专利名称：一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型属于半导体技术，特别是半导体器件失效评估领域。
背景技术：
半导体技术中的欧姆接触是指半导体器件上，金属引线和半导体接触的区域。任 何半导体器件都需要有良好的欧姆接触特性，即要求半导体与金属有非常好的线性接触， 附加电阻小，长期使用稳定性好。欧姆接触经大电流和长期使用后会产生退化，即电阻变 大、线性改变和稳定性变差。为了使芯片能在大电流密度下仍具有良好的欧姆接触性能，需要准确测量大电流 下芯片欧姆接触电阻的退化。欧姆接触电阻的测量通常采用传输线法(TLM，Transmission Line Method)。由于工艺制备简单，圆环形传输线方法CTLM (Circle Transmission Line Method)是欧姆接触电阻测量中常使用的方法，见附
图1。在待测的半导体晶片衬底1上， 生长一层与待测半导体材料参数相同的外延层2，在2上使用特定欧姆接触工艺，制备出圆 环形状电极3，电极3包括多个环形电极(A、B、C....)，圆环大小满足一定的关系每个圆 环的宽度相同，环间距也相同，并且用rA1、rA2表示圆环A的内半径和外半径，以此方式来表 示其它圆环的内半径和外半径，确定圆环A的内半径和宽度，就可以根据上述关系确定所 有圆环的内外半径和宽度，见附图2。测量时每3个相邻圆环为一组，以圆环A、B、C 一组为 例。先测量两个相邻圆环A、B之间的电阻Rt。t_AB。RttrtJ与其参数之间的关系为
权利要求1. 一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片，其特征在于在至少有6个圆环电极的 CTLM欧姆接触测试芯片的圆环形欧姆接触表面淀积有S^2绝缘介质层，在CTLM欧姆接触 测试芯片的另一面有利用金属镀膜工艺制备的背电极，然后在每个圆环电极上固接出一个 外引电极；每个圆环电极和外引电极的固接点都在一条直线上。
专利摘要一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片属于半导体技术，特别是半导体器件失效评估领域。本实用新型提供了一种专门测量欧姆接触退化的芯片，其特征在于在至少有6个圆环电极的CTLM欧姆接触测试芯片的圆环形欧姆接触表面淀积有SiO2绝缘介质层，在CTLM欧姆接触测试芯片的另一面有利用金属镀膜工艺制备的背电极，然后在每个圆环电极上固接出一个外引电极；每个圆环电极和外引电极的固接点都在一条直线上。本实用新型测量芯片不但可以测量半导体芯片欧姆接触电阻率随施加电流的变化关系以及随施加电流时间的关系，同时测量芯片可以满足大电流冲击要求。因此，使用本实用新型芯片能更为准确有效的评估欧姆接触。
文档编号H01L29/41GK201859879SQ20102053568
公开日2011年6月8日 申请日期2010年9月17日 优先权日2010年9月17日
发明者乔彦彬, 冯士维, 张光沉, 邓海涛, 郭春生 申请人:北京工业大学