专利名称：一种半导体材料承载装置的制作方法
技术领域：
本实用新型是关于一种半导体材料承载装置，特别是关于一种具有散热座体的半导体材料承载装置改良。
背景技术：
由于半导体产业的发达，使得半导体的制造技术及过程不断在翻新进步，因此半导体的生产逐渐地达到高效率与高品质的目标，其中，在晶圆的加工制造上也是如此。在现有技术中，晶圆在被加工时会处在高温的状态下，使得承载晶圆的装置会因为高温的影响下而造成损害，进而影响晶圆表面加工的准确度，为了解决此问题，会以一散热元件连接于承载晶圆的装置，来达到散热的效果，但这么一来，会造成以下两个问题1、散热元件通过接触以热传导的方式散热，并于接触面镀上金属层协助接触散热，并将金属层设计成凹凸状，以便通入气体协助散热，但因长期接触下会将凹凸状金属层磨平，使气体难以通入，造成散热效果降低。2、散热元件通过接触散热，但当散热元件无法有效及时的散去热量，亦会造成高温，导致晶圆的损害。有鉴于此，本实用新型的设计人以多年的研究经验，研发出一种可解决现有技术所无法解决的一种改良式半导体材料承载装置。
实用新型内容本实用新型的第一目的，在于提供一种半导体材料承载装置，所要解决的技术问题在于其以镍的化合物来取代散热元件上的镀金属层，使该层被磨平时可以以热融的方式补上，不用更换整体设备，避免造成不必要的成本支出。本实用新型的第二目的，是在散热元件上新增一可通入冷却液体的流通道，以加速散去散热元件的热量，增加散热的效率。本实用新型的第三目的，是在散热元件与承载元件间设置一通风道，并通入冷却气体，可同时减低两元件间的磨损并增加散热效率。为实现上述目的，本实用新型的提出了一种半导体承载装置，包括一承载底座， 其第一面具有一容置架，该容置架上设有多个容置空间，用于容置半导体材料；一散热座体，其连接于该承载底座的第二面，该第一面与该第二面呈相对关系，该散热座体具有一基座；一流通道，设于该基座内部；一镀金属层，形成于基座的表面，该基座的表面是相对于承载底座的第二面；一通气道，形成于基座与承载底座之间，可使一冷却气体流通于该通气道；及至少一个进气孔，设置于基座附近，为通入该冷却气体的入口。上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
图1是本实用新型的半导体材料承载装置较佳实施例的第一视角立体图。图2是本实用新型的半导体材料承载装置较佳实施例的侧面剖面示意图。1承载底座11容置架[0015]12容置空间13第一面[0016]14第二面2散热座体[0017]21基座22流通道[0018]23镀金属层24通气道[0019]25进气孔
具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型为达成预定实用新型目的所采取的技术手段及功效，
以下结合附图及较佳实施例，对本实用新型的具体实施方式
详细说明如后。请同时参阅图1与图2，是本实用新型的一种半导体材料承载装置一较佳实施例的第一视角立体图式及侧面剖面示意图。该半导体材料承载装置包含一承载底座1，其第一面13设置有一容置架11，该容置架11具有七个容置空间12，以容置固定晶圆，用于晶圆加工的进行；一散热座体2，连接于该承载底座1的第二面14，该第一面13与该第二面14 呈相对关系。该散热座体2具有一基座21、一流通道22、一镀金属层23、一通气道M及两个进气孔25。该基座21与承载底座1是热传导散热的主要元件，通过接触传导散去承载底座1 的热量；所述流通道22设置于该基座21内，可通入一冷却液体(通常为水)，通过该冷却液体的循环加速散去基座21所接收的热量，增加散热的效率；所述镀金属层23是一镍的化合物层，其形成于基座21的一表面，该表面是相对于第二面14，并设计为凹凸状，且具有散热的功能。更进一步的，当镀金属层23被磨掉时，可利用热融的方式补上镍的化合物，不必重新更换一基座21，而导致设备成本支出的增加；所述两个进气孔25是通入冷却气体(通常为氦气)的入口，该冷却气体通入后流通于该通气道24，除了可以以热对流的方式协助承载底座1进行散热，更可通过气体的流通降低镀金属层23与承载底座1的磨耗程度。上述已经对本实用新型作了相当完整的揭露，综合上述，本实用新型具有下列的优点1、从流通道22通入冷却液体，以热传导的方式协助基座21加速散热，进而提升承载底座1的散热效率。2、在基座2表面形成一镀金属层23，协助承载底座1的散热，并且在该镀金属层 23被磨掉时，可用热融的方式补上，以避免替换整体设备，增加成本的支出。3、在通气道M内通入冷却液体，不仅提供热对流的散热方式，更可以减少承载底座1与镀金属层23之间的磨擦。以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
权利要求1.一种半导体材料承载装置，其特征在于其包括一承载底座，其一第一面具有一容置架，该容置架上设有多个容置空间，以容置半导体材料；及一散热座体，连接于该承载底座的一第二面，该第一面与该第二面呈相对关系，该散热座体具有一基座；一流通道，设于该基座内部；一镀金属层，形成于所述基座的表面，该基座的表面相对于承载底座的第二面；及一通气道，形成于基座与承载底座之间。
2.根据权利要求1所述的半导体材料承载装置，其特征在于，其中所述的镀金属层为镍的化合物层。
3.根据权利要求1所述的半导体材料承载装置，其特征在于，其中所述的散热座体还包括至少一进气孔，所述进气孔为通入冷却气体的入口。
专利摘要本实用新型是关于一种半导体材料承载装置，其包括一承载底座，其一第一面具有一容置架，该容置架上设有多个容置空间，以容置半导体材料；及一散热座体，连接于该承载底座的一第二面，该第一面与该第二面呈相对关系，该散热座体具有一基座；一流通道，设于该基座内部；一镀金属层，形成于基座的一表面，该表面相对于承载底座的第二面，以协助承载底座散热；一通气道，形成于基座与承载底座之间，可使一冷却气体流通于该通气道，以协助冷却承载底座并降低承载底座间之磨耗程度；及至少一个进气孔为通入该冷却气体的入口。
文档编号H01L21/683GK201985084SQ20102069076
公开日2011年9月21日 申请日期2010年12月30日 优先权日2010年12月30日
发明者白英宏, 罗世欣, 陈宜杰 申请人:聚昌科技股份有限公司