专利名称：金刚石和铝的接合体及其制造方法
技术领域：
本发明涉及能够作为功率半导体器件的热沉(heat sink)等加以利用的金刚石和铝的接合体及其制造方法。
背景技术：
功率半导体器件是被用作功率控制用等的半导体器件。IGBT(绝缘栅双极晶体管)和MOSFET (功率场效应晶体管的一种)等的功率半导体器件的热沉，具有有着高导热性和绝缘性的热沉基体，和被接合在该热沉基体的表面的金属膜。所述热沉基体由A1N、 Si3N4、Al2O3等陶瓷构成。与功率半导体器件接合的所述金属膜，其厚度需要适应功率半导体器件上所流通的电流量，有着厚达100 μ m以上的膜厚。该金属膜还承担着缓和功率半导体器件与热沉基体的热应力以及作为均热片(heat spreader)的任务。因为对于金属膜要求其导电性高， 热传导率高，实用上廉价，所以多使用Cu和Al。不过，作为由金刚石构成的热沉基体，通过以之取代由陶瓷构成的所述热沉基体， 能够实现功率半导体器件寿命的延长化，另外，还可以应对功率半导体器件的更高输出功率化。金刚石具有高热传导性(室温下全部的物质中最大)，小的低热膨胀率和优异的电绝缘性。在特开平11-26887号公报中，公开有一种具有金刚石制热沉的半导体激光器。该半导体激光器显示在图3中。图3是用于说明现有技术的图，是表示具有金刚石制热沉的半导体激光器的构造的图。半导体激光器，如图3所示，由如下构成板状的基板55 ；形成于基板55的表面的、膜厚为3 μ m 9 μ m的气相合成金刚石层M ；以覆盖气相合成金刚石层的表面的方式设置的金属化(metallize)层53 ；在金属化层53上经由厚2 μ m 8 μ m的钎料层52接合的半导体激光器芯片51。所述基板55由Si构成。所述金属化层53是用于将半导体激光器芯片51钎焊到基板55表面所形成的气相合成金刚石层M上所需要的。所述金属化层53是从与气相合成金刚石层M接触的一侧开始，按Ti、Pt、Au的顺序层叠而成。金刚石制热沉由形成于所述基板55表面的气相合成金刚石层M和金属化层53构成。表面被覆有气相合成金刚石层M的金刚石被覆基板呈0. 75mmX0. 75mm的正方形，如图3所示，该金刚石被覆基板的周围全部面(表面、背面、侧面)被Ti、Pt、Au金属化。而且，在金属化的金刚石被覆板上，使用AuSn合金钎料，以290°C的钎焊温度钎焊有由0. 3mmX0. 3mmX0. Imm的InGaAsP构成的半导体激光器芯片51。前述的现有金刚石制热沉是尺寸很小的半导体激光器用热沉，大小为 0.3mmX0.3mm左右。因此，该金属化层可以是厚数μ m的薄膜，对于金属化层来说，即使是使用理想的材料，诸如Au、Pt这样的贵金属，也不太会招致成本升高。但是，具有前述的由Au、Pt这样的贵金属构成的金属化层的金刚石制热沉，作为流通大电流的Icm大小级别的功率半导体器件用，因为会招致大幅度的成本提升，所以不能采用。近年来，在大功率用的逆变器电路中，例如有钎焊接合了厚数百μ m、由Al或Cu构成的金属膜的陶瓷制热沉，被组装在大小为20mmX30mm左右，由A1N、A1203等构成的板状的陶瓷制热沉基体上。然后在所述金属膜上，接合有Icm大小级别的很大的IGBT和FWD (反向恢复用二极管)等的功率半导体器件。功率半导体器件的接合多采用钎焊接合。所述金属膜在作为电流通路的同时，还承担着均热片的任务。使用金刚石制热沉基体替代这种面积比较大的陶瓷制热沉基体时，金属膜不使用 Au等这样高价的贵金属，而是合理的使用廉价的Al或Cu。Al和Cu被认为有各自的长处和短处，根据用途分别使用，例如想使热沉本身轻量时，则Al有利。专利文献1特开平11-26887号公报
发明内容
因此，本发明的课题在于，提供一种金刚石和铝的接合体及其制造方法，其具有金刚石板和用于安装功率半导体器件等的发热物的由纯铝或铝合金构成的金属膜，即使用 2cm大小级别的大面积的金属膜，金刚石板和该金属膜的附着性也很高，翘曲小。为了解决上述的课题，在本申请发明中，阐述以下的技术性手段。第一发明是金刚石和铝的接合体，其特征在于，在金刚石板上，按照从该金刚石板侧开始的顺序，具有由含硅铝合金构成的中间层和由纯铝或铝合金构成的金属膜。第二发明是根据第一发明所述的金刚石和铝的接合体，其特征在于，所述中间层是倾斜组织，Si的平均含量为5质量％以上的部分的厚度为5 μ m 100 μ m。第三发明是根据第一或第二发明所述的金刚石和铝的接合体，其特征在于，所述金属膜和所述中间层的合计厚度为20μπι 1mm。第四发明是根据第一 第三发明中任一项所述的金刚石和铝的接合体，其特征在于，所述金刚石板的所述中间层侧的表面粗糙度Ra在1 μ m 10 μ m的范围。第五发明是一种金刚石和铝的接合体的制造方法，是制造在金刚石板上，按照从该金刚石板侧开始的顺序，具有由含硅铝合金构成的中间层和由纯铝或铝合金构成的金属膜的金刚石和铝的接合体的方法，其中，准备在金刚石板上形成有由纯铝或含硅铝合金构成的金属层的第一构件，和在由纯铝或铝合金构成的金属膜上被覆有含硅铝合金钎料的第二构件，在所述第一构件的所述金属层的表面和/或在所述第二构件的所述含硅铝合金钎料的表面涂布钎焊用助焊剂，以使涂布有钎焊用助焊剂的该表面成为重合面的方式使所述第一构件和所述第二构件重合，在惰性气体气氛中或真空气氛中加热该重合的所述第一构件和所述第二构件，通过加热使所述含硅铝合金钎料熔融，从而将所述金属膜钎焊到所述第一构件上。第六发明是根据第五发明的金刚石和铝的接合体的制造方法，其特征在于，在钎焊温度为590 605°C，钎焊时间为5 10分钟的范围进行所述钎焊。本发明的金刚石和铝的接合体，在金刚石板的表面经由含硅铝合金所构成的中间层而接合由纯铝或铝合金构成的金属膜，因为具有如此构造，所以即使是2cm大小级别的大面积的金属膜，金刚石板和该金属膜的附着性也很高，翘曲也很小，例如适合作为Icm大
4小级别的功率半导体器件用的热沉使用。根据本发明的金刚石和铝的接合体的制造方法，能够得到即使是2cm大小级别的大面积的金属膜，金刚石板和该金属膜的附着性也很高，翘曲也很小的金刚石和铝的接合体。
图1是用于说明本发明的一个实施例的金刚石和铝的接合体的制造工序的剖面图。图2是用于说明图1所示的制造工序的后续制造工序的剖面图。图3是用于说明现有技术的图，是表示具有金刚石制热沉的半导体激光器的构造的剖面图。符号说明l Si基板2…气相合成金刚石膜10…第一构件11…气相合成金刚石板12…Al-Si 金属层20…第二构件21…Al金属膜22…含硅铝合金钎料31...Al-Si 中间层41... K-Al-F 系助焊剂
具体实施例方式以下，对于本发明更详细地进行说明。(1)本发明的金刚石和铝的接合体，在气相合成金刚石板上，按照从该气相合成金刚石板的一侧开始的顺序，具有由含硅铝合金构成的中间层(以下也称为“Al-Si中间层”。)和由纯铝或铝合金构成的金属膜(以下也仅称为“Al金属膜”。)，具有气相合成金刚石板/Al-Si中间层/Al金属膜这样的层叠结构。Al和金刚石的C(碳)为了直接进行化学结合而需要高温，在600°C以下两者不能形成坚固的接合。在本发明的金刚石 铝接合体中，使Al-Si中间层介于气相合成金刚石板和Al金属膜之间，由此Al-Si中间层中的Si的一部分与气相合成金刚石板的C发生化学结合，形成坚固的接合界面。在本发明的金刚石和铝的接合体中，通过使Al-Si中间层介于气相合成的金刚石板和Al金属膜之间，对于气相合成金刚石板钎焊Al金属膜而进行接合时，与钎焊温度为 590 600°C和金属膜为Cu的情况相比，可在比较低的温度下进行钎焊。如此由于钎焊温度低，在本发明的金刚石和铝的接合体中，钎焊后回归室温时发生在接合体上的应力减小， 很难产生结合体的翘曲和Al金属膜的剥离。还有，气相合成金刚石板/Si单体层/Al-Si层/Al金属膜这样的层叠结构，和气相合成金刚石板/Si单体层/Al层/Al-Si层/Al金属膜这样的层叠结构，都不能获得对于气相合成金刚石板坚固接合Al金属膜的效果。说到原因，是由于所述具有Si单体的层叠结构，与气相合成金刚石板接合的层为 Si单体层，很脆，与Al金属膜的接合强度低。另外，对于气相合成金刚石板钎焊Al金属膜而进行接合时，在钎焊温度600°C左右的钎焊过程中，Si单体层的Si原子向Al-Si层侧扩散，但必须在长时间持续进行热处理(钎焊)，直至该扩散达到大致接近平衡的状态。若钎焊时间不足，则高浓度的Si和Al的混合层残留在与气相合成金刚石板的界面，因为该混合层是很脆的微晶，所以接合体的接合强度降低。另外，具有Si单体层的层叠结构，对于气相合成金刚石板钎焊Al金属膜而进行接合时，需要在气相合成金刚石板上，进行Si单体层的成膜和铝层或含硅铝合金层的成膜这两个阶段的成膜。因此，存在单位时间内的生产率差(生产量低)这样的缺点。相对于此， 本发明的金刚石和铝的接合体不需要Si单体层的成膜，单位时间内的生产率优异(生产量
1 ) O(2)其次，对于所述气相合成金刚石板进行说明。若运用微波等离子体化学气相蒸镀(CVD)法等的气相合成法，则例如能够很容易地形成例如2cm大小级别的大面积的多晶金刚石。一般来说，与相单晶金刚石相比，多晶金刚石机械的强度高。本发明的金刚石和铝的接合体的气相合成金刚石板，优选其表面的表面粗糙度Ra(JIS B0601所规定的算术平均粗糙度Ra)为1 10 μ m的范围。如果表面粗糙度Ra在所述范围，则在锚定(anchor)效应下，与在其表面所形成的层的接合强度高。若表面粗糙度Ra比所述范围小，则与在其表面所形成的层的接合强度弱。另外，若表面粗糙度Ra比所述范围大，则与在其表面所形成的层的接合界面容易产生空隙而不为优选。另外，所述气相合成金刚石板的表面，也可以由{100}、{111}、{311}、{110}等代表性的低次的晶面构成，但更优选的是，用扫描型电子显微镜以5000倍左右的倍率进行表面观察时，低次的晶面越不能清楚地判别，表面越粗糙越好。这样的粗糙面状态能够通过含氧气氛下的蚀刻实现。作为具体的方法有，氧等离子体处理、氧中热处理、在大气中利用气体燃烧器的火焰烘烤气相合成金刚石板表面等方法。由此，在气相合成金刚石板的表面使所述Al-Si中间层存在时，不仅有只来自气相合成金刚石板的表面粗糙度的锚定效果，而且由于气相合成金刚石板的表面积增加带来的与 Al-Si中间层的Si原子的化学结合点的增加，致使与所述Al-Si中间层的接合强度增加。此外附带的是，气相合成金刚石板的表面变成氧终端，气相合成金刚石板的C和 Al-Si中间层的Si原子的结合也能够以C-O-Si的形态存在。如此，若气相合成金刚石板的表面被氧终端化，则即使表面积相同时，与氢终端多的情况相比，化学结合点也有所增加，接合强度增加。(3)接着，对于所述Al-Si中间层进行说明。本发明的金刚石和铝的接合体中， Al-Si中间层和Al金属膜的界面也可以不明确，Al-Si中间层也可以是倾斜组成。另外， Al-Si中间层可以不是均勻组织，而是分散组织。Al-Si中间层经钎焊(热处理)致使Si 扩散，因此通常变成倾斜组成。另外，容易变成分散组织。反之，Al-Si中间层成为倾斜组织或分散组织，也是钎焊(热处理)被适当进行的证据。Al-Si中间层的Si的含量优选5 30质量％的范围。所述Al-Si中间层，优选Si的平均含量为5质量％以上的部分的厚度为5 100 μ m，更优选为10 50 μ m。Al-Si中间层的厚度薄，该Al-Si中间层由钎焊形成时，当然使用厚度薄的含硅铝合金钎料。因此，所述厚度低于5 μ m的Al-Si中间层通过钎焊被形成于气相合成金刚石板和 Al金属膜之间时，在气相合成金刚石板侧的凹凸表面和Al金属膜侧的凹凸表面不会遍及所述厚度很薄的含硅铝合金钎料。因此在接合部产生空隙，或在所形成的Al-Si中间层产生气孔，接合结构体的接合强度降低。所述空隙不仅使接合强度降低，而且还成为使热阻抗降低的要因。另一方面，Al-Si中间层与纯铝相比，电阻率高，热传导率低，从这一点出发， 若Al-Si中间层的所述厚度超过ΙΟΟμπι，则从Al-Si中间层与纯铝相比，电阻率高、热传导率低这一点不为优选。(4)接下来，对于所述Al金属膜进行说明。Al金属膜从低阻抗且高热传导率的观点出发，最优选由纯Al构成，但并不限定于此，也可以含有一些杂质，另外也可以由铝合金构成。作为铝合金的添加元素(合金元素)，虽然没有特别限定，但例如可列举Mg、Ti、Si、 ai等，也可以合计含有10质量％左右。该Al金属膜的厚度，不是由Al金属膜单独决定的，而是与由包含所述Al-Si中间层在内的厚度而决定的厚度相称。即，Al合金膜和Al-Si中间层合计的厚度优选为20 μ m Imm,更优选为100 200 μ m。所述合计的厚度低于20 μ m时，接合界面的应力小，因此接合结构体发生翘曲，或 Al合金膜产生剥离的可能性变低。另一方面，所述合计的厚度超过Imm时，接合界面的应力变得过大，得不到消除接合结构体的翘曲和Al金属膜的剥离的效果。还有，为了能够抵销翘曲，优选的构造是，不仅在气相合成金刚石板的表面侧的面，在气相合成金刚石板的背面也具有与表侧的面有着同面积、同厚度的Al-Si中间层和Al金属膜。(5)接下来，对于本发明的金刚石·铝接合体的制造方法进行说明。该制造方法， 首先是准备第一构件和第二构件，该第一构件，其在气相合成金刚石板表面形成有由纯铝或含硅铝合金构成的金属层；该第二构件，其在由纯铝或铝合金构成的金属膜(以下也称为“Al金属膜”)上被覆有含硅铝合金钎料。所述气相合成金刚石板，例如通过微波等离子体CVD法制作。另外，气相合成金刚石板表面的所述金属层的形成，也可以通过蒸镀法或溅射法进行。如前述，通过预先在气相合成金刚石板上形成所述金属层，能够在钎焊之前就使所述金属层紧密附着在气相合成金刚石板的凹凸表面。另外，作为所述金属层而形成含硅铝合金层时，该含硅铝合金层，其Si含量比所述含硅铝合金钎料的Si含量少。由此，能够在钎焊中防止所述含硅铝合金层先于所述含硅铝合金钎料发生软化而剥离。其次，在所述第一构件的所述金属层的表面和/或所述第二构件的所述含硅铝合金钎料的表面涂布钎焊用助焊剂，以使涂布有钎焊用助焊剂的该表面成为重合面的方式使所述第一构件和所述第二构件重合。所述钎焊用助焊剂，优选助焊剂成分为氟化物系的K-Al-F系助焊剂。作为K-Al-F 系助焊剂，可列举KAlF4 · K2AlF5 · H2O0接下来，一边对于该重合的所述第一构件和所述第二构件以两构件紧贴的方式加压加重，一边在惰性气体气氛中(氮气或氩气气氛中)或真空气氛中进行加热，通过加热使所述含硅铝合金钎料熔融，在所述第一构件上钎焊所述Al金属膜。
所述钎焊以如下条件进行即可钎焊温度590 605°C，钎焊时间5 10分钟。如此，能够得到在气相合成金刚石板上，按照从该气相合成金刚石板侧开始的顺序，具有由含硅铝合金构成的中间层和由纯铝或铝合金构成的金属膜，能够得到适合作为 Icm大小级别的功率半导体器件用的热沉的金刚石·铝接合体。还有，形成于气相合成金刚石板的所述金属层，也可以由不含Si的纯铝构成。说到原因是由于，通过钎焊，所述含硅铝合金钎料所含的Si会在比较短的时间内扩散到该金属层中。作为结果是，所得到的金刚石和铝的接合体，与气相合成金刚石板接合的层含有 Si，使Al-Si中间层介于气相合成金刚石板和Al金属膜之间。实施例以下，参照图1和图2，对于本发明的实施例进行说明。图1是用于说明本发明的一个实施例的金刚石和铝的接合体的制造工序的剖面图，图2是用于说明图1所示的制造工序的后续制造工序的剖面图。(a)如图1的(a)所示，通过微波等离子体CVD法，在纵横尺寸为20mm大小，厚度为 Imm的Si基板1上形成气相合成金刚石膜2。在微波CVD装置的室内流通流量1980sCCm的氢和流量20SCCm的混合气体，室内的气压设定为16kPa。然后，向室内导入微波功率60kW、 频率915MHz的微波。由此，使所述混合气体等离子体化，在Si基板1的上表面形成气相合成金刚石膜2。所述Si基板1以接触等离子体的方式被设置在基板架上。从支架背面对金属制的所述基板架进行水冷，由此进行温度调整，使Si基板1的表面温度达到950°C。 Si基板1的表面温度由红外放射温度计测量。预先计测该成膜条件下的成膜速度，形成厚 200 μ m的气相合成金刚石膜11’。(b)因为在所述Si基板1的侧面也会形成金刚石膜(参照图1的(a))，所以该侧面的金刚石膜由磨光盘(scaif)除去(参照图1的(b))。(c)接着，研磨除去Si基板1，即使不存在Si基板1，仍会得到经过处理的气相合成金刚石板11。在除去了 Si基板1的气相合成金刚石板11只会稍微产生翘曲(参照图1 的(C))。(d)通过对产生翘曲的气相合成金刚石板11进行磨光盘研磨，得到没有翘曲的气相合成金刚石板11 (参照图1的(d))。(e)接着，在大气中通过丁烷燃烧器的火焰，对于气相合成金刚石板11的正背两面均等地进行短时间烘烤(10 20秒)，由此在气相合成金刚石板11的表面形成有既定的表面粗糙度的凹凸表面，并且，使气相合成金刚石板11的表面氧终端化(参照图1的(e))。 气相合成金刚石板11的表面粗糙度Ra为1 10 μ m的范围。在该经过表面粗糙度的调整 (表面粗糙化)和氧终端化的气相合成金刚石板11表面，形成后述的由含硅铝合金构成的 Al-Si金属层12。气相合成金刚石板11的表面被氧终端化，还能够通过XPS (光电子能谱)等物理测量法进行确认，在水滴垂落于该表面时，未能测定到接触角，能够确认到亲水性。还有，如果作为对象的表面被氢终端化，则变成疏水性，因此水滴垂落于该表面时，水滴的接触角达到90°以上。这是公知的。(f)接着，在经过表面粗糙度调整(表面粗糙化)和氧终端化的气相合成金刚石板 11表面(在本实施例中，气相合成金刚石板11的单面)，形成由含硅铝合金构成的Al-Si金属层12。即，气相合成金刚石板11，以距四边的边缘0. 5mm内的边缘部分未进行成膜的方式，在所述边缘部分由粘附胶带覆盖的状态下，被配置在磁控管溅射装置的溅射室内。然后，使用含硅铝合金靶(Si含量7质量％ )，在气相合成金刚石板11上形成厚0. 2的Al-Si 金属层(Si含量7质量％ ) 12。溅射条件如下，气氛气体氩气；气压0. 3Pa ；DC电流3mA/ cm2。形成Al-Si金属层12之后，除去所述粘附胶带。如此，得到在气相合成金刚石板11表面形成有Al-Si金属层12的第一构件10 (参照图2的(f))。(g)准备第二构件20，其在由纯铝构成的厚350 μ m的Al金属膜21的单面，被覆有厚50 μ m的含硅铝合金钎料22。作为含硅铝合金钎料22，使用JIS A4045合金(A1-10质量％ Si合金)的钎料。 第二构件20的纵横尺寸为19mm大小(19mmX 19mm)。然后如图2的(g)所示，在第一构件10的Al-Si金属层12的表面，和第二构件20 的含硅铝合金钎料22的表面涂布K-Al-F系助焊剂41 (涂布量5g/m2)。(h)接下来，如图2的(h)所示，使涂布有K-Al-F系助焊剂41的所述表面成为重合的面，如此使第一构件10和第二构件20重合。然后，钎焊是一边对于作为钎料对象物的、 即被重合的第一构件10和第二构件20加压加重(lOg/cm2左右)，一边使用热处理炉进行。所述热处理炉内的气氛为氧浓度IOppm以下的氮气气氛。然后，用30分钟时间使所述钎焊对象物升温至590°C之后，以温度590 600°C X 时间10分钟的条件进行钎焊。接着，用30分钟时间使经过钎焊的钎焊对象物把温度降低至200°C，之后取出到热处理炉外，使之自然冷却至室温。(i)如此，制作出了在气相合成金刚石板11上，按照从该气相合成金刚石板11侧开始的顺序，具有由含硅铝合金构成的Al-Si中间层31和Al金属膜21，适合作为Icm大小级别的功率半导体器件用的热沉的金刚石·铝接合体(参照图2的(i))。然后，所制作的金刚石·铝接合体的翘曲，由Al金属膜21表面的中心点与Al金属膜21的表面的边缘的高度的差进行评价时，可知低于0. 01mm，能够得到良好的效果。另外，观察所制作的金刚石 铝接合体的截面时，可知也没有发生Al金属膜21从气相合成金刚石板11剥离，能够得到预期的接合构造。另外，在气相合成金刚石板11上，形成不含Si的纯铝所构成的金属层而取代所述 Al-Si金属层12，以之作为第一构件，制作金刚石·铝接合体。然后，对于该金刚石·铝接合体，进行针对气相合成金刚石板和中间层的界面的基于EDX法(能量色散型X射线光谱法)的分析。其结果是，在所述界面检测出Si的存在。由此能够确认，在钎焊作用下，含硅铝合金钎料22所含的Si扩散到由所述纯铝构成的金属层中，作为气相合成金刚石板11接合的层而形成Al-Si中间层。
权利要求
1.一种金刚石和铝的接合体，其特征在于，在金刚石板上，按照从该金刚石板侧开始的顺序，具有由含硅铝合金构成的中间层和由纯铝或铝合金构成的金属膜。
2.根据权利要求1所述的金刚石和铝的接合体，其特征在于，所述中间层形成倾斜组织，并且Si的平均含量为5质量％以上的部分的厚度为5 μ m 100 μ m。
3.根据权利要求1或2所述的金刚石和铝的接合体，其特征在于，所述金属膜和所述中间层的合计厚度为20 μ m 1mm。
4.根据权利要求1 3中任一项所述的金刚石和铝的接合体，其特征在于，所述金刚石板的所述中间层侧的表面的表面粗糙度Ra在1 10 μ m的范围。
5.一种金刚石和铝的接合体的制造方法，其特征在于，是制造在金刚石板上，按照从该金刚石板侧开始的顺序，具有由含硅铝合金构成的中间层和由纯铝或铝合金构成的金属膜的金刚石和铝的接合体的方法，其中，准备在金刚石板上形成有由纯铝或含硅铝合金构成的金属层的第一构件，和在由纯铝或铝合金构成的金属膜上被覆有含硅铝合金钎料的第二构件，在所述第一构件的所述金属层的表面和/或在所述第二构件的所述含硅铝合金钎料的表面涂布钎焊用助焊剂，以使涂布有钎焊用助焊剂的该表面成为重合面的方式使所述第一构件和所述第二构件重合，在惰性气体气氛中或真空气氛中加热该重合的所述第一构件和所述第二构件，通过加热使所述含硅铝合金钎料熔融，从而将所述金属膜钎焊到所述第一构件上。
6.根据权利要求5所述的金刚石和铝的接合体的制造方法，其特征在于，在钎焊温度为590 605°C，钎焊时间为5 10分钟的范围进行所述钎焊。
全文摘要
提供一种金刚石和铝的接合体及其制造方法，其具有用于安装金刚石板和功率半导体器件等的发热物的由纯铝或铝合金构成的金属膜，即使用2cm大小级别的大面积的金属膜，金刚石板和该金属膜的附着性也很高，翘曲小。一种金刚石和铝的接合体，其在金刚石板(11)上，按照从该金刚石板(11)侧开始的顺序，具有由含硅铝合金构成的中间层(31)和由纯铝或铝合金构成的金属膜(21)。
文档编号H01L23/373GK102263073SQ20111014507
公开日2011年11月30日 申请日期2011年5月24日 优先权日2010年5月27日
发明者横田嘉宏, 橘武史, 长尾护 申请人:株式会社神户制钢所