专利名称：一种石墨舟饱和处理工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及硅太阳能电池制造中的镀膜工艺，尤其是涉及一种石墨舟饱和处理工艺。
背景技术：
PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor D印osition，等离子体增强化学气相沉积法)是硅太阳能电池制造工艺中不可缺少的一部分，随着PECVD技术的不断改进，管式 PECVD在提高太阳能电池的效率上有了显著提高。而石墨舟饱和效果的好坏，在相当大的程度上，影响了管式PECVD的镀膜效果，若不能控制好石墨舟的饱和工艺，将会导致色差片增多，严重制约了产能及效益。
发明内容
本发明为解决原来石墨舟饱和效果不好的问题，为此提供了一种石墨舟饱和处理工艺，包括如下步骤将石墨舟清洗并干燥的步骤；进行干燥的步骤；在管式PECVD内进行饱和处理的步骤；进行工艺调试的步骤。本发明石墨舟饱和处理工艺，所述石墨舟清洗步骤包括采用浓度为15% 20%的氢氟酸进行清洗的方法，干燥步骤包括在烘干箱内进行4h 他烘干的步骤。本发明石墨舟饱和处理工艺，所述在管式PECVD内进行饱和处理的步骤包括在真空条件下进行2 4次射频辉光的步骤，所述射频辉光可以为3次。本发明石墨舟饱和处理工艺，每次辉光时间为2000s 2500s，相邻两次辉光时间间隔200 500s，所述射频辉光的频射功率为4800W 5600W，饱和温度为450°C 480°C， 氨气和硅烷的流量比为1000 :9000,占空比为3 :30ο本发明的有益效果是
本发明的工艺技术使石墨舟的饱和效果匹配产线镀膜工艺，提高了镀膜的合格率，在一定程度上降低了色差等不良品的比例，解决了原来石墨舟饱和的技术难题，大大提高了产线的产能及效益。
具体实施例方式本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。本说明书(包括任何附加权利要求、摘要)中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。本发明石墨舟饱和处理工艺的过程如下
(1)将石墨舟清洗并干燥的步骤；
(2)进行干燥的步骤；(3)在管式PECVD内进行饱和处理的步骤；
(4)进行工艺调试的步骤。其中步骤(1)中的清洗清洗包括采用浓度为15% 20%的氢氟酸进行清洗的方法；
其中步骤(2)中的干燥包括在烘干箱内进行4h 他的烘干方法。其中步骤(3)中的饱和处理包括在真空条件下进行2 4次射频辉光的步骤，每次辉光时间为2000s 2500s，相邻两次辉光时间间隔200 500s，射频辉光的频射功率为 4800W 5600W，饱和温度为450°C 480°C，氨气和硅烷的流量比为1000 =9000,占空比为 3 :30。下面通过具体实施例进一步说明本发明工艺方法的具体过程 实施例1
使用浓度为15% 20%的氢氟酸进行清洗，然后放入烘干箱内烘干4h 他；将烘干好的石墨舟送至管式PECVD进行饱和处理，饱和温度设定为450°C 480°C，在真空条件下进行三次射频辉光，每次辉光时间为2000s 2500s，相邻两次辉光时间间隔200 500s，射频辉光的频射功率为4800W 5600W，氨气和硅烷的流量比为1000 =9000,占空比为3 :30。 将饱和的石墨舟送至产线进行工艺调试并投入使用。本发明并不局限于前述的具体实施方式
。本发明扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合，以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。
权利要求
1.一种石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，包括如下步骤对石墨舟进行清洗的步骤；进行干燥的步骤；在管式PECVD内进行饱和处理的步骤；进行工艺调试的步骤。
2.根据权利要求1所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，所述对石墨舟进行清洗的步骤中采用浓度为15% 20%的氢氟酸对石墨舟进行清洗。
3.根据权利要求1所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，所述干燥包括在烘干箱内进行4h 他烘干的步骤。
4.根据权利要求1所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，所述饱和处理包括在真空条件下进行2 4次射频辉光的步骤。
5.根据权利要求4所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，所述饱和处理包括在真空条件下进行3次射频辉光的步骤。
6.根据权利要求4或5所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，每次辉光时间为 2000s 2500s，相邻两次辉光时间间隔200 500s。
7.根据权利要求6所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，所述射频辉光的频射功率为4800W 5600W，饱和温度为450°C 480°C，氨气和硅烷的流量比为1000 =9000,占空比为3 :30ο
全文摘要
本发明公开了一种石墨舟饱和处理工艺，包括如下步骤将石墨舟清洗并干燥的步骤；进行干燥的步骤；在管式PECVD内进行饱和处理的步骤；进行工艺调试的步骤。本发明提高了镀膜的合格率，在一定程度上降低了色差等不良品的比例，解决了原来石墨舟饱和的技术难题，大大提高了产线的产能及效益。
文档编号H01L21/205GK102280396SQ20111027001
公开日2011年12月14日 申请日期2011年9月14日 优先权日2011年9月14日
发明者刘亚新, 张宗阳, 陈树同, 陈跃 申请人:江阴鑫辉太阳能有限公司