、WaferlD、ParamType、ParamName选择相应的选项后，即代表定位了当前分析数据的工艺数据，这样，在设置曲线属性后，可点击<0K>按钮，此时，会将所选择的分析对象以记录的形式列在下方列表中，同时，将所选择分析对象的曲线绘制到绘图区。这里，一条记录对应一个分析对象，一条记录的属性可以包括Chamber、 MartTime (工艺数据采集的开始时间)、WaferlD、LotID (卡制品标识)、SlotID (卡槽标识)、Recipe (工艺)、ParamName等。这里，所述记录属性是用户所选择的分析对象的数据描述，可用来帮助用户更准确的分析的所选择的分析对象。步骤209、若要选择当前WaferID下的另一个工艺过程参数，则返回步骤204 ；步骤210、若要选择当前Chamber下的另一个WaferlD，则返回步骤203 ；步骤211、若要选择另一个Chamber下的工艺数据，则返回步骤202。图3所示界面不但可以针对不同分析对象设置不同的曲线属性，而且具有界面简洁，易于操作等优点。当然，图3所示界面仅仅用作示例，本领域技术人员采用任一种界面都是可行的， 本发明无需对此加以限制。对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明所必须的。与前述方法实施例相应，本发明还公开了一种工艺数据分析系统，参照图4，具体可以包括定位模块401，用于针对查询得到的工艺数据，进行自顶向下的逐级筛选，定位到分析对象；
设置模块402，用于设置所述分析对象的曲线属性；绘制模块403，用于依据所述曲线属性，绘制相应分析对象的曲线；分析模块404，用于依据所述曲线，对相应分析对象进行分析。以半导体制程中的工艺数据分析为例，所述定位模块401，可具体用于针对查询得到的工艺数据，按照腔室到硅片到工艺过程参数的筛选顺序，定位到分析对象。在实际中，所述曲线属性可以包括颜色、线宽、线型等，优选的，还可以包括曲线放大比例。在具体实现中，所述定位模块401具体可以包括腔室定位单元，用于识别当前分析对象所属的腔室，并依据所述查询工艺数据，获取所识别腔室的工艺数据；硅片定位单元，用于识别当前分析对象所属的硅片，并依据所识别腔室的工艺数据，获取所识别硅片的工艺数据；参数定位单元，用于识别当前分析对象所属的工艺过程参数，并依据所识别硅片的工艺数据，获取所识别工艺过程参数的工艺数据。为了增加定位的灵活性，提高分析效率，在本发明的一种优选实施例中，所述定位模块401还可以包括判断单元，用于针对下一个分析对象，如果其与当前分析对象所属的腔室不同，则通知所述腔室定位单元；或者，如果其与当前分析对象所属的腔室相同，则通知所述硅片定位单元；或者，如果其与当前分析对象所属的腔室和硅片均相同，则返回所述参数定位单兀。在本发明的另一种优选实施例中，还可以按照chamber-wafer-ParamType-Parame ter的筛选顺序，以细化分析对象的定位，相应地，所述系统还可以包括添加模块，用于添加参数类型，其中，一个参数类型对应一个或多个工艺过程参数；此时，所述参数定位单元具体可以包括类型定位子单元，用于识别当前分析对象所属的参数类型，并依据所识别硅片的工艺数据，获取所识别参数类型的工艺数据；参数定位子单元，用于识别前分析对象所属的工艺过程参数，并依据所识别参数类型的工艺数据，获取所识别工艺过程参数的工艺数据。本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于系统实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上对本发明所提供的一种工艺数据分析方法和系统，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想， 在具体实施方式
及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
权利要求
1.一种工艺数据分析方法，其特征在于，包括针对查询得到的工艺数据，进行自顶向下的逐级筛选，定位到分析对象； 设置所述分析对象的曲线属性； 依据所述曲线属性，绘制相应分析对象的曲线； 依据所述曲线，对相应分析对象进行分析。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述定位到分析对象的步骤为，针对查询得到的工艺数据，按照腔室到硅片到工艺过程参数的筛选顺序，定位到分析对象。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述定位到分析对象的步骤包括 腔室定位步骤识别当前分析对象所属的腔室，并依据所述查询工艺数据，获取所识别腔室的工艺数据；硅片定位步骤识别当前分析对象所属的硅片，并依据所识别腔室的工艺数据，获取所识别硅片的工艺数据；参数定位步骤识别当前分析对象所属的工艺过程参数，并依据所识别硅片的工艺数据，获取所识别工艺过程参数的工艺数据。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括如果下一个分析对象与当前分析对象所属的腔室不同，则返回所述腔室定位步骤； 或者，如果下一个分析对象与当前分析对象所属的腔室相同，则返回所述硅片定位步骤；或者，如果下一个分析对象与当前分析对象所属的腔室和硅片均相同，则返回所述参数定位步骤。
5.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，还包括添加参数类型，其中，一个参数类型对应一个或多个工艺过程参数；所述参数定位步骤包括识别当前分析对象所属的参数类型，并依据所识别硅片的工艺数据，获取所识别参数类型的工艺数据；识别前分析对象所属的工艺过程参数，并依据所识别参数类型的工艺数据，获取所识别工艺过程参数的工艺数据。
6.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述曲线属性包括颜色、线宽、 线型和/或曲线放大比例。
7.—种工艺数据分析系统，其特征在于，包括定位模块，用于针对查询得到的工艺数据，进行自顶向下的逐级筛选，定位到分析对象；设置模块，用于设置所述分析对象的曲线属性；绘制模块，用于依据所述曲线属性，绘制相应分析对象的曲线；分析模块，用于依据所述曲线，对相应分析对象进行分析。
8.如权利要求7所述的系统，其特征在于，所述定位模块，具体用于针对查询得到的工艺数据，按照腔室到硅片到工艺过程参数的筛选顺序，定位到分析对象。
9.如权利要求8所述的系统，其特征在于，所述定位模块包括腔室定位单元，用于识别当前分析对象所属的腔室，并依据所述查询工艺数据，获取所识别腔室的工艺数据；硅片定位单元，用于识别当前分析对象所属的硅片，并依据所识别腔室的工艺数据，获取所识别硅片的工艺数据；参数定位单元，用于识别当前分析对象所属的工艺过程参数，并依据所识别硅片的工艺数据，获取所识别工艺过程参数的工艺数据。
10.如权利要求9所述的系统，其特征在于，所述定位模块还包括判断单元，用于针对下一个分析对象，如果其与当前分析对象所属的腔室不同，则通知所述腔室定位单元；或者，如果其与当前分析对象所属的腔室相同，则通知所述硅片定位单元；或者，如果其与当前分析对象所属的腔室和硅片均相同，则返回所述参数定位单元。
11.如权利要求9或10所述的系统，其特征在于，还包括添加模块，用于添加参数类型，其中，一个参数类型对应一个或多个工艺过程参数； 所述参数定位单元包括类型定位子单元，用于识别当前分析对象所属的参数类型，并依据所识别硅片的工艺数据，获取所识别参数类型的工艺数据；参数定位子单元，用于识别前分析对象所属的工艺过程参数，并依据所识别参数类型的工艺数据，获取所识别工艺过程参数的工艺数据。
12.如权利要求7至10中任一项所述的系统，其特征在于，所述曲线属性包括颜色、线宽、线型和/或曲线放大比例。
全文摘要
本发明提供了一种工艺数据分析方法和系统，其中的方法具体包括针对查询得到的工艺数据，进行自顶向下的逐级筛选，定位到分析对象；设置所述分析对象的曲线属性；依据所述曲线属性，绘制相应分析对象的曲线；依据所述曲线，对相应分析对象进行分析。本发明用以便捷、高效地进行工艺数据的分析。
文档编号H01L21/00GK102456083SQ201010520658
公开日2012年5月16日 申请日期2010年10月20日 优先权日2010年10月20日
发明者刘振华 申请人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司