专利名称：大型变压器铁芯片形组合结构的制作方法
技术领域：
本发明属于变压器，涉及一种大型变压器铁芯片形组合结构。
背景技术：
现阶段，由于三相五柱式铁芯中铁轭的截面积等于铁芯柱截面积的左右，由于磁路长度和铁芯饱和的影响，导致流经旁柱及其上下铁轭的磁通低于主柱的50%，流经主柱上下铁轭的磁通高于主柱的M%，这样会使旁柱及其上下铁轭的磁通密度过低，造成材料浪费；主柱上下铁轭的磁通密度过高，导致空载损耗、空载电流急剧增加，容易引起局部过热和噪音水平的增加等一系列不利因素。
发明内容
本发明为了弥补现有技术的不足，提供了一种结构相对简单、空载性能好、噪音水平低的大型变压器铁芯片形组合结构。本发明是通过如下技术方案实现的
本发明的大型变压器铁芯片形组合结构，包括主柱铁芯片，旁柱铁芯片，主柱上、下铁轭铁芯片，旁柱上、下铁轭铁芯片，其特殊之处在于旁柱铁芯片及旁柱上、下铁轭铁芯片的截面积为主柱的42 50%，主柱上、下铁轭铁芯片的截面积为主柱的50 58%，旁柱铁芯片及其上下铁轭铁芯片截面积与主柱上下铁轭铁芯片截面积之和大于或等于主柱铁芯片截面积。本发明的大型变压器铁芯片形组合结构，主柱上、下铁轭铁芯片上有向外侧的突起。本发明的有益效果是，现有结构磁通密度在铁轭中分布不均勻结构；新结构磁通密度在整个铁芯中分布均勻，节约了原材料，降低了制造成本，提高空载性能，降低了噪音， 该结构主要应用在大型三相五柱式电力变压器铁芯上。
图1为传统变压器铁芯片形主视示意图。图2为本发明变压器铁芯片形主视示意图。图中1主柱铁芯片，2旁柱铁芯片，3主柱上、下铁轭铁芯片，4旁柱上、下铁轭铁
具体实施例方式附图2为本发明的一种具体实施例。本发明的大型变压器铁芯片形及组合，主要由主柱铁芯片1、旁柱铁芯片2、主柱上、下铁轭铁芯片3和旁柱上、下铁轭铁芯片4构成；旁柱铁芯片及旁柱上、下铁轭铁芯片的截面积为主柱铁芯片的42 50%，主柱上、下铁轭铁芯片的截面积为主柱铁芯片的50 58%，并根据具体产品铁芯结构型式、磁路长度不同灵活组合，但旁柱及其上下铁轭所对应的铁芯片截面积分别与主柱上下铁轭铁芯片截面积之和大于或等于主柱的铁芯片截面积。 主柱上、下铁轭铁芯片上有向外侧的突起。 该发明对变压器铁芯中磁通的流通路径及分布进行了模拟分析，该结构节约了原材料，降低了制造成本，提高空载性能，降低了噪音。该结构主要应用在大型三相五柱式电力变压器铁芯上。
权利要求
1.一种大型变压器铁芯片形组合结构，包括主柱铁芯片(1)，旁柱铁芯片(2)，主柱上、 下铁轭铁芯片(3)，旁柱上、下铁轭铁芯片⑷，其特征在于旁柱铁芯片及旁柱上、下铁轭铁芯片的截面积为主柱的42 50%，主柱上、下铁轭铁芯片的截面积为主柱的50 58%，旁柱铁芯片及其上下铁轭铁芯片截面积与主柱上下铁轭铁芯片截面积之和大于或等于主柱铁芯片截面积。
2.根据权利要求1所述的大型变压器铁芯片形组合结构，其特征在于主柱上、下铁轭铁芯片上有向外侧的突起。
全文摘要
本发明的大型变压器铁芯片形组合结构，包括主柱铁芯片，旁柱铁芯片，主柱上、下铁轭铁芯片，旁柱上、下铁轭铁芯片，其特殊之处在于旁柱铁芯片及旁柱上、下铁轭铁芯片的截面积为主柱的42～50％，主柱上、下铁轭铁芯片的截面积为主柱的50～58％，旁柱铁芯片及其上下铁轭铁芯片截面积与主柱上下铁轭铁芯片截面积之和大于或等于主柱铁芯片截面积。本发明的有益效果是，磁通密度在整个铁芯中分布均匀，节约了原材料，降低了制造成本，提高空载性能，降低了噪音。该结构主要应用在大型三相五柱式电力变压器铁芯上。
文档编号H01F27/245GK102360772SQ20111020966
公开日2012年2月22日 申请日期2011年7月26日 优先权日2011年7月26日
发明者张丽, 李 杰, 王瑞娥, 董景义, 郭勤彪 申请人:山东达驰电气有限公司