专利名称：激光装置、光学拾取器以及光盘装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及使用半导体激光器的激光装置。此外，本发明涉及包括该激光装置的 光学拾取器和光盘装置。
背景技术：
作为光学信息记录介质，盘状光学信息记录介质(光盘)在现有技术中得到了广 泛使用。通常，已经使用了压缩盘(⑶)、数字通用盘(DVD)、蓝光盘 等。另一方面，支持光盘信息记录介质的光盘装置被配置为在光学信息记录介质中记 录各种内容(诸如音乐内容和视频内容)以及各种类型的信息(诸如用于计算机的各种数 据)。具体地，近年来，例如由于视频增加的分辨率和音乐增加的音质而增加了信息量。 此外，已经要求增加记录在一个光学信息记录介质中的内容的数量。因此，已经要求光学信 息记录介质容量的进一步增加。为此，已经提出光学信息记录介质被配置为通过使用响应于光引起2光子吸收反 应形成记录槽的材料在光学信息记录介质的厚度方向上三维地记录信息(例如，参见日本 未审查专利申请第2005-37658号)。通过该结构，可以增加光学信息记录介质的容量。同时，由于该2光子吸收反应是仅仅响应于具有较大光强度的光而发生的现象， 所以优选使用具有大强度发射光的光源。具有大强度发射光的光源的实例包括输出短脉冲的激光的短脉冲光源(诸如所 谓的皮秒激光器和飞秒激光器)，其以钛-蓝宝石激光器和YAG激光器为代表。然而，由于这些短脉冲光源可以通过设置在光发生器外部的光学部件的操作来输 出短脉冲，所以这些光源的尺寸通常较大，并且它们的价格也比较高。因此，在光盘装置上安装短脉冲光源是不实际的。
发明内容
半导体激光器是通常用于光盘装置的小型光发生器的实例。如果激光的脉冲可以直接从该半导体激光器输出，则无需设置在光发生器外部的 光学部件。因此，其可以大大减小短脉冲光源的尺寸。然而，为了使短脉冲的激光从半导体激光器中产生，在短时间内将极其高的电压 施加给半导体激光器。为此，通过宽带RF放大器等来放大驱动脉冲信号。通常，RF放大器的输出阻抗具有设置为50Ω的特征阻抗，其输出经受AC耦接。另一方面，半导体激光器具有在OFF状态较高而在ON状态下较低的特征阻抗。因 此，在脉冲施加时，阻抗急剧变化。为此，在驱动脉冲波形的平均值中发生偏移。如果以这种方式在驱动脉冲波形的平均值中发生偏移，则施加给半导体激光器的脉冲的峰值电压减小，达不到用于从半导体激光器中生成激光的阈值电压，抑制了半导体 激光器生成短脉冲的激光。期望提供一种激光装置，其允许通过控制驱动脉冲的直流分量从半导体激光器中 生成短脉冲的激光。还期望提供包括该激光装置的光学拾取器和光盘装置。本发明实施方式的激光装置包括半导体激光器；信号发生电路，生成用于驱动 半导体激光器的脉冲信号；以及放大电路，放大脉冲信号。更进一步，激光装置包括控制 电路，设置在放大电路和半导体激光器之间，并且通过使脉冲信号的交流分量通过而去除 脉冲信号的直流分量的至少一部分来控制脉冲信号。本发明另一实施方式的光学拾取器利用激光辐射光学记录介质，以在光学记录介 质上记录信息或者再生记录在光学记录介质上的信息。光学拾取器包括半导体激光器； 信号发生电路，生成用于驱动半导体激光器的脉冲信号；以及放大电路，放大脉冲信号。更 进一步，光学拾取器包括控制电路，设置在放大电路和半导体激光器之间，并且通过使脉 冲信号的交流分量通过而去除脉冲信号的直流分量的至少一部分来控制脉冲信号。即，光 学拾取器包括上述本发明实施方式的激光装置的结构。此外，光学拾取器包括物镜，聚集 来自半导体激光器的激光以辐射光学记录介质；以及光接收单元，接收来自光学记录介质 的反射光。本发明又一实施方式的光盘装置利用激光照射光盘，以在光盘上记录信息或者再 生记录在光盘上的信息。光盘装置包括上述本发明实施方式的激光装置的结构以及包括聚 集来自半导体激光器的激光以照射光学记录介质的物镜和接收来自光盘的反射光的光接 收单元的光学拾取器。此外，光盘装置包括光盘驱动单元，旋转光盘；光学拾取器驱动单 元，相对于光盘移动光学拾取器；以及信号处理单元，对来自光接收单元的光学输出信号执 行信号处理。根据上述本发明实施方式的激光装置的结构，该结构包括控制电路，设置在放大 电路和半导体激光器之间，并且通过使脉冲信号的交流分量通过而去除脉冲信号的直流分 量的至少一部分来控制脉冲信号。这样，部分或所有直流分量被去除的脉冲信号被提供给 半导体激光器。因此，由于从提供给半导体激光器的信号中减少或去除了 DC偏移，可以使 信号成为用于允许半导体激光器的脉冲光发射的合适的脉冲信号。因此，可以使半导体激 光器发射具有短脉冲的光。根据上述本发明另一实施方式的光学拾取器的结构，由于该结构包括上述本发明 实施方式的激光装置的结构，所以可以使半导体激光器发出具有短脉冲的光，并且可以用 短脉冲的激光来照射光学记录介质。根据上述本发明又一实施方式的光盘装置的结构，由于该结构包括具有根据上述 本发明实施方式的激光装置的结构的光学拾取器，所以可以使半导体激光器发出具有短脉 冲的光，并且可以用短脉冲的激光来照射光学记录介质。根据上述本发明的实施方式，可以使半导体激光器发出具有短脉冲的光。因此，由 于脉宽短，所以即使在增加放大电路中的放大率以增加半导体激光器的发射光的强度时， 也可以防止半导体激光器的劣化。这样，通过使用半导体激光器，可以配置发射光强度高的 小型光源。此外，根据本发明另一实施的光学拾取器的结构以及根据本发明又一实施方式的
4光盘装置的结构，可以用短脉冲的激光辐射诸如光盘的光学记录介质。此外，通过半导体激 光器，可以配置发射光强度高的小型光源。这样，可以增加诸如光盘的光学记录介质的容量，使得光学记录介质被配置为在 厚度方向上三维地记录信息。
图1是本发明实施方式的光学拾取器的示意性结构图(框图)；图2是本发明另一实施方式的光学拾取器的示意性结构图(框图)；图3是本发明另一实施方式的变形实例的光学拾取器的示意性结构图(框图)；图4是本发明又一实施方式的激光装置的示意性结构图(框图)；图5是其特性被测量的激光装置的示意性结构图(框图)；图6是示出图5的半导体激光器的发光波形的实例的曲线图；图7是当半导体激光器处于ON状态时的等效电路的实例的示图；图8A和图8B是示出用于在插入控制电路单元的结构与没有设置控制电路单元的 结构之间进行比较的观测监控信号的曲线图；以及图9是示出用于在插入控制电路单元的结构与没有设置控制电路单元的结构之 间进行比较的观测监控信号的曲线图，其中，图5的半导体激光器被图7的等效电路替代。
具体实施例方式以下描述本发明的优选实施方式(以下称为实施方式)。这里，根据以下顺序给出描述。1.实施方式2.另一实施方式3.变形实例4.又一实施方式5.特性的测量1.实施方式在图1中示出了本发明实施方式的光学拾取器的示意性结构图(框图)。该光学拾取器10包括信号发生电路11、RF放大器12、半导体激光器13、准直透镜 14、光束分离器15、物镜16、17A和17B以及第一和第二光电检测器18A和18B。此外，该光学拾取器10利用激光照射光盘20，以在光盘20上记录信息或者再生记 录在光盘20上的信息。信号发生电路11生成用于驱动半导体激光器13的短脉冲信号Si，以使得从半导 体激光器13发出激光。优选地，假设该短脉冲信号Sl是具有几纳秒(例如，1纳秒)的脉冲宽度并具有 10至200MHz的重复频率的脉冲信号。RF放大器12放大在信号发生电路11中生成的短脉冲信号Sl的幅度。例如，使放 大率为40V 50V的程度以及30dB的程度。作为该RF放大器12，例如，可以使用由R&K有限公司制造的ALM00110。
这里，对于具有负载的阻抗匹配，RF放大器12的终端的特征阻抗通常被设计为 50 Ω。作为半导体激光器13，使用发射具有预定波长带的激光的半导体激光器，以支持 (光学拾取器10对其执行记录和再生的)光盘20的类型。准直透镜14使从半导体激光器13发射的激光变为平行光。光束分离器15将来自半导体激光器13的激光分为朝向光盘20的光和朝向第一 光电检测器18Α的光。物镜16聚焦来自半导体激光器13的激光用来照射到光盘20上。物镜17Α和第一光电检测器18Α是用于监控从半导体激光器13发射的光的部件。物镜17Β和第二光电检测器18Β是用于检测在光盘20上反射的反射光的部件。作为第一光电检测器18Α和第二光电检测器18Β的每一个，可以使用包括形成有 半导体层的光电二极管的光接收元件。此外，该光学拾取器10包括设置在RF放大器12和半导体激光器13之间以控制 脉冲信号的控制电路单元21。该控制电路单元21具有与RF放大器12和半导体激光器13串联连接的电容器C 以及线圈L，其中线圈L的一端连接至电容器C的半导体激光器13侧。线圈L的另一端经 由电阻器R连接至地电位GND。因此，线圈L的另一端具有对应于电阻器R的电阻值的电 位。在该控制电路单元21中，通过与电容器C和线圈L连接的电路的操作，脉冲信号 的交流分量通过，而脉冲信号的直流分量的至少一部分(部分或全部)被去除。这样，通过控制电路单元21改变被RF放大器12放大的短脉冲信号Sl的直流分 量。因此，可以减少或去除提供给半导体激光器13的激光器驱动信号S2中的DC偏移。当控制电路单元21被配置使得去除了脉冲信号的所有直流分量时，可以去除激 光器驱动信号S2中的DC偏移，以将激光器驱动信号S2的平均值控制为0。此外，通过控制电路单元21的电容器C的容量和线圈L的电感的值，可以改变脉 冲信号的交流分量的去除程度。例如，图1所示的光学拾取器10如下所述进行操作。通过信号发生电路11，例如生成短脉冲信号Si，诸如具有几纳秒(例如，1纳秒) 的脉冲宽度以及具有10至200MHz的重复频率的脉冲信号。在信号发生电路11中生成的短脉冲信号Sl被RF放大器12放大，以具有达到短 脉冲引起来自半导体激光器13的光发射的这种程度的幅度。被RF放大器12放大的脉冲信号Sl的部分或所有直流分量被控制电路单元21去 除，从而使得DC偏移被减少或去除。这样，DC偏移被减少或去除的激光器驱动信号S2被 提供给半导体激光器13。随着激光器驱动信号S2中的DC偏移被减少或去除，从半导体激 光器13中发射大约10皮秒的短脉冲光。从半导体激光器13中输出的短脉冲光穿过准直透镜14而变为平行光，并且通过 光束分离器15部分分支出用于监控的光，以使得剩余的光朝向光盘20前进。穿过光束分 离器15的光被物镜17A聚集并被第一光电检测器18A接收用于监控。在光束分离器15上 反射的光被物镜16聚集用于光盘20的照射。
在光盘20上反射的反射光穿过光束分离器15，被物镜17B聚集并被第二光电检测 器18B接收。根据上述实施方式的光学拾取器10的结构，由电容器C和线圈L形成的控制电路 单元21被设置在放大在信号发生电路11中生成的短脉冲信号Sl的RF放大器12与半导 体激光器13之间。以电容器C与RF放大器12和半导体激光器13串联连接而线圈L连接 至电容器C的一端以及与地电位连接的电阻器R的方式来配置控制电路单元21。这样，通过控制电路单元21，可以使短脉冲信号Sl的交流分量通过，而可以去除 其直流分量的部分或所有。因此，可以减少或去除提供给半导体激光器13的激光器驱动信 号S2中的DC偏移。因此，激光器驱动信号S2可以为用于允许半导体激光器13的短脉冲光发射的合 适的脉冲信号。可以使半导体激光器13执行短脉冲光发射。因此，由于脉宽短，所以即使在增加 RF放大器12中的放大率以增加半导体激光器13的发射光的强度时，也可以防止半导体激 光器13的劣化。这样，通过使用半导体激光器13，可以配置发射光强度高的小型光源。此外，由于可以以这种方式配置发射光强度高的小型光源，所以如上所述，可以增 加光盘20的容量，使得光盘20被配置为在厚度方向上三维地记录信息。2.另一实施方式在图2中示出了本发明另一实施方式的光学拾取器的示意性结构图(框图)。光学拾取器30设置在RF放大器12和半导体激光器13之间的偏压三线开关(bias tee) 22，作为控制脉冲信号的控制电路单元。偏压三线开关22被配置为包括与第一个描述的实施方式的控制电路单元21相同 的电容器、线圈等，可以使脉冲信号的交流分量通过，并且可以去除脉冲信号的直流分量的 至少一部分(部分或所有)。作为偏压三线开关22，可以使用商业上可用的偏压三线开关。此外，使用具有满足 用于该光学拾取器30的控制电路单元的条件的规格的偏压三线开关。由于其他结构与第一个描述的实施方式的光学拾取器10的相似，所以提供了相 同的参考标号和符号，并且省略了多余的描述。根据上述另一实施方式的光学拾取器30的结构，在放大在信号发生电路11中生 成的短脉冲信号Sl的RF放大器21和半导体激光器13之间设置作为控制电路单元的偏压 三线开关22。这样，通过控制电路单元，可以使短脉冲信号Sl的交流分量通过，并且可以去除 其直流分量的部分或所有。因此，可以减少或去除提供给半导体激光器13的激光器驱动信 号S2中的DC偏移。因此，激光器驱动信号S2可以为允许半导体激光器13的短脉冲光发射的合适的 脉冲信号。可以使半导体激光器13执行短脉冲光发射。因此，由于脉宽短，所以即使在增加 RF放大器12中的放大率以增加半导体激光器13的发射光的强度时，也可以防止半导体激 光器13的劣化。这样，通过使用半导体激光器13，可以配置发射光强度高的小型光源。此外，由于可以以这种方式配置发射光强度高的小型光源，所以如上所述，可以增
7加光盘20的容量，使得光盘20被配置为在厚度方向上三维地记录信息。3.变形实例在图2所示的另一实施方式中，去除DC偏移的控制电路单元(偏压三线开关22) 经由电阻器R连接至地电位GND。另一方面，作为变形实例，在图3中示出了光学拾取器的示意性结构图(框图)。在图3所示的光学拾取器31中，代替图2所示另一实施方式的光学拾取器30的 结构(其中，控制电路单元(偏压三线开关22)连接至地电位GND)，控制电路单元耦接至作 为直流电源单元的DC电源23。通过该结构，利用DC电源23，可以从外部向控制电路单元(偏压三线开关22)施 加直流偏压。此外，通过将控制电路单元耦接至DC电源23，可以根据从DC电源23施加的电压 来设置由控制电路单元所控制的激光器驱动信号S2的平均值的水平。例如，当假设DC电源23为可变电源时，还可以以任意值来控制激光器驱动信号S2 的平均值的水平。这样，可以进一步增加将被提供给半导体激光器13的激光器驱动信号S2的峰值 电压。因此，即使在激光器驱动信号S2的幅度减小时，也可以使半导体激光器13发光。然而，当激光器驱动信号S2的平均值的水平超过发生正常发光的水平时，半导体 激光器13通常发光，而半导体激光器13的发光效率降低。为了解决该问题，控制激光器驱 动信号S2的平均值的水平以不超过半导体激光器13发光的水平。图3示出了另一实施方式的DC电源连接至控制电路单元(偏压三线开关22)的结构。类似地，该结构可以为使得DC电源连接至第一个描述的实施方式的控制电路单 元(电容器C和线圈L)。在上述每一个实施方式中，结构均为使得利用来自半导体激光器的激光照射光盘。在本发明的实施方式中，利用激光照射的光学记录介质不限于盘状光盘，而是可 以为另一种形状的光学记录介质，诸如卡状光学记录介质，只要该光学记录介质利用光记 录和再生信息即可。在上述每一个实施方式中，来自光盘20的反射光都被光电检测器接收。在本发明 的实施方式中，接收来自诸如光盘的光学记录介质的反射光的光接收单元不限于光电检测 器，而是可以将另一种结构的光接收元件用作光接收单元。此外，在本发明的实施方式中，放大脉冲信号的放大电路不限于上述每个实施方 式的RF放大器12，而是可以使用另一种结构的放大电路。通过使用上述每个实施方式和变形实例的光学拾取器10、30和31，可以配置向/ 从光盘20记录/再生信息的光盘装置。光盘装置的具体实例包括各种电子产品(诸如个人计算机、录像带记录器或摄像 机)中的集成光盘驱动器和独立的光盘驱动器。除光学拾取器之外，光盘装置被配置为包括光盘驱动单元，旋转光盘；光学拾取 器驱动单元，相对于光盘移动光学拾取器；信号处理单元，对来自光电检测器等的光学输出信号执行信号处理以及其他。光盘驱动单元的实例为主轴电机。光学拾取器驱动单元的实例为线程电机 (thread motor)。4.又一实施方式在图4中示出了本发明又一实施方式的激光装置的示意性结构图(框图)。图4所示的激光装置适合应用于激光治疗装置或激光处理装置。该激光装置40利用激光照射治疗或处理对象41，其中，该激光从半导体激光器13 发射并通过准直透镜14变为平行光。在该激光装置40中，由于不产生来自对象的反射光，所以仅设置了监控物镜17和 光电检测器18。其他结构类似于第一描述的实施方式的光学拾取器10。根据上述又一实施方式的激光装置40的结构，在放大在信号发生电路11中生成 的短脉冲信号Sl的RF放大器12和半导体激光器13之间设置具有类似于第一描述的实施 方式的光学拾取器10的结构的控制电路单元21。这样，通过控制电路单元21，可以使短脉冲信号Sl的交流分量通过，并且可以去 除其直流分量的部分或所有。因此，可以减少或去除提供给半导体激光器13的激光器驱动 信号S2中的DC偏移。因此，通过被设为合适的脉冲信号的激光器驱动信号S2，可以使得半导体激光器 13执行短脉冲光发射。可以使半导体激光器13执行短脉冲光发射。因此，由于脉宽短，所以即使在增加 RF放大器12的放大率以增加半导体激光器13的发射光的强度时，也可以防止半导体激光 器13的劣化。此外，由于脉宽短，所以只有治疗或处理对象41的一部分被激光照射，并且其周 围可以被加热。因此，可以以对治疗或处理对象41以很小的损伤执行治疗或处理。这里，还可以向图4所示的激光装置40的结构应用如图2或图3所示的由偏压三 线开关22实现的控制电路单元或者提供从DC电源外部提供给控制电路单元的直流电压。5.特性的测量接下来描述通过制造本发明实施方式的结构的激光装置并研究激光器驱动信号 的状态和从半导体激光器发射的光的状态所获得的结果。在图5中示出了所制造激光装置的示意性结构图(框图)。在图5所示的激光装置中，与图1的光学拾取器10相比结构的不同之处如下。在准直透镜14的后级设置物镜43和光电检测器44。此外，在控制电路单元21和 半导体激光器13之间设置拦截三线开关(pickoff tee) 42，并且将示波器45设置为连接至 在该拦截三线开关42分支的线。拦截三线开关42提取一部分激光器驱动信号S2 (-20dB的输出)，并将所提取的信 号作为监控信号S4。通过光电检测器44，接收并检测光，并且该光被转换为用于作为光学输出信号S3 输出的电信号。此外，示波器45被提供有由光电检测器44所检测的输出信号S3、由截取三线开关42所提取的监控信号S4以及来自信号发生电路11的标记信号S5。标记信号S5与短脉冲 信号Sl同步，并且被用作示波器45中波形观测时的触发信号。这里，在图5的激光装置中，研究了半导体激光器13的发光波形。在图6中示出 了所获得的发光波形的实例。在图6中，纵轴表示光学输出(W)，横轴表示时间(ns:纳秒)。从图6中可以看出，半导体激光器13发射具有等于或小于0. 02ns的极短脉宽的 短脉冲的光。此外，通过使用无源元件(S卩，电阻器和电容器)，可以将半导体激光器处于ON状 态时的等效电路表示为如图7所示。在图7中，通过实例的方式，示出了在使用由Sony公司制造的蓝紫色激光二极管 (SLD-3233)时电阻和电容的数值。如图7所示，电阻值为15 Ω的第一电阻器Rl和电容为15pF的第一电容器Cl彼 此并联。电阻值为3. 3 Ω的第二电阻器R2与这些部件串联连接。此外，电容为IpF的第二 电容器C2与这些部件并联连接。这里，当半导体激光器处于OFF状态时，第一电阻器Rl的电阻值增加到几kQ，从 而整个半导体激光器的阻抗也相应增加。S卩，半导体激光器的阻抗根据半导体激光器处于ON状态或OFF状态而改变。对于图5所示的激光装置，利用示波器45观测监控信号S4。此外，为了比较，还在图5所示激光装置的RF放大器12和半导体激光器13直接 彼此连接而没有设置控制电路单元21时，类似地利用示波器45观测了监控信号S4。在任一结构中，短脉冲信号Sl都被设置为具有200MHz的重复频率和0. 5ns的脉 宽。此外，观测了在生成使半导体激光器13不发光的小幅度短脉冲信号Sl时以及在生成 使半导体激光器13发光的大幅度短脉冲信号Sl时监控信号S4。作为观测结果，为了比较，在图8A和图8B中示出了其中插入控制电路单元(偏移 去除电路)21的结构中的观测的监控信号S4以及在其中RF放大器12和半导体激光器13 彼此直接连接而没有控制电路单元21的结构中的观测的监控信号S4。图8A示出了短脉冲 信号Sl的幅度小的情况，以及图8B示出了短脉冲信号Sl的幅度大的情况。这里，在图8A和图8B中，纵轴表示被转换为激光器驱动信号S2的电压的观测监 控信号S4。此外，监控信号S4不仅包括激光器驱动信号S2，而且还包括在半导体激光器13 上反射的脉冲，并且激光器驱动信号S2对应于2. 5ns和7. 5ns附近的峰值。参照图8A，当短脉冲信号Sl的幅度较小且半导体激光器13处于不发射短脉冲光 的状态时，在两个结构的激光器驱动信号S2的平均值中均没有发生偏移。参照图8B，当短脉冲信号Sl的幅度增加时，在其中插入有控制电路单元(偏移去 除电路)21的结构中，在激光器驱动信号S2的平均值中没有发生偏移，因此，半导体激光器 13发射短脉冲光。相反，在其中RF放大器12和半导体激光器13彼此直接连接的结构中，在激光器 驱动信号S2的平均值中发生偏移到达负电压侧，并且峰值电压减小到大约5V，因此，半导 体激光器13不发射短脉冲光。更糟糕的是，由于施加给半导体激光器的逆电压(counter voltage)增加，从而可能劣化半导体激光器。另一方面，利用由图7所示半导体激光器的等效电路所替换的图5所示半导体激
10光器13可以类似地观测监控信号。在图9中示出了以类似于图8A和图8B的方式所观测的监控信号。参照图9，作为上述无脉冲发光的状态(参照图8A)，在其中插入有控制电路单元 (偏移去除电路)21的结构和在其中没有插入控制电路单元21的结构中，在激光器驱动信 号S2的平均值中均没有发生偏移。根据上述结果，可以发现，由于阻抗在半导体激光器的短脉冲发光时急剧改变，所 以在激光器驱动信号的平均值中发生偏移。这里，在本发明实施方式的激光装置中，当在半导体激光器上反射的脉冲造成如 图8A、图8B和图9所示的问题时，在信号发生电路和半导体激光器之间的适当位置设置衰 减器。通过设置衰减器，短脉冲信号也被衰减器所衰减。考虑到衰减，增加由信号发生电路 所生成的脉冲信号的幅度，或者增加诸如RF放大器的放大电路的放大因子。本申请包含于2010年2月10日向日本专利局提交的日本优先专利申请JP 2010-027362的主题，其全部内容结合于此作为参考。本领域的技术人员应该理解，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组 合、再组合和改变，它们均在所附权利要求或其等同替换的范围之内。
权利要求
1.一种激光装置，包括 半导体激光器；信号发生电路，生成用于驱动所述半导体激光器的脉冲信号； 放大电路，放大所述脉冲信号；以及控制电路单元，设置在所述放大电路和所述半导体激光器之间，并通过使所述脉冲信 号的交流分量通过而去除所述脉冲信号的直流分量的至少一部分来控制所述脉冲信号。
2.根据权利要求1所述的激光装置，其中，所述控制电路单元包括与所述放大电路和 所述半导体激光器串联连接的电容器以及连接至所述电容器的一端的线圈。
3.根据权利要求1所述的激光装置，还包括直流电源单元，从所述控制电路单元的外 部向所述控制电路单元施加直流电压。
4.根据权利要求1所述的激光装置，其中，在所述控制电路单元中，去除所述脉冲信号 的所有直流分量，将所述脉冲信号的平均值控制为0。
5.一种光学拾取器，利用激光照射光学记录介质，以在所述光学记录介质上记录信息 或者再生记录在所述光学记录介质上的信息，所述光学拾取器包括半导体激光器；信号发生电路，生成用于驱动所述半导体激光器的脉冲信号； 放大电路，放大所述脉冲信号；控制电路单元，设置在所述放大电路和所述半导体激光器之间，通过使所述脉冲信号 的交流分量通过而去除所述脉冲信号的直流分量的至少一部分来控制所述脉冲信号； 物镜，聚集来自所述半导体激光器的激光以照射所述光学记录介质；以及 光接收单元，接收来自所述光学记录介质的反射光。
6.根据权利要求5所述的光学拾取器，其中，所述光学记录介质为光盘。
7.—种光盘装置，利用激光照射光盘，以在所述光盘上记录信息或者再生记录在所述 光盘上的信息，所述光盘装置包括光学拾取器，所述光学拾取器包括半导体激光器；信号发生电路，生成用于驱动所述 半导体激光器的脉冲信号；放大电路，放大所述脉冲信号；控制电路单元，设置在所述放大 电路和所述半导体激光器之间，通过使所述脉冲信号的交流分量通过而去除所述脉冲信号 的直流分量的至少一部分来控制所述脉冲信号；物镜，聚集来自所述半导体激光器的激光 以照射所述光学记录介质；以及光接收单元，接收来自所述光盘的反射光； 光盘驱动单元，旋转所述光盘；光学拾取器驱动单元，相对于所述光盘移动所述光学拾取器；以及 信号处理单元，对来自所述光接收单元的光学输出信号执行信号处理。
全文摘要
本发明涉及激光装置、光学拾取器以及光盘装置。一种激光装置，包括半导体激光器；信号发生电路，生成用于驱动半导体激光器的脉冲信号；放大电路，放大脉冲信号；以及控制电路单元，设置在所述放大电路和所述半导体激光器之间，并通过使所述脉冲信号的交流分量通过而去除所述脉冲信号的直流分量的至少一部分来控制所述脉冲信号。
文档编号H01S5/042GK102148474SQ201110034199
公开日2011年8月10日 申请日期2011年1月31日 优先权日2010年2月10日
发明者丸山务, 藤田五郎 申请人:索尼公司