专利名称：用于优化形成引线环路的成环参数和成环轨迹的系统和方法
技术领域：
本发明涉及引线环路的形成，更具体地，涉及在形成引线环路过程中优化所使用的成环参数和/或成环轨迹的改进系统和方法。
背景技术：
在半导体装置的加工和封装过程中，引线接合仍然为在封装内的两个位置之间 (例如在半导体管芯的管芯垫与导线框的导线之间)提供电互连的主要方法。更具体地，通过使用引线接合器(也作为引线接合机已知)，在待电互连的各个位置之间形成引线环路。示范性的传统引线接合顺序包括(1)在从接合工具延伸的引线端部上形成自由空气球；(2)使用自由空气球在半导体管芯的管芯垫上形成第一接合；(3)将一段引线以所需形状在管芯垫与导线框的导线之间延伸；(4)将引线针脚式接合至导线框的导线；以及切断引线。在(a)引线环路的端部与(b)接合位置(例如管芯垫、导线等)之间形成接合的过程中，可使用的不同类型的接合能包括例如超声波能、热超声能、热压缩能等。在传统的引线接合系统中，由操作者将特定成环参数输入至引线接合机(例如通过用户界面屏等)，由此基于这些成环参数将接合工具的轨迹限定。示范性成环参数包括在第一接合之后的颈高部分、形成引线弯折的弯折位置、环路位置顶部等。轨迹为当一段引线在第一接合与第二接合位置之间延伸时接合工具遵循的路径。将成环参数手工输入至机器的过程总是包括一定程度的猜测。在引线环路形成之后，引线环路可脱机并被检查。例如，可从引线环路获取手工测量值来确定引线环路是否符合特定标准。然后，操作者可手工将参数更改，从而更改所产生的引线环路。该过程本质上为耗时且容易出错的。因此，期望提供优化引线环路的轨迹的改进系统和方法。
发明内容
根据本发明的示范性实施方式，提供了一种形成与半导体封装相关的引线环路的方法。该方法包括以下步骤(1)将与所述半导体封装相关的封装数据提供至引线接合机； (2)将与所需引线环路相关的至少一个成环控制值提供至所述引线接合机，所述至少一个成环控制值包括与所述所需引线环路相关的至少一个环路高度值；(3)利用算法得出用于形成所述所需引线环路的成环参数；(4)利用在步骤(3)中得出的所述成环参数在所述引线接合机上形成第一引线环路；( 测量与所述至少一个成环控制值相对应的、在步骤(4) 中形成的所述第一引线环路的实际成环控制值；以及(6)将在步骤(5)中测量的所述实际
4成环控制值与步骤O)中提供的所述至少一个成环控制值进行比较。根据本发明的另一示范性实施方式，提供了一种确定用于形成与半导体封装相关的引线环路的成环参数的方法。所述方法包括以下步骤(1)将与所述半导体封装相关的封装数据提供至引线接合机；以及O)由存储在存储器中的环路模型数据确定用于形成引线环路的初始接合参数，所述初始接合参数是至少部分地根据所提供的封装数据得出的。本发明的方法还可体现为设备(例如引线接合系统，作为引线接合系统/引线接合机的智能部分)，或体现为在计算机可读载体(例如与引线接合机共同使用的计算机可读载体)上的计算机程序指令。
通过结合附图阅读下面的详细描述，可以更好地理解本发明。需强调的是，根据常见做法，附图的多个部件并不是按比例绘制的。与之相反，出于清楚的目的，多个部件的尺寸被任意扩大或缩小。附图中包括下列示意图图1为用于解释本发明的特定示范性实施方式的引线环路的方框图；图2为根据本发明的示范性实施方式的流程图，示出了形成引线环路的方法以及得出引线环路的成环轨迹的方法；图3为用于解释本发明的特定示范性实施方式的引线成环轨迹；图4A为根据本发明的示范性实施方式形成的引线环路的第一重复的示意图；图4B为根据本发明的示范性实施方式更改的图4A中示出的具有特定成环参数的引线环路的另一重复的示意图；图5A至图5B为用于解释根据本发明的示范性实施方式提供的图形界面的引线环路的方框图；图6为流程图，示出了引线环路通过使用环路模型数据得出初始成环参数的方法，以及将用于所需引线环路的成环参数优化的封闭环路过程。
具体实施例方式根据本发明的特定示范性实施方式，提供了形成引线环路的方法，其中引线接合系统或引线接合机将用于形成引线环路的成环参数(以及因此产生的成环轨迹)优化。提供至引线接合机的特定信息包括例如封装数据和成环控制值。通过使用该信息和引线接合机的算法，得出用于形成引线环路的成环参数。然后，使用这些成环参数形成引线环路。然后，(联机或脱机)测量所形成的引线环路的成环控制值，从而确定引线环路的实际成环控制值是否在可接受的公差/范围内。如果实际成环控制值不在可接受的公差/范围内，则系统更改成环参数(例如通过自动利用封闭环路系统)，然后使用更改的成环参数形成另一引线环路。然后，可继续这种重复过程，直至所形成的引线环路的实际成环控制值落入可接受的公差/范围内。因此，提供了期望的成环参数(和期望的成环轨迹)。如本文所使用的，术语算法旨在大体上解释为涉及任何类型的算法、程序、过程 (或多种算法、程序和过程的组合)，由此引线接合系统(或引线接合机)接收特定信息并从中得出成环参数。如果所测量的成环控制值不在可接受的公差/范围内，算法还可用于更改成环参数。例如，算法可包括专家系统、模糊逻辑控制系统或接收所提供的信息(例如封装数据、成环控制值、所测量的成环控制值等)并得出所需输出(例如成环参数、更改的成环参数等)的任意数量的方法学。在这些功能的执行过程中，可以理解，算法可与引线接合机的其它部分(包括机器智能、图像、数据存储等)共同起作用。图1示出示范性的引线环路104，引线环路104在半导体管芯100上的第一接合位置与衬底102的第二接合位置之间提供电互连。更具体地，引线环路104包括第一接合 104a，接合至第一接合位置(例如半导体管芯100的管芯垫)；以及第二接合104d，接合至第二接合位置(例如导线框/衬底102的导线)。引线环路104还包括位于第一接合10 与第二接合104d之间的连续引线段。该引线段已成形(例如通过使用引线接合工具，未示出)，以限定弯折/弯曲104b和弯折/弯曲l(Mc。在具有引线环路的半导体装置的封装中，引线环路符合特定标准(在下文中被称为成环控制值)是期望的。这种成环控制值可基于给定的半导体封装设计、在引线环路中要使用的引线类型、以及许多其它因素来选择。例如，将引线环路的环路高度建立为成环控制值是期望的，其中环路高度被控制为具有特定上限(即最大可接受值)。可以理解，可相对于第一接合位置(例如图1所示的管芯100的部分)、第二接合位置(例如图1所示的导线框102的部分)或半导体封装或接合机的另一位置测量环路高度大小。此外，环路高度可认为是给定的封装中最高的引线环路高度(例如在引线环路彼此堆叠定位的堆叠的管芯封装中)。对本发明而言，可选择单个成环控制值(例如环路高度)。可替换地，可为给定的引线环路选择多个成环控制值。图1示出三个示范性成环控制值，S卩(1)环路高度；(2)管芯边缘间隙；以及(3) 第二接合间隙。因此，在该实施例中，这三个引线环路特征被选为“成环控制值”。因此，在引线成环参数(和轨迹)的优化中，算法将对每个上述成环控制值使用预定义范围(例如可接受的最大值、可接受的最小值、可接受的范围等)。应注意的是，虽然图1示出了具有一维值或二维值的这三个示范性成环控制值，但其可根据需要具有一维值、二维值或三维值。 例如，虽然示出的环路高度具有ζ轴维度(即上下垂直方向)，但可以理解，环路高度可具有 X轴和/或y轴分量(或在其它非笛卡尔坐标系中的分量，如果需要的话)。图2为流程图，示出了形成引线环路的方法以及优化用于形成引线环路的成环参数的相应方法。更具体地，该方法还包括通过确定满足已建立的成环控制值(即满足每个所选成环控制值的预定义可接受公差/范围)的成环参数来得出引线环路的成环轨迹的方法。在步骤200中，将封装数据提供至引线接合机。这样的封装数据是与正在形成的半导体封装相关的数据。这样的封装数据可通过使用与封装相关的计算机数据(例如与半导体封装相关的CAD数据)被提供至引线接合机。在另一实施例中，封装数据可通过使用引线接合机的联机(例如在接合器上)教学参考系统来提供。当然，封装数据的具体部分可根据应用程序变化而变化；然而，可作为封装数据提供至引线接合机的数据类型的实例包括半导体管芯高度、半导体管芯的管芯垫位置、导线框的导线位置、第一接合位置与第二接合位置之间的相对距离、弓丨线直径和引线类型。在步骤202中，将成环控制值提供至引线接合机(例如，通过操作者、通过算法、通过使用封装数据得出等)。例如，在给定的应用中，形成具有小于预定最大环路高度的环路高度的弓I线环路是期望的。当然，除了环路高度之外，可选择成环控制值而不是环路高度。 示范性成环控制值(而不是环路高度)可包括所需引线环路的一部分的跨度距离、所需引线环路的拉伸强度、所需引线环路中的弯折或弯曲的CTZ位置、所需引线环路的峰值特征、 所需引线环路的引线扭曲值、所需引线环路中的引线长度、至少一部分所需引线环路中的引线长度、所需引线环路的管芯边缘间隙值、所需引线环路的第二接合间隙值、以及至少一部分所需引线环路的形状。此外，要彼此堆叠布置在封装中的多个引线环路(例如堆叠的引线环路)的环路高度范围/公差也可设置为成环控制值。当然，可以选择不同的或另外的成环控制值。本领域技术人员将理解，在步骤202中设置的成环控制值可例如设置为(a) 成环控制值的上限、(b)成环控制值的下限、以及(c)成环控制值的可接受范围等中的至少一个。在步骤204中，得出用于形成所需引线环路的成环参数。也就是说，通过使用(从步骤200)提供的封装数据和(从步骤20 提供的成环控制参数，算法得出示范性成环参数。在传统的引线接合操作中，由使用者手工输入成环参数。根据本发明的特定示范性实施方式，使用引线接合机的算法限定成环参数(以及因此的成环轨迹)。在步骤204中得出的示范性成环参数包括(a)用于形成引线环路的工具轨迹，包括每段运动的端点位置，以及端点之间的轨迹；(b)由引线接合机的超声换能器应用的接合能参数；(C)由引线接合机应用的接合力参数；(d)与接合能和接合力中的至少一个相关的定时参数；(e)在形成所需引线环路的引线接合周期的至少一部分中的接合工具速度；以及(f)在形成所需引线环路的引线接合周期的至少一部分中的引线夹位置。对步骤204中成环参数的得出而言，算法可使用存储在引线接合机中的环路模型数据，以更接近与所需引线环路相关的成环参数。例如，通过实验和测试，可得出用于使用多种引线类型的多种类型的引线环路的满意成环参数，并将其存储在引线接合机的存储器中(例如通过查阅表等)或引线接合机可获取的存储器中(通过计算机网络等)。在从步骤200和202接收输入数据后，算法还可使用与成环参数的得出相关的该环路模型数据。也就是说，在没有使用环路模型数据的情况下，本发明的重复过程会耗费较长的时间来确定满意的成环参数。通过使用环路模型数据，重复过程可以被简化并耗费较少时间。在步骤206中，使用得出的成环参数来形成引线环路。在步骤208中，对在步骤 206中形成的引线环路的实际成环控制值进行测量。例如，在图1中，为引线环路104建立三个成环控制值。也就是说，环路高度、管芯边缘间隙和第二接合间隙。因此，在步骤202 中将用于环路高度、管芯边缘间隙和第二接合间隙中每个的满意成环控制值(可接受的范围、公差等)提供至引线接合机。现在，在步骤208中，对在步骤206中形成的实际引线环路进行测量，以确定这些实际成环控制值的数值。在步骤210中，对实际测量的成环控制值是否在可接受范围、规格和/或公差内进行确定。如果结果为“是”，则成环参数是可接受的，成环轨迹在步骤216中完成。如果结果为“否”，则使用步骤212中的算法更改成环参数 (即，例如通过预定的增量更改至少一个成环参数)。在步骤214中，使用更改的成环参数形成另一个引线环路，然后处理过程返回步骤208。重复该过程，直至实际测量的成环控制值落入在步骤202中限定的可接受的范围、规格和/或公差内。图3示出用于形成引线环路的示范性成环轨迹。该示范性轨迹绘制出以密耳为单位沿XY轴的运动(沿图中X轴)与以密耳为单位的Z轴运动(沿图中Y轴)的关系曲线。本领域技术人员可以理解，根据本发明得出的成环参数与用于形成引线环路的成环轨迹(例如图3所示的成环轨迹)相对应。
图4A至图4B示出根据本发明的重复过程的示例。假设在步骤202中仅提供了环路高度作为成环控制值，并且环路高度成环控制的可接受公差为环路高度必须不大于7. 5 密耳。在步骤206中形成第一引线环路，图4A中示出该引线环路。图4A中示出的引线环路具有约8密耳的环路高度(如在步骤208中所测量的)，因此，在步骤210中结果将为 “否”，这是因为8密耳超过了 7。5密耳环路高度的阈值。因此，在步骤212，算法用于更改成环参数，在步骤214，形成新的引线环路。图4B中示出具有约7. 1密耳环路高度的新的引线环路。因此，实际测量的成环控制值(即，7. 1密耳的环路高度)符合成环控制值的阈值 (即，7. 5密耳的最大环路高度)，因此，成环参数(和轨迹)是可接受的。成环控制值可人工输入至例如GUI (图形用户界面)或电子表格/图表等。然而， 本发明并不限于此。例如，可通过图形界面提供至少一个成环控制值(例如在图2的步骤 202中提供的值)。示范性图形界面可包括模型引线环路(例如二维模型、三维模型等) 的示意图，由此使用者可通过更改模型引线环路的示意图的特征来提供至少一个成环控制值。具体参照图5A，提供了引线环路504的图形界面示意图，其中引线环路504提供了管芯 500与导线框502之间的电互连。该示范性图形界面包括5个变量，标记为“a”、“b”、“c”、 “d”和“e”。变量“a”涉及环路高度，变量“b”涉及环路位置的顶部，变量“C”涉及管芯边缘间隙，变量“d”涉及最后的弯折位置，变量“e”涉及第二接合间隙。当然，可在用于提供成环控制值的图形界面中设置另外或不同的变量。图形界面的使用者可访问这些变量中的一个或多个(例如，通过用鼠标等指示并点击图形引线环路的相关部分，通过使用示出图形引线环路的触摸屏等)。此外，可提供界面，使得使用者可延展(例如增加或减少)图形模型引线环路的给定变量，以提供如步骤202中的成环控制值。具体参照图5B，使用者拖拽变量“a” (例如使用鼠标等)，以将引线环路允许的最大环路高度扩大。因此，可以看出，图 5B中的变量“a”长于图5A中的相应变量“a”，因此，阐明了对引线环路的可允许的最大环路高度进行增加(即，通过改变图形界面中的环路高度，使用者提供了用于环路高度的新的成环控制值)。当然，本发明可用于通过控制任意数量的成环控制值来改进和/或优化成环参数 (和所产生的轨迹)。一个这样的值可对引线环路的一部分造成损害。更具体地，可以提供与引线环路给定部分的环路质量相关的成环参数。这样的成环控制值的实施例为引线环路的第一接合的拉伸强度，或与引线环路的颈部区域相关的拉伸强度(即，作为第一接合之后的引线环路一部分的颈部区域，在颈部区域的引线环路由于成环运动而相对较弱或容易被损坏)。也就是说，可在图2的步骤202中提供成环控制值，其与第一接合的给定拉伸强度或引线环路的颈部区域的给定拉伸强度相关(例如，可建立预定数量的图的成环控制值)。 然后，在形成引线环路之后(或甚至在执行第一接合与成环运动之后)，可使用拉伸测试等来确定第一接合或颈部区域的拉伸强度。这种拉伸测试可在引线接合机上执行(例如使用拉伸工具、使用夹紧拉伸测试或其它技术)或脱机执行。例如，在执行第一接合以及然后执行成环运动之后(但在执行第二接合之前)，引线夹可被夹紧，拉力持续增加，直至引线在引线环路的颈部区域处撕裂。如果在图2的步骤210的确定过程中，颈部区域的实际拉伸强度值并不满足阈值，则在步骤212中，算法可用于改变成环参数(例如，成环运动、接合力、 超声波能、应用超声波能或接合力的时间等)，从而改善颈部区域的拉伸强度。也就是说，可以理解，与引线环路的形成相关的运动在第一接合形成之后(例如远离第二接合位置的逆运动)会使引线环路的颈部区域变弱或损坏引线环路的颈部区域。通过更改特定成环参数上述运动可被更改，由此减少了颈部区域的潜在损害。如上所述，可与成环参数的得出相关而使用环路模型数据。这种环路模型数据是指存储在存储器(例如引线接合机的存储器或者可由引线接合机访问的存储器)中的数据，其包括用于引线环路的成环参数。例如，在特定引线环路成功形成之后，用于形成该先形成的引线环路的参数/轨迹存储在存储器中作为环路模型数据。然后，当需要形成具有与先前形成的引线环路相类似的特定特征的引线环路时，用于形成先前形成的引线环路的成环参数可被取回，以作为初始成环参数使用。图6为流程图，示出了使用环路模型数据得出初始成环参数，然后使用封闭环路过程优化用于所需引线环路的成环参数的方法。在步骤600中，将封装数据(例如参照图 2所描述的封装数据)提供至引线接合机。这样的封装数据可通过使用CAD数据、数据库 (或待输入的其它数据结构)、提示操作者输入封装数据的图形用户界面、教导程序或其它技术来提供。在步骤602中，使用在步骤600中提供的封装数据确定(例如使用算法等) 初始成环参数是否可从存储在存储器中的环路模型数据中得出。如果结果为是，则在步骤 604得出初始成环参数(例如参照图2所述的成环参数)。也就是说，在步骤600提供的封装数据提供关于所需引线环路的信息，该信息可与存储在存储器中的环路模型数据进行比较。环路模型数据包括来自先前形成的引线环路的信息，使得用于当前引线环路的成环参数可由用于先前形成的引线环路的成环参数得出，其中这样的成环参数存储在环路模型数据中。如果在步骤602中结果为否，则将附加信息提供至引线接合系统，从而得出初始成环参数。提供这种附加信息的方法的一个实施例为在步骤603a中提供与所需引线环路相关的成环控制值(例如参照图2描述的成环控制值)。提供这种附加信息的方法的另一实施例为在步骤60 中促使使用者(例如引线接合机的操作者)例如使用GUI等输入这种附加信息。这种附加信息可包括成环控制值、附加封装数据信息或其它信息，从而在步骤 604中允许算法得出用于所需引线环路的初始成环参数。在将附加信息提供至引线接合机之后(例如通过步骤603a、步骤60 和/或其它技术)，使用来自步骤600的封装数据和所提供的附加数据，在步骤604中得出初始接合参数。在步骤606中，使用所得出的初始成环参数来形成第一引线环路。在步骤608中， 对在步骤606中形成的引线环路的成环控制值进行测量。在步骤610中，确定所测量的成环控制值是否在可接受的范围、规格和/或公差内。如果结果为“是”，则成环参数是可接受的，并且在步骤616中完成成环轨迹。如果结果为“否”，则使用步骤612中的算法更改成环参数(即，例如通过预定的增量更改成环参数中的至少一个)。在步骤614中，使用更改的成环参数形成另一个引线环路，然后处理过程返回至步骤608。该重复进行过程，直至所测量的成环控制值落入可接受的范围、规格和/或公差内。虽然参照特定类型的封装数据、成环控制值和成环参数对本发明进行了描述，但本发明并不限于此。不同或附加的类型、值和参数预计落入本发明的范围内。尽管在本文中参照具体实施方式
对本发明进行了说明和描述，但本发明并不限制于所示出的细节。此外，对细节进行的多种修改落入权利要求的等同范围内并且不背离本发明。
权利要求
1.一种形成与半导体封装相关的引线环路的方法，所述方法包括以下步骤(1)将与所述半导体封装相关的封装数据提供至引线接合机；(2)将与所需引线环路相关的至少一个成环控制值提供至所述引线接合机，所述至少一个成环控制值包括与所述所需引线环路相关的至少一个环路高度值；(3)利用算法得出用于形成所述所需引线环路的成环参数；(4)利用在步骤(3)中得出的所述成环参数在所述引线接合机上形成第一引线环路；(5)测量与所述至少一个成环控制值相对应的、在步骤中形成的所述第一引线环路的实际成环控制值；以及(6)将在步骤(5)中测量的所述实际成环控制值与步骤O)中提供的所述至少一个成环控制值进行比较。
2.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤(1)中提供的所述封装数据包括以下至少一种(a)与所述半导体封装相关的CAD数据和(b)利用所述引线接合机的联机教导参考系统得出的封装数据。
3.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤(1)中提供的所述封装数据包括以下至少一种半导体管芯高度、半导体管芯的管芯垫位置、导线框的导线位置、第一接合位置与第二接合位置之间的相对距离、引线直径以及引线类型。
4.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤(2)中提供的所述至少一个成环控制值包括以下至少一种(a)所述所需引线环路的一部分的跨度距离，(b)所述所需引线环路的拉伸强度，(c)所述所需引线环路中的弯折或弯曲的CTZ位置，(d)所述所需引线环路的峰值特征，(e)所述所需引线环路的引线扭曲值，(f)所述所需引线环路中的引线长度，(g)所述所需引线环路的至少一部分的引线长度，(h)所述所需引线环路的管芯边缘间隙值，(i)所述所需引线环路的第二接合间隙值，(j)所述所需引线环路的至少一部分的形状，以及(k)在所述半导体封装中要彼此堆叠布置的多个引线环路的环路高度范围。
5.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤(2)中提供的所述至少一个成环控制值包括以下至少一种(a)用于所述所需引线环路的拉伸强度值的下限，以及(b)用于所述所需引线环路的拉伸强度值的可接受范围。
6.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤(2)中提供的所述至少一个成环控制值包括以下至少一种(a)用于所述所需引线环路的引线扭曲值的下限，以及(b)用于所述所需引线环路的引线扭曲值的可接受范围。
7.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤(2)中提供的所述至少一个成环控制值包括以下至少一种(a)所述成环控制值的上限，(b)所述成环控制值的下限，以及(c)所述成环控制值的可接受范围。
8.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤(2)中提供的所述至少一个成环控制值通过图形界面提供。
9.如权利要求8所述的方法，其中，所述图形界面包括模型引线环路的示意图，从而使用者通过更改所述模型引线环路的示意图的特征来提供所述至少一个成环控制值。
10.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤(3)中得出的所述成环参数包括以下至少一种(a)用于形成所述引线环路的工具轨迹，(b)由所述引线接合机的换能器应用的接合能参数，(c)由所述引线接合机应用的接合力参数；(d)与接合能和接合力中的至少一个相关的定时参数；(e)在形成所述所需引线环路的引线接合周期的至少一部分中的接合工具速度；以及(f)在形成所述所需引线环路的引线接合周期的至少一部分中的引线夹位置。
11.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤(3)中得出所述成环参数的步骤包括得出在所述所需引线环路的形成过程中接合工具遵循的轨迹。
12.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤(3)中得出所述成环参数的步骤包括利用存储在所述引线接合机中的环路模型数据与所述算法共同来更接近与所述所需引线环路相关的所述成环参数。
13.如权利要求12所述的方法，其中，所述环路模型数据包括存储在所述引线接合机的查阅表中的数据。
14.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤(3)中得出所述成环参数的步骤包括选择引线环路类型，以形成所述所需引线环路。
15.如权利要求1所述的方法，其中，步骤(6)包括将步骤(6)中所测量的所述实际成环控制值与步骤O)中提供的所述至少一个成环控制值进行比较，以确定所述实际成环控制值是否在与步骤O)中提供的所述至少一个成环控制值相对应的可接受公差水平内。
16.如权利要求15所述的方法，还包括以下步骤(7)利用算法更改所述成环参数；以及(8)利用所更改的成环参数形成另一个引线环路。
17.如权利要求16所述的方法，其中，步骤(5)至(8)重复进行，以用于连续的引线环路，直至步骤(6)中测量的实际成环控制值落入与步骤O)中提供的所述至少一个成环控制值相对应的可接受的公差水平内。
18.一种确定用于形成与半导体封装相关的引线环路的成环参数的方法，所述方法包括以下步骤(1)将与所述半导体封装相关的封装数据提供至引线接合机；以及(2)由存储在存储器中的环路模型数据确定用于形成引线环路的初始接合参数，所述初始接合参数是至少部分地根据步骤(1)中提供的封装数据得出的。
19.如权利要求18所述的方法，还包括步骤(3)在步骤(2)之前将与所需引线环路相关的至少一个成环控制值提供至所述引线接合机，其中，至少部分地根据在步骤(1)中提供的所述封装数据以及在步骤(3)中提供的所述至少一个成环控制值，以在步骤O)中得出所述初始接合参数。
20.如权利要求18所述的方法，还包括步骤(3)在步骤(2)之前将与所需引线环路相关的至少一个成环控制值提供至所述引线接合机，所述至少一个成环控制值包括与所述所需引线环路相关的至少一个环路高度值，其中，至少部分地根据在步骤(1)中提供的所述封装数据以及在步骤(3)中提供的所述至少一个成环控制值，以在步骤O)中得出所述初始接合参数。
21.如权利要求18所述的方法，还包括步骤(3)在步骤(2)之前将关于所需引线环路的附加数据提示引线接合机的操作者，其中，至少部分地根据在步骤(1)中提供的所述封装数据以及所述操作者响应于步骤C3)而提供的所述附加数据，以在步骤( 得出所述初始接合参数。
全文摘要
提供了一种形成与半导体封装相关的引线环路的方法。所述方法包括以下步骤(1)将与所述半导体封装相关的封装数据提供至引线接合机；(2)将与所需引线环路相关的至少一个成环控制值提供至所述引线接合机，所述至少一个成环控制值包括与所述所需引线环路相关的至少一个环路高度值；(3)利用算法得出用于形成所述所需引线环路的成环参数；(4)利用在步骤(3)中得出的所述成环参数在所述引线接合机上形成第一引线环路；(5)测量与所述至少一个成环控制值相对应的、在步骤(4)中形成的所述第一引线环路的实际成环控制值；以及(6)将在步骤(5)中测量的所述实际成环控制值与步骤(2)中提供的所述至少一个成环控制值进行比较。
文档编号H01L21/60GK102439706SQ201080022381
公开日2012年5月2日 申请日期2010年5月17日 优先权日2009年5月19日
发明者保罗·W·苏克罗, 秦巍, 约瑟夫·O·丁格洛, 迪帕克·索德, 雷·L·凯斯卡特, 黄强 申请人:库力索法工业公司