专利名称：射频噪声去嵌入方法
技术领域：
本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种射频噪声去嵌入方法。
背景技术：
对于RF噪声测试，测试结构中的压焊块(I^d)及连线的寄生电阻、电容、电感会对测试结果造成比较大的影响。为了得到精确的被测试器件结构(Device Under Test, DUT)的噪声参数，需要将这些寄生效应去除，即需要去嵌入(De-embedding)。现有技术中应用最多的是如文献《C. H. CHEN and Μ. J. DEEN，” High frequency Noise of Mosfets I Modeling “· Solid-state Electronics Vol. 42，No. 11，pp. 2069-2081，1998》中所述的开路去嵌入(Open de-embedding)方法；及如文献《K. Auf inger andj. Bock, "A Straightforward Noise De-embedding Method and ItsApplication to High-Speed Silicon Bipolar Transistors", Proceedings ofESSDERC’ 96，pp. 957—960》中所述的开路-短路去嵌入(Open-Shortde-embedding方法。其中所述开路去嵌入方法只能去除Pad寄生电容，所述开路-短路去嵌入方法相对于开路去嵌入方法有所提高，不但能去除Pad寄生电容，还能去除金属连线的寄生电阻及电感，但是却忽略了寄生电容效应对噪声的影响，随着器件尺寸的不断缩小及应用频率的不断提高，金属连线的寄生电容的效应会显得非常重要，为去除这一效应，可使用如文献《C. H. CHEN and Μ. J. DEEN, "A General Procedure for High-Frequency NoiseParameter De-embedding of MOSFETs by Taking the Capacitive Effects of MetalInterconnection into Account，，， IEEE, Conference on Microelectronic TestStructures, Vol 14, March 2001》的 Jf足各一入 (Open-Thrude-embedding)方法。如图1所示，为现有开路-直通去嵌入方法的去嵌结构示意图，包括一被测试器件结构1、一开路去嵌测试结构2、第一直通去嵌测试结构3A和第二直通去嵌测试结构3B。所述被测试器件结构1包括一射频器件11、一信号输入压焊块Si、一信号输出压焊块S2、四个接地压焊块G1、G2、G3、G4。所述信号输入压焊块Sl和所述射频器件11的输入端通过金属线一 12相连，所述信号输出压焊块S2和所述射频器件的输出端通过金属线二 13相连，四个所述接地压焊块通过金属线三14互相连接并和所述射频器件的接地端连接；所述信号输入压焊块Si、所述信号输出压焊块S2排列在直线一上，直线二和直线三对称的位于所述直线一的两侧且都和所述直线一平行，在所述直线二和所述直线三上各排列两个所述接地压焊块，所述直线二上两个所述接地压焊块Gl、G2分别和所述信号输入压焊块Si、所述信号输出压焊块S2在垂直所述直线一的方向上对齐排列、所述直线三上两个所述接地压焊块Gl、G2分别和所述信号输入压焊块Si、所述信号输出压焊块S2在垂直所述直线一的方向上对齐排列。所述开路去嵌测试结构2是在所述被测试器件结构1的基础上去除了所述射频器件11、所述金属线一 12以及所述金属线二 13。所述第一直通去嵌测试结构3A是在所述被测试器件结构1的基础上去除了所述射频器件11，且所述信号输入压焊块Sl和所述信号输出压焊块S2之间通过金属线1 相连，所述金属线1 和所述金属线一 12的长度和宽度都相同。所述接地压焊块Gl、G2通过金属线相连、所述接地压焊块G3、G4通过金属线相连、所述直线二上的所述接地压焊块G1、 G2和所述直线三上的所述接地压焊块G3、G4不连接。所述第二直通去嵌测试结构:3B是在所述被测试器件结构1的基础上去除了所述射频器件11，且所述信号输入压焊块Sl和所述信号输出压焊块S2之间通过金属线13a相连，所述金属线13a和所述金属线二 13的长度和宽度都相同。所述接地压焊块Gl、G2通过金属线相连、所述接地压焊块G3、G4通过金属线相连、所述直线二上的所述接地压焊块G1、 G2和所述直线三上的所述接地压焊块G3、G4不连接。如图2所示，为现有开路-直通去嵌入方法的去嵌计算的流程图。首先是通过测试分别得到所述被测试器件结构1的散射参数一 [Sdut]、所述开路去嵌测试结构2的散射参数二 [Spad]、所述第一直通去嵌测试结构3A的散射参数[Sthkui]、所述第二直通去嵌测试结构3B的散射参数[Sthku2]，所述被测试器件结构1的噪声参数；所述被测试器件结构1的噪声参数包括最佳噪声系数一 NFminDUT、最佳源阻抗一 Y。ptDUT、等效输入阻抗一 RnDUT;所述最佳源阻抗一 Y。ptDUT分为实部G。pt和虚部B。pt。接着再根据上述散射参数测试结果和噪声参数测试结果通过去嵌计算得到所述被测试器件结构1中的所述射频器件的噪声参数。现有去嵌计算包括如下步骤步骤1、将所述散射参数二 [Spad]转换成所述开路去嵌测试结构2的导纳参数二 Ypad,并将所述导纳参数二 Ypad转换成所述开路去嵌测试结构2的ABCD参数二 [Apad]。其中
1 0
所述导纳参数二 Ypad转换成AB⑶参数二 [Apad]可参考如图5所示的[Α·]=[ν ^1]。图
iPAD 1
5中所示的所述射频器件为一 MOSFET器件，端口 1为输入端、端口二为输出端，端口一和端口二都是源极接地、端口一的信号输入端为栅极、端口二的信号输出端为漏极。步骤2、将所述第一直通去嵌测试结构3A的散射参数[Sthkui]转换成所述第一直通去嵌测试结构3A的ABCD参数[Athkui]、将所述第二直通去嵌测试结构3A的散射参数[Sthku2] 转换成所述第二直通去嵌测试结构3A的AB⑶参数[A1 2]。步骤3、如图5所示，结合AB⑶参数[A1 1]和所述AB⑶参数二 [Apad]得到所述被测试器件结构1的输入端ABCD参数[A ]；其中[Athkui']为所述第一直通去嵌测试结构 3A的ABCD参数[A1 1]去除两侧的所述ABCD参数二 [Apad]后得到的所述第一直通去嵌测试结构3A中金属线12a的ABCD参数，由于所述金属线1 和所述金属线12完全相同，故所述[Athkui ‘]也为所述被测试器件结构1的所述金属线12的AB⑶参数。结合AB⑶参数 [Atheu2]和所述ABCD参数二 [Apad]得到所述被测试器件结构1的输出端ABCD参数[Α°υτ]；其中所述[Α1 2 ‘]为所述第二直通去嵌测试结构:3Β中金属线13a的AB⑶参数，由于所述金属线13a和所述金属线13完全相同，故所述[Athku2']也为所述被测试器件结构1的所述金属线13的AB⑶参数。步骤4、将所述散射参数一 [Sdut]转换成所述被测试器件结构1的AB⑶参数一 [Adut]；由所述ABCD参数一 [Adut]、所述输入端ABCD参数[A ]、所述输出端ABCD参数[Α°υτ] 得到所述被测试器件结构1的射频器件的ABCD参数五[Ateans]；由所述最佳噪声系数一 NFminDUT、所述最佳源阻抗一 Y。ptDUT、所述等效输入阻抗一 RnDUT计算得到所述被测试器件结构1
5的相关性矩阵一 [Cadut]；由所述输入端ABCD参数[A ]得到所述被测试器件结构1的输入端的相关性矩阵[CZIN]再推导出相关性矩阵二 [CA ]；由所述输出端AB⑶参数[Α°υτ]得到所述被测试器件结构1的输出端的相关性矩阵[C广τ]再推导出相关性矩阵三[CA°UT]。步骤5、根据所述输入端AB⑶参数[A ]、所述AB⑶参数五[Ateans]、所述相关性矩阵一 [C厂τ]、所述相关性矩阵二 [cA ]、所述相关性矩阵三[CA°UT]得到所述射频器件的相关性矩阵[CA]，由所述相关性矩阵[CA]推导得到所述射频器件的噪声参数即所述最佳噪声系数二 NFmin、所述最佳源阻抗二 Y。pt、所述等效输入阻抗二 I n。现有开路-直通去嵌入方法的去嵌结构结合现有去嵌计算虽然能有效去除寄生电阻、电容、电感，得到比较精确的噪声参数，但是每个被测试器件结构1需要配套两个直通去嵌测试结构即所述第一直通去嵌测试结构3A和所述第二直通去嵌测试结构:3B ；而且当所述被测试器件结构1具有不同的尺寸类型时即所述被测试器件结构1的金属线一 12 和金属线二 13出现变化时，所述第一直通去嵌测试结构3A的金属线1 和所述第二直通去嵌测试结构3B的金属线13a都要改变；这样需要设计非常多的直通去嵌测试结构，不但浪费了硅片的面积，而且给测试也带来了麻烦，需要花更多的时间来测试。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种射频噪声去嵌入方法，能减少去嵌测试结构、缩短测试时间及节约硅片面积、降低成本。为解决上述技术问题，本发明提供的射频噪声去嵌入方法，包括如下步骤步骤一、在硅片上形成一被测试器件结构、一开路去嵌测试结构、一直通去嵌测试结构；所述被测试器件结构包括一射频器件、一信号输入压焊块、一信号输出压焊块、四个接地压焊块，所述信号输入压焊块和所述射频器件的输入端通过金属线一相连，所述信号输出压焊块和所述射频器件的输出端通过金属线二相连，四个所述接地压焊块通过金属线三互相连接并和所述射频器件的接地端连接；所述信号输入压焊块、所述信号输出压焊块排列在直线一上，直线二和直线三对称的位于所述直线一的两侧且都和所述直线一平行， 在所述直线二和所述直线三上各排列两个所述接地压焊块，所述直线二上两个所述接地压焊块分别和所述信号输入压焊块、所述信号输出压焊块在垂直所述直线一的方向上对齐排列、所述直线三上两个所述接地压焊块分别和所述信号输入压焊块、所述信号输出压焊块在垂直所述直线一的方向上对齐排列。所述开路去嵌测试结构是在所述被测试器件结构的基础上去除了所述射频器件、所述金属线一以及所述金属线二。所述直通去嵌测试结构是在所述被测试器件结构的基础上去除了所述射频器件，且所述信号输入压焊块和所述信号输出压焊块之间通过金属线四相连、所述直线二上的两个所述接地压焊块通过金属线五相连、所述直线三上的两个所述接地压焊块通过金属线六相连、所述直线二上的所述接地压焊块和所述直线三上的所述接地压焊块不连接；所述金属线四的宽度为所述金属线一或所述金属线二的宽度的0. 8倍 1. 2倍，更优选择为所述金属线四的宽度等于所述金属线一或所述金属线二的宽度。步骤二、分别测试得到所述被测试器件结构的散射参数一、所述开路去嵌测试结构的散射参数二、所述直通去嵌测试结构的散射参数三、所述被测试器件结构的噪声参数； 所述被测试器件结构的噪声参数包括最佳噪声系数一、最佳源阻抗一、等效输入阻抗一。
步骤三、利用所述散射参数一、所述散射参数二、所述散射参数三以及所述被测试器件结构的噪声参数进行去嵌入计算得到所述射频器件的噪声参数，所述射频器件的噪声参数包括最佳噪声系数二、最佳源阻抗二、等效输入阻抗二。步骤三中所述去嵌计算包括如下步骤步骤1、将所述散射参数二转换成所述开路去嵌测试结构的导纳参数二，并将所述导纳参数二转换成所述开路去嵌测试结构的ABCD参数二。步骤2、将所述散射参数三转换成所述直通去嵌测试结构的导纳参数三；将所述导纳参数三减去所述导纳参数二得到所述直通去嵌测试结构的金属线四的导纳参数四；将所述导纳参数四转换成所述直通去嵌测试结构的金属线四的散射参数四。步骤3、根据所述金属线四的长度和所述散射参数四得到所述金属线四的归一化特征阻抗和传播常数。步骤4、根据所述化特征阻抗、所述传播常数、所述金属线一的长度、所述金属线二的长度分别计算出所述被测试器件结构的所述金属线一的ABCD参数三、所述金属线二的 AB⑶参数四。步骤5、结合所述AB⑶参数二和所述AB⑶参数三得到所述被测试器件结构的输入端ABCD参数；结合所述ABCD参数二和所述ABCD参数四得到所述被测试器件结构的输出端 ABCD参数。步骤6、将所述散射参数一转换成所述被测试器件结构的ABCD参数一；由所述 ABCD参数一、所述输入端ABCD参数、所述输出端ABCD参数得到所述被测试器件结构的射频器件的ABCD参数五；由所述最佳噪声系数一、所述最佳源阻抗一、所述等效输入阻抗一计算得到所述被测试器件结构的相关性矩阵一；由所述输入端ABCD参数得到所述被测试器件结构的输入端的相关性矩阵二、由所述输出端ABCD参数得到所述被测试器件结构的输出端的相关性矩阵三。步骤7、根据所述输入端AB⑶参数、所述AB⑶参数五、所述相关性矩阵一、所述相关性矩阵二、所述相关性矩阵三得到所述射频器件的所述最佳噪声系数二、所述最佳源阻抗二、所述等效输入阻抗二。本发明方法只需采用一个直通去嵌测试结构就能精确得到射频器件的噪声参数， 而且多个不同尺寸的被测试器件结构可以共用一个直通去嵌测试结构进行测试，这样就能大大减少硅片上直通去嵌测试结构的数量从而节省硅片面积；同时，减少测试时间、提高测试效率；也能大大降低成本。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明图1是现有开路-直通去嵌入方法的去嵌结构示意图；图2是现有开路-直通去嵌入方法的去嵌计算的流程图；图3是本发明实施例开路-直通去嵌入方法流程示意图；图4是本发明实施例开路-直通去嵌入方法的去嵌结构示意图；图5是现有技术和本发明实施例中的被测试器件结构在去嵌计算中的结构框图；图6是本发明实施例开路-直通去嵌入方法的去嵌计算的流程图一；
7
图7是本发明实施例开路-直通去嵌入方法的去嵌计算的流程图二 ；图8A-图8D是现有技术和本发明实施例开路-直通去嵌入方法的测试结果对比图。
具体实施例方式如图3所示，是本发明实施例开路-直通去嵌入方法流程示意图；本发明实施例开路-直通去嵌入方法包括如下步骤步骤一、如图4所示，在硅片上形成一被测试器件结构1、一开路去嵌测试结构2、一直通去嵌测试结构3C ；所述被测试器件结构1包括一射频器件11、一信号输入压焊块Si、一信号输出压焊块S2、四个接地压焊块，所述信号输入压焊块Sl和所述射频器件11的输入端通过金属线一 12相连，所述信号输出压焊块S2和所述射频器件11的输出端通过金属线二 13 相连，四个所述接地压焊块通过金属线三14互相连接并和所述射频器件11的接地端连接； 所述信号输入压焊块Si、所述信号输出压焊块S2排列在直线一上，直线二和直线三对称的位于所述直线一的两侧且都和所述直线一平行，在所述直线二和所述直线三上各排列两个所述接地压焊块，所述直线二上两个所述接地压焊块G1、G2分别和所述信号输入压焊块Si、所述信号输出压焊块S2在垂直所述直线一的方向上对齐排列、所述直线三上两个所述接地压焊块G3、G4分别和所述信号输入压焊块Si、所述信号输出压焊块S2在垂直所述直线一的方向上对齐排列。所述开路去嵌测试结构2是在所述被测试器件结构1的基础上去除了所述射频器件U、所述金属线一 12以及所述金属线二 13。所述直通去嵌测试结构3C是在所述被测试器件结构1的基础上去除了所述射频器件11，且所述信号输入压焊块Sl和所述信号输出压焊块S2之间通过金属线四1 相连、所述直线二上的两个所述接地压焊块Gl、G2通过金属线五相连、所述直线三上的两个所述接地压焊块G3、G4通过金属线六相连、所述直线二上的所述接地压焊块Gl、G2和所述直线三上的所述接地压焊块G3、G4不连接；所述金属线四12b 的宽度为所述金属线一 12或所述金属线二 13的宽度的0. 8倍 1. 2倍，更优选择为所述金属线四1 的宽度等于所述金属线一 12或所述金属线二 13的宽度。步骤二、分别测试得到所述被测试器件结构1的散射参数一 [Sdut]、所述开路去嵌测试结构2的散射参数二 [Spad]、所述直通去嵌测试结构3C的散射参数三[Sthku]、所述被测试器件结构1的噪声参数；所述被测试器件结构1的噪声参数包括最佳噪声系数一 NFminDUT、 最佳源阻抗一 Y。ptDUT、等效输入阻抗一 RnDUT。步骤三、利用所述散射参数一 [SDUT]、所述散射参数二 [Spad]、所述散射参数三 [Stheu]以及所述被测试器件结构1的噪声参数进行去嵌入计算得到所述射频器件11的噪声参数，所述射频器件11的噪声参数包括最佳噪声系数一 NFmin、最佳源阻抗一 Y。pt、等效输入阻抗一 I n。如图6、图7所示，步骤三中所述去嵌计算包括如下步骤步骤1、将所述散射参数二 [Spad]转换成所述开路去嵌测试结构2的导纳参数二 Ypad,并将所述导纳参数二 Ypad转换成所述开路去嵌测试结构2的ABCD参数二 [Apad]。其中
1 0
所述导纳参数二 Ypad转换成AB⑶参数二 [Apad]可参考如图5所示的[A ] =[v Jo
iPAD 1步骤2、将所述散射参数三[Sthku]转换成所述直通去嵌测试结构3C的导纳参数三Ytheu ；将所述导纳参数三Ythku减去所述导纳参数二 Ypad得到所述直通去嵌测试结构3C的金属线四12b的导纳参数四Yint ；将所述导纳参数四Yint转换成所述直通去嵌测试结构3C的金属线四12b的散射参数四[SINT]。步骤3、根据所述金属线四12b的长度和所述散射参数四[Sint]得到所述金属线四 12b的归一化特征阻抗和传播常数。步骤4、根据所述化特征阻抗、所述传播常数、所述金属线一 12的长度、所述金属线二 13的长度分别计算出所述被测试器件结构1的所述金属线一 12的ABCD参数三 [Atheui ‘]、所述金属线二 13的ABCD参数四[Athku2 ‘]。步骤5、如图5所示，结合所述AB⑶参数二 [Apad]和所述AB⑶参数三[Athkui'] 得到所述被测试器件结构1的输入端ABCD参数[A ]；结合所述ABCD参数二 [Apad]和所述 AB⑶参数四[Athku2']得到所述被测试器件结构1的输出端AB⑶参数[Α°υτ]。上述得到所述输入端ABCD参数[Α ]和所述输出端ABCD参数[Α°υτ]的方法由两种，第一种为采用如图 6所示的方法，如图6中圆圈标记部分所示，首先在所述ABCD参数三[Athkui']、所述ABCD 参数四[Athku2']的矩阵两侧分别乘以[Apad]分别得到金属线长度为所述金属线一 12的长度的直通去嵌测试结构的所述ABCD参数[Athkui]、金属线长度为所述金属线二 13的长度的直通去嵌测试结构的所述ABCD参数[Α1 2]；再按照如图2所述的现有去嵌计算的后续步骤计算所述[A ]、[A°UT]。第二种为采用如图7所示的方法，如图7中圆圈标记部分所示，在所述AB⑶参数三[Athkui']的矩阵左侧乘以[Apad]直接得到所述输入端AB⑶参数[A ]、在所述ABCD参数四[Athku2']的矩阵右侧乘以[Apad]直接得到所述输出端ABCD参数[Α°υτ]。 得到所述输入端ABCD参数[ΑΙΝ]、所述输出端ABCD参数[Α°υτ]后，本发明实施例去嵌计算的后续步骤和现有技术的去嵌计算相同，如下述的步骤6和7所述。步骤6、将所述散射参数一 [Sdut]转换成所述被测试器件结构1的AB⑶参数一 [Adut]；由所述ABCD参数一 [Adut]、所述输入端ABCD参数[Α ]、所述输出端ABCD参数[Α°υτ] 得到所述被测试器件结构1的射频器件的ABCD参数五[Ateans]；由所述最佳噪声系数一 NFminDUT、所述最佳源阻抗一 Y。ptDUT、所述等效输入阻抗一 RnDUT计算得到所述被测试器件结构1 的相关性矩阵一 [Cadut]。由所述输入端ABCD参数[A ]、所述输出端ABCD参数[Α°υτ]转换得到对应的共轭转置[A ]+、[Aout]+ ；并得到相关性矩阵的转换矩阵[TIN]、[Tout]及其共轭转置[τΙΝ]+、[Τ·Γ;由所述输入端ΑΒ⑶参数[Α ]、所述输出端AB⑶参数[Α°υτ]还能转换得到对应的阻抗参数[ZIN]、[Z°UT]，并求出阻抗相关性参数[CZIN]、[C广]；由所述[TIN]、[T ]+、 [C ]求出ABCD参数的相关性矩阵二 [CA ]、由所述[Τ°υτ]、[Τ°υτ]+、[CZ0UT]求出ABCD参数的相关性矩阵三[CA°UT]。步骤7、根据所述输入端ABCD参数[A ]、所述ABCD参数五[Ateans]、所述相关性矩阵一 [CADUT]、所述相关性矩阵二 [cA ]、所述相关性矩阵三[CA°UT]得到所述射频器件的相关性矩阵[CA]，由所述相关性矩阵[CA]推导得到所述射频器件的噪声参数即所述最佳噪声系数二 NFmin、所述最佳源阻抗二 Y。pt、所述等效输入阻抗二 &。如图6和图7中所示，所述相关性矩阵
权利要求
1.一种射频噪声去嵌入方法，其特征在于，包括如下步骤步骤一、在硅片上形成一被测试器件结构、一开路去嵌测试结构、一直通去嵌测试结构；所述被测试器件结构包括一射频器件、一信号输入压焊块、一信号输出压焊块、四个接地压焊块，所述信号输入压焊块和所述射频器件的输入端通过金属线一相连，所述信号输出压焊块和所述射频器件的输出端通过金属线二相连，四个所述接地压焊块通过金属线三互相连接并和所述射频器件的接地端连接；所述信号输入压焊块、所述信号输出压焊块排列在直线一上，直线二和直线三对称的位于所述直线一的两侧且都和所述直线一平行，在所述直线二和所述直线三上各排列两个所述接地压焊块，所述直线二上两个所述接地压焊块分别和所述信号输入压焊块、所述信号输出压焊块在垂直所述直线一的方向上对齐排列、所述直线三上两个所述接地压焊块分别和所述信号输入压焊块、所述信号输出压焊块在垂直所述直线一的方向上对齐排列；所述开路去嵌测试结构是在所述被测试器件结构的基础上去除了所述射频器件、所述金属线一以及所述金属线二；所述直通去嵌测试结构是在所述被测试器件结构的基础上去除了所述射频器件，且所述信号输入压焊块和所述信号输出压焊块之间通过金属线四相连、所述直线二上的两个所述接地压焊块通过金属线五相连、所述直线三上的两个所述接地压焊块通过金属线六相连、所述直线二上的所述接地压焊块和所述直线三上的所述接地压焊块不连接；所述金属线四的宽度为所述金属线一或所述金属线二的宽度的0. 8倍 1. 2倍；步骤二、分别测试得到所述被测试器件结构的散射参数一、所述开路去嵌测试结构的散射参数二、所述直通去嵌测试结构的散射参数三、所述被测试器件结构的噪声参数；所述被测试器件结构的噪声参数包括最佳噪声系数一、最佳源阻抗一、等效输入阻抗一；步骤三、利用所述散射参数一、所述散射参数二、所述散射参数三以及所述被测试器件结构的噪声参数进行去嵌入计算得到所述射频器件的噪声参数，所述射频器件的噪声参数包括最佳噪声系数二、最佳源阻抗二、等效输入阻抗二。
2.如权利要求1所述射频噪声去嵌入方法，其特征在于步骤三中所述去嵌计算包括如下步骤步骤1、将所述散射参数二转换成所述开路去嵌测试结构的导纳参数二，并将所述导纳参数二转换成所述开路去嵌测试结构的ABCD参数二 ；步骤2、将所述散射参数三转换成所述直通去嵌测试结构的导纳参数三；将所述导纳参数三减去所述导纳参数二得到所述直通去嵌测试结构的金属线四的导纳参数四；将所述导纳参数四转换成所述直通去嵌测试结构的金属线四的散射参数四；步骤3、根据所述金属线四的长度和所述散射参数四得到所述金属线四的归一化特征阻抗和传播常数；步骤4、根据所述化特征阻抗、所述传播常数、所述金属线一的长度、所述金属线二的长度分别计算出所述被测试器件结构的所述金属线一的ABCD参数三、所述金属线二的ABCD 参数四；步骤5、结合所述ABCD参数二和所述ABCD参数三得到所述被测试器件结构的输入端 ABCD参数；结合所述ABCD参数二和所述ABCD参数四得到所述被测试器件结构的输出端 ABCD参数；步骤6、将所述散射参数一转换成所述被测试器件结构的ABCD参数一；由所述ABCD参数一、所述输入端ABCD参数、所述输出端ABCD参数得到所述被测试器件结构的射频器件的 ABCD参数五；由所述最佳噪声系数一、所述最佳源阻抗一、所述等效输入阻抗一计算得到所述被测试器件结构的相关性矩阵一；由所述输入端ABCD参数得到所述被测试器件结构的输入端的相关性矩阵二、由所述输出端ABCD参数得到所述被测试器件结构的输出端的相关性矩阵三；步骤7、根据所述输入端ABCD参数、所述ABCD参数五、所述相关性矩阵一、所述相关性矩阵二、所述相关性矩阵三得到所述射频器件的所述最佳噪声系数二、所述最佳源阻抗二、 所述等效输入阻抗二。
3.如权利要求1所述射频噪声去嵌入方法，其特征在于所述金属线四的宽度等于所述金属线一或所述金属线二的宽度。
全文摘要
本发明公开了一种射频噪声去嵌入方法，包括步骤在硅片上形成被测试器件结构、开路去嵌测试结构、直通去嵌测试结构；分别测试得到被测试器件结构、开路去嵌测试结构以及直通去嵌测试结构的散射参数，测试得到被测试器件结构的噪声参数；利用各散射参数以及被测试器件结构的噪声参数进行去嵌入计算得到射频器件的噪声参数。其中是通过直通去嵌测试结构的信号间金属线的散射参数计算得到纯金属线的归一化特征阻抗和传播常数后再计算出被测试器件结构的输入端金属线或输出端金属线的ABCD参数。本发明方法能大大减少硅片上直通去嵌测试结构的数量、节省硅片面积、减少测试时间、大大降低成本。
文档编号H01L23/544GK102466773SQ20101053306
公开日2012年5月23日 申请日期2010年11月5日 优先权日2010年11月5日
发明者黄景丰 申请人:上海华虹Nec电子有限公司