专利名称：具有三维微结构的热电换能器、制造该换能器的方法和该换能器的应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种具有三维微结构的热电换能器以及一种用于制造该换能器的方法，和该换能器的应用。
背景技术：
基于塞贝克效应的热电换能器是已知的。这些换能器作为热电传感器来使用。 这样的换能器的基本元件是具有两个热铁心的热电偶，所述热铁心由具有不同热电动势 (Thermo-Kraft)(塞贝克系数)的不同热铁心材料组成。这种热电换能器的热电偶例如构成为具有横向构造的二维结构。热电偶的热铁心在这种情况下平面地位于薄膜上。热铁心的热传感器接触部布置在所述薄膜的中心，并且热铁心的冷传感器接触部布置在承载所述薄膜的硅框上。所述二维结构具有大的空间需求，同时与此相比热电活性的传感器面积较小。
发明内容
本发明的任务是提供一种具有与现有技术相比较小的空间需求的热电换能器。为了解决该任务，说明一种用于利用至少一个热元件来相互转换热能和电能的热电换能器。所述换能器具有至少一个自承载(selbst-tragend)的三维微结构，所述微结构具有第一微柱和至少一个第二微柱，所述第一微柱具有第一微柱纵向伸展、第一微柱直径和至少一种具有第一热电动势的第一微柱材料，并且所述至少一个第二微柱具有第二微柱纵向伸展、第二微柱直径和至少一种具有与该微柱材料相比不同的第二热电动势的第二微柱材料。在此，这些微柱就纵向伸展来说基本上相互平行地布置。微柱直径从0. Iym至 200μπι的范围中选择。这些微柱分别具有处于20至1000的范围中的纵横比。此外，这些微柱作为热电偶相互耦合以构造热电压。优选的，从0.3μπι至200μπι的范围中选择微柱直径。微柱的基本上平行的布置在此意味着，就微柱纵向伸展的取向来说可以给出至多 10°的偏差。优选的，微结构具有多个这样的热电偶。在此，多个热电偶优选相互串联地耦合， 使得热电偶的热电压的和基本上产生多个热电偶的总热电压。由此在热吸收辐射的情况下，可以实现每瓦特大于1000V的入射吸收辐射的极高的灵敏度。为了解决该任务，还说明一种用于制造热电换能器的方法，具有以下方法步骤a) 提供具有模板材料的模板，其中模板具有基本上与热电换能器的微结构相反的三维模板结构，所述模板结构具有柱状的模板空腔，b)将微柱材料布置在柱状空腔中，使得形成微柱， 以及
c)至少部分地去除模板材料。优选的，为了布置微柱材料执行下面的其它方法步骤d)将至少一种微柱材料的原材料引入到空腔中，以及e)将微柱材料的原材料转换为微柱材料。
借助微结构来利用第三维。由此成功地使得与现有技术相比明显地减小了热电换能器的热电偶的空间需求。利用微结构可以将多个热电偶布置在最小的空间上。由此产生具有刷子状的、三维构造的微结构的热电换能器，所述微结构由(对称的)矩阵状布置的、 特别薄的微柱(纤维，针)组成。所述微结构具有包括栅格点的栅格。这些栅格点由微柱构成。目前还不存在用于在最多1000 μ m以及更大的纤维长度的情况下制造包括小于10 μ m 的(纤维)栅格的这样的微结构的方法。热电换能器基于塞贝克效应。在这种情况下，热能被转换为电能。微柱是热电偶的热铁心。但是热电换能器也可以相反地在利用珀耳帖效应的条件下来运行。在这种情况下，热电偶被热电流流过。在这种情况下被释放的热能可以被输出给环境。根据状况这会导致环境的加热或冷却。作为微柱材料考虑多种材料，例如金属、金属合金、半金属和半导体化合物。尤其是，第一微柱材料和/或第二微柱材料具有从铋、锑、碲和铅构成的组中选择的元素。微柱材料可以仅分别由这些元素之一组成。还可以考虑这些元素的合金以及它们的化合物。在这种情况下，首先采用在室温下是一种非常有效的热铁心材料的铋碲化物 (Bi2Te3)0其它合适的材料是以下组成锑化铋(BiSb)、碲化铅(PbTe)或锗化硅(SiGe)。用于制造所述微结构的基本思想在于，基于模板(基体，模板)提供与所述微结构相反的、具有模板空腔的模板结构(基体结构)。模板空腔就其模板空腔纵向延伸来说基本上相互平行地取向，并且分别具有处于20至1000的范围中的纵横比，以及分别具有处于 0. 1 μ m至200 μ m的范围中的模板空腔直径。相邻的模板空腔之间的距离也相应于微结构的微柱距离。通过该制造方法，第三维被用于实现热电换能器。微柱优选并排布置。但是也可以考虑将微柱上下叠置地布置。在这种情况下，微柱优选相互直接接触。因此根据特殊的设计，微柱相互上下叠加地被布置为具有总体纵向伸展的总体微柱。第一微柱和第二微柱构成所述总体微柱的片段。优选的，至少一个微柱的微柱纵向伸展或者总体微柱的总体微柱纵向伸展是从 50 μ m至IOmm的范围中选择的，并且尤其是从100 μ m至Imm的范围中选择的。尤其是多个微柱或所有微柱的微柱纵向伸展(纤维长度)都从所述范围中选择。在这种情况下，这些微柱可以等长。还可以考虑所述微结构的微柱是不同长度的，也就是具有不同的微柱纵向伸展。如已经提到的，微柱上下叠置地布置。但是优选的，微柱并排地布置。根据特殊的设计，微柱被并排布置，使得在这些微柱之间产生微柱间隙，其中微柱间隙具有在这些微柱之间的从0. 3 μ m至100 μ m的范围中选择的微柱距离。由于微柱的微柱直径(横向伸展)很小并且微柱之间的微柱距离很小，因此产生对热电换能器的热电偶来说极小的空间需求。在微柱距离很小的情况下，优选在处于相邻微柱之间的微柱间隙中布置至少一个用于将微柱相互去热耦合的装置。越过所述微柱间隙的横向热交换或横向热传输被禁止。 所述装置可以是具有小的导热性的材料。尤其是，用于去热耦合的装置是具有小于IO-2Hibar 的气压的真空。尤其是所述气压小于10_3mbar。具有微柱的微结构被抽空。在一种特殊的设计中，热电换能器的微结构具有至少一个用于将热能耦合输入到热电偶中和/或用于将热能从热电偶耦合输出的热耦合设备。尤其是，所述热耦合设备具有用于以热吸收辐射形式吸收热能和/或用于以热发射辐射的形式发射热能的热功能层。所述热功能层吸收电磁辐射，例如可见光或红外光。在这种情况下吸收的热能被转发给热电偶。反过来，在电流流动经过热电偶时被释放的能量可以通过所述功能层作为电磁辐射 (发射辐射)而输出给环境。还可以考虑使热耦合设备具有化学敏感涂层。确定的化学物质，例如确定的气体被吸收到该化学敏感涂层上。在这样的气体分子被吸收到化学敏感涂层上的情况下，热能被释放，然后该热能可通过热电换能器检测。优选的，所述微结构布置在微结构载体(微结构衬底)上。在这种情况下，衬底材料可以是有机或无机材料。例如，微结构载体是硅晶片。所述衬底材料是硅。根据一种特殊的设计，具有一种用于读取热电偶的热电压的读取设备(读取电子装置，读取电路)和/或一种用于利用控制电压控制热电偶的控制设备(控制电子装置，控制电路)。在这种情况下，这些设备或者其部分可以作为SMD (表面安装设备)组件来布置在微结构载体上。但是优选的，这些设备或其部分集成在微结构载体中。因此在一种特殊的设计中，读取设备和/或控制设备集成在微结构的微结构载体中。为此优选使用硅晶片来作为微结构载体。读取设备和/或控制设备作为ASIC (专用集成电路)引入在硅晶片中。在一种对此替换的实施方式中，所述读取设备和/或所述控制设备集成在与微结构载体不同的电路载体(电路衬底)中。这些设备通过单独的电路衬底实现。在此同样可以设置SMD组件。但是电路载体优选也是硅晶片。在此这些设备也可以作为ASIC集成。另外还可以考虑在微结构载体中集成读取电路的一部分，以及在电路载体中集成读取电路的另一部分。在读取设备和/或控制设备集成在单独的电路载体的情况下，特别有利的是将微结构载体和电路载体通过倒装芯片技术相互连接。借助倒装芯片技术节省空间地制造读取或控制所需要的电接触。产生紧凑的、热电换能器构造。就方法而言，尤其是使用具有硅作为模板材料的模板。例如，借助硅晶片来执行所述方法。硅晶片作用为模板。硅特别好地适合于产生上述柱状的、具有所需要的纵横比的模板空腔。为此执行PAECE (光辅助电化学蚀刻)工艺。该方法的起点是将“蚀刻凹陷” (etch pits)例如通过光刻法引入到硅晶片的表面中。经过表面结构化的硅晶片被暴露于具有氢氟酸的蚀刻溶液中。通过电场的作用以及通过用光进行照射，从具有极度结构可靠性的“蚀刻凹陷”出发形成柱状的模板空腔。除了产生柱状的模板空腔之外，另一个重要的步骤是填充模板空腔。为此，例如利用液态的微柱材料作为原材料或者利用微柱材料的其它液态原材料来填充模板空腔。接着在模板空腔中导致液态材料被转换为固态微柱材料。微柱得以形成。例如，在提高温度的情况下将液态金属作为原材料引入到模板空腔中。接着降低温度。液态金属凝固并且形成相应的由金属构成的微柱。还可以考虑将模板空腔作用为微反应物。在这种情况下，将液态的原材料引入到模板空腔中。接着的化学反应导致微柱材料的形成。微柱得以形成。在形成微柱之后，至少部分地去除模板材料。这意味着微柱部分地或者完全地被显露。如果微柱仅部分被显露，则模板的剩余部分可以作用为微结构载体。但是也可以考虑将具有微结构载体的模板用于微结构。从而在模板材料被完全去除之后，微结构保留在微结构载体上。
在除去模板材料之后，将具有相应功能材料的上述热功能层布置在微柱的端部处。负责这一点的是在至少一部分微柱的端部处布置具有功能材料的功能层。第一微柱和第二微柱可以上下叠置地布置为总体微柱。总体微柱具有两个沿着总体微柱纵向伸展布置的、具有相互不同的微柱材料的片段。总体微柱由两个具有不同微柱材料的片段(子片段)组成。这例如通过以下方式来实现首先用第一微柱材料部分地填充模板空腔。在形成了第一微柱之后用第二微柱材料来填充模板空腔的留空的区域。接着转换为第二微柱材料导致形成具有包括第一微柱的第一片段和具有包括第二微柱的第二片段的总体微柱。还可以考虑用两种微柱材料从不同侧开始填充模板空腔并且在唯一的一个共同工艺中转变为各自的微柱材料。优选的，第一和第二微柱不是上下叠置的、而是并排地布置。产生异质的、由不同的微柱材料构造的微结构。该微结构例如可以通过以下方式来制造在布置一种微柱材料期间覆盖模板空腔的一部分。接着用另一种微柱材料填充被覆盖的模板空腔。微柱材料又可以同时在共同的工艺中被转换为相应的微柱。产生具有由不同微柱材料构成的微柱的微结构。但是也可以考虑串联地制造这些微柱。这意味着，在将第二微柱材料填充到事先被覆盖的模板空腔中并接着转换该第二微柱材料之前，首先转换第一微柱材料。也可以在制造第二微柱空腔并且用第二微柱材料填充第二微柱空腔之前，首先制造第一微柱空腔并且用第一微柱材料填充第一微柱空腔。根据本发明的另一方面，说明所述热电换能器在热能和电能的相互转换方面的应用，其中通过热电偶中的热能产生热电压并由此转换为电能，或者通过电控制热电偶而将电能转换为热能。优选的，热电换能器用于从电能中探测热能，而该电能是从所述热能获得的。在吸收气体分子时释放的吸收热(见上)可以通过这种方式被用于探测气体分子。由此热电换能器适合于在气体分析中的应用。优选的，以热吸收辐射(热辐射，红外辐射)的形式使用热能。这意味着，热电换能器被用于探测热辐射。热电换能器作用为红外传感器。在此，在相互串行耦合的多个热电偶的情况下这里可以实现每瓦特大于1000V的入射吸收辐射的极高的灵敏度。此外，由于小的空间需求可以实现高的像素数量(每个面积单位的图像点数量)以及由此实现热辐射的高的位置分辨率。在这种情况下，像素由一个或多个热电偶形成。由高位置分辨率产生热电换能器的最不同的应用可能，例如在高分辨率的红外相机或红外可视设备中、在医学技术和工业中用于温度记录或者用于分析的红外扫描仪中。总之，利用本发明产生以下优点
-利用三维微结构可以对每个面积单位实现大量的热电偶。-利用每个面积单位的大量的热电偶，可以获得具有高位置分辨率的、针对热能的传感器。-借助本发明可以制造具有横向伸展的传感器面的热电换能器。因此可以实现具有高分辨率的大面积热检测器。-极其薄的(直到微米的分数的范围中)和极其长的(直到多个毫米的范围中)微柱导致高的灵敏度。-微结构具有自承载的微柱。因此微结构无需要用于支撑微结构的支承面。
-在相邻的像素之间导致小的热传输，尤其是在使用保护气体或真空的情况下。这附加地导致灵敏度的提高和位置分辨率的提高。-可以确定地和可再生产地产生微柱。-对于微柱材料，由于简单的、用于填充模板空腔的工艺技术而存在大的材料选择。-在使用具有集成的读取或控制电子装置的电路载体的情况下(该电路载体通过倒装芯片技术与微结构载体连接)，产生整个热电换能器的、不明显大于通过微结构确定的面积的横向伸展。热电换能器的厚度通过电路载体和布置在微结构载体上的微结构来确定。因此，换能器的厚度相应于两个堆叠芯片的厚度。
下面借助多个实施例和所属的附图更详细地描述本发明。附图是示意性的，并且不是按比例的映射。图1以侧横截面示出热电换能器的三维微结构。图2以透视的图示示出微结构。图3示出用于制造微结构的基本方法。图4示出用于填充模板的模板空腔的方法。图5A和5B示出用于制造热电换能器的方法。图6A和6B示出用于制造另一个热电换能器的方法。图7A和7B示出用于将微结构载体和电路载体与读取电子装置接触的方法。图8示出并排布置的微柱的热电偶的片段。图9示出具有上下叠置地布置的微柱的热电偶的片段。
具体实施例方式下面示例的主题分别是用于转换热能和电能的热电换能器1。换能器的作用原理基于塞贝克效应。热电换能器被设计为用于检测热辐射18的红外传感器。换能器具有至少一个自承载的、三维微结构10。微结构10具有多个用于构造热电压的热电偶15。这些热电偶串联地连接，使得各个热电偶的热电压累加。每个热电偶都具有至少一个自承载的第一微柱11，所述第一微柱具有第一微柱纵向伸展111、第一微柱直径112和至少一个具有第一热电动势的第一微柱材料110 (图8)。 第一微柱材料是铋碲化物(Bi2Ti53)tj每个热电偶也具有至少一个自承载的第二微柱12，所述第二微柱具有第二微柱纵向伸展121、第二微柱直径122和至少一种具有与第一微柱材料不同的第二热电动势的第二微柱材料120。第二微柱材料是元素钼。微柱在微柱纵向伸展方面基本上相互平行地布置。微柱直径大约是0. 3 μ m，微柱纵向伸展是120 μ m。由此每个微柱的纵横比大约是400。在相邻的微柱之间存在微柱间隙14。所述微柱间隙具有相邻微柱之间的、处于大约0.3μπι范围的微柱距离141。在一种实施方式中，在微柱间隙中布置了保护气体。在对此可替换的实施方式中，
8微柱间隙被抽空。微柱间隙中的保护气体或真空作用为用于将微柱相互去热耦合的装置 142。微结构与微柱载体16连接，微柱载体16通过部分地去除模板材料201而来自于所使用的模板20(图3)。微柱载体的载体材料161是模板的模板材料。在替换的实施方式中，微结构留在在制造方法的过程中与模板连接的微柱载体上。模板材料被完全去除。此外，微结构留在载体上。为了制造三维微结构而执行以下方法步骤a)提供具有模板材料的模板，其中该模板具有基本上与热电换能器的微结构相反的、三维模板结构，该模板结构具有柱状的模板空腔，b)将微柱材料布置在柱状的空腔中，使得形成微柱，以及C)至少部分地去除模板材料(图3)。为了布置微柱材料而执行以下进一步的方法步骤d)将至少一种微柱材料的原材料引入到空腔中，以及e)将微柱材料的原材料转换为微柱材料。起点是硅晶片。该硅晶片用作模板。模板材料201是硅。借助PAECE工艺将模板空腔203引入到硅晶片中。模板空腔是以与待制造的微柱相应的空腔纵向伸展204和空腔直径205来引入的。模板空腔之间的距离也选择为相应于微柱的距离。模板结构202得以形成。接着用液态的微结构材料填充柱状的模板空腔。该过程示例性地在图4中示出 具有模板空腔的模板借助加热元件401被加热并且浸入具有液态金属403的容器402中。 通过改变外部压力，负责使液态金属侵入模板空腔中。接着将具有被填充的模板空腔的模板从所述容器中去除。模板冷却。因此其结果是在模板空腔中的金属凝固。形成由金属制成的微柱。液态金属用作微结构材料的原材料。该液态金属通过冷却而被转化为微结构材料(固态金属)。示例 1
在钝化和PAECE工艺之后产生热电偶的“冷接触” 151 (图5A和5B)。下面将第一微柱材料的液态原材料引入模板空腔的一部分中(步骤501)。第一微柱材料具有比第二微柱材料更高的熔化温度。第一微柱形成。在模板的另一侧上去除模板材料以及平面化之后(步骤502)，将第二微柱布置在剩余的模板空腔中(步骤503)。此外，产生热电偶的热接触152。此外还分别施加针对待检测的热辐射的吸收层 171 (步骤 504)。在接下来的步骤505中，将间隔元件500布置在微结构上。可选地还布置微结构载体16或终止层(步骤506)。然后在蚀刻步骤中去除模板的模板材料(步骤507)。用作模板的硅晶片的硅被去除。最后还施加对于待检测的热辐射来说可穿透的红外窗510。此外对由此产生的内空间520进行抽空。该内空间由微结构、间隔元件和红外窗形成边界。抽空的结果是微结构的微柱间隙被抽空。示例2
示例2的步骤601-606以及608 (图6A和6B)与示例1的相应步骤501-506以及508 相同。与示例1的区别是，在布置了第一微柱之后在步骤6021中施加框架503。通过框架覆盖还未被填充的模板空腔的一部分。这些模板空腔在该方法的进一步过程中是被留空的，也就是未被填充。另一个区别在步骤607中给出框架503的未被间隔元件覆盖的部分在硅蚀刻工艺中一起被去除。产生较大的、在进一步的过程中还要被抽空的内空间。微结构载体与电路载体19的连接或微结构的热电偶与作为ASIC集成在电路载体中的读取设备191的电接触形成了结束。这在图7A和7B中示出。微结构载体和电路载体借助倒装芯片技术相互连接。在这种情况下，所述接触从热电换能器的背面开始进行。这不会导致对换能器的热敏元件的遮蔽。示例 3
与前面的示例相反，热电偶的第一和第二微柱不是并排地、而是上下叠置地布置成具有总体微柱纵向伸展131的总体微柱13 (图9)。总体微柱直径相应于第一和第二微柱的微柱直径。热电换能器具有多个这种总体微柱。
权利要求
1.一种用于利用至少一个热元件来相互转换热能和电能的热电换能器(1)，该热电换能器具有至少一个自承载的三维微结构(10)，所述至少一个微结构包括-至少一个第一微柱(11)，所述至少一个第一微柱具有第一微柱纵向伸展(111)、第一微柱直径(112)和至少一种具有第一热电动势的第一微柱材料(110)，和-至少一个第二微柱(12)，所述至少一个第二微柱具有第二微柱纵向伸展(121)、第二微柱直径(122)和至少一种具有与第一微柱材料相比不同的第二热电动势的第二微柱材料 (120)， 其中-这些微柱在纵向伸展(111，121)方面基本上相互平行地布置， -微柱直径(112，122)从0. Iym至200 ym的范围中选择， -这些微柱(11，12)分别具有处于20至1000的范围中的纵横比，以及 -这些微柱作为热电偶(15)相互耦合以构造热电压。
2.根据权利要求1的热电换能器，其中第一微柱材料和/或第二微柱材料从铋、锑、碲和铅以及它们的化合物构成的组中选择。
3.根据权利要求1或2的热电换能器，其中从0.3 μ m至200 μ m的范围中选择微柱直径。
4.根据权利要求1至3之一的热电换能器，其中微柱相互上下叠置地被布置为具有总体纵向伸展(131)的总体微柱(13)。
5.根据权利要求1至4之一的热电换能器，其中至少一个微柱的微柱纵向伸展或者总体微柱的总体微柱纵向伸展是从50 μ m至IOmm的范围中选择的，并且尤其是从100 μ m至 Imm的范围中选择的。
6.根据权利要求1至5之一的热电换能器，其中微柱被并排布置，使得在这些微柱之间产生微柱间隙(14)，其中微柱间隙(14)具有在这些微柱之间的从0. 3 μ m至100 μ m的范围中选择的微柱距离(141)。
7.根据权利要求1至6之一的热电换能器，其中在处于相邻微柱之间的微柱间隙中布置有至少一个用于将微柱相互去热耦合的装置(142)。
8.根据权利要求7的热电换能器，其中用于去热耦合的装置是具有小于IO-2Hibar的气压的真空。
9.根据权利要求1至8之一的热电换能器，其中所述微结构具有至少一个用于将热能耦合输入到热电偶中和/或用于将热能从热电偶耦合输出的热耦合设备(17)。
10.根据权利要求9的热电换能器，其中所述热耦合设备具有用于以热吸收辐射(18) 形式吸收热能和/或用于以热发射辐射的形式发射热能的热功能层(171)。
11.根据权利要求1至10之一的热电换能器，其中所述微结构布置在微结构载体(16)上。
12.根据权利要求1至11之一的热电换能器，其中具有用于读取热电偶的热电压的读取设备(191)，和/或用于利用热控制电压控制热电偶的控制设备。
13.根据权利要求12的热电换能器，其中所述读取设备和/或所述控制设备集成在微结构的微结构载体中。
14.根据权利要求12或13的热电换能器，其中所述读取设备和/或所述控制设备集成在与微结构载体不同的电路载体(19)中。
15.根据权利要求14的热电换能器，其中所述微结构载体和电路载体通过倒装芯片技术相互连接。
16.根据权利要求1至15之一的热电换能器，其中所述微结构具有多个热电偶并且多个热电偶串联地相互耦合，使得热电偶的热电压之和基本上产生多个热电偶的总体热电压。
17.一种用于制造根据权利要求1至16之一的热电换能器的方法，具有以下方法步骤a)提供具有模板材料(201)的模板(20)，其中模板具有基本上与热电换能器的微结构相反的三维模板结构(202)，所述模板结构具有柱状的模板空腔(203)，b)将微柱材料布置在柱状空腔中，使得形成微柱，以及c)至少部分地去除模板材料。
18.根据权利要求17的方法，其中为了布置微柱材料执行下面的进一步方法步骤d)将至少一种微结构材料的原材料引入到空腔中，以及e)将微结构材料的原材料转换为微结构材料。
19.根据权利要求17或18的方法，其中使用具有硅作为模板材料的模板。
20.根据权利要求17至19之一的方法，其中使用具有微结构载体的模板，所述微结构载体具有用于微结构的载体材料。
21.根据权利要求1至16之一所述的热电换能器在热能和电能的相互转换方面的应用，其中通过热电偶中的热能产生热电压并由此转换为电能，或者通过电控制热电偶而将电能转换为热能。
22.根据权利要求21的应用，其中从热能中获得的电能被用于探测热能。
23.根据权利要求22的应用，其中以热吸收辐射(18)的形式使用热能。
全文摘要
本发明涉及一种用于利用至少一个热元件来相互转换热能和电能的热电换能器。所述换能器具有至少一个由具有不同微柱材料的微柱组成的三维微结构。微柱材料具有不同的塞贝克系数(热电动势)。相互平行布置的微柱的微柱直径从0.1μm至200μm的范围中选择。这些微柱分别具有处于20至1000的范围中的纵横比。此外，这些微柱作为热电偶相互耦合以构造热电压。为了制造所述微结构如下进行a)提供具有模板材料的模板，其中模板具有基本上与热电换能器的微结构相反的三维模板结构，所述模板结构包括柱状的模板空腔，b)将微柱材料布置在柱状空腔中，使得形成微柱，以及c)至少部分地去除模板材料。作为模板优选采用硅晶片。为了提供模板采用PAECE(光辅助电化学蚀刻)方法。利用本发明可以实现针对热辐射的高灵敏的检测器。
文档编号H01L27/16GK102576721SQ201080043511
公开日2012年7月11日 申请日期2010年9月20日 优先权日2009年9月29日
发明者H.黑德勒, J.扎普夫 申请人:西门子公司