专利名称：信号线结构的制作方法
技术领域：
本发明是有关 于一种信号线结构，且特别是有关于一种平面显示器的信号线结构。
背景技术：
平面显示器由于具有体积小、重量轻的特性，在可携式显示设备，以及小空间应用的显示器市场中极具优势。图I绘示一已知平面显示装置的剖视图。平面显示装置100主要包括一薄膜晶体管阵列基板110、一对向基板120、一显不材料层130以及一透明电极层140。透明电极层140的材质例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物(indium zinc oxide, IZ0)或其它透明导电材质。显示材料层130是配置于透明电极层140与薄膜晶体管阵列基板110的像素电极112之间。通过各像素电极112与透明电极层140之间的电场变化，可使显示装置100的各像素呈现出不同的光学特性。图2绘示上述平面显示装置100的上视图。显示装置100具有一显示区域102以及位于显示区域102外围的一周边线路区域104。数据配线154与扫瞄配线152配置在显示区域102内划分出多个像素区域110a。此外，薄膜晶体管114与像素电极112分别配置于像素区域IIOa内，其中薄膜晶体管114连接至所对应的扫描配线152与数据配线154，而像素电极112连接至薄膜晶体管114。周边线路区域104内配置有多个栅极驱动器142以及源极驱动器144，其中栅极驱动器142连接扫描配线152，以在显示时将驱动信号经由扫描配线152输入至薄膜晶体管114的栅极，使得薄膜晶体管114呈开启的状态。源极驱动器144连接数据配线154，以在薄膜晶体管114开启后，将显示数据输入至像素电极112。然而传统上，请参阅图3所示的放大图示，为了节省周边线路区域104的面积，位在栅极驱动器142与显示区域102间的扫描配线152，亦即区域156处的扫描配线152，其彼此间的间距会被压缩至距离A，当栅极驱动器142供应高驱动电压给扫描配线152a时，相邻的扫描配线152b是被供应给低电压的，此电压差因扫描配线间的距离大幅减缩而产生一大电场，此大电场会造成扫描配线152a和152b被腐蚀,进而影响驱动信号的正确传送。因此急需有一种新的结构，可解决上述线路被腐蚀的问题。
发明内容
本发明的一目的即是在提供一种具牺牲电极的信号线结构，来解决线路被腐蚀的问题。本发明的一方面在提供一种信号线结构，此信号线结构是设置于一显示器的一栅极驱动器与一显不区域间。此信号线结构包括一基板、多条第一金属层、一第一绝缘层、多条第二金属层、一第二绝缘层以及多条第三金属层。其中，多条第一金属层，平行设置于基板的一第一方向上。第一绝缘层设置于基板上并覆盖该些条第一金属层。多条第二金属层设置于该第一绝缘层上对应于该些第一金属层之处。第二绝缘层设置于第二金属层以及第一绝缘层上。多条第三金属层设置于第二绝缘层上对应于该些第二金属层之处，其中相邻两第二金属层间的距离小于相邻两第一金属层间的距离。在一实施例中,基板为一玻璃基板、一塑料基板。在一实施例中，第一绝缘层的材料为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(AlOx)或、氧化钇(Y2O3)材质。在一实施例中，第二绝缘层的材料为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(AlOx)、氧化乾(Y2O3)、树脂(Resin)、聚胺族(Polymid series)、或结合无机与有机的复合
绝缘层。在一实施例中，透明电极层的材质为铟锡氧化物、铟锌氧化物(indium zincoxide, IZ0)、钥(Mo)、铬(Cr)、钥铬(MoCr)或其它透明导电材质。
在一实施例中，第一金属层的材料为钥(Mo)、铬(Cr)、铜(MoCr)、铝(Al)、镍(Ni)、铊(Ti)、钽(Ta)、铝钕合金(AlNd)或上述的组合。在一实施例中，第二金属层的材料为钥(Mo)、铬(Cr)、铜(MoCr)、铝(Al)、镍(Ni)、铊(Ti)、钽(Ta)、铝钕合金(AlNd)或上述的组合。在一实施例中，信号线结构是用以将栅极驱动器输出的扫描信号传递至该显示区域的扫描配线。在一实施例中，还包括多个第一接触窗形成于该第一绝缘层上，该第三金属层，透过该些第一接触窗耦接该些第一金属层，以及多个第二接触窗形成于该第二绝缘层上，该第三金属层透过该些第二接触窗耦接该些第二金属层。在一实施例中，第二金属层于该第一方向上的长度小于该第一金属层于该第一方向上的长度。综合上述所言，本发明位于栅极驱动器与显示区域间的信号线是采用多金属层架构，具有一额外的牺牲电极层，因此即使一腐蚀现像发生，由于多了一层牺牲电极，可趋缓线路被腐蚀现象，延长显示器的使用寿命。
为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下图I绘示一已知平面显示装置的剖视图；图2绘示已知平面显示装置的上视图；图3所示已知平面显示装置的部分放大图标；图4所示为本发明扫描配线延伸出显示区域的概略结构上视图；图5绘示图4所示的扫描配线结构沿着A-A’剖线的剖面图；图6绘示图4所示的扫描配线结构沿着B-B’剖线的剖面图。主要组件符号说明100平面显示装置102显示区域104周边线路区域110薄膜晶体管阵列基板
IlOa像素区域112像素电极114薄膜晶体管
120对向基板130显示材料层140透明电极层142栅极驱动器144源极驱动器152、152a、152b 扫瞄配线154数据配线I56 区域300多层金属层架构301第一金属层302第二金属层303透明电极层304、3O5 接触窗306第一绝缘层307第二绝缘层400 基板W1、W2、W3 宽度A、B、C 距离
具体实施例方式请再次参阅图3所示，传统上扫描配线152延伸出显示区域102的部分结构为一单一金属层，例如，一第一金属层，来耦接栅极驱动器142，其中两扫描配线152间的距离为A。由于仅为一单层结构，很容易因两相邻扫描配线间的大电场腐蚀而断裂，致使整个显示器动作异常。因此，为了避免上述现象发生，本发明于该等线路上设置一额外的牺牲电极层，来趋缓线路被腐蚀现象，延长显示器的使用寿命。参阅图4所示为本发明扫描配线延伸出显示区域的概略结构上视图。本发明位于栅极驱动器142与显示区域102间的扫描配线152，亦即区域156处的扫描配线152(图2所示)，其结构为一多层金属层架构300，每一扫描配线结构包括一第一金属层301、一第二金属层302以及一透明电极层303。其中第二金属层302设置于第一金属层301的上方作为一牺牲电极层，一透明电极层303设置于第二金属层302的上方，通过接触窗304耦接第一金属层301，以及通过接触窗305耦接第二金属层302，因此第一金属层301可透过透明电极层303电性连接第二金属层302。在一实施例中，第二金属层302的宽度W2大于第一金属层301的宽度Wl,而第一金属层301的宽度Wl大于透明电极层303的宽度W3。而，相邻两扫描配线结构中的第二金属层302间的距离C被设定成与已知技术中第一金属层间的距离A相同，因此，在此架构下相邻两扫描配线结构中的第一金属层301间的距离B会大于与已知技术中第一金属层间的距离A，因此其第一金属层间的电场强度与已知架构相较可降低，因此可减缓腐蚀现象。此外，即使有腐蚀的现象发生，在本发明的架构下，由于具有额外的第二金属层302作为牺牲电极，因此可避免已知单一金属层容易被腐蚀断裂的现象，延长显示器的使用寿命。另一方面，多金属层架构，更可降低电阻值，增益传送于其上的驱动信号。图5绘示图4所示的扫描配线结构沿着A-A’剖线的剖面图。本发明位于栅极驱动器142与显示区域102间的扫描配线152，亦即区域156处的扫描配线152 (图2所示)，其结构包括一基板400、一第一金属层301、一第一绝缘层306、一第二金属层302上、一第二绝缘层307以及一透明电极层303。其中第一金属层301顺着一第一方向延伸设置于基板400上。第一绝缘层306设置于第一金属层301上，其中该第一绝缘层306中具有多个接触窗304,以暴露出第一金属层301的部分表面。第二金属层302设置于第一绝缘层306的上方作为一牺牲电极层，其中第二金属层302于该第一方向上的长度小于第一金属层301,使得第二金属层302并不覆盖于接触窗304上。第二绝缘层307设置于第二金属层302的上方，其中该第二绝缘层307中具有多个接触窗305，以暴露出第二金属层302的部分表面。 透明电极层303设置于第二绝缘层307上，透明电极层303是透过第一绝缘层306中的接触窗304与第一金属层301电性连接，以及透过第二绝缘层307中的接触窗305与第二金属层302电性连接。图6绘示图4所示的扫描配线结构沿着B-B’剖线的剖面图。多条第一金属层301平行排列于基板400上。第一绝缘层306设置于基板400上,并覆盖该多条第一金属层301。多条第二金属层302设置于第一绝缘层306上对应于第一金属层301之处作为一牺牲电极。第二绝缘层307设置于第二金属层302以及第一绝缘层306上，以保护其下方的组件免于受损及受潮。一第三金属层设置于第二绝缘层307上对应于第二金属层302之处，且与第一金属层301以及第二金属层透过接触窗(图中未绘出)电性连接。其中，基板400的材料例如是玻璃基板、塑料基板或是其它基板。第一绝缘层306的材料例如是氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(AlOx)、氧化钇(Y2O3)材质。第二绝缘层307的材料例如是氮化娃(SiNx)、氧化娃(SiOx)、氧化招(AlOx)、氧化乾(Y2O3)、树脂(Resin)、聚胺族(Polymidseries)、或结合无机与有机的复合绝缘层。透明电极层303的材质例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物(indium zinc oxide,IZ0)、钥(Mo)、铬(Cr)、钥铬(MoCr)或其它透明导电材质。第一金属层301的材料例如是钥(Mo)、铬(Cr)、铜(MoCr)、铝(Al)、镍(Ni)、铊(Ti)、钽(Ta)、铝钕合金(AlNd)或上述的组合。第二金属层302的材料例如是钥(Mo)、铬(Cr)、铜(MoCr)、铝(Al)、镍(Ni)、铊(Ti)、钽(Ta)、铝钕合金(AlNd)或上述的组合。此外，虽然本发明上述的扫描配线结构与传统结构相较额外增加第一绝缘层306、第二金属层302、第二绝缘层307以及透明电极层303等层，然而，本发明并不需额外的制程步骤来形成上述的各层，亦即，上述的各层可于形成显示区域中的薄膜晶体管时一起形成。例如，第一绝缘层306可与薄膜晶体管栅极上方的栅绝缘层一起形成。第二金属层302可与薄膜晶体管的源极以及漏极一起形成。第二绝缘层307可与为薄膜晶体管上配置的保护层一起形成。而透明电极层可与像素电极一起形成。综合上述所言，本发明位于栅极驱动器与显示区域间的扫描配线是采用多金属层架构，具有一额外的牺牲电极层，因此即使一腐蚀现象发生，由于多了一层牺牲电极，可趋缓线路被腐蚀现象，延长显示器之使用寿命。且此多金属层架构可与形成显示区域中的薄膜晶体管时一起形成，并不需额外的制程步骤。虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并 非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
权利要求
1.一种信号线结构，其特征在于，设置于一显示器的一栅极驱动器与一显示区域间，至少包含 一基板； 多条第一金属层，平行设置于该基板的一第一方向上； 一第一绝缘层，设置于该基板上并覆盖该些条第一金属层； 多条第二金属层，设置于该第一绝缘层上对应于该些第一金属层之处； 一第二绝缘层，设置于该第二金属层以及该第一绝缘层上；以及多条第三金属层，设置于该第二绝缘层上对应于该些第二金属层之处，其中相邻两第二金属层间的距离小于相邻两第一金属层间的距离。
2.根据权利要求I所述的信号线结构，其特征在于，该基板为一玻璃基板、一塑料基板。
3.根据权利要求I所述的信号线结构，其特征在于，该第一绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化铝或、氧化钇材质。
4.根据权利要求I所述的信号线结构，其特征在于，该第二绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化铝、氧化钇、树脂、聚胺族、或结合无机与有机的复合绝缘层。
5.根据权利要求I所述的信号线结构，其特征在于，该透明电极层的材质为铟锡氧化物、铟锌氧化物、钥、铬、钥铬或其它透明导电材质。
6.根据权利要求I所述的信号线结构，其特征在于，该第一金属层的材料为钥、铬、铜、招、镍、铭、钽、招钕合金或上述的组合。
7.根据权利要求I所述的信号线结构，其特征在于，该第二金属层的材料为钥、铬、铜、招、镍、铭、钽、招钕合金或上述的组合。
8.根据权利要求I所述的信号线结构，其特征在于，该信号线结构是用以将栅极驱动器输出的扫描信号传递至该显示区域的扫描配线。
9.根据权利要求I所述的信号线结构，其特征在于，还包括多个第一接触窗形成于该第一绝缘层上，该第三金属层，透过该些第一接触窗耦接该些第一金属层，以及多个第二接触窗形成于该第二绝缘层上，该第三金属层透过该些第二接触窗耦接该些第二金属层。
10.根据权利要求I所述的信号线结构，其特征在于，该第二金属层于该第一方向上的长度小于该第一金属层于该第一方向上的长度。
全文摘要
本发明揭露了一种设置于一显示器的一栅极驱动器与一显示区域间的信号线结构，此信号线结构包括多条第一金属层、一第一绝缘层、多条第二金属层、一第二绝缘层以及多条第三金属层依序形成于一基板上，其中相邻两第二金属层间的距离小于相邻两第一金属层间的距离。
文档编号H01L27/02GK102737569SQ201110112558
公开日2012年10月17日 申请日期2011年4月26日 优先权日2011年4月6日
发明者叶佳俊, 蓝纬洲, 辛哲宏, 黄松辉 申请人:元太科技工业股份有限公司