专利名称：材料片的操作系统和加工方法
技术领域：
本发明涉及材料片和/或结构的制造和操作，诸如用于制造中间结构的半导体晶片和板片。
背景技术：
由于市场需求不断地在增长，绝缘体器件上的半导体正变得越来越需要。对于高性能薄膜晶体管(TFT)，太阳能电池，以及诸如有源矩阵显示器、有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)之类的显示器，集成电路，光伏器件等，SOI技术正日益变得重要起来。SOI结构可包括绝缘材料上的诸如硅那样的半导体材料薄层。获得SOI结构的各种方法包括硅(Si)在点阵匹配基底上的外延生长，以及将单晶硅晶片粘结到另一硅晶片上。其它的方法包括离子注入技术，其中，注入氢离子或氧离子， 从而在氧离子注入的情形中，在Si达到顶端的硅晶片内形成埋入的氧化层，而在氢离子注入的情形中，分离(剥落)Si薄层而粘结到带有氧化层的另一 Si晶片上。美国专利第7，176，528号揭示了生产S0G(玻璃上半导体)结构的过程。诸步骤包括(i)将硅晶片表面暴露到氢离子的注入前而形成粘结表面；(ii)使晶片的粘结表面与玻璃基底接触；(iii)对晶片和玻璃基底施加压力、温度和电压以促使它们之间的粘结； 以及(iv)使玻璃基底和硅薄层与硅晶片分离。以上的制造过程以及加工比如SOI结构的许多其他过程，会要求提供诸如单晶硅晶片那样的高品质的半导体材料片(或晶片)。半导体晶片通常为圆形，在某些应用中半导体晶片必须进行加工而获得矩形的板片。半导体板片常常要求有严格的尺寸公差、良好的结晶定向排列以及诸如直线性、平行性和垂直性之类的高成形精度。半导体板片还可能需要在全部四个角上倒圆，并沿着各侧的四边缘斜切成规定的外形，以使离子注入/脱落再用循环幸存下去。此外，半导体板片必须没有受到污染、异物颗粒、热损伤、削片、微裂缝，以及任何其它表面损伤或会限制断裂强度的特征。准备半导体板片的传统工艺过程采用金刚石切割、边缘磨削和板片边缘的抛光。 因为牵涉许多单独过程步骤，包括确保污染减到最小的大量清洗的步骤，这些工艺过程被认为是相当费钱的。因此，行内需要有操作和加工材料片(诸如SOI结构)的新方法和装置。
发明内容
一种切割圆形半导体晶片、倒圆边角和斜切边缘以制备半导体板片的替代的方
4法，可采用水射流激光切割和斜切。在此新技术中，切割和斜切过程可在单一机器上进行， 消除了附加的和成本高的清洗步骤。一种方法可包括在切割、倒圆和斜切过程中使用传统的真空卡盘来固定半导体晶片。第一步骤可包括使用水射流激光器，使半导体晶片的底部侧固定在真空卡盘内，将圆形的半导体晶片切割成矩形的板片。第二步骤可包括斜切矩形板片的四个顶边缘，再令半导体板片的底部侧固定在真空卡盘内。接下来，翻转半导体板片，使得半导体板片的顶部侧固定在真空卡盘内，使用水射流激光器斜切四个底部边缘。以上述方式生产出的半导体板片可满足尺寸和排列的要求，并可没有基底裂纹。然而，在某些应用中，半导体晶片/板片的表面和真空卡盘之间的物理接触有可能污染生成的半导体板片的顶和底表面，例如引入过多的异物颗粒。实验表明要除去如此的颗粒，即使通过单独的清洁步骤也可能很困难。应避免半导体板片表面上的残余污染，这可能导致板片碎裂和半导体-玻璃粘结的失效。一类公知为伯努利棒的材料搬运装置已经被用来运输半导体晶片。伯努利棒(例如，由石英形成)可用来在高温腔室之间运输半导体晶片。伯努利棒提供的优点在于，热的半导体晶片通常不接触到拾取棒，也许定位在棒下侧上的晶片边缘之外的一个或多个小的定位器除外，由此，将棒造成的对晶片的接触损坏减到最小。当定位在半导体晶片上方时，伯努利棒使用气体流来形成半导体晶片上方的气体流动图形，这造成就在半导体晶片上方的压力小于就在半导体晶片下方的压力。因此，压力不平衡致使半导体晶片经受向上的“提升”力。此外，当半导体晶片朝向棒向上曳拉时， 产生提升力的同样的射流形成不断增大的排斥力，该排斥力阻止半导体晶片接触到伯努利棒。其结果，可以基本上非接触的方式将半导体晶片悬置在棒的下方(或上方)。尽管伯努利棒的使用有助于运输尺寸相对小的半导体晶片(例如，在200-300nm 的直径范围内)，但伯努利棒的通常用途并不适用于搬运和运输较大的结构。的确，随着材料片面积的增大，传统伯努利棒技术的使用会导致过度的翘曲、下垂等。此外，传统伯努利棒技术可能不适用于水射流激光器系统因为过多的水会干扰保持住材料片的气体流动图形。而且，传统伯努利棒技术对材料片不提供任何显著的侧向约束。然而，本发明的各种方面解决了为制备半导体板片切割和斜切圆形半导体晶片的上述和其它诸多问题。为了便于阐述，以下讨论将间或用到SOI结构。参照该特殊类型的SOI结构，是便于解释本发明，并不意图且不应诠释为以任何方式来限制本发明的范围。这里使用的缩略语SOI—般地是指绝缘体上半导体结构，包括但不限于绝缘体上硅结构。同样地，使用缩略语SOI—般地是指玻璃上半导体结构，包括但不限于玻璃上硅结构(SiOG)。缩略语SOI包括SiOG结构。根据本发明一个或多个实施例，装置包括底座、至少一个气动机械装置，其抵靠在或以其他方式偶联或连接到底座，其运行而赋予材料片以气体流，使得材料片响应于受控气体供应而悬置起来；至少一个固定夹具，其抵靠于底座上，其运行而防止材料片在悬置时沿至少一个方向作侧向运动；以及水射流源，该水射流源运行而从与至少一个气动机械装置相对的材料片一侧提供水流，以在材料片悬置时切割和/或斜切材料片。至少一个气动机械装置可包括伯努利卡盘、空气轴承等中的至少一个。控制器运行而对供应到多个伯努利卡盘(和/或空气轴承)的受控气体供应进行编程。根据优选的切割程序，切割过程分为两个基本阶段(i)使用水射流激光器切割开材料片(例如，半导体晶片)的相应的左和右部分，以及(ii)保持晶片/板片生成的左和右边缘，并使用水射流激光器切割开半导体晶片相应的剩余部分，由此，生成矩形的板片。根据优选的斜切程序，斜切过程也分为两个基本阶段(i)保持半导体板片的顶和底边缘并使用水射流激光器斜切半导体板片的相应的左和右边缘，以及(ii)保持半导体板片的左和右边缘，并使用水射流激光器斜切半导体板片相应的顶和底边缘。然后，翻转半导体板片，重复斜切过程来处理所有八个边缘。本技术领域内的技术人员结合附图阅读本发明的描述时，本发明的其它方面、特征、优点等将会变得清楚明了。
为了说明本发明的各个方面，附图中显示了目前首选的各种形式，然而，应该理解到，本发明不局限于图中所示精确的布置和各种手段。图1是根据本发明一个或多个实施例的准备半导体板片时适于切割和斜切圆形半导体晶片的装置的示意立体图；图2是装置的示意立体图，其中，用来固定半导体晶片/板片的机构包括阵列的空气轴承或伯努利卡盘以及阻止半导体晶片/板片侧向运动的系统；图3A和:3B分别示出适用于本发明一个或多个实施例的伯努利卡盘的后视图和前视图；图4-5是装置在切割圆形半导体晶片以准备矩形半导体板片的过程中的立体图；图6-7是装置在斜切半导体板片相应边缘的过程中的立体图；图8是通过使用交替流体排放特征的伯努利卡盘的剖视图；图9是配置、缩回和平移侧向固定元件的机构的示意侧视图，该侧向固定元件阻止半导体晶片/板片的侧向运动；图10是适于实施本发明一个或多个实施例的控制系统的方框图；图11是可与图3A JB中的伯努利卡盘集成在一起的替代的脱开部件的俯视图；以及图12是显示试验结果的图，显示将半导体晶片保持在本发明装置内的工艺过程所引起的半导体晶片表面上的污染水平。
具体实施例方式参照附图，其中，相同的附图标记表示相同的元件，图1中示出切割和斜切非矩形 (例如，圆形)材料片的装置100，材料片诸如用来准备半导体板片的半导体晶片10。该装置100包括底座102和至少一个气动机械装置104，其抵靠在底座102上，并进行操作而赋予半导体晶片10以气流，这样，半导体晶片10响应于受控的气源而悬置起来。一个或多个固定夹具106抵靠在底座102上(或其它中间结构)，操作固定夹具106可在半导体晶片 10悬置时阻止其沿至少一个方向的侧向运动。操作水射流源110，从与气动机械装置104 相对的半导体晶片10的一侧提供射流，在半导体晶片10悬置时用来切割和/或斜切半导体晶片。如图2所示，在一个或多个实施例中，至少一个气动机械装置104包括一个或多个空气轴承，它们进行操作而在半导体晶片10下面提供空气(或其它气体)垫，以使半导体晶片10悬置在装置100内。如此的空气轴承可从市场上购得，例如，从美国宾夕法尼亚州阿斯顿市的新路空气轴承公司(New Way Air Bearings)购得。在一个或多个替代的实施例中，至少一个气动机械装置104包括至少一个伯努利卡盘，且较佳地包括多个伯努利卡盘。实施适用的装置的合适的伯努利卡盘可从日本大阪丰中市的太阳能研究实验室(Solar Research Laboratory)购得。参照图3A和3B，立体图中示出合适的伯努利卡盘150的俯视图和仰视图。各个伯努利卡盘150进行操作，响应于受控的气体源，对半导体晶片10形成斥力和/或吸力，其根据相对的正常位置而定。在保持一相对小的半导体晶片10情形中，需要相对少的伯努利卡盘150。对于相对大的半导体晶片10，则需要较大数量的伯努利卡盘150来确保避免翘曲、下垂和/或断裂。每个伯努利卡盘150包括一个或多个气体入口 154，可供选择地一个或多个气体出口(排出)156，以及可供选择地一个或多个环形的气流孔158。当定位在半导体晶片10下方时，伯努利卡盘150建立起气体流而形成半导体晶片10下方的气体流图形，这造成就在半导体晶片10下方的压力高于就在半导体晶片10上方的压力。压力的不平衡致使半导体晶片10经受一向上的“升”力。一个或多个伯努利卡盘150进行操作而使半导体晶片10水平地、垂直地定向和/或定向在其间。在所示实施例中，半导体晶片10处于大致的水平定向。可建立起伯努利卡盘150的结构和控制，这样，可在卡盘的操作范围内达到任何理想的或要求的保持距离和保持力。参照图4-5，装置100可用来保持半导体晶片10和切割晶片的边缘以形成矩形的板片。在这方面，气动机械装置104 (不管是伯努利卡盘、空气轴承或其它机构)被致动而形成气体流，该气体流适于悬置和/或以非接触方式保持半导体晶片10。在该实例中，布置多个伯努利卡盘或空气轴承，这样，约六个如此的装置支承半导体晶片10的内部(将变为板片)，而约另四个装置部署在半导体晶片10的外围边缘周围，以支承切割过程中切下的晶片10的碎片部分。根据优选的切割程序，切割过程分为两个基本阶段(i)使用水射流激光器110来切开半导体晶片10相应的左部分和右部分，以及(ii)保持住半导体晶片/板片10生成的左边缘和右边缘，并使用水射流激光器110来切开半导体晶片10相应的剩余部分，由此生成矩形的板片。在第一阶段，固定夹具106(在此情形中四个如此的夹具106-1、106-2、106-3、 106-4)接合半导体晶片10的边缘，在晶片悬置时，阻止晶片沿至少一个第一方向(例如，沿着标为Y的轴线)的侧向运动。值得注意的是，固定夹具106不接合半导体晶片10的两个间距开的主表面中的任一个表面。尽管所示的夹具106呈相应销子的形状，但也可使用成对的线性接触的块体，或其它机械结构。正如本文下面将要讨论的，固定夹具106可用机械的、气动的或其它自动的驱动器来致动，以围绕半导体晶片10达到要求的位置。此外，将夹紧力控制到要求的量级，这样，不会使半导体晶片10和/或以后生成的板片的边缘出现任何的变形或损坏。水射流源110从与气动机械装置104相对的半导体晶片10的一侧产生水柱(水流)，用来沿着虚线所示的Y方向切割半导体晶片10。值得注意的是，固定夹具106接合半导体晶片10的边缘，这阻止因水柱112的冲击或其它力引起的侧向运动，其它力会破坏切割过程中所需要的紧密的公差。在切割步骤期间，使用夹子(未示出)来防止碎片部分撞击和损坏半导体晶片/板片10的边缘。在切割过程的第二阶段中，另一组的固定夹具106(在此情形中，四个如此的夹具 106-5、106-6、106-7、106-8)接合半导体晶片10新近形成的直线边缘12、14，而固定夹具 106-1、106-2、106-3、106-4 可缩回(例如，缩回到底座 102 内)。夹具 106-5、106-6、106-7、 106-8阻止半导体晶片10沿至少一个第二方向(例如，沿着标为X的轴线，其横向于Y轴线)的侧向运动。再者，固定夹具106不接合半导体晶片10的两个间距开的主表面中的任一个表面。水射流源110产生水柱112沿着虚线所示的X方向来切开半导体晶片10，生成矩形的半导体。参照图6-7，根据优选的斜切程序，斜切过程也分为两个基本阶段(i)保持半导体板片IOA的顶和底边缘16、18，并使用水射流激光器110来斜切半导体板片IOA的相应的左和右边缘12、14，以及(ii)保持半导体板片IOA的左和右边缘12、14，并使用水射流激光器110来斜切半导体板片IOA的相应的顶和底边缘16、18。在斜切过程的第一阶段，固定夹具106-1、106-2、106-3、106_4接合半导体板片 IOA的直线边缘16、18，并阻止半导体板片IOA沿第一方向(例如，沿着Y轴线)和第二方向(例如，沿着X轴线)的侧向运动。固定夹具可同时阻止半导体板片IOA沿正交于板片平面的方向(例如，沿着Z轴线)的运动。再者，固定夹具106不接合半导体板片IOA的两个间距开的主表面中的任一个表面。水射流源110产生水柱112来斜切半导体板片IOA的左和右边缘12、14。在斜切过程的第二阶段中，第二组的夹具106-5、106-6、106-7、106-8接合半导体板片IOA的直线边缘12、14，并阻止半导体板片IOA沿第二方向(例如，沿着X轴线)和第一方向(例如，沿着Y轴线)的侧向运动。然后，固定夹具106-1、106-2、106-3、106-4缩回。 水射流源110然后产生水柱112来斜切半导体板片IOA的顶和底边缘16、18。半导体板片IOA然后可被翻转，而上述两个阶段的斜切过程可被重复来斜切其它的边缘。参照图8，水射流激光源110的使用在管理流走的水方面提出特别的挑战，流走的水会积聚在装置100的部分内。例如，当采用一个或多个伯努利卡盘150来执行气动机械装置104时，水会积累在装置朝向上的杯子180内。在该方面，伯努利卡盘150可包括一个或多个排放端口 182，操作这些端口可使流走的水退出卡盘150的杯子180。应注意，在伯努利卡盘操作过程期间这些端口必须关闭，以便不干扰所需操作所要求的空气流的图形。在替代的结构布置中，当气动机械装置104包括多个伯努利卡盘150时，伯努利卡盘150可排斥和/或吸引半导体晶片10。这在切割和/或斜切过程中允许半导体晶片10 有非水平(横向)的定向。一个如此的定向是完全垂直的定向，其中，水射流源110运行而赋予半导体晶片10基本上水平的水流。该结构(以及其它横向结构)可使流走的水凭借重力自然地从装置100中排走。参照图9，如上所讨论的，固定夹具106可用机械的、气动的或其它自动的驱动器 120来致动，以围绕半导体晶片10达到要求的位置。该驱动器120较佳地位于底座102内， 并包括一可让夹具(部分地或全部地)缩进去的空穴，以及沿着如箭头所示的Z方向从其中展开出来。此外，运行该驱动器120以允许固定夹具106可被侧向地调整，以便可适应各
8种大小的半导体晶片10并由于切割等原因改变晶片的侧向尺寸。此外，将夹紧力控制到要求的大小，以使晶片10和/或其后生成的板片不造成任何变形。还控制该夹紧力使晶片10 和/或其后生成的板片边缘不造成任何损坏。本技术领域内的技术人员将会认识到各种特殊的方法，使用机械的、气动的和/或其它手动/自动的结构来致动如此的装置。参照图10，装置100还可包括以下中的一个或多个控制器160、用于从气体源 (未示出)中接受和调节气体流动163的气体压力和流量调节器162，以及IxN的集管166。 控制器160进行操作对装置100的一个或多个元件编程。控制器160可使用合适的微处理器系统来实施，或使用任何已知的或以后开发的技术来实施该控制器。例如，控制器160可连接到气体压力和流量调节器162。通过向气动机械装置104(诸如一个或多个伯努利卡盘150、空气轴承等)提供受控气体供应，就可运行该气体压力和流量调节器162来响应来自控制器160的电指令。可使用任何已知的或以后开发的技术来实施该气体压力和流量调节器162。IxN集管166可用来将气体源引导到气动机械装置104。因此，在一个实例中，当对较大尺寸的半导体晶片10进行加工时，可能需要多个(N)伯努利卡盘150和/或空气轴承。然后，该IxN集管166可对N个伯努利卡盘等中的每一个提供气体。较佳地，多于一个 IxN集管166对成组的伯努利卡盘等提供气体。也可操作控制器160来对驱动器120提供控制信号，以便实现上述的缩回、展开和平移的功能。装置100可采用一替代的或附加的特征，例如，使用靠近半导体晶片10和气动机械装置104连接处定位的至少一个气体喷嘴170。操作一个或多个气体喷嘴170将气体流赋予到半导体晶片10，促进半导体晶片10移去或与气动机械装置104脱离。当借助于一个或多个伯努利卡盘150来实施气动机械装置104以便断开半导体晶片10上由卡盘150赋予的吸引力时，上述做法就具有特别的用途。在如此实施例中，IxN集管166可用来将气体源引导到一个或多个伯努利卡盘150和一个或多个气体喷嘴170。还可借助于对IxN集管 166编程的控制器160，便于将气体提供到一个或多个气体喷嘴170。在该结构中，IxN集管可单独地控制流到其各个N输出的气体流。该附加的特征还便于通过添加到悬置力中将晶片10加载到装置100内。在一替代的实施例中，至少一个气体喷嘴170的功能可使用低速气体流来实现， 该气体流从多孔介质和/或排斥力磁场中流出。参照图11，一个或多个伯努利卡盘150可设置有围绕其外围布置的吹气孔184。在伯努利卡盘150停止工作之前，操作吹气孔184来提供空气流，这样在释放晶片10或板片 IOA过程中可避免半导体晶片10和卡盘150之间物理接触的风险。在将半导体晶片10或板片IOA加载到装置100内期间，以此方式提供的空气还减小了半导体晶片10或板片IOA 之间物理接触的风险。本发明一个或多个方面的优点包括(i)装置100可消除半导体晶片10或板片 IOA表面和诸如伯努利卡盘那样的固定机构之间的物理接触，并避免与接触相关的损坏、污染和颗粒；(ii)水射流激光器切割和斜切矩形硅板片的方法，生产出例如硅板片，该硅板片不仅满足尺寸形状、排列的要求，还满足清洁度的要求；以及(iii)非接触的固定装置和板片生产方法能伴随着双侧清洗进行双侧的斜切。因此，本发明的各种方面可减小和可能在切割和斜切之后消除对清洗的需求。参照图12，根据本发明一个或多个方面，实施实验。根据清洁室的要求构造采用非接触空气轴承卡盘的原型装置。该卡盘本身包括一多孔的塑料(Porex X-5085)盘，该盘位于用Waterclear 树脂采用立体平板印刷术制成的外壳内。使用约为58mm直径的空气轴承来支撑IOOmm硅晶片，形成卡盘本体。原型装置包括四个阻挡柱以在试验过程中防止晶片侧向运动。在流量约为1.4cfm、压力小于2psi的情况下，使用高效过滤过的氮气源进行提升试验，这样在晶片和卡盘之间可见清晰的间隙。在相应5分钟的提升循环之前和之后，使用 Candela CS-IO (KLA-Tencor, California, USA)来比较晶片的清洁度。使用 SSEC ML3400 (Solid State Equipment Corporation, PA, USA)以温和的处方(仅臭氧和稀释的 SCI)来清洁晶片。在SSEC清洁循环之后，再次使用Candela CS-10来检查清洁度。在一个试验循环中(图12中未示出)，在提升循环之后但在清洁之前，可见扫描的左上方四分之一内的点子弧形(这表示污染)。圆的弧形显现得与卡盘直径相类似。尽管操作者试图没有接触地将晶片放置到卡盘上，但在卸载过程中卡盘和晶片之间仍会有轻微的接触。因此，可以相信该一次试验循环是异常现象。图12所示的试验循环结果表明许多次其它的试验循环，并被认为代表了装置100的能力。该结果清楚地表明，非接触的卡盘产生相当低水平的因卡盘引起的污染。晶片与卡盘互相作用之前和之后的晶片颗粒计数的比较表明，由于使用卡盘进行提升的缘故，少数的颗粒添加到晶片上。此外，在颇为温和的清洗过程之后，晶片颗粒图显现得非常类似于晶片原始状态的颗粒图。尽管这里参照特殊实施例描述了本发明，但应该理解到，这些实施例仅是说明本发明原理和应用。因此应该理解到，对于所述的实施例可作出许多修改，并可设计出其它的结构布置，而不会脱离由附后权利要求书所定义的本发明的精神和范围。
权利要求
1.一种装置，包括 底座；至少一个气动机械装置，所述气动机械装置抵靠在所述底座上，所述气动机械装置运行而赋予材料片以气体流，使得所述材料片响应于受控气体供应而悬置起来；至少一个固定夹具，所述固定夹具抵靠于所述底座上，所述固定夹具运行而在所述材料片悬置时防止所述材料片沿至少一个方向作侧向运动；以及水射流源，所述水射流源运行而从与所述至少一个气动机械装置相对的材料片一侧提供水流，以在所述材料片悬置时切割和/或斜切所述材料片。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述至少一个固定夹具接合所述材料片的边缘。
3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述至少一个固定夹具不接合所述材料片的两个间距开的主表面中的任何一个表面。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述至少一个固定夹具可在不使用时部分地或全部地缩回到所述底座之内，并可展开到所述底座之外以接合所述材料片的边缘。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述至少一个固定夹具可侧向地调整，以便可适应各种尺寸的材料片。
6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述至少一个气动机械装置包括以下中的至少一个伯努利卡盘和空气轴承。
7.如权利要求1所述的装置，其特征在于， 所述材料片基本上垂直地定向；所述至少一个气动机械装置包括一个或多个伯努利卡盘，所述伯努利卡盘运行而响应于受控气体供应将排斥和/或吸引力赋予到所述材料片上；所述水射流源运行而使水流基本上水平地赋予到所述材料片上。
8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述至少一个气动机械装置包括多个伯努利卡盘，所述伯努利卡盘运行而响应于受控气体供应将排斥和/或吸引力赋予到基本上垂直方向的所述材料片上；以及所述至少一个伯努利卡盘包括至少一个排放端口，所述排放端口运行而允许从所述水射流源流走的水退出所述卡盘。
9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述至少一个气动机械装置包括多个伯努利卡盘，所述伯努利卡盘运行而响应于受控气体供应将排斥和/或吸引力赋予到基本上垂直方向的所述材料片上；以及所述装置还包括至少一个气体喷嘴，所述气体喷嘴位于所述材料片附近并赋予所述材料片以气体流，以促进所述材料片与所述多个伯努利卡盘分离。
10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，还包括控制器，所述控制器运行而对供应到所述多个伯努利卡盘的受控气体供应进行编程，并对供应到所述至少一个气体喷嘴的至少一个气体源进行编程。
11.一种方法，包括将受控气体供应递送到至少一个气动机械装置来赋予气体流，以悬置材料片； 在所述材料片悬置时，防止所述材料片沿至少一个方向的侧向运动；以及从与所述至少一个气动机械装置相对的材料片一侧，赋予水流以在所述材料片悬置时切割所述材料片。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述材料片是基本上圆形的半导体材料片。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括 防止所述材料片在悬置时沿第一方向的侧向运动；以及赋予水流，以沿所述第一方向从所述材料片中切割出相应的两相对侧向块。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括防止所述材料片沿横向于所述第一方向的第二方向的侧向运动；以及赋予水流，以沿所述第二方向从所述材料片中切割出相应的另外两相对侧向块，以使剩余的材料片基本上为矩形的。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括防止所述材料片在悬置时沿所述第一方向的侧向运动；以及赋予水流，以沿所述第一方向斜切所述材料片相应的两相对边缘。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括防止所述材料片沿横向于所述第一方向的所述第二方向的侧向运动；以及赋予水流，以沿所述第二方向斜切所述材料片相应的另外两相对侧向边缘。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括 翻转所述材料片；防止所述材料片在悬置时沿所述第一方向的侧向运动；以及赋予水流，以沿所述第一方向斜切所述材料片相应的两相对边缘。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，还包括防止所述材料片沿横向于所述第一方向的所述第二方向的侧向运动；以及赋予水流，以沿所述第二方向斜切所述材料片相应的另外两相对侧向边缘。
全文摘要
方法和装置提供将受控气体供应递送到至少一个气动机械装置来赋予气体流，以悬置材料片；防止材料片在悬置时沿至少一个方向的侧向运动；以及从与至少一个气动机械装置相对的材料片一侧，赋予水流以在材料片悬置时切割材料片。
文档编号H01L21/00GK102301446SQ201080007074
公开日2011年12月28日 申请日期2010年1月29日 优先权日2009年2月2日
发明者C·H·常, M·J·莫尔, M·Y·尼西姆托, 张春河 申请人:康宁股份有限公司