专利名称：一种发光二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种发光二极管。
背景技术：
目前，为了防止导电层与金属基底之间连接而造成短路，在金属基底上要制作出一层绝缘层，为了制作的方便，也把晶片也直接安装在该绝缘层上。现在，发光二极管的发展越来越快，对发光二极管的发光质量和发光效率要求越来越高。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提出一种新的发光二极管，其发光质量和发光效率比现有的发光二极管有较大的提升。对此，本实用新型提供一种发光二极管，包括基底、与所述基底直接连接的晶片， 和至少两个通过绝缘层附于所述基底上的导电层；所述晶片的电极分别与所述导电层电连接。其中，基底一般采用诸如金属材料制成，具有一定的硬度、导电性和较好的导热性。现有技术的发光二极管，其晶片与基底通过绝缘层与基底连接。而绝缘层的导热新型远远不如基底，当发光二极管工作的时候，晶片所产生的大量的热量将会聚集，使其温度升高。当发光二极管的晶片的温度过高的时候，晶片的寿命不仅会缩短，其可靠性会下降，还会产生诸如色漂等现象，严重影响发光的质量和效率。采用上述技术方案，晶片与基底直接连接，由于基底是更好的热的传导体，其导热性能远远优于绝缘层，所以晶片的温度要比现有技术的发光二极管的温度要低不少。因此， 与现有技术相比，上述技术方案的优点在于，不仅能有效的克服由于晶片温度过高产生的色漂等现象，有效的提高发光质量和发光效率，而且其寿命也更长，可靠性也更高。优选的，所述基底采用金属材料制成。优选的，所述基底的部分未被所述晶片或绝缘层覆盖；在所述基底的表面进行了表面处理，以增强反光效果。现有技术中，基底层往往完全被绝缘层覆盖，而绝缘层的发光效率往往较差，也不便于在其上做加强其反光性的表面处理，而且反而容易吸收晶片的发光。因此，进一步采用上述技术措施，能够将晶片所发出的光尽量多的反射出去，将进一步提高了发光二极管的出光效率。进一步的，对所述基底所进行的表面处理选择抛光处理，或光学处理以在其表面形成蜂巢式分布的小反射腔。优选的，所述导电层包括相互分离的第一导电体和第二导电体，所述晶片包括 第一电极和第二电极；所述第一导电体通过导线电连接所述第一导电体，所述第二导电体通过导线电连接所述第二导电体。优选的，在所述基底的边缘，设置有围坝，在所述围坝内填有胶层以覆盖所述基底、晶片和导电层。优选的，所述围坝采用透明硅胶。优选的，所述基底、晶片和导电层上覆盖有胶层，所述胶层以以下方法覆盖模具步骤将附有晶片和导电层的基底放入浇注模具内；浇注步骤浇注胶体；成型步骤所述胶体固定成型，撤去所述浇注模具。优选的，所述基底、晶片和导电层上覆盖有胶层，所述胶层以以下方法覆盖夹具步骤将附有晶片和导电层的基底的边缘设置夹具；浇注步骤向所述夹具内浇注胶体；成型步骤所述胶体固定成型，撤去所述浇注夹具。
图1是本实用新型一种实施例的剖面视图；图2是图1所示实施例的俯视图；图3是本实用新型另一种实施例的剖面视图；图4是图3所示实施例的制作示意图；图5是本实用新型另一种实施例的剖面视图；图6是图5所示实施例的制作示意图。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型的较优的实施例作进一步的详细说明如图1和图2所示，该发光二极管包括绝缘层100，金属基座101，第一导电层 102，第二导电层103，晶片104，金属导线105，荧光胶层106，以及围坝107。具体来说，晶片104直接安装在所述金属基座101上，即其间没有绝缘层。金属基座101上设有绝缘层100，第一导电层102和第二导电层103分别设置在绝缘层100上。晶片104上的第一电极和第二电极分别通过金属导线105分别与第一导电层102和第二导电层103连接。在金属基座101上边缘设有围坝107。在封装此LED灯时，将采用荧光胶的胶体，滴到围坝107围住的区域内，待荧光胶凝固，则形成荧光胶层106，荧光胶层106将晶片 104、金属导线105、第一导电层102和第二导电层103完全包住。在围坝107内侧表面，涂有高反射率的反射层，围坝的材料是透明硅胶。这样能够进一步提高该发光二极管的出光率。由于晶片104与金属基座101直接连接，因此两者之间的热阻很低，从而使晶片 104的热量能及时散出去，晶片104不会温度过高而损坏，并且晶片104不会因为温度过高而降低了发光效率，造成了晶片发光色度的偏差。其中，没有被绝缘层100覆盖的金属基座101的面积是晶片面积的35倍，此区域都经过光学镜面处理，例如，抛光处理或光学处理以在其表面形成蜂巢式分布小反射腔。当然，在没有被绝缘层100覆盖的金属基座101的区域内，可以设置多个晶片104，相邻晶片104之间的水平距离为一个晶片104的宽度，晶片104与第一导电层102和第二导电层103 的水平距离均为一个晶片104的宽度，这样，金属导线105的距离不会过长，而导致容易与金属基座101接触从而造成短路，并节省了金属导线105的材料，而且，晶片104的发光分别受第一导电层102和第二导电层103的影响最低，相邻的晶片104之间的发光恰好不会相互影响。同时，在经过光学镜面处理的金属基座101表面的面积最小的情况下，达到了最佳的出光效果。另外，在本具体实施例中，一方面，晶片照射到金属基座101表面的光经过反射， 一部分光直接透过荧光胶层106射出，大部分经过围坝107内表面的反射后，透过荧光胶层 106射出，另一方面，晶片104发出的一部分光照射到围坝107后反射回金属基座101表面，经过金属基座101表面的反射后透过荧光胶层106，进而射出，与现有技术相比，其出光率提高25%以上。如果仅仅只对金属基底101表面进行光学镜面处理，与现有技术相比，其出光率提高20%以上。如果仅仅只对围坝107的表面增加反射涂层，其出光率提高10%以上。如图3和图4所示，与上一种实施例相比，另一种发光二极管没有采用围坝，发光二极管所发的光能够完全从胶体的侧面透出，也能够提高其出光效率。其中，荧光胶层106的厚度恰好将晶片104、金属导线105、第一导电层102和第二导电层103完全包住，因而荧光胶层既能防止晶片104、金属导线105、第一导电层102和第二导电层103这些部件被空气的氧化，而且防止了这些部件容易受到外力的损坏，延长了 LED灯的寿命，同时，荧光胶层在的厚度最小，对从晶片发出的光的衰减最小。所述胶层以以下方法覆盖模具步骤将附有晶片和导电层的基底放入浇注模具200内；浇注步骤透过所述模具200的上孔201浇注荧光胶层；成型步骤所述荧光胶层106固定成型，撤去所述浇注模具200。如图5和图6所示，与图3所示的实施例相比，该实施例的发光二极管的基底边缘
没有覆盖胶体。其制作过程请参见图6，在金属基座101表面的四周的绝缘层102上设置将夹具 202，然后将荧光胶注入夹具202所围成的区域，待荧光胶凝固后成型荧光胶层106，然后移除夹具202，即完成LED的封装。同样，此方案的好处在于，工序简单，并且节省了围坝107 的材料，大大降低了成产成本，同时方便大规模生产。以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种发光二极管，其特征在于，包括基底、与所述基底直接连接的晶片，和至少两个通过绝缘层附于所述基底上的导电层；所述晶片的电极分别与所述导电层电连接。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述基底采用金属材料制成。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述基底的部分未被所述晶片或绝缘层覆盖；在所述基底的表面进行了表面处理；对所述基底所进行的表面处理选择抛光处理，或光学处理以在其表面形成蜂巢式分布的小反射腔。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述导电层包括相互分离的第一导电层和第二导电层，所述晶片包括第一电极和第二电极；所述第一导电层通过导线电连接所述第一电极，所述第二导电层通过导线电连接所述第二电极。
5.如权利要求1至4中任一所述的发光二极管，其特征在于，在所述基底的边缘，设置有围坝，在所述围坝内填有胶层以覆盖所述基底、晶片和导电层。
6.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述围坝采用透明硅胶。
专利摘要本实用新型提供一种发光二极管，包括基底、与所述基底直接连接的晶片，和至少两个通过绝缘层附于所述基底上的导电层；所述晶片的电极分别与所述导电层电连接。与现有技术相比，上述技术方案的优点在于，不仅能有效的克服由于晶片温度过高产生的色漂等现象，有效的提高发光质量和发光效率，而且其寿命也更长，可靠性也更高。
文档编号H01L33/56GK201994330SQ20102065020
公开日2011年9月28日 申请日期2010年12月9日 优先权日2010年12月9日
发明者吴少红 申请人:深圳市凯信光电有限公司