专利名称：芯片引线键合区及应用其的半导体器件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体封装技术领域，且特别涉及一种芯片引线键合区及应用其 的半导体器件。
背景技术：
半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。半导体封装 是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为 来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后，被切割为小的晶片(Die)，然后将切割好的晶片 用胶水贴装到相应的基板(引线框架)架的小岛上，再利用超细的金属(金、锡、铜、铝)导 线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(Bond Pad)连接到基板的相应引脚(Lead)，并构成 所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后，还要进行一系列 操作，如后固化(Post Mold Cure)、切筋和成型(Trim&Form)、电镀(Plating)以及打印等 工艺。封装完成后进行成品测试，通常经过入检(Incoming)、测试(Test)和包装(Packing) 等工序，最后入库出货。目前，集成电路先进后封装过程关键技术中，封装引脚的90 %以上采用引线键合 技术。封装行业多年的事实和权威预测表明，到2020年，引线键合技术仍将是半导体封装 尤其是低端封装内部连接的主流方式。所谓的引线键合技术，是指以非常细小的金属引线 的两端分别与芯片和引脚键合，形成电气连接的技术。对于一般半导体封装的性能和成本 要求，引线键合是最优的选择。键合工艺根据焊接原理(热或者超声能量)，分为三种热压焊、超声焊和热超声 焊。热超声焊在工作温度上和键合效果上适合于目前主流的金线焊接。引线键合主要有两种工艺过程楔形键合和球形键合。这两种引线键合技术基本 的步骤分为形成第一焊点(通常在芯片表面)，拉成线弧，形成第二焊点(通常在引线框 架/基板上)。然而，在现有技术中，由于引线键合的工艺都是芯片上的一个键合区对应与一条 引线键合，也就是说一个信号对应一个键合区，一个键合区对应一条引线，因而随着芯片集 成度越来越高，功能越来越多的情况下，当芯片每增加一个功能信号输出或输入时，在芯片 上就要多设置一个键合区，以配合一条引线键合，随着芯片功能的增强和集成度的提高，需 要更多的芯片的面积以设置更多的键合区，进而导致芯片上的体积增加、成本上升，引线键 合工序繁杂等问题。
实用新型内容本实用新型旨在解决现有技术中，随着芯片功能的增强和集成度的提高，需要更 多的芯片的面积以设置更多的键合区，进而导致芯片上的体积增加、成本上升，引线键合工 序繁杂等技术问题。有鉴于此，本实用新型提供一种芯片引线键合区，其特征在于，包括多个区；其中，所述多个区之间相互齿合。进一步的，所述多个区之间具有绝缘隔离结构。进一步的，所述多个区为两个。进一步的，所述键合区的材料为铝。本实用新型实施例还提供一种半导体器件，其特征在于，包括芯片；多个键合 区，设置于所述芯片上；引线框架；所述每一个键合区包括多个区；所述多个区通过同一条 引线与所述引线框架键合。进一步的，所述多个区相互齿合。进一步的，所述多个区为两个。进一步的，所述多个区之间具有绝缘隔离结构。进一步的，所述键合区的材料为铝。本实用新型提供的芯片引线键合区及应用其的半导体器件，是将一个键合区分为 多个部分分别与芯片内的多个电极点进行连接，并通过同一条引线与引线框架键合，可以 利用一个键合区实现多路信号传输，更加充分的利用率键合区，达到了节省键合区并能实 现更多功能的目的。
图1所示为现有技术中芯片引线键合区的结构示意图；图2所示为本实用新型一实施例提供的芯片引线键合区的结构示意图；图3A所示为本实用新型另一实施例提供的应用上述芯片引线键合区的半导体芯 片结构示意图；图3B所示为本实用新型另一实施例提供的半导体芯片的引线键合区局部放大示 意图；图4所示为本实用新型一实施例提供的芯片引线键合区压点焊接球的结构示意 图。
具体实施方式
为使本实用新型的技术特征更明显易懂，
以下结合附图，给出具体实施例，对本实 用新型做进一步的描述。请参见图2，其所示为本实用新型一实施例提供的芯片引线键合区的结构示意图。该芯片引线键合区200，分割成多个区，在本实施例中，键合区200分割成为两个 区，分别为第一区210与第二区220，其中第一区210与第二区220分别连接芯片内部不同 的电极点(图中未示)，以配合不同功能的信号连接。在后续进行引线键合工艺时，第一区 210与第二区220通过同一条引线与引线框架键合，由此可以在一个键合区实现两路信号 的输入或输出，有效的利用了键合区，在扩展芯片功能的前提下，减小了芯片的封装体积， 简化了制造工艺，节约了生产成本。在本实施例中，所述第一区210与第二区220是相互齿合，二者之间具有绝缘隔离 结构230。第一区210与第二区220之所以采取相互齿合的连接方式，其目的是在后续进行的引线键合时，在键合区压点焊接球时，能使焊接球充分与第一区210与第二区220接触， 请结合参见图4，保证引线键合更加可靠。在本实施例中，所述键合区200的材料为铝。请参见图3，其所示为本实用新型另一实施例提供的应用上述芯片引线键合区的 半导体芯片结构示意图。该半导体器件，包括芯片310 ；多个键合区320，设置于所述芯片310上；引线框 架 330。所述每一个键合区320通过绝缘隔离结构350分割为多个区，在本实施例中，每个 键合区320利用绝缘隔离结构333分割成为两个区，分别为第一区321与第二区322。其中第一区321与第二区322分别连接芯片内部不同的电极点(图中未示)，以 配合不同功能的信号连接。在后续进行引线键合工艺时，第一区321与第二区322通过同 一条引线340与所述引线框架330键合。由此可以在一个键合区实现两路信号的输入或输 出，有效的利用了键合区。在本实施例中，第一区321与第二区322采取相互齿合的连接方式，可以在后续进 行引线键合工艺中，在键合区压点焊接球时，能使焊接球充分与第一区321与第二区322接 触，保证引线键合更加可靠。以下结合具体的引线键合工艺来更详细的阐述本实用新型的内容。在本实用新型 实施例中，以球形键合工艺为例，其具体包括以下步骤将金丝穿过劈刀毛细管，利用氢氧焰或电气放电系统产生电火花高温融化金属丝 伸出到劈刀腔体外的部分，在表面张力作用下熔融金属凝固形成标准的球形，紧接着控制 降下劈刀，在适当的压力和设定好的时间内将金球压在芯片的键合区上，同时覆盖键合区 上的多个区。在键合过程中，通过劈刀向金属球施加压力，同时促进引线金属和下面的芯片键 合区金属发生塑性变形和原子间相互扩散，完成第一次键合。然后，劈刀向上移动并导入更 长的引线，劈刀运动到第二键合位置，如引线框架上的压点，第二点焊接包括阵脚式焊接和 拉尾线，通过劈刀端口对金属线施加压力以楔焊的方式完成第二次键合，焊接之后拉尾线 是为下一个键合点循环成球作准备。劈刀升高到合适的高度以控制尾线长度，这时在线夹 拉力作用下，楔焊点尾端断裂，紧接着劈刀上升到形成球的高度。综上所述，本实用新型实施例提供的芯片引线键合区及应用其的半导体器件，是 将一个键合区分为多个部分分别与芯片内的多个电极点进行连接，并通过同一条引线与引 线框架键合，可以利用一个键合区实现多路信号传输，更加充分的利用率键合区，达到了节 省键合区并能实现更多功能的目的。虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何 所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的更 动与润饰，因此本实用新型的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
权利要求一种芯片引线键合区，其特征在于，包括多个区；其中，所述多个区之间相互齿合。
2.根据权利要求1所述的芯片引线键合区，其特征在于，所述多个区之间具有绝缘隔离结构。
3.根据权利要求1所述的芯片引线键合区，其特征在于，所述多个区为两个。
4.根据权利要求1所述的芯片引线键合区，其特征在于，所述键合区的材料为铝。
5.一种半导体器件，其特征在于，包括-H-* LL心片；多个键合区，设置于所述芯片上； 引线框架；所述每一个键合区包括多个区； 所述多个区通过同一条引线与所述引线框架键合。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述多个区相互齿合。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述多个区为两个。
8.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述多个区之间具有绝缘隔离结构。
9.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述键合区的材料为铝。
专利摘要本实用新型揭示了一种芯片引线键合区，包括多个区；其中，所述多个区之间相互啮合。本实用新型提供的芯片引线键合区及应用其的半导体器件，是将一个键合区分为多个部分分别与芯片内的多个电极点进行连接，并通过同一条引线与引线框架键合，可以利用一个键合区实现多路信号传输，更加充分的利用率键合区，达到了节省键合区并能实现更多功能的目的。
文档编号H01L23/482GK201708148SQ201020181549
公开日2011年1月12日 申请日期2010年4月29日 优先权日2010年4月29日
发明者周华栋 申请人:中颖电子(上海)有限公司