专利名称：具有贯通孔的铝箔的制作方法
技术领域：
本发明涉及新型的具有贯通孔的铝箔。更具体而言，涉及用于锂电池、锂电容、电气双层电容等集电体的具有贯通孔的铝箔。
背景技术：
为了使锂离子电池、锂离子电容、电气双层电容等的能量密度提高，需要更高的电压。为了提高能量密度，优选使用吸藏(日文7° > K-)技术降低负极电位。为了高效进行吸藏，需要在集电体上设置贯通孔。通过集电体的贯通孔可以可逆地使锂移动，由此可在负极活性物质上担载锂。作为具有贯通孔的集电体的制作方法，已知有例如冲孔加工、网眼加工、膨胀加工、网加工等，通过这些方法形成的贯通孔的大小通常为0. 3mm以上。但是，若设置贯通孔， 则仅此使集电体的强度降低，在上述那样比较大的孔径下，强度降低的问题变得更严重。与之相对，提出了使用具有比较微细的贯通孔的集电体的电极等。例如已知一种锂离子电容，其具备由可以可逆地担载锂离子及/或阴离子的物质形成的正极和由可以可逆地担载锂离子的物质形成的负极，且具备锂盐的非阳离子性有机溶剂电解质溶液作为电解液，其特征在于(1)通过负极及/或正极与锂离子供给源的电化学性接触向负极及/或正极中掺杂锂离子；(2)使正极与负极短路后的正极电位为2. OV以下；(3)上述正极及/ 或负极具有多个贯通表面和背面的孔，且具有由这些贯通孔的内切圆的平均直径为100 μ m 以下的金属箔形成的集电体(专利文献1)。但是，专利文献1中对于上述集电体没有特别谈及其平均直径以外的构成。而且， 在贯通孔的内切圆的平均直径为ΙΟΟμπι以下的情况下，对于具体可以使用什么样的材料在专利文献1中没有特别谈及。通常，为了制造具备强度高且具有适宜的密度及数量的贯通孔的铝箔，需要对于铝箔形成垂直的槽。为了形成这样的垂直的槽，需要使铝箔的结晶方位(100)面一致，但在现有技术下，难以甚至不可能得到高(100)面占有率。另外，即使在专利文献1中记载的ΙΟΟμπι以下、特别是10 μ m以下，若密度过高， 则即使在集电体上涂布活性物质，也产生以下情况由于活性物质透印而在不必要的部分也涂布活性物质，或另外作为其对策需要进行前处理。另外，集电体的强度也降低，在活性物质的涂布工序中存在很多制约。因此，为了得到适宜的贯通孔，需要从铝原箔开始控制各种物性。例如，即使直接使用以现有3003材等为代表的铝箔，也不可能控制多个从表面到背面以最短距离为ΙΟΟμπι以下的小的贯通孔。另外，已知一种涂布电极，其特征在于，包括由厚度为20 45 μ m及表观密度为 2. 00 2. 54g/cm3且具有多个贯通透气度20 120s的表面和背面的贯通孔的铝蚀刻箔形成的集电体，以及在该集电体上通过涂布含有可以可逆地担载锂离子及负离子的物质的涂料作为活性物质而形成的电极层，上述集电体的贯通孔的80%以上为孔径1 30 μ m (专利文献2)。但是，专利文献2也没有特别记载集电体贯通孔的80%以上为孔径1 30 μ m方面以外的构成。另外，作为该制造方法也记载了在厚度25 60 μ m、99. 99%的Al使用使结晶方位一致的软质铝箔，且通过直流蚀刻得到贯通孔，但没有公开具体的制造方法。另一方面，作为使结晶方位一致了的铝箔，已知电解电容器用铝箔(如专利文献 3、专利文献4)。但是，电解电容器用铝箔其厚度通常为100 μ m以上，不能作为上述这样的吸藏用的集电体使用。另外，当将铝箔的厚度减薄时，难以使结晶方位一致。事实上，例如专利文献3中的实施例1 3中，公开了厚度50 μ m的铝箔的立方体占有率，但该值范围限于56 65%。因此，为了得到期望的贯通孔，需要进一步改良技术。现有技术文献专利文献1 日本特开2007-141897专利文献2 国际公开W02008/078777专利文献3 日本特开2009-62595专利文献4 日本特开2005-174949
发明内容
发明想要解决的问题因此，本发明的主要目的在于提供一种具有贯通孔的铝箔，虽然箔厚度薄，但因为具有高立方体方位占有率，所以也可以具有高强度且多的贯通孔。用于解决课题的技术方案本发明者鉴于现有技术的问题反复进行专心研究的结果发现，通过由具有规定构成铝并通过特定方法制造铝箔，可以实现所述目的，由此完成本发明。S卩，本发明涉及下述具有贯通孔的铝箔。1、一种具有贯通孔的铝箔，其特征在于其由!^e :5 80重量ppm、Si :5 100重量ppm、Cu 10 100重量ppm以及余量A1及不可避免的杂质形成，(1)箔厚度为50 μ m以下；(2)具有多个从箔表面到背面的贯通孔；(3)该具有贯通孔的铝箔的垂直贯通孔占有率c )与所述箔厚度t(ym)的比率[c/t]为1.4以上。2、如1所述的具有贯通孔的铝箔，其中，根据以JIS P 8117为基准的格利式透气度测定仪的透气度试验方法测定的透气度为5seC/100ml以上。3、如1或2所述的具有贯通孔的铝箔，其中，贯通孔的内径为0. 2 5μ m。4、如1 3中任一项所述的具有贯通孔的铝箔，其中，贯通孔率s (%) = [(100X 测定重量(g))/(箔厚度(cm) X试料面积(cm2)) ]/(铝的比重(2. 70g/cm3))在5彡s彡20 的范围。5、如1 4中任一项所述的具有贯通孔的铝箔，其中，抗拉强度h(N)为
以上的值。6、如1 5中任一项所述的具有贯通孔的铝箔，其中，表面积扩大率为
以上的值。7、一种具有贯通孔的铝箔，其由Fe :5 80重量ppm、Si :5 100重量ppm、Cu 10 100重量ppm以及余量A1及不可避免的杂质形成，其中，通过包含以下工序的方法获得，即(1)将由 Fe 5 80 重量 ppm、Si 5 100 重量 ppm、Cu :10 100 重量 ppm 以及余量A1及不可避免的杂质形成的铝系材料在400 550°C下进行均质化处理的工序；(2)通过轧制所述均质化处理了的材料而得到厚度400 100 μ m的厚箔的工序；(3)通过将所述厚箔以重叠两片以上的状态进行冷轧，得到最终箔的箔厚度的 110 130%的厚度的薄箔的工序；(4)通过冷轧所述薄箔而得到箔厚度50 μ m以下的最终箔的工序；(5)将所述最终箔用盐酸溶液进行直流蚀刻的工序；及(6)将所述实施了直流蚀刻的最终箔用盐酸溶液进行化学蚀刻的工序。8、如7所述的具有贯通孔的铝箔，其中，具有多个从箔表面到背面的贯通孔，且该具有贯通孔的铝箔的垂直贯通孔占有率c )和所述箔厚度t(ym)的比率[c/t]为1.4 以上。9、如7或8所述的具有贯通孔的铝箔，其中，所述方法在所述工序( 前还包括将所述最终箔在真空或惰性气体环境下以450°C以上进行退火的工序。10、如7 9中任一项所述的具有贯通孔的铝箔，其中，所述方法在所述工序(3) 之后且在所述工序(4)之前还包括作为中间退火将所述薄箔以150 350°C进行热处理的工序。11、如7 10中任一项所述的具有贯通孔的铝箔，其中，所述方法中，在所述工序 (4)得到的最终箔的平均粗糙度Ra为0. 25 μ m以下。发明效果根据本发明，即使箔厚度薄为50μπι以下，因为以高的比率具有立方体集合组织， 所以可以提供一种强度高且具有充分量的贯通孔的具有贯通孔的铝箔。这样的铝箔可以适宜用作锂离子电池、锂离子电容、电气双层电容等集电体。特别是，本发明的具有贯通孔的铝箔对以下集电体有用锂离子电容或锂离子二次电池包括1) 由可以可逆地担载锂离子及/或负离子的物质形成的正极、2)由可以可逆地担载锂离子的物质形成的负极及3)含有锂离子的电解质溶液，且将锂离子掺杂于正极及/或负极。艮口， 使用本发明的具有贯通孔的铝箔作为上述那样的集电体的情况下，作为通过贯通孔可以掺杂锂离子的集电体发挥功能，因此可以有助于电池特性等的提高。
图1是表示用扫描型电子显微镜观察测定垂直贯通孔占有率的情况下的蚀刻槽的结果之一例的图(电子显微镜照片)；图2是用于观察具有规定角度的蚀刻槽的透明卡的示意图。
具体实施例方式具有贯通孔的铝箔本发明的具有贯通孔的铝箔(本发明Al箔)由狗5 80重量ppm、Si :5 100 重量ppm、Cu :10 100重量ppm以及余量A1及不可避免的杂质形成，其特征在于，
(1)箔厚度为50 μ m以下；(2)具有多个从箔表面到背面的贯通孔；(3)该具有贯通孔的铝箔的垂直贯通孔占有率c )和上述箔厚度t(ym)的比率[c/t]为1.4以上。本发明Al箔的组成如上所述，由！^e :5 80重量ppm、Si 5 100重量ppm、Cu 10 100重量ppm以及余量A1及不可避免的杂质形成。Fe的含量通常设为5 80ppm左右，优选为10 50ppm。Fe为作为Al-Fe系化合物结晶，可以改善轧制性或延伸的元素。另外，适宜量的AHe系化合物通过结晶核发生位点及束缚(日文C >止力)而将结晶粒微细化，通过抑制轧制时的耐烧结性(材料向辊的熔敷)和微粉的发生，可以提高薄箔的轧制性。Fe的含量小于5ppm的情况下，得不到上述效果，产生由结晶粒的粗大化带来的箔的强度降低，易于产生开孔箔的强度降低或局部的强度的不均。另一方面，在狗的含量超过SOppm的情况下，在表面引起过剩的溶解，导致开孔箔的强度降低或局部的强度的不均。 另外，立方体方位的占有率降低，不能得到充分的贯通蚀刻槽密度。Si的含量通常设为5 IOOppm左右，优选设为10 60ppm。Si主要为可以使强度提高的元素。另外，例如特别是在对厚度为50 μ m以下的薄箔进行轧制时，不只是具有贯通孔的铝箔的表面，在内部也产生伴随轧制加工的瞬间的温度上升，但是由于硅的存在而可以抑制位错的消失，防止强度的降低。在Si的含量小于5ppm的情况下，得不到上述效果，引起强度降低，易于产生开孔箔的强度降低或由部位导致的强度的不均。另外，Si的含量超过IOOppm的情况下，立方体方位的占有率降低，不能得到充分的贯通蚀刻槽密度。Cu的含量通常设定为10 IOOppm左右，优选设定为15 60ppm。Cu主要提高盐酸蚀刻时的溶解性，有助于贯通蚀刻槽的形成。在Cu的含量小于IOppm的情况下，不能充分得到上述效果，而且使薄箔的轧制性显著降低。另一方面，在Cu的含量超过IOOppm的情况下，在表面引起过剩的溶解，导致开孔箔的强度降低或由部位导致的强度的不均。另外，立方体方位的占有率降低，不能得到充分的贯通蚀刻槽密度。本发明Al箔中，除了上述这样的成分外，根据需要也可以含有此。1 主要有促进用于蚀刻处理的电解液和铝箔的反应，增加初期的蚀刻槽数的作用，因此，可实现更高的贯通蚀刻密度。含有1 的情况下的1 含量通常只要可以为0. 01 20ppm左右，优选为 0. 05 IOppm 即可。1 主要有促进用于蚀刻处理的电解液和铝箔的反应，增加初期的蚀刻槽数的作用，因此，可实现更高的贯通蚀刻密度。含有1 的情况下的1 的含量可以按照能实现上述那样的效果的方式适宜调整，通常只要为0. 01 20ppm左右，优选为0. 05 IOppm即可。特别是，本发明Al箔中，期望1 在从铝箔的表面到深度0. 1 μ m的区域以40 2000ppm的范围进行设定。通过设定于上述范围内，可以更进一步提高贯通蚀刻密度。另外，这样的1 含量的调整可以如下实施，S卩，在例如铝箔的制造阶段调节向铝溶液中添加的1 量，进而将退火温度控制在450°C以上的范围内。余量实质上由Al和不可避免的杂质组成。本发明的铝合金箔的铝纯度只要处于用作集电体用的范围内就没有特别限制。另外，作为不可避免的杂质，也可以含有例如Mg、 Mn、Zn、Ti、V、Ga、Cr、Zr、B 等。本发明Al箔的厚度设为50 μ m以下，优选为40 μ m以下。通过设定为上述厚度， 可以适合用作锂离子电容的集电体。此外，厚度的下限值没有限定，通常只要为Iym左右即可。另外，贯通孔的内径可以根据Al箔的用途、使用目的等适宜设定，通常优选为 0. 2 5μπι，特别优选为0. 5 3μπι。贯通孔的内径通过在蚀刻处理时特别地调整蚀刻时间，可以进行适宜控制。本发明Al箔中，具有贯通孔的铝箔的垂直贯通孔占有率)和上述箔厚度 t(ym)的比率[c/t]为1.4以上，优选为1.5以上，更优选为1.6以上。这是本发明Al箔与现有具有贯通孔的铝箔相比，即使为相同厚度也显示更高的垂直贯通孔占有率。即，本发明Al箔即使厚度薄，也具有更高的垂直贯通孔占有率。通常，高纯度铝箔厚度越薄，立方体方位占有率越低，随之垂直贯通孔占有率也降低。通常，立方体方位占有率被称为相当于箔厚度的数值左右的值。例如，只要为箔厚度55μπι的铝箔，则立方体方位占有率就大约为55%左右。与之相对，本发明中，通过控制i^、Si、Cu等的含量等，即使是薄的箔，也能够实现比现有技术高的立方体方位占有率，结果可进一步提高垂直贯通孔占有率。关于上述垂直贯通孔占有率，本发明Al箔中，由于垂直贯通孔占有率本身的值根据箔厚度等变动，所以没有特别限定，通常只要在30 98%，特别是40 98%的范围内即可。另外，通常与水平面成70 110度的角度的贯通孔的比例为与蚀刻前的铝箔的立方体方位占有率大致相同的值，因此，本发明中，贯通孔以与水平面成70 110度(即，90 度士20度)的范围的角度设为垂直贯通孔，将相对贯通孔的总数的垂直贯通孔所占的比例设为垂直贯通孔占有率。因此，本发明的垂直贯通孔占有率为与蚀刻前铝箔的立方体方位占有率大致相同的值。另外，本发明Al箔优选根据以JIS P 8117为基准的格利式透气度测定仪的透气度试验方法测定的透气度为kec/lOOml以上，特别为lkec/lOOml以上。通过具有该透气度，即使对本发明Al箔涂布活性物质，活性物质也不渗透，也不会在不必要的部分涂布活性物质，因此，可以得到不需要作为其对策的前处理的效果。此外，上述透气度的上限值没有特别限制，通常只要设为ISOsec/lOOmI左右即可。本发明Al箔中，优选表面积扩大率为
以上的值，特别为
以上的值。通过将表面积扩大率设定在上述范围，可以提高作为集电体的本发明Al箔和活性物质的密接性。另外，本发明Al箔中，贯通孔率s(%)=〔测定重量(g)/〔箔厚度(cm) X试料面积(cm2)〕〕/铝的比重O.70g/cm3)，优选处于5彡s彡20的范围。通过设定在上述范围内，可以在通过贯通孔可逆地移动锂离子的同时，消除强度过低的可能。本发明Al箔优选抗拉强度h (N)至少为
以上，特别优选为
以上的值。通过设定在上述范围内，可容易地通过逗点涂布机等进行活性物质的涂敷，可消除对生产性带来障碍的可能。具有贯通孔的铝箔的制造方法
技术领域：
本发明Al箔例如可以如下制造。首先，从铸造到板轧制(约Imm单位)可以以大致常规的方法制造。例如，调制具有上述组成的原料的熔液，通过使熔液凝固来制造铸块。 该情况下，对于得到的铸块优选以400 550°C实施1 20小时左右的均质化处理。特别是，本发明中，期望将均质化处理温度设为550°C以下。通过将均质化处理温度设为550°C 以下，可以在对50 μ m以下的箔进行轧制退火后得到更高的立方体方位占有率。之后，通过对铸块实施热轧及冷轧而形成350 μ m左右的厚箔。此外，根据需要，也可以以除去板表面的杂质或氧化皮膜等为目的进行板清洗、箔清洗等公知的处理。然后，通过冷轧上述厚箔而得到薄箔。该情况下，轧制后的薄箔的厚度优选设为最终箔的厚度的110 130%的厚度。此外，冷轧的温度自身只要与公知的冷轧相同即可，例如可以在不超过120°C的温度范围内实施。在轧制薄箔时，不仅铝箔的表面，在内部也产生伴随轧制加工的瞬间的温度上升。 另外，当铝箔和轧制辊之间的摩擦等、机械性应力增大时，对50 μ m以下的箔轧制退火后， 立方体方位的占有率可能会降低。因此，薄箔的轧制(至少最后的轧制(即，用于得到最终箔的轧制))优选将轧制辊的平均粗糙度Ra设为0. 25 μ m以下，特别优选为0. 20 μ m以下， 更优选为0. 18 μ m以下。该情况下，得到的薄箔的平均粗糙度Ra与轧制辊相接的面分别为 0. 25 μ m以下，特别为0. 20 μ m以下，进一步为0. 18 μ m以下。本发明中，在轧制厚箔得到薄箔的情况下，优选边确保与轧制辊不接触的面边进行轧制。通过确保与轧制辊不接触的面，可以消除阻碍结晶粒的运动的要因，由此，即使是薄箔，也能够得到高的立方体方位占有率。为了制作与轧制辊不接触的面，优选进行例如所谓的夹层轧制(并行轧制)。即，通过将箔以重叠了两块或其以上的状态进行轧制，可以得到具有与轧制辊不接触的面的薄箔。该情况下，为了将最终可以得到的薄箔的厚度均一化， 优选重叠箔的情况下的总厚度为350μπι以下。重叠了的箔的分离可以在之后的工序即在退火前及/或后实施。该夹层轧制中也优选将轧制辊的平均粗糙度Ra设为0. 25 μ m以下， 特别为0. 20 μ m以下，进一步为0. 18 μ m以下。在实施了上述冷轧后，根据需要，作为中间退火优选以150 350°C (特别是 150 300°C )实施1 30小时左右的热处理。特别优选上述热处理温度为350°C以下。 通过将热处理温度设为350°C以下，可以在对50μπι以下的箔轧制退火后得到高的立方体方位占有率。此外，中间退火的氛围没有限定，例如可以为真空中、大气中、惰性气体氛围中
等的任一氛围。然后，通过将上述薄箔进一步冷轧而得到具有期望箔厚度的最终箔(具有最终的箔厚度的箔)。即，通过该冷轧可以得到箔厚度50μπι以下的箔。此外，在该冷轧中，优选将轧制辊的平均粗糙度Ra设为0. 25 μ m以下，特别优选为0. 20 μ m以下，更优选为0. 18 μ m 以下。本发明中，优选对上述最终箔实施退火(最终退火)工序。另外，在退火工序前， 也可以以例如去除箔表面的轧制油、杂质、氧化皮膜等的目的进行箔清洗。在清洗后也可以适宜进行干燥。特别是，当在轧制油过量附着的状态下进行高温退火时，箔表面局部黄变为斑状，即使进行蚀刻处理恐怕也不能得到期望的形状的蚀刻槽。虽然不限定退火温度，但通常期望设为450°C以上，特别为450°C以上且小于 660°C，更期望设定为500 620°C。若退火温度小于450°C，则立方体方位率降低，即使进行蚀刻处理恐怕也得不到期望的形状的蚀刻槽。退火时间也取决于退火温度等，通常只要为1 100小时左右即可。退火氛围期望实质上设定为真空或惰性气体氛围。但是，在也包括升温及降温的工序超过350°C的情况下，期望工业上尽可能降低退火氛围中的氧浓度。即，期望设为 IO-5Torr以下的减压下或含0 1体积％氧的惰性气体氛围。在超过KT5Torr的真空氛围或退火氛围中的氧浓度超过1. O体积％的惰性气体氛围的情况下，退火后的箔表面局部黄变为斑状，即使进行蚀刻处理恐怕也得不到期望的形状的蚀刻槽。通过将退火氛围中的氧浓度按上述那样设定，可以得到薄且均勻的热氧化皮膜，可以有助于透气度的控制。通过对于这样得到的箔(最终箔)实行蚀刻处理而形成贯通孔。蚀刻处理的方法不进行限定，也可以通过一阶段的蚀刻形成期望的贯通孔，也可以分成两阶段或多阶段实施。本发明中，例如至少为两阶段的蚀刻，通过第1阶段的蚀刻形成贯通孔，通过第2 阶段的蚀刻调整贯通孔的内径，由此可以适宜形成期望的贯通孔。该情况下，第1阶段的蚀刻优选在以盐酸为主成分的电解液中进行直流蚀刻。在第1阶段蚀刻中，主要可以形成蚀刻槽，同时控制其密度和形状(贯通形状)。作为电解液， 可以使用将1 10重量％的盐酸溶解于水的水溶液。该情况下，也可以向电解液中添加 0. 001 0. 1重量％的草酸、磷酸、硫酸等。另外，液温设为60 90°C左右，电流密度设为 0. 1 0.5A/cm2左右。蚀刻方式优选为直流蚀刻。此外，蚀刻时间可以根据箔厚、作为目标的透气度等适宜设定。第2阶段的蚀刻中，优选实施化学蚀刻。由此可以主要控制蚀刻槽径。例如，可以在与上述第1阶段蚀刻相同组成、相同温度的溶液中进行化学蚀刻。蚀刻时间例如可以根据箔厚、作为目标的透气度等适宜设定。另外，也可以不以盐酸为主成分，而在以硝酸为主成分的电解液中进行。另外，也可以不是化学蚀刻，而是进行电解蚀刻。而且，根据需要也可以组合化学蚀刻或电解蚀刻、蚀刻液组成，将“第2阶段的蚀刻”再多级化。实施例下面示出实施例及比较例，更具体地说明本发明的特征。但是，本发明的范围不限定于实施例。比较例1在调制了具有表1所示的组成的溶液后，通过使溶液凝固而得到铸块。然后，将上述铸块在500°C下实施10小时均质化处理。之后，对上述铸块实行热轧(温度400°C )及冷轧，由此轧制到厚度65 μ m。在250°C下实施8小时中间退火后，进一步实行冷轧，由此得到厚度50μπι的箔。在用有机溶剂系清洗剂(异丙烯)清洗后，在氩气中以530°C实施10 小时退火。在蚀刻处理前，测定与轧制辊相接的箔面的平均粗糙度Ra及箔厚。表1中示出结果。对于得到的箔实施了两阶段蚀刻处理。第1阶段的蚀刻处理使用含有5重量％盐酸的水溶液作为电解液，以液温70°C及电流密度0. 3A/cm2通过直流蚀刻来实施。第2阶段的蚀刻处理为了调整在第1阶段的蚀刻处理形成的贯通孔的内径，而以与第1阶段相同的电解液及液温度通过300秒(50μπι用)化学蚀刻来实施。这样得到了具有规定贯通孔的具有贯通孔的铝箔。
比较例2 10除了将溶液的组成及制造条件变更为表1所示的组成，将箔厚30 μ m的铝箔的化学蚀刻时间设为200秒外，与比较例1相同地制造具有贯通孔的铝箔。实施例1调制具有表1所示的组成的熔液后，通过使熔液凝固而得到铸块。然后，将上述铸块在500°C下实施10小时均质化处理。之后，对上述铸块实行热轧(温度400°C)及冷轧， 由此轧制到厚度130 μ m。准备两片这样得到的片材，通过以将两者重叠的状态进一步实施冷轧(并行轧制或夹层轧制)，得到合计厚度130 μ m(各65 μ m)的箔。在250°C下实施8 小时的中间退火后，进一步进行冷轧，由此得到合计厚度100 μ m(各50 μ m)的箔。将两片箔各自分离，用有机溶剂系清洗剂(异丙烯)清洗后，在氩气中以530°C实施10小时退火。蚀刻处理前，测定与轧制辊相接的箔面的平均粗糙度Ra及箔厚。结果示于表1。然后，对得到的箔实施了两阶段的蚀刻处理。第1阶段的蚀刻处理使用含有5重量％的盐酸的水溶液作为电解液，以液温70°C及电流密度0. 3A/cm2通过直流蚀刻来实施。 第2阶段的蚀刻处理为了调整在1阶段的蚀刻处理形成的贯通孔的内径，而以与第1阶段相同的电解液及液温度通过300秒(50μπι用)化学蚀刻来实施。这样得到了具有规定贯通孔的具有贯通孔的铝箔。实施例2 10除了将熔液的组成及制造条件如表1所示那样变更，且将箔厚30 μ m的铝箔的化学蚀刻时间设为200秒外，与比较例1相同地制造具有贯通孔的铝箔。表 权利要求
1.一种具有贯通孔的铝箔，其特征在于，其由狗5 80重量ppm、Si :5 100重量 ppm、Cu :10 100重量ppm以及余量A1及不可避免的杂质组成，(1)箔厚度为50μ m以下，(2)具有多个从箔表面到背面的贯通孔，(3)该具有贯通孔的铝箔中的垂直贯通孔占有率c和所述箔厚度t的比率c/t为1.4 以上，贯通孔占有率的单位是％，箔厚度的单位是μπι。
2.如权利要求1所述的具有贯通孔的铝箔，其中，根据以JIS P 8117为基准的格利式透气度测定仪的透气度试验方法测定的透气度为 5sec/100ml 以上。
3.如权利要求1或2所述的具有贯通孔的铝箔，其中，贯通孔的内径为0. 2 5μπι。
4.如权利要求1 3中任一项所述的具有贯通孔的铝箔，其中，贯通孔率s(%) = [(100X测定重量)/(箔厚度X试料面积)]/(铝的比重)在 5 ^ s ^ 20的范围，测定重量的单位是g，箔厚度的单位是cm，试料面积的单位是cm2，铝的比重是 2. 70g/cm3。
5.如权利要求1 4中任一项所述的具有贯通孔的铝箔，其中，抗拉强度h为
以上的值，抗拉强度单位是N，箔厚度的单位是μπι。
6.如权利要求1 5中任一项所述的具有贯通孔的铝箔，其中，表面积扩大率为
以上的值，箔厚度的单位是ym。
全文摘要
本发明提供一种具有贯通孔的铝箔，即便箔厚度薄，但也因为具有高立方体方位占有率，所以也具有高强度且多的贯通孔。本发明的具有贯通孔的铝箔，其特征在于其由Fe5～80重量ppm、Si5～100重量ppm、Cu10～100重量ppm以及余量Al及不可避免的杂质形成，(1)箔厚度为50μm以下；(2)具有多个从箔表面到背面的贯通孔；(3)该具有贯通孔的铝箔的垂直贯通孔占有率c(％)与上述箔厚度t(μm)的比率[c/t]为1.4以上。
文档编号H01M4/66GK102471835SQ201080027918
公开日2012年5月23日 申请日期2010年7月3日 优先权日2009年7月7日
发明者小西敦志, 目秦将志 申请人:东洋铝株式会社