专利名称：一种硅基薄膜太阳能电池制备方法
技术领域：
本发明属于新能源中的薄膜太阳能电池技术领域，具体的说是涉及一种硅基薄膜太阳能电池制备方法。
背景技术：
随着薄膜太阳能市场的日益扩大，硅基薄膜太阳能电池也在市场中占有了举足轻重的地位。通常，在硅基薄膜太阳能电池的整个组件封装过程中，总共需要进行三次以上的激光刻线工艺。据了解，第一次光刻(PD的作用是将透明导电氧化层(TCO)分节，以作为子电池的衬底；第二次光刻(P2)的作用是将a-Si膜层刻蚀沟槽，为背电极填充做准备;第三次光刻(P3)的作用是完成子电池的分离，形成若干子电池的串联、切掉硅层和背电极；最后还要进行激光扫边,扫去成品电池芯片边缘部位,使边缘部位绝缘达到边缘保护要求， 后用于组件车间层压。当今的超短脉冲激光器被用于很多材料的高精度结构生产加工，这是由于超短激光技术既非热烧蚀、也非“冷”烧蚀的加工特点。目前对于薄膜太阳能电池的加工都还是基于纳秒激光烧蚀和机械刻线，该传统激光光源已经无法满足烧蚀质量的要求。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术之缺陷，提供一种刻划质量高，能够满足产业上加工速度的需求，工序简单，生产成本低的硅基薄膜太阳能电池制备方法。为了实现上述发明目的，本发明的技术方案如下一种硅基薄膜太阳能电池制备方法，包括如下步骤提供在表面镀有透光导电氧化物层的透光的衬底；施加皮秒激光束，使所述皮秒激光束穿过所述衬底到达所述导电氧化物层，并且划刻所述导电氧化物层，以形成贯穿所述导电氧化物层的第一沟槽；在所述刻划有第一沟槽的导电氧化物层与所述衬底相对的表面镀半导体光电转化层；施加皮秒激光束，使所述皮秒激光束穿过所述衬底和导电氧化物层到达所述半导体光电转化层，并且划刻所述半导体光电转化层，以形成贯穿所述半导体光电转化层的第二沟槽；在所述刻划有第二沟槽的半导体光电转化层与所述导电氧化物层相对的表面镀背电极层；施加皮秒激光束，使所述皮秒激光束穿过所述衬底、导电氧化物层和半导体光电转化层到达所述背电极层，并且划刻所述半导体光电转化层和背电极层，以形成贯穿所述半导体光电转化层和背电极层的第三沟槽；其中，所述皮秒激光束由皮秒激光器发射。本发明硅基薄膜太阳能电池制备方法采用皮秒激光束对导电氧化物层、半导体光电转化层和背电极层进行刻划，使得刻划形成的沟槽光滑、均匀，刻划速度快、质量高。由于，皮秒激光系统性能良好，该皮秒激光光源重复频率能够满足产业上加工速度的需求，提高了该硅基薄膜太阳能电池的生产效率，降低了生产成本，该硅基薄膜太阳能电池制备方法工序简单，适于工业化生产。
图I为本发明实施例硅基薄膜太阳能电池制备方法的流程示意图；图2为本发明实施例硅基薄膜太阳能电池结构示意图；图3为实施例I制备的硅基薄膜太阳能电池中第一沟槽的效果图；图4为对比实施例制备的硅基薄膜太阳能电池中第一沟槽的效果图，其中，
图4(a)显示了普通纳秒激光器发射1064nm波长激光束划刻导电氧化物层的效果图；图4(b)显示了普通纳秒激光器355nm波长激光束划刻导电氧化物层的效果图。
具体实施例方式为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。本发明实施例提供一种刻划质量高，能够满足产业上加工速度的需求，工序简单，生产成本低的硅基薄膜太阳能电池制备方法。该方法工艺流程图如图I所示，同时参见图
2。该方法包括如下步骤SI :提供在表面镀有透光导电氧化物层(TC0层)2的透光的衬底I ;S2 :施加皮秒激光束，使该皮秒激光束穿过衬底I到达导电氧化物层2，并且划刻导电氧化物层2，以形成贯穿导电氧化物层2的第一沟槽51 ；S3 :在刻划有第一沟槽51的导电氧化物层2与衬底I相对的表面镀半导体光电转化层3 ；S4 :施加皮秒激光束，使皮秒激光束穿过衬底I和导电氧化物层2到达半导体光电转化层3，并且划刻半导体光电转化层3，以形成贯穿半导体光电转化层3的第二沟槽52 ；S5 :在刻划有第二沟槽52的半导体光电转化层3与导电氧化物层2相对的表面镀背电极层4;S6 :施加皮秒激光束，使皮秒激光束穿过衬底I、导电氧化物层2和半导体光电转化层3到达背电极层4，并且划刻半导体光电转化层3和背电极层4，以形成贯穿半导体光电转化层3和背电极层4的第三沟槽53 ；其中，上述步骤S2、步骤S4和步骤S6中的皮秒激光束由皮秒激光器发射。这样，上述硅基薄膜太阳能电池制备方法采用皮秒激光束对导电氧化物层、半导体光电转化层和背电极层进行刻划，使得刻划形成的沟槽光滑、均匀，刻划速度快、质量高。由于，皮秒激光系统性能良好，该皮秒激光光源重复频率能够满足产业上加工速度的需求，提高了该硅基薄膜太阳能电池的生产效率，降低了生产成本，该硅基薄膜太阳能电池制备方法工序简单，适于工业化生产。具体地，上述硅基薄膜太阳能电池制备方法的步骤SI中，衬底I为本技术领域常用的材料，应该无导电性能，如玻璃。在镀导电氧化物层2之前，优选将该衬底I进行前置处理。该前置处理可以包括化学试剂清洗、超声波清洗、水清洗等，清洗完毕后，用红外烘箱烘干待用。该前置处理吸附性和去除其表面的有机污染物。该步骤SI中，镀导电氧化物层2的方法优选采用真空磁控派射(MagnetronSputtering)的方法。该真空磁控派射的工艺条件可以按照本技术领域常用的工艺条件。该导电氧化物层2的厚度优选为O. 5 μ m I μ m，其材料优选为掺铝氧化锌(AZO)、掺氟氧化锡(FTO)、氧化铟锡(ITO)中的至少一种。采用真空磁控溅射镀导电氧化物层2能使得导电氧化物层2与衬底I紧密结合，且结构均匀。优选的材料具有如低电阻等良好的导电性倉泛。具体地，上述硅基薄膜太阳能电池制备方法的步骤S2中，刻划第一沟槽的具体步骤(PD为将步骤Si中提供的衬底I固定在水平工作台上，同时将皮秒激光器固定在水平工作台上方；其中，透光导电氧化物层2朝下，衬底I朝上固定；水平工作台应该在竖直方向上及水平方向上的位置保持基本恒定；皮秒激光器与衬底I的垂直间距固定，并且该皮秒激光器可以在平行于衬底I的横向或纵向往复移动；然后开启皮秒激光器，使得该皮秒 激光器发射的皮秒激光束穿过衬底I到达TCO层2上，并进行划刻该TCO层2直至衬底I即直至穿过该TCO层2以形成第一沟槽51。该步骤S2中，上述Pl的刻划工艺中，波长为1064nm皮秒激光束的重复频率优选为ΙΟΟΚΗζ，皮秒激光器的输出功率优选为O. 8W，脉冲能量优选为8 μ J，刻划速度为800mm/S。这样，该优选的工艺参数下的皮秒激光束不仅是有效的使TCO层2的材料烧蚀，而是气化多数或者所有与激光束接触的TCO层2的材料，从而使得刻划出的第一沟槽51光滑，且精确刻划切割，并减少或者去除第一沟槽51中的不想要的凸缘和突起，另外，提高了该第一沟槽51刻划效率。该步骤S2中，上述皮秒激光束优选包括对于划刻有效的有效部分和对于划刻无效的无效部分。其中，该皮秒激光束的有效部分具有一定的距离范围，在该距离范围内聚焦的皮秒激光束的功率密度大于给定的有效值。所述有效值可以是功率密度提供一距离范围，在该距离范围内聚焦的激光束的功率密度大于给定的有效值。该有效值可以是功率密度，该功率密度对于蒸发和/或切除也即是刻划导电氧化物层2的部分是有效的。如有效部分对于在导电氧化物层2中划刻第一沟槽51是有效的。该皮秒激光束的无效部分是指在前述有效部分一定的距离范围之外的皮秒激光束。该区域内聚焦的皮秒激光束具有较低的功率密度并且不足以用于在导电氧化物层2中划刻沟槽，如衬底I所处的皮秒激光束范围，以保护衬底I不被刻划。该步骤S2中，第一沟槽51优选间隔的开设在导电氧化物层2上，且两两相邻的第一沟槽51之间的间距优选为2mm 10mm。该第一沟槽51的宽度优选为25 μ m 50 μ m。具体地，上述硅基薄膜太阳能电池制备方法的步骤S3中，镀半导体光电转化层3的方法优选采用离子增强化学气相沉积(PECVD)的方法，且半导体光电转化层3的外表面应该平整。采用PECVD法镀半导体光电转化层3能使得半导体光电转化层3与导电氧化物层2紧密结合，且结构均匀。该PECVD法的工艺条件可以按照本技术领域常用的工艺条件。该半导体光电转化层3的厚度优选为I 2 μ m,其材料优选为a_Si。该半导体光电转化层3可以是一层也可以是叠加设置的多层结构，其中，半导体光电转化层3优选为叠加设置的2或3层结构。该优选材料和结构的半导体光电转化层3能有效的降低光线的折射，增强光的透过率，提高对光的转换效率。具体地，上述硅基薄膜太阳能电池制备方法的步骤S4中，刻划第二沟槽的具体步骤(P2)与上述步骤S2中的Pl基本相同。不同点在于，开启皮秒激光器，使得该皮秒激光器发射的皮秒激光束穿过衬底I和导电氧化物层2到达半导体光电转化层3上，并进行划刻该半导体光电转化层3直至导电氧化物层2即直至穿过该半导体光电转化层3以形成第二沟槽52。该第二沟槽52与第一沟槽51互相紧密且精确的间隔开设，且均是从硅基薄膜太阳能电池的一侧面向相对的另一侧面延伸。该步骤S4中，上述P2的刻划工艺中，波长为532nm皮秒激光束的重复频率优选为ΙΟΟΚΗζ，皮秒激光器的输出功率优选为O. 2W，脉冲能量优选为2 μ J，刻划速度为900mm/
S。这样，该优选的工艺参数下的皮秒激光束不仅是有效的使半导体光电转化层3的材料烧蚀，而是气化多数或者所有与激光束接触的半导体光电转化层3的材料，从而使得刻划出 的第二沟槽52光滑，且精确刻划切割，并减少或者去除第二沟槽52中的不想要的凸缘和突起，另外，提高了该第二沟槽52刻划效率。该步骤S4中，上述皮秒激光束优选包括对于划刻有效的有效部分和对于划刻无效的无效部分。其中，该皮秒激光束的有效部分对于在半导体光电转化层3中划刻第二沟槽52是有效的，同理，衬底I和导电氧化物层2处在该皮秒激光束的无效部分范围。该步骤S4中，第二沟槽52优选间隔的开设在半导体光电转化层3上，且两两相邻的第二沟槽52之间的间距优选为2mm 10mm。该第二沟槽52的宽度优选为25 μ m 50 μ m0具体地，上述硅基薄膜太阳能电池制备方法的步骤S5中，镀背电极层4的方法优选采用真空磁控派射(Magnetron Sputtering)的方法,且背电极层4的外表面应该平整。采用真空磁控溅射法镀背电极层4能使得背电极层4与半导体光电转化层3紧密结合，且结构均匀。该真空磁控溅射法的工艺条件可以按照本技术领域常用的工艺条件。该背电极层4的厚度优选为O. 5 I μ m，其材料可以是本技术领域常用的材料。另外，可以将该背电极层4制作为增反的，可以使光从该背电极层4底侧反射回半导体光电转化层3，以提高光电转化效率。具体地，上述硅基薄膜太阳能电池制备方法的步骤S6中，刻划第三沟槽的具体步骤(P3)与上述步骤S4中的P2基本相同。不同点在于，开启皮秒激光器，使得该皮秒激光器发射的皮秒激光束穿过衬底I、导电氧化物层2和半导体光电转化层3到达背电极层4上，并进行划刻该半导体光电转化层3和背电极层4直至导电氧化物层2即直至穿过该半导体光电转化层3和背电极层4以形成第三沟槽53。该第三沟槽53与第二沟槽52、第一沟槽51互相紧密且精确的间隔开设，且均是从硅基薄膜太阳能电池的一侧面向相对的另一侧面延伸。该第三沟槽53与第二沟槽52、第一沟槽51的延伸方向相同，能在衬底I形成多个串联或间隔分布的硅基薄膜太阳能电池。该步骤S6中，上述P3的刻划工艺中，波长为532nm皮秒激光束的重复频率优选为ΙΟΟΚΗζ，皮秒激光器的输出功率优选为0. 4W，脉冲能量优选为4 μ J，刻划速度为900mm/
S。同样，该优选的工艺参数下的皮秒激光束不仅是有效的使半导体光电转化层3和背电极层4的材料融化，而是气化多数或者所有与激光束接触的半导体光电转化层3和背电极层4的材料，从而使得刻划出的第三沟槽53光滑，且精确刻划切割，并减少或者去除第三沟槽53中的不想要的凸缘和突起，另外，提高了该第三沟槽53刻划效率。该步骤S6中，上述皮秒激光束优选包括对于划刻有效的有效部分和对于划刻无效的无效部分。其中，该皮秒激光束的有效部分对于在半导体光电转化层3和背电极层4中划刻第三沟槽53是有效的，同理，衬底I和导电氧化物层2处在该皮秒激光束的无效部分范围。该步骤S6中，第三沟槽53优选间隔开设，且两两相邻的第三沟槽53之间的间距优选为2mm 10mm。该第三沟槽53的宽度优选为25 μ m 50 μ m。上述步骤S2、步骤S4、步骤S6中的皮秒激光束的脉冲宽度在IOps 15ps可调，重复频率在100 500KHZ可调。优选的，如图2所示，作为本发明一具体实施例，经过上述硅基薄膜太阳能电池制 备方法制备的硅基薄膜太阳能电池包括依次叠加设置的衬底I、导电氧化物层2和半导体光电转化层3到达背电极层4。其中，导电氧化物层2开设有两个第一沟槽51 ;半导体光电转化层3开设有两个第二沟槽52 ;半导体光电转化层3和背电极层4上开设有两个第三沟槽53,该第三沟槽53穿过半导体光电转化层3和背电极层4,将半导体光电转化层3和背电极层4分成不连续的并排三部分。该第一沟槽51、第二沟槽52和第三沟槽53互相紧密且精确的间隔开设，且均是从硅基薄膜太阳能电池的一侧面向相对的另一侧面延伸，为了提高硅基薄膜太阳能电池的利用率，该三条沟槽的总宽度优选不超过250 μ m。其中，两个第一沟槽51之间的间距、两个第二沟槽52之间的间距和两个第三沟槽53之间的间距均为IOmm,第一沟槽51、第二沟槽52和第三沟槽53的宽度均为25 μ m,且三者互相错开分布。为方便起见，图2中只示出了三个独立的电池，但对于任意期望数量的串联连接的电池，处理方法相似的，同时，并根据需要，各个电池可以并联连接或不连接存在。现结合具体实例，对本发明实施例硅基薄膜太阳能电池制备方法进行进一步详细说明。实施例I本实施例的硅基薄膜太阳能电池结构如图2所示，该硅基薄膜太阳能电池制备方法为Sll :提供在表面镀有透光导电氧化物层(TC0层)2的透光的衬底I ;S12 :将步骤Sll中提供的衬底I固定在水平工作台上，同时将皮秒激光器固定在水平工作台上方；其中，透光导电氧化物层2朝下，衬底I朝上固定；水平工作台应该在竖直方向上及水平方向上的位置保持基本恒定；皮秒激光器与衬底I的垂直间距固定，并且该皮秒激光器可以在平行于衬底I的横向或纵向往复移动；然后开启皮秒激光器，使得该皮秒激光器发射的皮秒激光束穿过衬底I到达TCO层2上，并进行划刻该TCO层2直至贯穿该TCO层2，以形成间隔为IOmm的两个并排的第一沟槽51，该两个第一沟槽51宽度为25 μ m ;其中，皮秒激光束的波长为1064nm，其脉冲为10ps、重复频率为ΙΟΟΚΗζ、输出功率约为O. 8W、脉冲能量约为8μ J;S13 :采用PECVD法，在刻划有第一沟槽51的导电氧化物层2与衬底I相对的表面镀厚度为2 μ m的半导体光电转化层3 ；S14 :按照上述步骤S12的方法，施加皮秒激光束，使皮秒激光束穿过衬底I和导电氧化物层2到达半导体光电转化层3，并且划刻半导体光电转化层3，以形成贯穿半导体光电转化层3的间隔为IOmm的两个并排的第二沟槽52，该两个第二沟槽52宽度为25 μ m ;其中，皮秒激光束的波长为532nm，其脉冲为10ps、重复频率约为ΙΟΟΚΗζ、输出功率约为O. 2W、脉冲能量约为2 μ J ;S15:采用真空磁控溅射法法，在刻划有第二沟槽52的半导体光电转化层3与导电氧化物层2相对的表面镀厚度为I μ m的背电极层4 ；S16 :按照上述步骤S12的方法，施加皮秒激光束，使皮秒激光束穿过衬底I、导电氧化物层2和半导体光电转化层3到达背电极层4，并且划刻半导体光电转化层3和背电极层4，以形成贯穿半导体光电转化层3和背电极层4的间隔为IOmm的两个并排的第三沟槽53，该两个第三沟槽53宽度为25 μ m ;其中，皮秒激光束的波长为532nm，其脉冲为IOpsj复频率约为ΙΟΟΚΗζ、输出功率约为0. 4W、脉冲能量约为4μ J。本实施例I制备的硅基薄膜太阳能电池结构中，刻划的第一沟槽51、第二沟槽52 和第三沟槽53光滑、均匀，质量高，而且刻划的彻底，不会导致使该硅基薄膜太阳能电池内部产生并联,如图3所示。对比实施例I本实施例的硅基薄膜太阳能电池结构如图2所示，该硅基薄膜太阳能电池制备方法为S21 :提供在表面镀有透光导电氧化物层(TC0层)2的透光的衬底I ;S22 :按照上述步骤S12的方法，然后开启现有普通纳秒激光器，使得该纳秒激光器发射的激光束穿过衬底I到达TCO层2上，并进行划刻该TCO层2直至贯穿该TCO层2，以形成间隔为10_的两个并排的第一沟槽51，即进行Pl的刻划工序，该两个第一沟槽51宽度为25 μ m;其中，激光束的波长为1064nm;S23 :采用PECVD法，在刻划有第一沟槽51的导电氧化物层2与衬底I相对的表面镀厚度为2 μ m的半导体光电转化层3 ；S24 :按照上述步骤S22的方法，施加现有普通纳秒激光器的激光束，进行P2的刻划工序；S25:采用真空磁控溅射法法，在刻划有第二沟槽52的半导体光电转化层3与导电氧化物层2相对的表面镀厚度为I μ m的背电极层4 ；S26 :参照上述步骤S22的方法，施加现有普通纳米激光器的激光束，进行P3的刻划工序。本对比实施例I制备的硅基薄膜太阳能电池结构中，刻划的第一沟槽51如图4 (a)所示。由图4(a)可知，采用现有的普通纳秒激光器的激光束进行Pl刻划工序所获得的第一沟槽51刻划的不彻底，不光滑，更不均匀，质量差，这样导致该硅基薄膜太阳能电池内部产生并联，从而降低了该硅基薄膜太阳能电池光电转换效率。对比实施例2本实施例的硅基薄膜太阳能电池结构如图2所示，该硅基薄膜太阳能电池制备方法为S31 :提供在表面镀有透光导电氧化物层(TC0层)2的透光的衬底I ;S32 :按照上述步骤S12的方法，然后开启现有普通纳秒激光器，使得该纳秒激光器发射的激光束穿过衬底I到达TCO层2上，并进行划刻该TCO层2，以形成间隔为IOmm的两个并排的第一沟槽51，即进行Pl的刻划工序，该两个第一沟槽51宽度为25 μ m ;其中，激光束的波长为355nm ；S33 :采用PECVD法，在刻划有第一沟槽51的导电氧化物层2与衬底I相对的表面镀厚度为2 μ m的半导体光电转化层3 ；S34 :按照上述步骤S22的方法，施加现有普通纳秒激光器的激光束，进行P2的刻划工序；S35:采用真空磁控溅射法法，在刻划有第二沟槽52的半导体光电转化层3与导电氧化物层2相对的表面镀厚度为I μ m的背电极层4 ；S36 :参照上述步骤S22的方法，施加现有普通纳秒激光器的激光束，进行P3的刻划工序。
本对比实施例2制备的硅基薄膜太阳能电池结构中，刻划的第一沟槽51如图4 (b)所示。由图4(b)可知，采用现有的普通纳秒激光器的激光束进行Pl刻划工序所获得的第一沟槽51的质量相比对比实施例I中第一沟槽51的质量略好，但是与图3相比，本对比实施例2刻划的获得的第一沟槽51仍不彻底，不光滑，不均匀，质量差，这样同样导致该硅基薄膜太阳能电池内部产生并联，从而降低了该硅基薄膜太阳能电池光电转换效率。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种硅基薄膜太阳能电池制备方法，包括如下步骤 提供在表面镀有透光导电氧化物层的透光的衬底； 施加皮秒激光束，使所述皮秒激光束穿过所述衬底到达所述导电氧化物层，并且划刻所述导电氧化物层，以形成贯穿所述导电氧化物层的第一沟槽； 在所述刻划有第一沟槽的导电氧化物层与所述衬底相对的表面镀半导体光电转化层； 施加皮秒激光束，使所述皮秒激光束穿过所述衬底和导电氧化物层到达所述半导体光电转化层，并且划刻所述半导体光电转化层，以形成贯穿所述半导体光电转化层的第二沟槽； 在所述刻划有第二沟槽的半导体光电转化层与所述导电氧化物层相对的表面镀背电极层； 施加皮秒激光束，使所述皮秒激光束穿过所述衬底、导电氧化物层和半导体光电转化层到达所述背电极层，并且划刻所述半导体光电转化层和背电极层，以形成贯穿所述半导体光电转化层和背电极层的第三沟槽； 其中，所述皮秒激光束由皮秒激光器发射。
2.根据权利要求I的硅基薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于所述皮秒激光束的脉冲宽度为IOps 15ps，重复频率为100 500KHz。
3.根据权利要求I所述的硅基薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于在刻划所述第一沟槽时，所述皮秒激光束的波长为1064nm ;所述皮秒激光器的输出功率为O. 8W，脉冲能量为8μ J。
4.根据权利要求I所述的硅基薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于在刻划所述第二沟槽时，所述皮秒激光束的波长532nm ;所述皮秒激光器的输出功率为O. 2W，脉冲能量为2 μ J0
5.根据权利要求I所述的硅基薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于在刻划所述第三沟槽时，所述皮秒激光束的波长532nm ;所述皮秒激光器的输出功率为O. 4W，脉冲能量为4μ Jo
6.根据权利要求I所述的硅基薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于所述皮秒激光束包括对于划刻有效的有效部分和对于划刻无效的无效部分。
7.根据权利要求I所述的硅基薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于所述第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽互相间隔开设，均是从所述硅基薄膜太阳能电池的一侧面向相对的另一侧面延伸；所述第一沟槽至少有两条，且间隔开设在导电氧化物层上；所述第二沟槽至少有两条，且间隔开设在半导体光电转化层上，所述第三沟槽至少有两条，且间隔开设在半导体光电转化层和背电极层上。
8.根据权利要求5所述的硅基薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于所述相邻第一沟槽的间距、相邻第二沟槽的间距和相邻第三沟槽的间距分别为2mm 10mm。
9.根据权利要求I所述的硅基薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于所述第一沟槽的宽度、第二沟槽的宽度和第三沟槽的宽度为25 μ m 50 μ m。
10.根据权利要求I所述的硅基薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于所述镀导电氧化物层和背电极层的方式为真空磁控溅射；所述镀半导体光电转化层的方式为离子增强化学气相沉 积法。
全文摘要
本发明公开了一种硅基薄膜太阳能电池制备方法，包括的步骤有采用皮秒激光束在透光导电氧化物层上进行刻划第一沟槽，其中，导电氧化物层与衬底叠加设置；在刻划有第一沟槽的导电氧化物层与所述衬底相对的表面镀半导体光电转化层；在半导体光电转化层上进行刻划第二沟槽；在刻划有第二沟槽的半导体光电转化层与所述导电氧化物层相对的表面镀背电极层；在半导体光电转化层和上背电极层进行刻划第三沟槽。本发明硅基薄膜太阳能电池制备方法所刻划形成的沟槽光滑、均匀，刻划速度快、质量高，且该方法提高了生产效率，降低了生产成本，工序简单，适于工业化生产。
文档编号H01L31/18GK102842644SQ201110171219
公开日2012年12月26日 申请日期2011年6月23日 优先权日2011年6月23日
发明者董清世, 顾毅 申请人:信义光伏产业(安徽)控股有限公司