专利名称：光电转换模块的制作方法
技术领域：
所公开的技术涉及一种光电转换模块，更特别地，涉及具有形成在基板上的宽度变化的光电极的光电转换模块。
背景技术：
通常，光电转换模块将光能转换成电能，并可以包括例如太阳能电池。一般的太阳能电池是使用p-n半导体结的晶片型硅或晶体太阳能电池。然而，用于形成硅太阳能电池的半导体材料通常是高纯度的，因此制造成本高。与硅太阳能电池不同，染料敏化太阳能电池(DSSC)包括光敏染料、半导体材料和电解质。光敏染料在可见光入射在其上时产生受激电子，半导体材料接收受激电子，电解质经由外部电路与电子反应。DSSC可以具有比硅太阳能电池显著更高的光电转换效率。因此，DSSC被认为是下一代太阳能电池。
发明内容
在一方面，提供一种光电转换模块，通过使形成在基板上的多个光电极的宽度彼此不对称，该光电转换模块具有改善的太阳能电池发电效率。另一方面，光电转换模块例如包括彼此面对的光接收基板和对基板以及形成在光接收基板和对基板之间的第一单位光电池和第二单位光电池。在一些实施例中，第一单位光电池包括形成在光接收基板上的第一光电极和形成在对基板上的第一对电极(counter electrode)。在一些实施例中，第二单位光电池包括形成在对基板上的第二光电极和形成在光接收基板上的第二对电极。在一些实施例中，第一光电极包括第一半导体层。在一些实施例中，第二光电极包括第二半导体层。在一些实施例中，第一半导体层的第一宽度与第二半导体层的第二宽度不对称。在一些实施例中，第一电解质层位于第一光电极与第一对电极之间。在一些实施例中，第二电解质层位于第二光电极与第二对电极之间。在一些实施例中，第一光电极还包括第一透明导电膜。在一些实施例中，第一对电极包括例如第二透明导电膜和第一催化剂层。在一些实施例中，第二光电极还包括例如第三透明导电膜。在一些实施例中，第二对电极包括例如第四透明导电膜和第二催化剂层。在一些实施例中，第一透明导电膜、第二透明导电膜、第三透明导电膜和第四透明导电膜电连接到引线。在一些实施例中，第一宽度小于第二宽度。 在一些实施例中，第二宽度小于第一宽度的约两倍。在一些实施例中，第二宽度小于第一宽度。在一些实施例中，第一宽度小于第二宽度的约两倍。在一些实施例中，第一宽度和第二宽度分别在基本平行于光接收基板和对基板的表面的方向上测量。在一些实施例中， 第一半导体层的第一高度与第二半导体层的第二高度不对称。在一些实施例中，第一高度在基本垂直于光接收基板的表面的方向上测量，且其中第二高度在基本垂直于对基板的表面的方向上测量。在一些实施例中，第一单位光电池和第二单位光电池通过密封件分隔开。在一些实施例中，密封件包括例如第一切割线(scribe line)。另一方面，光电转换模块包括例如彼此面对的光接收基板和对基板以及形成在光接收基板与对基板之间的第一单位光电池和第二单位光电池。在一些实施例中，第一单位光电池包括形成在光接收基板上的第一光电极和形成在对基板上的第一对电极。在一些实施例中，第二单位光电池包括例如形成在对基板上的第二光电极和形成在光接收基板上的第二对电极。在一些实施例中，第一光电极包括第一半导体层。在一些实施例中，第二光电极包括第二半导体层。在一些实施例中，第一半导体层的第一高度与第二半导体层的第二高度不对称。在一些实施例中，第一高度在基本垂直于光接收基板的表面的方向上测量。在一些实施例中，第二高度在基本垂直于对基板的表面的方向上测量。在一些实施例中，第一单位光电池的第一光电极和第二单位光电池的第二对电极交替布置在光接收基板上，其中第一单位光电池的第一对电极和第二单位光电池的第二光电极交替布置在对基板上，布置在对基板上的第一单位光电池的第一对电极和第二单位光电池的第二光电极形成得在垂直于光接收基板的表面和对基板的表面的方向上分别面对布置在光接收基板上的第一单位光电池的第一光电极和第二单位光电池的第二对电极。在一些实施例中，第一光电极包括例如第一透明导电膜，其中第一对电极包括例如第二透明导电膜，其中第二光电极包括例如第三透明导电膜，且其中第二对电极包括例如第四透明导电膜。在一些实施例中，第一透明导电膜和第四透明导电膜在光接收基板上彼此电连接，且其中在一对第一和第二单位光电池与相邻的另一对第一和第二单位光电池之间第一透明导电膜和第四透明导电膜通过第一切割线彼此分隔开。在一些实施例中，第二透明导电膜和第三透明导电膜在对基板上彼此电连接以分别与第一透明导电膜和第四透明导电膜交替，在一对第一和第二单位光电池与相邻的另一对第一和第二单位光电池之间第二透明导电膜和第三透明导电膜通过第二切割线彼此分隔开。在一些实施例中，第一高度小于第二高度。另一方面，提供一种包括光电转换模块的太阳能电池。
从以下的描述和权利要求，结合附图，本公开的特征将变得更加显然。将理解，这些图仅示出根据本公开的某些实施例，因此不应视为对本公开的范围的限制；本公开将通过使用附图用额外的具体特征和细节来描述。根据一些所描述的实施例的装置、系统或方法可具有若干方面，其中没有一个单独方面必须独自成为装置、系统或方法的期望特性的原因。在考虑本公开之后，特别在阅读“具体实施方式
”部分之后，本领域技术人员将理解所示特征如何用于解释本公开的某些原理。图1是根据本公开的实施例的光电转换模块的剖视图。图2A是图1的光电转换模块的光接收基板的平面图。图2B是图1的光电转换模块的对基板(counter substrate)的平面图。图3是曲线图，示出图1的光电转换模块的发电效率。图4是根据本公开另一实施例的光电转换模块的剖视图。
具体实施例方式在以下的详细描述中，仅以举例的方式显示和描述了本发明的仅某些示范性实施例。如本领域技术人员将意识到的那样，所描述的实施例可以以各种不同的方式修改，而都不背离本公开的精神和范围。因而，附图和描述应被认为在本质上是说明性的而不是限制性的。此外，当称一元件在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者间接在另一元件上，有一个或多个居间元件插设在它们之间。此外，当称一元件“连接到”另一元件时，它可以直接连接到另一元件，或者间接连接到另一元件，有一个或多个居间元件插设在它们之间。在下文中，相似的附图标记指示相似的元件。将参照附图更详细地描述某些实施例， 使得本领域技术人员能容易地制作和使用本公开的诸方面。图1是光电转换模块100的剖视图，图2A是光电转换模块100的光接收基板101 的平面图，图2B是光电转换模块100的对基板102的平面图。参照图1、2A和2B，光接收基板101和对基板102彼此面对。光接收基板101可由透明材料形成。光接收基板101可由具有高透光率的材料形成。例如，光接收基板101可由玻璃或树脂膜形成。树脂膜是柔性的且因此可以适于要求柔性的光电转换器件。对基板 102不要求透明。然而，对基板102可由透明材料形成且配置来接收入射光VL。因此，可以在光电转换模块100的任一面或两面接收入射光从而增大光电转换效率。在一些实施例中，对基板102由与光接收基板101相同的材料形成。特别地，如果光电转换模块100用作安装到诸如建筑窗框的结构的建筑集成光伏系统(BIPV)，则光电转换模块100的两面可以是透明的从而不阻挡光射入建筑中。多个单位光电池103形成在光接收基板101与对基板102之间的内部空间中。单位光电池103包括用于进行光电转换的光电极104和对电极105。每个光电极104包括第一透明导电膜106和半导体层107。每个对电极105包括第二透明导电膜108和催化剂层 109。电解质层110插设在光电极104与对电极105之间。第一透明导电膜106和第二透明导电膜108每个使用引线111彼此串联或并联地电连接。在所示实施例中，第一透明导电膜106和第二透明导电膜108每个串联地彼此电连接。第一透明导电膜106形成在光接收基板101的内表面上。第一透明导电膜106可由透明且导电的材料形成。例如，第一透明导电膜106可包括透明导电氧化物(TCO)诸如铟锡氧化物(ITO)、氟锡氧化物(FTO)、锑掺杂锡氧化物(ATO)或镓掺杂锌氧化物(GZO)。尽管在图1中未示出，但是第一栅格图案可形成在第一透明导电膜106上。可以形成第一栅格图案以降低第一透明导电膜106的电阻。第一栅格图案可包括配置来收集根据光电转换操作产生的电子的布线。第一栅格图案还可提供低电阻电流路径。例如，第一栅格图案可由具有优良电导率的金属材料形成，诸如金(Au)、银(Ag)或铝(Al)。第一栅格图案可以形成为各种不同的图案。例如，第一栅格图案可以形成为具有特定形状诸如方形的实心图案或具有预定开口的网格图案。当形成第一栅格图案时，可以形成第一保护层以覆盖第一栅格图案。第一保护层可配置来防止第一栅格图案与电解质层110之间的接触且因此配置来防止电极被损坏。例如，第一保护层可配置来防止第一栅格图案的腐蚀。第一保护层可由不与电解质反应的材料形成。例如，第一保护层可由可固化树脂形成。光电极104配置来用作光电转换模块100的负电极并可具有高的开口率。穿过第一透明导电膜106入射的光VL用作吸收到半导体层107的光敏染料的激发源。因此，通过增大入射在光电转换模块100上的光VL的量，可以改善光电转换效率。半导体层107可以由金属化合物诸如 Cd、Zn、In、Pb、Mo、W、Sb、Ti、Ag、Mn、Sn、Zr、Sr、Ga、Si 或 Cr 形成。半导体层107配置来吸收光敏染料且因此增大光电转换效率。例如，半导体层107可通过将膏涂覆在其上形成有第一透明导电膜106的光接收基板101上且然后向膏施加预定的热或压力而形成，膏中分散有具有约5nm至约IOOOnm直径的半导体颗粒。半导体层107配置来吸收可被光VL激发的光敏染料。由此吸收到半导体层107 的光敏染料配置来吸收穿过光接收基板101并入射在光敏染料上的光VL。光敏染料中的电子由此从基态激发到激发态。利用光敏染料和半导体层107之间的电结(electrical junction)，受激电子转移到半导体层107的导带。受激电子经过半导体层107到第一透明导电膜106。然后，受激电子通过第一透明导电膜106离开光电转换模块100并由此可构成用于驱动外部电路的驱动电流。例如，吸收到半导体层107的光敏染料包括吸收可见光波段中的可见光并当在光激发态时引起到半导体层107的快速电子转移的分子。光敏染料可以为液体、半固态凝胶体或固体。例如，吸收到半导体层107的光敏染料可以是基于钌的光敏染料。配置来吸收光敏染料的半导体层107可以通过将具有形成的半导体层的光接收基板101浸在包括特定光敏染料的溶液中而形成。第二透明导电膜108形成在对基板102的内表面上。第二透明导电膜108可由透明且导电的材料形成。例如，第二透明导电膜108可包括TCO诸如IT0、FT0或ΑΤΟ。尽管未示出，但是第二栅格图案和覆盖第二栅格图案的第二保护层可形成在第二透明导电膜108 上。第二栅格图案可以以与前面描述的第一栅格图案类似的方式形成并具有与前面描述的第一栅格图案类似的功能。对电极105配置来用作光电转换模块100的正电极并用作向电解质层110提供电子的还原催化剂。吸收到半导体层107的光敏染料可通过吸收入射光VL而产生受激电子。 受激电子通过第二透明导电膜108离开光电转换模块100。失去了受激电子的光敏染料通过从电解质层110的氧化收集电子而被还原。氧化的电解质层Iio通过经由外部电路到达第二透明导电膜108的电子而还原，从而完成光电转换模块100的操作期间的电路。催化剂层109可由用作向电解质层110提供电子的还原催化剂的材料形成。例如， 催化剂层109可由金属诸如钼(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)或铝(Al)，金属氧化物诸如锡氧化物，或碳基材料诸如石墨形成。包括氧化剂和还原剂对的氧化还原电解质可应用到电解质层110。例如，电解质层 110可由固体电解质、凝胶型电解质或液体电解质形成。多个单位光电池103布置在光接收基板101与对基板102之间。单位光电池103 通过密封件112分隔开。密封件112配置来密封电解质层110并防止电解质层110的电解质泄漏到光电转换模块100外。在所示实施例中，单位光电池103包括三个单位光电池S, 例如第一单位光电池113、第二单位光电池114和第三单位光电池115。本领域技术人员将理解，单位光电池103的数目可根据光电转换模块100的设计而改变。这里，光电极104和对电极105交替布置在光接收基板101上。对电极105和光电极104交替布置在对基板102上。交替布置在对基板102上的对电极105和光电极104分别面对交替布置在光接收基板101上的光电极104和对电极105。此外，两个相邻单位光电池103的光接收基板101上的透明导电膜，也就是一个单位光电池103的光接收基板101上的第一透明导电膜106和另一单位光电池103的光接收基板101上的第二透明导电膜108，彼此电连接。此外，与一对单位光电池103的光接收基板101对应的第一透明导电膜106和第二透明导电膜108通过第一切割线116与另一对单位光电池103的第一透明导电膜106和第二透明导电膜108分隔开。在所示实施例中，第一单位光电池113的半导体层107和第二单位光电池114的催化剂层109分别形成在第一单位光电池113的第一透明导电膜106和第二单位光电池 114的第二透明导电膜108上。第一单位光电池113的第一透明导电膜106和第二单位光电池114的第二透明导电膜108彼此电连接。此外，两个相邻单位光电池103的对基板102上的透明导电膜与这两个相邻单位光电池103的光接收基板101上的透明导电膜交替地布置。也就是，一个单位光电池103 的对基板102上的第一透明导电膜106和另一单位光电池103的对基板102上的第二透明导电膜108在形成得沿垂直方向面对光接收基板101的对基板102上彼此电连接。此外， 与一对单位光电池103的对基板102对应的第一透明导电膜106和第二透明导电膜108通过第二切割线117与另一对单位光电池103的第一透明导电膜106和第二透明导电膜108 分隔开。在所示实施例中，第二单位光电池114的半导体层107和第三单位光电池115的催化剂层109分别形成在第二单位光电池114的第一透明导电膜106和第三单位光电池 115的第二透明导电膜108上。第二单位光电池114的第一透明导电膜106和第三单位光电池115的第二透明导电膜108彼此电连接。在所示实施例中，第一切割线116和第二切割线117彼此交替布置以分隔开单位光电池103。因而，可以配置光电转换模块100，使得电子以如下方式流经光电转换模块 100(其中箭头指示电子流动的方向)一个单位光电池(例如第一单位光电池11 的第二透明导电膜108 —所述一个单位光电池的催化剂层109 —所述一个单位光电池的电解质层110—所述一个单位光电池的半导体层107—所述一个单位光电池的第一透明导电膜 106—相邻单位光电池(例如第二单位光电池114)的第二透明导电膜108—所述相邻单位光电池的催化剂层109 —所述相邻单位光电池的电解质层110 —所述相邻单位光电池的半导体层107 —所述相邻单位光电池的第一透明导电膜106 —...。光VL(如虚线箭头所示)入射在其上的光接收基板101的发电效率可高于对基板102的发电效率。例如，如果光接收基板101的发电效率为约100%，则对基板102的发电效率可为约60 80%。光伏发电基本经由包括半导体层107的光电极104产生。然而，光VL可由于用于形成催化剂层109的材料的类型而被催化剂层109基本上阻挡。这可显著降低光的总量。 此外，当光也经过电解质层110时发电效率可进一步减小。因而，为了改善发电效率，光接收基板101上的每个半导体层107的宽度和对基板 102上的每个半导体层107的宽度形成得彼此不对称。在一些实施例中，对基板102上的半导体层107的宽度W2大于光接收基板101上的半导体层107的宽度I。在一些实施例中， 对基板102上的半导体层107的宽度W2可大于光接收基板101上的半导体层107的宽度 W1，但小于光接收基板101上的半导体层107的宽度W1的两倍。当对基板102上的半导体层107的宽度W2大于光接收基板101上的半导体层107的宽度W1的两倍时，电阻显著增大且因此填充因子会受到损害。因此，会降低光电转换模块100的功率。图3是根据实验的曲线图，示出通过改变半导体层107的宽度测量的图1的光电转换模块100的发电效率。这里，X轴表示电压V，Y轴表示电流A。此外，光VL入射在其上的光接收基板101上的半导体层107的宽度为约5mm(A)，对基板102上的半导体层107的宽度对于三个不同试验分别为约5mm(B) ,6mm(C)和7mm(D)。参照图3，随着对基板102上的半导体层107的宽度从5mm⑶增加到7mm⑶，电流值增大且因此对基板102的电流值可与光接收基板101的电流值大致相同。也就是说， 如果对基板102上的半导体层107的宽度比光接收基板101上的半导体层107的宽度大大约40 %，可以获得最佳的电流值。图4是根据本公开另一实施例的光电转换模块400的剖视图。在上述附图中相似的附图标记指代相似的元件。半导体层407的厚度在光电转换模块400中改变，而半导体层107的宽度在图1的光电转换模块100中改变。参照图4，光电极404和对电极405交替布置在光接收基板101上。对电极405 和光电极404交替布置在对基板102上。交替布置在对基板102上的对电极405和光电极 404分别面对交替布置在光接收基板101上的光电极404和对电极405。此外，一个单位光电池413的光接收基板101上的一个半导体层407和相邻单位光电池414的光接收基板101上的一个催化剂层409分别形成在所述一个单位光电池413 的光接收基板101上的第一透明导电膜406和所述相邻单位光电池414的光接收基板101 上的第二透明导电膜408上。所述一个单位光电池413的光接收基板101上的第一透明导电膜406和所述相邻单位光电池414的光接收基板101上的第二透明导电膜408彼此电连接。在所述一个单位光电池413中，催化剂层409在对基板102上的透明导电膜408上形成得在垂直方向上面对光接收基板101。在所述相邻单位光电池414中，半导体层407在对基板102上的第一透明导电膜406上形成得在垂直方向上面对光接收基板101。在透明导电膜408上形成得在垂直方向上面对光接收基板101的催化剂层409和在第一透明导电膜 406上形成得在垂直方向上面对光接收基板101的半导体层407形成为在对基板102上彼此交替。在所述一个单位光电池413的对基板102上的第一透明导电膜406和在所述相邻单位光电池414的对基板102上的第二透明导电膜408彼此电连接。这里，光入射的光接收基板101上的半导体层407的高度和对基板102上的半导体层407的高度形成为彼此不对称。在一些实施例中，对基板102上的半导体层407的高度Ii2大于光接收基板101上的半导体层407的高度hp例如，如果半导体层407的宽度如关于对基板102那样关于光接收基板101相同，则光接收基板101上的半导体层407的高度Ii1可在约8 μ m至约25 μ m之间。在一些实施例中，光接收基板101上的半导体层407的高度h可在约13 μ m与约15 μ m之间。另一方面，对基板102上的半导体层407的高度Ii2可大于光接收基板101上的半导体层407的高度h1;但可小于或等于光接收基板101上的半导体层407的最大高度，例如士约5 μ m。于是，可以改善光电转换模块400的发电效率。相对于光接收基板101上的半导体层407的尺寸的对基板102上的半导体层407 的尺寸不限于仅关于宽度或厚度而改变，而是半导体层407的厚度和宽度可以改变以在光接收基板101和对基板102上形成彼此不对称的半导体层。如上所述，根据本公开的以上实施例中的一个或多个，每个都包括半导体层的光电极的宽度或高度在光电转换模块中形成得彼此不对称，因此可以改善发电效率。尽管已经结合某些示范性实施例描述了本发明，但是本领域技术人员将理解，可以进行各种修改和变化而不背离本公开的范围。本领域技术人员还将理解，包括在一个实施例中的部件与其它实施例是可互换的；所示实施例的一个或多个部件可以以任意组合包括在其它所示实施例中。例如，这里描述和/或附图示出的各种组元的任一个可以与其它实施例组合、互换或从其他实施例排除。关于这里基本上任何复数和/或单数术语的使用， 本领域技术人员可以从复数转变成单数和/或从单数转变成复数，如对于上下文和/或应用适当的那样。为了清晰，各种单数/复数的改变可以在这里清楚地阐述。因此，尽管本公开已描述了某些示范性实施例，但是将理解，本公开不限于所公开的实施例，而是相反地， 旨在覆盖包括在所附权利要求及其等同物的精神和范围内的各种修改和等同布置。
权利要求
1.一种光电转换模块，包括彼此面对的光接收基板和对基板；以及第一单位光电池和第二单位光电池，形成在所述光接收基板和所述对基板之间， 其中所述第一单位光电池包括形成在所述光接收基板上的第一光电极和形成在所述对基板上的第一对电极，其中所述第二单位光电池包括形成在所述对基板上的第二光电极和形成在所述光接收基板上的第二对电极，其中所述第一光电极包括第一半导体层， 其中所述第二光电极包括第二半导体层，且其中所述第一半导体层的第一宽度与所述第二半导体层的第二宽度不对称。
2.如权利要求1所述的光电转换模块，其中第一电解质层位于所述第一光电极与所述第一对电极之间。
3.如权利要求1所述的光电转换模块，其中第二电解质层位于所述第二光电极与所述第二对电极之间。
4.如权利要求1所述的光电转换模块，其中所述第一光电极还包括第一透明导电膜。
5.如权利要求4所述的光电转换模块，其中所述第一对电极包括第二透明导电膜和第一催化剂层。
6.如权利要求5所述的光电转换模块，其中所述第二光电极还包括第三透明导电膜。
7.如权利要求6所述的光电转换模块，其中所述第二对电极包括第四透明导电膜和第二催化剂层。
8.如权利要求7所述的光电转换模块，其中所述第一透明导电膜、所述第二透明导电膜、所述第三透明导电膜和所述第四透明导电膜电连接到引线。
9.如权利要求1所述的光电转换模块，其中所述第一宽度小于所述第二宽度。
10.如权利要求9所述的光电转换模块，其中所述第二宽度小于所述第一宽度的两倍。
11.如权利要求1所述的光电转换模块，其中所述第二宽度小于所述第一宽度。
12.如权利要求11所述的光电转换模块，其中所述第一宽度小于所述第二宽度的两倍。
13.如权利要求1所述的光电转换模块，其中所述第一宽度和所述第二宽度分别在基本平行于所述光接收基板和所述对基板的表面的方向上测量。
14.如权利要求1所述的光电转换模块，其中所述第一半导体层的第一高度与所述第二半导体层的第二高度不对称。
15.如权利要求14所述的光电转换模块，其中所述第一高度在基本垂直于所述光接收基板的表面的方向上测量，且其中所述第二高度在基本垂直于所述对基板的表面的方向上测量。
16.如权利要求1所述的光电转换模块，其中所述第一单位光电池和所述第二单位光电池通过密封件分隔开。
17.如权利要求16所述的光电转换模块，其中所述密封件包括第一切割线。
18.—种光电转换模块，包括彼此面对的光接收基板和对基板；以及第一单位光电池和第二单位光电池，形成在所述光接收基板与所述对基板之间， 其中所述第一单位光电池包括形成在所述光接收基板上的第一光电极和形成在所述对基板上的第一对电极，其中所述第二单位光电池包括形成在所述对基板上的第二光电极和形成在所述光接收基板上的第二对电极，其中所述第一光电极包括第一半导体层， 其中所述第二光电极包括第二半导体层，其中所述第一半导体层的第一高度与所述第二半导体层的第二高度不对称， 其中所述第一高度在基本垂直于所述光接收基板的表面的方向上测量，且其中所述第二高度在基本垂直于所述对基板的表面的方向上测量。
19.如权利要求18所述的光电转换模块，其中所述第一单位光电池的所述第一光电极和所述第二单位光电池的所述第二对电极交替布置在所述光接收基板上，其中所述第一单位光电池的所述第一对电极和所述第二单位光电池的所述第二光电极交替布置在所述对基板上，且布置在所述对基板上的所述第一单位光电池的所述第一对电极和所述第二单位光电池的所述第二光电极形成得在垂直于所述光接收基板的表面和所述对基板的表面的方向上分别面对布置在所述光接收基板上的所述第一单位光电池的所述第一光电极和所述第二单位光电池的所述第二对电极。
20.如权利要求19所述的光电转换模块，其中所述第一光电极包括第一透明导电膜， 其中所述第一对电极包括第二透明导电膜，其中所述第二光电极包括第三透明导电膜，且其中所述第二对电极包括第四透明导电膜。
21.如权利要求20所述的光电转换模块，其中所述第一透明导电膜和所述第四透明导电膜在所述光接收基板上彼此电连接，且其中在一对第一和第二单位光电池与相邻的另一对第一和第二单位光电池之间所述第一透明导电膜和所述第四透明导电膜通过第一切割线彼此分隔开。
22.如权利要求21所述的光电转换模块，其中所述第二透明导电膜和所述第三透明导电膜在所述对基板上彼此电连接以分别与所述第一透明导电膜和所述第四透明导电膜交替，且在一对第一和第二单位光电池与相邻的另一对第一和第二单位光电池之间所述第二透明导电膜和所述第三透明导电膜通过第二切割线彼此分隔开。
23.如权利要求19所述的光电转换模块，其中所述第一高度小于所述第二高度。
全文摘要
本发明公开一种光电转换模块。该光电转换模块包括彼此面对的光接收基板和对基板以及形成在光接收基板和对基板之间的第一单位光电池和第二单位光电池。第一单位光电池包括形成在光接收基板上的第一光电极和形成在对基板上的第一对电极，第二单位光电池包括形成在对基板上的第二光电极和形成在光接收基板上的第二对电极。第一光电极包括第一半导体层，第二光电极包括第二半导体层，且第一半导体层的第一宽度与第二半导体层的第二宽度不对称。
文档编号H01G9/26GK102332357SQ20111018771
公开日2012年1月25日 申请日期2011年7月6日 优先权日2010年7月12日
发明者许相烈, 郑株湜, 金炫彻 申请人:三星Sdi株式会社