专利名称：一种磁敏vdmos器件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种磁敏VDM0S器件。
背景技术：
在现有技术中，针对VDM0S芯片导通功率(电流)控制的方法一般是加取样电阻 等方式，在大电流时消耗大量热量，因而造成发热及电能浪费。同时，现有的VDM0S芯片无 智能传感功能。
发明内容本实用新型的目的是提供一种磁敏VDM0S器件。本实用新型采用的技术方案是一种磁敏VDM0S器件，包括VDM0S芯片和磁敏电阻，所述VDM0S芯片上设有绝缘介 质，所述绝缘介质上设有磁敏电阻。所述绝缘介质厚度为100-10000微米。所述磁敏电阻为GMR或TMR。所述磁敏电阻电阻率为1-10000欧姆厘米，厚度为10-10000微米，阻值介于 1-100000欧姆之间，在VDM0S芯片电流产生磁场或外界磁场作用下，其阻值的相对变化量 介于-99%之间。本实用新型的优点是既可用外加磁场来控制VDM0S芯片的通断，也可以利用 VDM0S芯片导通时产生的磁场来控制VDM0S芯片的导通功率(电流)，去除了外界干扰信号 的影响及可高速驱动，不产生任何额外的电能消耗，节约了能源。当温度变化时，此磁敏电 阻的阻值也发生变化，因而也可以作为功率VDM0芯片S的温度采样。
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细描述。
图1为本实用新型的结构示意图。图2为本实用新型的应用图。其中1、VDM0S芯片，2、绝缘介质，3、磁敏电阻。
具体实施方式
实施例1如图1至图2所示，本实用新型一种磁敏VDM0S器件，包括VDM0S芯片1和磁敏电 阻3，VDM0S芯片上设有绝缘介质2，绝缘介质2上设有磁敏电阻3 ；绝缘介质2厚度为100 微米；磁敏电阻3为GMR或TMR，磁敏电阻3电阻率为1欧姆厘米，厚度为10微米，阻值为1 欧姆，在VDM0S芯片电流产生磁场或外界磁场作用下，其阻值的相对变化量为1 %。下面对本实用新型的工作原理做进一步说明
3[0017]如图3所示，当VDM0S芯片1中电流增大时，因为磁敏电阻3紧贴在VDM0S芯片表 面，因而对其由于电流变化而引起的磁场变化非常敏感；磁敏电阻3在VDM0S电流增大时阻 值减少，而Rext阻值基本不变，因此运放正输入端的电压降低，当低于Vref时，运放输出低 电平，关断VDM0S芯片，从而起到了电流(功率)限制的目的。实施例2如图1至图2所示，本实用新型一种磁敏VDM0S器件，包括VDM0S芯片1和磁敏电 阻3，VDM0S芯片上设有绝缘介质2，绝缘介质2上设有磁敏电阻3 ；绝缘介质2厚度为10000 微米；磁敏电阻3为GMR或TMR，磁敏电阻3电阻率为10000欧姆厘米，厚度为10000微米， 阻值为100000欧姆，在VDM0S芯片电流产生磁场或外界磁场作用下，其阻值的相对变化量 为 99%。下面对本实用新型的工作原理做进一步说明如图3所示，当VDM0S芯片1中电流增大时，因为磁敏电阻3紧贴在VDM0S芯片表 面，因而对其由于电流变化而引起的磁场变化非常敏感；磁敏电阻3在VDM0S电流增大时阻 值减少，而Rext阻值基本不变，因此运放正输入端的电压降低，当低于Vref时，运放输出低 电平，关断VDM0S芯片，从而起到了电流(功率)限制的目的。
权利要求一种磁敏VDMOS器件，包括VDMOS芯片和磁敏电阻，其特征在于，所述VDMOS芯片上设有绝缘介质，所述绝缘介质上设有磁敏电阻。
2.根据权利要求1所述的一种磁敏VDM0S器件，其特征在于，所述绝缘介质厚度为 100-10000 微米。
3.根据权利要求1所述的一种磁敏VDM0S器件，其特征在于，所述磁敏电阻为GMR或TMR。
4.根据权利要求1所述的一种磁敏VDM0S器件，其特征在于，所述磁敏电阻电阻率为 1-10000欧姆厘米，厚度为10-10000微米，阻值介于1-100000欧姆之间，在VDM0S芯片电流 产生磁场或外界磁场作用下，其阻值的相对变化量介于-99%之间。
专利摘要本实用新型涉及一种磁敏VDMOS器件，包括VDMOS芯片和磁敏电阻，所述VDMOS芯片上设有绝缘介质，所述绝缘介质上设有磁敏电阻。本实用新型既可用外加磁场来控制VDMOS的通断，也可以利用VDMOS导通时产生的磁场来控制VDMOS的导通功率(电流)，去除了外界干扰信号的影响及可高速驱动，不产生任何额外的电能消耗，节约了能源。当温度变化时，此磁敏电阻的阻值也发生变化，因而也可以作为功率VDMOS的温度采样。
文档编号H01L27/22GK201732789SQ20102024605
公开日2011年2月2日 申请日期2010年7月1日 优先权日2010年7月1日
发明者王开 申请人:王开