用于有机发光二极管的表面浮雕输出耦合器的软刻蚀模塑的制作方法

专利名称：用于有机发光二极管的表面浮雕输出耦合器的软刻蚀模塑的制作方法
用于有机发光二极管的表面浮雕输出耦合器的软刻蚀模塑本申请是申请号为200780003977. 7申请的分案申请。
背景技术：
1.发明领域本发明一般涉及有机发光二极管，更具体地涉及电磷光有机发光二极管。2.相关技术的说明有机发光二极管(OLED)是使用有机化合物作为发射层的薄膜发光二极管。

图1 从概念上阐明常规的OLED 100，其包括夹在阳极110和阴极115之间的发射层105。通常用透明材料例如氧化铟锡(ITO)在玻璃基片117上形成阳极110。通过阳极110可以向发射层105提供空穴120。阴极115通常由金属(例如铝或钙)形成并且用于向发射层105 提供电子125。在一些实施方案中，阴极115也可以是透明的。发射层105中的空穴120和电子125可以结合形成激子130。当空穴120和电子125结合时激子130衰减并且将激子 130中储存的能量以热和/或光形式释放。一部分在激子130衰减时释放出的光发射通过阳极110和玻璃基片117，如箭头 135所示。然而，一些在激子130衰减时释放出的光(由箭头140显示)与玻璃基片117和空气之间的界面145以相对于该界面145法线155的角度150相交，该角度150大于全内反射的临界角。结果，光140反射回OLED 100中。常规的平面OLED 100中产生的80%以上的光可能对内反射和波导无动于衷。由激子130释放的光也可能在其它界面上全内反射， 例如发射层105和阳极110之间的界面和/或阳极110与玻璃基片117之间的界面。然而， 折射率的差别通常在界面145上最大，因此界面145上的全内反射通常是OLED 100外量子效率降低的最大贡献者。一种用于提高OLED 100的外量子效率的公知技术是在界面145上或靠近界面145 形成散射(或浮雕)结构。众多集成光学器件和光电子器件包括形体尺寸与发光层105所发射的光的波长相当的浮雕结构。浮雕结构可以用作模式和/或输出耦合器、滤波器、激光共振器和其它组件。所述浮雕结构的制造通常用来源于微电子工业的改进形式的技术-光刻和电子束刻蚀-来完成。将类似的元件集成至OLED 100中可以通过在由不同的器件层限定的平面波导管之外耦合光子来提高它们的外量子效率。然而，这些传统的光电子制造技术不适于用在0LED100中，至少部分是因为这些技术的操作复杂性、高成本和/或不能图案化大的面积。此外，仅仅有限范围的OLED材料在化学上与这些方法所用的抗蚀剂、溶剂和显影剂相容。发明概述本发明涉及解决上述一个或多个问题的影响。下面提出本发明的简化概述以便提供对本发明一些方面的基本了解。该概述不是本发明的详尽综述。并非意图确定本发明的关键或重要的要素或者描绘本发明的范围。其唯一的目的在于作为后面论述的更详细说明的前奏以简化形式提出一些概念。在本发明的一个实施方案中，提供一种用于有机发光二极管中的表面浮雕输出耦合器的装置。所述装置包括有机发光二极管和包含弹性体的图案。所述图案的一部分与有机发光二极管的至少一个表面相邻。在本发明的一个实施方案中，提供一种用于有机发光二极管中的表面浮雕输出耦合的方法。所述方法包括在弹性体的表面中形成图案并且将至少一部分图案层叠至有机发光二极管的表面上。附图简述参照连同附图一起的以下说明可以理解本发明，在附图中相同的标记数字表示相同的元件，并且其中图1从概念上阐明包括夹在阳极与阴极之间的发射层的常规有机发光二极管 (OLED)；图2从概念上阐明根据本发明的软刻蚀模塑(soft lithographicmolding)技术的一个示例性实施方案；图3A-B从概念上阐明根据本发明用于将浮雕结构层叠至OLED表面上的技术的一个示例性实施方案；图4从概念上阐明根据本发明的OLED的第一示例性实施方案；和图5从概念上阐明根据本发明的OLED的第二示例性实施方案。虽然本发明易于受不同的变型和可供替代的形式影响，但是在图中通过举例已经显示出其特定的实施方案并且在本文中进行详细描述。然而，应当理解，特定实施方案在本文中的描述并非意图使本发明限于所公开的特定形式，相反，意图在于覆盖落在如所附权利要求书限定的本发明精神和范围内的所有变型、等价物和替代方案。特定实施方案的详述下面描述本发明的示例性实施方案。为了清楚起见，并非实际执行的所有特征都在本说明书中进行描述。当然，将会理解，在任何这种实际实施方案的开发中，应当做出许多特定于执行的决定以实现开发者的特定目标，例如服从与系统有关的和与商业有关的约束，这些约束在各种执行中将会各不相同。此外，将会理解，这种开发工作可能复杂和耗时， 但是尽管如此，它是受益于本公开的本领域普通技术人员能例行承担的。现在将参照附图描述本发明。仅为了说明而在图中示意性地描绘多种结构、体系和器件并且使得本发明在本领域技术人员公知的细节下不会含糊不清。尽管如此，为了描述和说明本发明的示例性实例而包括所述附图。本文使用的字和措词应当理解和解释成具有与相关领域技术人员对那些字和措词的理解一致的含义。本文中术语或措词的一致使用不会意图暗含术语或措词的特殊定义，也就是与本领域技术人员所理解的普通和习惯含义不同的定义。就术语或措词意图具有特殊含义，也就是与技术人员所理解的不同的含义来说，这种特殊定义将会在说明书中以直接和明确地提供所述术语或措词的特殊定义的限定方式明白地进行阐述。图2从概念上阐明软刻蚀模塑技术的一个示例性实施方案。在所示的实施方案中，提供包括浮雕结构210的母模图案205。例如，母模图案205可包括在硅片215上用常规光刻技术由光致抗蚀剂的图案210形成的浮雕结构210。插图220显示浮雕结构210的一个实施方案，其中浮雕结构210包括多个凸起特征225。然而，本领域技术人员应当理解， 浮雕结构210可以由包括沟槽在内的任何类型的特征和以任何图案形成。可以铸塑可固化的含硅组合物然后对着母模结构205进行固化(交联)以形成弹性体模具230。在所示实施方案中，模具230的弹性体是含硅弹性体。本文使用的术语“弹性体”定义为固化(交联)或部分固化的聚合物材料，它在因外力而变形时能够恢复其初始尺寸。当固化的聚合物材料满足下列标准时认为所述固化的聚合物材料是弹性体。使处于固态下而且具有初始线尺寸D°的弹性体试样受力使得尺寸改变约10%。如果假设弹性体尺寸为值De的话，一旦不再施加该力在De ^ D°士0. OlD0时，认为该交联的聚合物材料是弹性体。本文使用的术语“含硅弹性体”是含有硅原子的弹性体。含硅弹性体的实例可以在美国专利6，805，809中找到，其全部内容通过参考引入本文。在一个实施方案中，通过将可固化的含硅组合物旋转铸塑至母模结构205上并且固化所述含硅组合物来形成包含弹性体的模具230。本文使用的术语“固化”是指液体或半固体组合物向交联产物的转化。例如，固化过程可以使可固化的含硅组合物转化成交联产物。受益于本公开的本领域技术人员应当理解，本发明不限于通过固化含硅组合物形成模具230。在可供替代的实施方案中，可以用可固化的或不可固化的树脂形成模具230。可固化的有机硅组合物的实例包括但不限于可氢化硅烷化固化的有机硅组合物、 可过氧化物固化的有机硅组合物、可缩合固化的有机硅组合物、可环氧固化的有机硅组合物、可紫外辐射固化的有机硅组合物、可高能辐射固化的有机硅组合物以及具有相同官能团的有机基-有机硅组合物。可固化的有机硅组合物包含具有可固化或可交联官能团的单体或聚合物。上述聚合物的实例包括但不限于聚硅氧烷(直链、支化、树脂等)、含硅氧烷重复单元和有机重复单元的链段的嵌段共聚物、和硅改性的聚合物。可固化的有机硅组合物及其制备方法在现有技术中是公知的。例如，合适的可氢化硅烷化固化的有机硅组合物通常包含(i)每分子含有平均至少两个与硅键合的链烯基的有机基聚硅氧烷，(ii)每分子含有平均至少两个与硅键合的氢原子的有机基氢硅氧烷， 其量足以固化所述组合物，和(iii)氢化硅烷化催化剂。氢化硅烷化催化剂可以是任何公知的氢化硅烷化催化剂，其包括钼族金属、含钼族金属的化合物、或微胶囊化的含钼族金属的催化剂。钼族金属包括钼、铑、钌、钯、锇和铱。基于钼在氢化硅烷化反应中的高活性，钼族金属优选是钼。可氢化硅烷化固化的有机硅组合物可以是单部分组合物或者是在两个或更多个部分中包含各组分的多部分组合物。可室温固化(RTV)的组合物通常包含两个部分，一个部分包含有机基聚硅氧烷和催化剂，而另一个部分包含有机基氢硅氧烷和任何任选的成分。在升高的温度下固化的可氢化硅烷化固化的有机硅组合物可以配制成单部分或多部分组合物。例如，液体硅橡胶(LSR)组合物通常配制成双部分体系。单部分组合物通常含有钼催化剂抑制剂以确保足够的储存期限。合适的可过氧化物固化的有机硅组合物通常包含(i)有机基聚硅氧烷和(ii)有机过氧化物。有机过氧化物的实例包括二芳酰基过氧化物，例如二苯甲酰过氧化物、二对氯苯甲酰过氧化物和二-2，4-二氯苯甲酰过氧化物；二烷基过氧化物，例如二叔丁基过氧化物和2，5-二甲基-2，5-二-(叔丁基过氧)己烷；二芳烷基过氧化物，例如二枯基过氧化物；烷基芳烷基过氧化物，例如叔丁基枯基过氧化物和1，4_双(叔丁基过氧异丙基)苯；以及烷基芳酰基过氧化物，例如过苯甲酸叔丁基酯、过乙酸叔丁基酯和过辛酸叔丁基酯。可缩合固化的有机硅组合物通常包含(i)每分子含有平均至少两个羟基的有机基聚硅氧烷和(ii)含有可水解的Si-O或Si-N键的三-或四官能的硅烷。硅烷的实例包括烷氧基硅烷，例如 CH3Si (0CH3) 3、CH3Si (0CH2CH3) 3、CH3Si (0CH2CH2CH3) 3、 CH3Si
3、 CH3CH2Si(0CH2CH3)3、 C6H5Si(0CH3)3、 C6H5CH2Si(0CH3)3、 C6H5Si (0CH2CH3) 3、CH2 = CHSi (0CH3) 3、CH2 = CHCH2Si (0CH3) 3、CF3CH2CH2Si (0CH3) 3、 CH3Si (0CH2CH20CH3) 3、CF3CH2CH2Si (0CH2CH20CH3) 3、CH2 = CHSi (0CH2CH20CH3) 3、CH2 = CHCH2Si (0CH2CH20CH3)3、C6H5Si(0CH2CH20CH3)3、Si(0CH3)4、Si (0C2H5)4 和 Si(0C3H7) 4 ； 有机基酰氧基硅烷，例如 CH3Si (0C0CH3) 3、CH3CH2Si (0C0CH3) 3、和 CH2 = CHSi (0C0CH3) 3 ； 有机基亚氨氧基硅烷，例如 CH3Si
3、Si
4 和 CH2 = CHSi
3 ；有机基乙酰氨基硅烷，例如 CH3Si [NHC ( = 0) CHj3 和 C6H5Si [NHC ( = 0) CH3] 3 ；氨基硅烷，例如 CH3Si [NH (S-C4H9) ] 3 和 CH3Si (NHC6H11) 3 ；以及有机基氨氧基硅烷。可缩合固化的有机硅组合物还可以含有缩合催化剂以引发和促进缩合反应。缩合催化剂的实例包括但不限于胺以及铅、锡、锌和铁与羧酸的复合物。辛酸锡(II)、月桂酸锡(II)和油酸锡(II)以及二丁基锡的盐特别有用。可缩合固化的有机硅组合物可以是单部分组合物或者是在两个或更多个部分中包含各组分的多部分组合物。例如，可室温固化 (RTV)的组合物可以配制成单部分或两部分组合物。在两部分组合物中，所述部分之一通常包含少量水。合适的可环氧固化的有机硅组合物通常包含(i)每分子含有平均至少两个环氧官能团的有机基聚硅氧烷和(ii)固化剂。环氧官能团的实例包括2-缩水甘油氧基乙基、 3-缩水甘油氧基丙基、4-缩水甘油氧基丁基、2-(3，4-环氧环己基)乙基、3-(3，4-环氧环己基)丙基、2，3-环氧丙基、3，4-环氧丁基和4，5-环氧戊基。固化剂的实例包括酸酐， 例如邻苯二甲酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、四氢邻苯二甲酸酐和十二碳烯基琥珀酸酐；多胺， 例如二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、二亚乙基丙基胺、N-(2-羟基乙基)二亚乙基三胺、N， N’-二(2-羟基乙基)二亚乙基三胺、间苯二胺、亚甲基二苯胺、氨基乙基哌嗪、4，4_ 二氨基二苯砜、苄基二甲基胺、双氰胺和2-甲基咪唑，和三乙胺；路易斯酸，例如三氟化硼单乙胺； 多元羧酸；聚硫醇；聚酰胺；和酰氨基胺。合适的可紫外辐射固化的有机硅组合物通常包含(i)含有辐射敏感的官能团的有机基聚硅氧烷和(ii)光引发剂。辐射敏感的官能团的实例包括丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、环氧、和链烯基醚基团。光引发剂的类型取决于有机基聚硅氧烷中的辐射敏感的基团的性质。光引发剂的实例包括二芳基碘鐺盐、锍盐、苯乙酮、二苯甲酮、和苯偶姻及其衍生物。合适的可高能辐射固化的有机硅组合物包含有机基聚硅氧烷聚合物。有机基聚硅氧烷聚合物的实例包括聚二甲基硅氧烷、聚(甲基乙烯基硅氧烷)和有机基氢聚硅氧烷。高能辐射的实例包括Y-射线和电子束。本发明的可固化的有机硅组合物可以包含附加成分。附加成分的实例包括但不限于粘合促进剂、溶剂、无机填料、光敏剂、抗氧化剂、稳定剂、颜料和表面活性剂。无机填料的实例包括但不限于天然二氧化硅，例如结晶二氧化硅、研磨过的结晶二氧化硅和硅藻土 ； 合成二氧化硅，例如熔凝硅石、硅胶、煅制二氧化硅和沉淀二氧化硅；硅酸盐，例如云母、硅灰石、长石和霞石正长岩；金属氧化物，例如氧化铝、二氧化钛、氧化镁、氧化铁、氧化铍、氧化铬和氧化锌；金属氮化物，例如氮化硼、氮化硅和氮化铝；金属碳化物，例如碳化硼、碳化钛和碳化硅；炭黑；碱土金属碳酸盐，例如碳酸钙；碱土金属硫酸盐，例如硫酸钙、硫酸镁和硫酸钡；二硫酸钼；硫酸锌；高岭土 ；滑石；玻璃纤维；玻璃珠，例如中空玻璃微球体和实心玻璃微球体；三水合铝；石棉；和金属粉末，例如铝、铜、镍、铁和银粉。根据具体的固化机理，所述有机硅组合物可以通过暴露于环境温度、升高的温度、 湿气或辐射下固化。例如，单部分可氢化硅烷化固化的有机硅组合物通常在升高的温度下固化。两部分可氢化硅烷化固化的有机硅组合物通常在室温或升高的温度下固化。单部分可缩合固化的有机硅组合物通常经由在室温下暴露于大气湿度来固化，但通过施加热和/ 或暴露于高湿度可以促进固化。两部分可缩合固化的有机硅组合物通常在室温下固化；然而，通过施加热可以促进固化。可过氧化物固化的有机硅组合物通常在升高的温度下固化。 可环氧固化的有机硅组合物通常在室温或升高的温度下固化。根据具体的配方，可辐射固化的有机硅组合物通常经由暴露于辐射例如紫外光、Y -射线或电子束下来固化。如图2所示，从母模205上取下包含固化和/或交联的含硅组合物(例如弹性体) 的模具230。在所示的实施方案中，含硅组合物在保持在母模205上的同时完全固化和/或交联。然而，本领域普通技术人员应当理解，本发明不限于在将含硅组合物保持在母模205 上的同时将它完全固化和/或交联。在可供选择的实施方案中，含硅组合物可以在母模205 上时进行部分固化和/或交联。然后可以从母模205上取下所述部分固化和/或交联的含硅组合物并且在从母模205上取下所述部分固化和/或交联的含硅组合物之后可以完成固化和/或交联。在从母模205上取下部分固化和/或交联的含硅组合物之后完成所述部分固化和/或交联的含硅组合物的固化和/或交联可以具有许多优点，其中包括但不限于提高完全固化和/或交联的含硅组合物的硬度。完成的模具230可以包含一个或多个对应于浮雕结构210的浮雕结构235。在一个实施方案中，浮雕结构235具有至少一个近似等于有机发光二极管发射的光的特征波长的特性尺寸。用于形成模具230的含硅弹性体可以使得在纳米分辨率下单步大面积图案化浮雕结构235。在一个实施方案中，可以形成面积达6ft2而且包括宽度、长度、高度和/或深度小至1纳米的浮雕结构235的模具230。然而，受益于本公开的本领域普通技术人员应当理解，模具230和/或浮雕结构235的这些具体尺寸是示例性的而且并非意图限制本发明。在可供选择的实施方案中，可以形成面积更小或更大和/或包括更小或更大的浮雕结构235的模具230。可以使包括浮雕结构235的完成的模具230的部分237与表面240例如OLED的表面接触，如同下面将要详细论述的那样。插图245显示可以布置在表面240上的浮雕结构250的一个实例。与依靠由脆性无机材料的图案化蚀刻所制成的硬质模具的传统压印技术不同，可以用柔软、坚固而且相对易于构造的弹性体成分形成上述模具230。模具230的机械弹性以及高的伸长率、高的物理韧性和低的杨氏模量可以减少或防止在复制过程中模具230和/ 或模具部件的损伤。此外，用于形成模具230的弹性体材料的非常低的表面自由能可以减少或消除对通常用于标准压印方法中的专门隔离层的需要。图3A-B从概念上阐明用于将浮雕结构300层叠至OLED 305表面上的技术的一种示例性实施方案。在所示的实施方案中，用诸如上述的软刻蚀模塑技术由弹性体形成浮雕结构300。例如，可以由含硅弹性体形成浮雕结构300。在所示的实施方案中，浮雕结构300 形成在柔性基片310上，其中所述柔性基片310也可以由弹性体形成。例如，在形成浮雕结构300的同时或不同时间，可以用上述的软刻蚀模塑技术形成柔性基片310。在可供选择的实施方案中，浮雕结构300和/或柔性基片310可以部分或完全透明。OLED 305包括夹在阳极320与阴极325之间的发射层315。用透明材料例如氧化铟锡(ITO)在玻璃基片330上形成阳极315。然而，本领域普通技术人员应当理解，本发明不限于OLED 305的这种具体结构。在可供选择的实施方案中，OLED 305可以包括在图3A-B 中未示出的其它层。例如，OLED 305可以包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层等。在可供选择的实施方案中，OLED 305、阳极320、阴极325和/或玻璃基片330可以部分或完全透明。如图3A所示，将浮雕结构300和/或柔性基片310引向OLED 305，以便浮雕结构 300的至少一个表面与OLED 305的至少一个表面接触，如图所示。在所示的实施方案中，浮雕结构300的表面与阴极325的表面接触。然而，本领域普通技术人员应当理解，本发明不限于使浮雕结构300与阴极325的表面接触。在可供选择的实施方案中，实际上结构300可以与任何表面或者与OLED 305有关的表面的结合接触。此外，本领域普通技术人员还应当理解，图3A-B中未示出的层可以包括在内和/或与浮雕结构300的表面或OLED 305的一个或多个表面接触。在一个实施方案中，浮雕结构300和OLED 305的一个或多个表面间的接触由于表面之间的范德华相互作用而自然形成。因此，可以在没有升高的温度、施加的压力或常规粘合剂的环境条件下发生接触。柔软的接触表面、没有粘合剂存在、所述工艺的环境温度以及低压力可以减少或消除用于形成OLED 305的在化学和机械上脆弱类型的超薄有机材料的损伤可能性。上述限制技术的实施方案对大面积OLED照明应用也特别有利，至少部分是因为如上所述可以在高保真度下模塑使得浮雕结构300的表面与OLED 305的一个或多个表面之间保形接触的相对薄的弹性体层。在一个实施方案中，形成浮雕结构300和/或柔性基片310的高指数模塑弹性体可以用于包封OLED 305。形成浮雕结构300和/或柔性基片310的高指数模塑弹性体也可以用于提供可以提高OLED 305的外量子效率的输出耦合结构。图4从概念上说明包括夹在阳极410与阴极415之间的发射层405的OLED 400的第一示例性实施方案。在所示的实施方案中，用透明材料例如氧化铟锡(ITO)在玻璃基片 420上形成阳极410。阴极415可以由金属例如铝或钙形成。然而，受益于本公开的本领域中普通技术人员应当理解，阳极410、阴极415和/或基片420可以由任何材料形成，所述材料可以是部分或完全透明的。此外，本领域普通技术人员还应当理解，OLED 400的可供选择的实施方案包括图4中未示出的其它层，例如电子注入层、电子传输层、空穴传输层等。在操作中，通过阳极410可以向发射层405提供空穴425，通过阴极415可以向发射层405提供电子430。发射层405中的空穴425和电子435可以结合形成激子440。激子440可以衰减并且将激子440中储存的能量以热和/或光的形式释放。在激子440衰减时释放出的光可以与界面445以相对于该界面445法线460的角度相交，该角度大于或小于用于形成基片420的材料与空气之间的界面的全内反射的临界角465。结果，与界面445 相交角度小于临界角465的光470可以通过该界面，而与界面445相交角度大于临界角460 的光475可以反射回OLED 400中。在所示的实施方案中，相邻界面445提供浮雕结构480。例如，可以用上述层叠技术的实施方案将浮雕结构480层叠至界面445上。浮雕结构480可以用作输出耦合器，使得至少一部分与界面445相交角度大于用于形成基片420的材料与空气之间的界面的全内反射的临界角460的光475可以通过界面445。结果，通过相邻界面445提供浮雕结构480 可以提高OLED 400的外量子效率。此外，如上所述，浮雕结构480可以用于包封OLED 400 的至少一部分。图5从概念上说明OLED 500的第二示例性实施方案，其包括夹在阳极510与阴极 515之间的发射层505，和阳极510形成在玻璃基片520上。在所示实施方案中，在阴极515 的一个表面上相邻界面525提供浮雕结构523。例如，可以用上述层叠技术的实施方案将浮雕结构523层叠至界面525上。浮雕结构523可以用作输出耦合器，使得至少一部分与界面 525相交角度大于用于形成阴极515的材料与空气之间的界面的全内反射的临界角的光可以通过界面525。在一个实施方案中，还可以相邻基片520的界面535形成浮雕结构530。 结果，通过相邻界面525提供浮雕结构523和/或相邻界面535提供浮雕结构530可以提高OLED 500的外量子效率。此外，如上所述，浮雕结构523、530可以用于包封OLED 500的至少一部分。上面公开的具体实施方案只是说明性的，因为本发明可以用对受益于本文教导的本领域技术人员来说显而易见的不同但是等价的方式进行改变和实施。此外，除了下面如权利要求书中所述的之外，不欲施加本文所示的构造或设计上的细节的限制。因此显然的是，上面公开的具体实施方案可以进行改动或改进并且所有这些变化都认为是在本发明的范围和精神内。因此，本文寻求的保护如下面权利要求书中所述。
权利要求
1.一种用于有机发光二极管中的表面浮雕输出耦合的方法，包括在弹性体中形成图案O30)，该图案(230)包括形成在柔性基片(310)上的多个浮雕结构0 )；和通过使浮雕结构(235)与有机发光二极管(305)的表面接触，将图案O30)的至少一部分层叠至有机发光二极管(305)的表面上，和不使柔性基片(310)与有机发光二极管 (305)的表面接触。
2.权利要求1的方法，其中在弹性体中形成图案包括在弹性体的至少一个表面中形成所述浮雕结构，和其中所述浮雕结构具有至少一个近似等于有机发光二极管发射的光的特征波长的特性尺寸。
3.权利要求1的方法，其中在弹性体中形成图案包括在含硅弹性体中形成图案，其中所述含硅弹性体包括聚硅氧烷、含硅氧烷重复单元和有机重复单元的链段的嵌段共聚物、 和硅改性的聚合物中的至少一种的固化产物。
4.权利要求3的方法，其中在含硅弹性体中形成图案包括在含硅弹性体中形成图案， 其中所述含硅弹性体包括固化的聚二甲基硅氧烷(PDMS)。
5.权利要求1的方法，其中形成图案包括在母模图案(20 上沉积含硅组合物，其中不在所述含硅组合物和所述母模图案之间沉积隔离层；使所述含硅组合物至少部分固化成弹性体；和从所述母模图案(20 上取下所述至少部分固化的弹性体。
6.权利要求5的方法，其中形成图案进一步包括将含硅组合物旋转铸塑至母模图案上并且在约70°C下至少部分固化所述含硅组合物。
7.权利要求5的方法，其包括在从母模图案上取下至少部分固化的弹性体之后进行所述至少部分固化的弹性体的附加固化。
8.权利要求5的方法，其中形成图案进一步包括将所述图案粘结至柔性结构体上，和其中将图案的至少一部分表面层叠至有机发光二极管的表面包括采用在浮雕结构和有机发光二极管的表面之间的范德华相互作用而将浮雕结构层叠至有机发光二极管的表面上。
9.权利要求1的方法，其中将图案的至少一部分层叠至有机发光二极管的表面上包括用软接触层叠将图案的至少一部分层叠至表面上，或者将图案的至少一部分层叠至有机发光二极管中的玻璃基片的表面上，或者将图案的至少一部分层叠至有机发光二极管中的阳极和阴极中至少之一的表面上。
10.一种用于有机发光二极管中的表面浮雕输出耦合器的装置，其包括有机发光二极管(305)；和包含弹性体的图案，其中该图案包括形成在柔性基片(310)上的多个浮雕结构(300)， 和该浮雕结构(300)层叠至有机发光二极管(305)的至少一个表面上，和不使柔性基片 (310)与有机发光二极管(305)的表面接触。
11.权利要求10的装置，其中采用在浮雕结构和有机发光二极管的表面之间的范德华相互作用而将多个浮雕结构层叠至所述有机发光二极管的至少一个表面上。
12.权利要求10的装置，其中有机发光二极管包括阳极(320)、阴极(325)、和布置在阳极(320)和阴极(325)之间的发射层(315)、以及相邻阳极(320)布置的玻璃基片(330)。
13.权利要求12的装置，其中图案的至少一部分与玻璃基片的表面相邻，或者图案的至少一部分与阴极的表面相邻。
14.权利要求10的装置，其中在弹性体的表面中的图案包括聚硅氧烷、含硅氧烷重复单元和有机重复单元的链段的嵌段共聚物、和硅改性的聚合物中的至少一种。
15.权利要求14的装置，其中在弹性体的表面中的图案包括固化的聚二甲基硅氧烷 (PDMS)。
16.权利要求13的装置，其中所述图案通过以下步骤来形成在母模图案(20 上沉积含硅组合物，其中不在所述含硅组合物和所述母模图案 (205)之间沉积隔离层；使所述含硅组合物至少部分固化成弹性体；和从所述母模图案(20 上取下所述至少部分固化的弹性体。
17.权利要求16的装置，其中通过在从母模图案(20 上取下至少部分固化的弹性体之后进行所述至少部分固化的弹性体的附加固化来形成图案。
18.—种通过权利要求1-9任何一项的的方法形成的产品。
全文摘要
本发明提供用于在有机发光二极管中提供表面浮雕输出耦合的方法和装置。所述方法包括在弹性体(310)的表面中形成图案并且将至少一部分所述图案层叠至有机发光二极管(305)的表面上。
文档编号H01L51/52GK102176515SQ201110085748
公开日2011年9月7日 申请日期2007年1月29日 优先权日2006年1月31日
发明者A·希姆, J·罗杰斯, 华峰 申请人:陶氏康宁公司