各向异性导电构件的制作方法

专利名称：各向异性导电构件的制作方法
技术领域：
本发明涉及各向异性导电构件。
背景技术：
当将各向异性导电构件插入电子部件如半导体器件和电路板之间，然后仅使其受至IJ压カ作用时，各向异性导电构件能够在电子部件和电路板之间提供电连接。因此，这种构件被广泛地用作例如半导体器件和其他电子部件中的电连接构件，以及当进行功能检查时作为检查连接器。尤其是，由于用于半导体器件等的电连接构件中出现的显著程度的微型化，在传统技术如包括互连基板的直接连接的引线结合法中进ー步减小配线直径变得困难。
这个情况在近年来引起了对于以下类型的各向异性导电构件的关注其中导电元件阵列完全贯通绝缘材料膜的类型，或者其中将金属球排列在绝缘材料膜中的类型。已经使用用于半导体器件等的检查连接器以避免在以下情况下发生的巨大经济损失当在把电子部件如半导体器件安装在电路板上之后进行的功能检查时，发现电子部件有缺陷，并将电路板与电子部件一起丢弃。S卩，通过在类似于安装和进行功能检查中使用的那些位置，使电子部件如半导体器件与电路板通过各向异性导电构件进行电接触，可以在不将电子部件安装在电路板上的情况下进行功能检查，从而能够避免上述问题。提出了 JP 2008-270158 A中描述的各向异性导电构件以解决以上问题。

发明内容
另ー方面，随着在近年来对于电子器件的小型化和更高功能化的需求增加，已将电子部件和电路板以更高密度形成并将其制造的更薄。更具体地，现在使用线宽至多5μπι并且线间距至多5 μ m的微细电路。为了能够适应这样的电子部件和电路板，产生以下需求将各向异性导电构件中导电通路的外径(厚度)做的更小，并且不带有任何缺陷地以更窄的节距均匀地排列导电通路。在这种情况下，本发明的发明人对于JP 2008-270158 A中描述的各向异性导电构件进行了研究，并且发现绝缘基材的一部分可能具有未形成导电通路的区域(缺陷区)。如果即使在绝缘基材的一部分中形成了这种缺陷区，例如，当将近来出现的具有微细互连的电路板与各向异性导电构件接触时，可能会出现在电路板上的互连与各向异性导电构件的导电通路之间未形成接触的区域，招致电阻率上的増加从而导致所谓的互连缺陷。从而，各向异性导电构件在所希望的用途如电连接构件和检查连接器上的应用受到限制。因此，本发明的目标是提供这样的各向异性导电构件其显著地増加所设置的导电通路的密度，抑制不具有导电通路的区域的形成，并且即使在已经实现了更高程度的集成化的今天，也可以用作用于电子部件如半导体器件的电连接构件或检查连接器。
为达成以上目标，本发明的发明人已经进行了深入研究，并且作为结果发现可以通过使用以下各向异性导电构件达成这个目标，所述各向异性导电构件由以预定密度含有预定尺寸的金属间化合物的铝基板制造。从而完成了本发明。具体地，本发明提供以下⑴至⑶。(I) ー种各向异性导电构件，所述各向异性导电构件包括绝缘基材，所述绝缘基材具有贯通微孔和多个导电通路，所述导电通路通过用导电材料填充所述贯通微孔形成， 彼此绝缘，并且在所述绝缘基材的厚度方向上贯通所述绝缘基材，所述导电通路的每ー个的一端暴露在所述绝缘基材的ー侧上，所述导电通路的每ー个的另一端暴露在所述绝缘基材的另ー侧上，其中所述绝缘基材是由铝基板获得的阳极氧化膜，并且所述铝基板以至多100pcs/mm2的密度含有平均等价圆直径至多2μηι的金属间化合物。(2)根据⑴所述的各向异性导电构件，其中所述导电通路以至少lX107pCS/mm2的密度形成。(3)根据⑴或⑵所述的各向异性导电构件，其中所述导电通路具有5至500nm
的直径。(4)根据⑴至(3)中的任一项所述的各向异性导电构件，其中所述绝缘基材具有I至1，000 μ m的厚度。(5)根据⑴至(4)中的任一项所述的各向异性导电构件，其中所述铝基板具有至多O. I μ m的算术平均粗糙度Ra。(6) 一种各向异性导电构件制造方法，所述方法用于制造根据⑴至(5)中的任一项所述的各向异性导电构件，所述方法至少包括阳极氧化处理步骤，其中将铝基板阳极氧化；贯通处理步骤，其中在所述阳极氧化处理步骤之后，使通过阳极氧化形成的微孔贯通以获得绝缘基材；以及填充步骤，其中在所述贯通处理步骤之后，将导电材料填充至所得到的绝缘基材中的贯通微孔中以获得所述各向异性导电构件。(7)根据(6)所述的各向异性导电构件制造方法，所述方法在所述填充步骤之后还包括表面平面化步骤，其中通过化学机械抛光将顶表面和背表面平面化。(8)根据(6)或(7)所述的各向异性导电构件制造方法，所述方法在所述填充步骤之后还包括修整步骤。本发明可以提供这样的各向异性导电构件其显著地増加所设置的导电通路的密度，抑制不具有导电通路的区域的形成，并且即使在已经实现更高程度的集成化的今天，也可以用作用于电子部件如半导体器件的电连接构件或检查连接器。


图IA和IB是示出本发明的各向异性导电构件的优选实施方案的简略图。图2A和2B是说明用于计算微孔有序度的方法的图。图3A至3D是用于说明本发明的制造方法中的阳极氧化处理的示意性端视图。图4A至4D是用于说明本发明的制造方法中的填充处理和其它处理的示意性端视图。图5是说明如何计算贯通微孔的密度的图。图6A是说明在实施例中用于测量各向异性导电构件的电阻率的装置的横截面视图，并且图6B是各向异性导电构件的俯视图。
具体实施例方式以下描述本发明的各向异性导电构件。在本发明的各向异性导电构件中，在由铝基板获得的绝缘基材中的贯通微孔中形成导电通路，所述铝基板含有预定量的预定尺寸金属间化合物。具有以上特征的铝基板的使用使得绝缘基材中的贯通微孔具有更直的管状外形同时抑制在贯通微孔中不形成导电通路的区域的出现。从而，所获得的各向异性导电构件可以具有更少的无导电通路区域并且展现出低电阻率。 另ー方面，当铝基板中金属间化合物的尺寸或密度在预定范围之外，妨碍含有金属间化合物的部分中贯通微孔的形成，或者即使形成了微孔在微孔中也不形成导电通路。接下来，參考图IA和IB描述本发明的各向异性导电构件。图IA和图IB是示出了本发明的各向异性导电构件的优选实施方案的简略图；图IA是前视图并且图IB是沿图IA的线IB-IB所取的横截面图。本发明的各向异性导电构件I包括绝缘基材2和多个由导电材料制造的导电通路3。导电通路3以互相绝缘的状态贯穿绝缘基材2，并且导电通路3的轴向长度等于或大于绝缘基材2在厚度方向Z上的长度(厚度)。按以下方式形成每个导电通路3 :—端在绝缘基材2的ー侧暴露并且另一端在其另ー侧暴露。然而，每个导电通路3优选按以下方式形成如图IB中所示，一端从绝缘基材2的表面2a突出并且另一端从绝缘基材2的表面2b突出。换言之，每个导电通路3的两端优选具有分别从绝缘基材的主表面2a和2b突出的突出部4a和4b。此外，每个导电通路3优选按以下方式形成至少绝缘基材2内的部分(在下文也称作“基材内的导电部分5”)基本上平行于(在图IB中平行干)绝缘基材2的厚度方向Z。更具体地，每个导电通路的中心线长度与绝缘基材的厚度之比(长度/厚度)优选为
I.O至I. 2并且更优选I. O至I. 05。接下来，描述绝缘基材和导电通路的材料和尺寸及其形成方法。<绝缘基材>构成本发明的各向异性导电构件的绝缘基材包含由铝基板获得的带贯通微孔的阳极氧化膜。換言之，该绝缘基材包含通过阳极氧化铝基板获得的氧化铝膜。在本发明中，为了在电传导部分的平面方向更可靠地确保绝缘性质，贯通微孔具有优选至少50%、更优选至少70%并且再更优选至少80%的如通过式(i)所定义的有序度有序度(％) = B/AX100 ⑴(其中A表示測量区域中贯通微孔的总数，并且B表示測量区域中特定贯通微孔的数目，对于所述特定微孔，当绘制圆使得该圆的圆心位于特定贯通微孔的重心，且使得该圆具有与另ー个贯通微孔的边缘相内切的最小半径时，所述圆包含除所述特定贯通微孔以外的六个贯通微孔的重心。)图2A和2B是说明用于计算贯通微孔的有序度的方法的图。下面參考图2A和2B更完整地说明上式(i)。在图2A中所示的第一贯通微孔101的情况下，当绘制圆103使得该圆的圆心位于第一贯通微孔101的重心，且使得该圆具有与另ー个贯通微孔的边缘相内切(与第二贯通微孔102相内切)的最小半径吋，圆103的内部包含除第一贯通微孔101以外的六个贯通微孔的重心。因此，B中包括第一贯通微孔101。
在图2B中所示的第一贯通微孔104的情况下，当绘制圆106使得该圆的圆心位于第一贯通微孔104的重心，且使得该圆具有与另ー个贯通微孔的边缘相内切(与第二贯通微孔105相内切)的最小半径吋，圆106的内部包含除第一贯通微孔104以外的五个贯通微孔的重心。因此，B中不包括第一贯通微孔104。在图2B中所示的第一贯通微孔107的情况下，当绘制圆109使得该圆的圆心位于第一贯通微孔107的重心，且使得该圆具有与另ー个贯通微孔的边缘相内切(与第二贯通微孔108相内切)的最小半径吋，圆109的内部包含除第一贯通微孔107以外的七个贯通微孔的重心。因此，B中不包括第一贯通微孔107。为使后面描述的导电通路可以具有直管状结构，贯通微孔优选不具有分支结构。換言之，阳极氧化膜的ー个表面的每单位面积贯通微孔数(A)与阳极氧化膜的另ー个表面的每单位面积贯通微孔数(B)之比(A/B)为优选O. 90至I. 10，更优选O. 95至I. 05并且最优选O. 98至I. 02。在本发明的实施中，绝缘基材优选具有I至1，000 μ m，更优选5至500 μ m并且再更优选10至300 μ m的厚度(如图IB中的附图标记6所示)。绝缘基材的厚度在上述范围内时,绝缘基材可以被容易地处理。在本发明的实施中，绝缘基材中相邻导电通路之间的宽度(图IB中通过附图标记7表示的部分)优选为至少IOnm,更优选20至200nm。绝缘基材的相邻导电通路之间的宽度在上述范围之内时，绝缘基材可以充分发挥绝缘屏蔽的作用。在本发明中，在传导电阻和杂质混入的抑制方面优选在绝缘基材中至少95%的贯通微孔中形成导电通路。导电通路的形成率更优选为至少98%。虽然对于上限没有特别限定，导电通路的形成率最优选为100%。导电通路的形成率是指绝缘基材中形成了导电通路的贯通微孔的比例。更具体地，导电通路的形成率由该式表示绝缘基材中形成了导电通路的贯通微孔/在导电通路的形成之前贯通微孔的总数。通过以下方式获得导电通路的形成率):用FE-SEM观察各向异性导电构件的顶表面和背表面，对于顶表面和背表面测定视野中形成了导电通路的贯通微孔数与贯通微孔的总数之比(填充有导电材料的贯通微孔数/贯通微孔的总数)并平均所测得的比例。[由铝基板获得的阳极氧化膜]在本发明的实施中，绝缘基材是由铝基板获得的阳极氧化膜并且可以通过以下方法获得阳极氧化铝基板并贯通通过阳极氧化形成的微孔。在后面提及的本发明的各向异性导电构件制造方法中将详细描述阳极氧化处理步骤和贯通处理步骤。
微孔是指在阳极氧化处理过程中在铝板上形成的并且不完全贯穿该膜的孔。将作为稍后描述的贯通处理步骤的结果制造的完全贯穿该膜的孔称作贯通微孔。(铝基板)在本发明中使用的铝基板以至多100pcs/mm2的密度含有金属间化合物。如上所述，使用具有上述特性的铝基板可以获得这样各向异性导电构件其中在绝缘基材的贯通微孔中以高比例形成导电通路。这里使用的金属间化合物是作为由ー些铝合金成分形成的共晶化合物如FeAl3,FeAl6, a-AlFeSi, TiAl3和CuAl2在铝合金中结晶的化合物，所述化合物在铝中不进入固溶体中(招材料的基础和エ业技术(The Fundamentals of Aluminum Materials andIndustrial Technology),日本招协会(Japan Aluminum Association),第 32 页)。金属间化合物通常是由两种以上的金属元素组成并且已知组成原子的比例不一定是化学计量比。
含有两种以上金属元素的示例性金属间化合物包括含有两种元素的那些如Al3Fe、Al6Fe、Mg2Si、MnAl6、TiAljPCuAl2 ;含有三种元素的那些如 a-AlFeSi 和 β-AlFeSi ；以及含有四种元素的那些如a-AlFeMnSi和β-AlFeMnSi。这些中，在进ー步提高贯通微孔中导电通路的形成率方面优选的是CuAl2和Al3Fe。在本发明的实施中，铝基板中含有的金属间化合物具有至多2μπι的平均等价圆直径。在进ー步提高贯通微孔中导电通路的形成率方面，平均等价圆直径为优选至多Iym并且更优选至多O. 5μπι。对于平均等价圆直径的下限没有特别限定并且优选为尽可能的小。在エ业制造条件下，平均等价圆直径优选为至少0. I μ m。当平均等价圆直径在上述范围之外时(超过2 μ m)，出现绝缘基材中未形成贯通微孔或所形成的微孔未被导电材料填充的区域，限制了对于预定用途如具有窄节距的互连的应用。等价圆直径是作为与SEM图像中金属间化合物粒子具有相同面积的圆的直径计算的值。如下测量平均等价圆直径首先，通过SEM(可得自JEOL Ltd.的7400F)，在反向散射电子成像模式下，在12kV的加速电压和10，000X的观察放大率下，在多个0. Imm2测量面积的视野中观察铝基板的表面和截面表面。測量至少100个金属间化合物粒子的等价圆直径并且计算测量的平均值以获得平均等价圆直径。金属间化合物具有至多100pcs/mm2,更优选至多80pcs/mm2并且再更优选至多50pcs/mm2的密度。对于该密度的下限没有特别的限定并且优选尽可能小并且更优选Opce/mm ο当金属间化合物的密度在以上范围之外时(超过100pcs/mm2)，出现在绝缘基材中未形成贯通微孔或形成的微孔未被导电材料填充的区域，导致所得到的各向异性导电构件的电阻率増加从而限制了对于预定用途的应用。如下测量金属间化合物的密度首先，通过SEM(可得自JEOL Ltd.的7400F)，在反向散射电子成像模式下，在1，000X的观察放大率下，在多个0. Imm2测量面积的视野中观察铝基板的表面和截面表面。基于观测结果数出金属间化合物粒子的数量以获得密度。对于铝基板的算木平均粗糙度Ra没有特别的限定，并且因为可以形成未分枝的微孔以进ー步提高贯通微孔中导电通路的形成率同时进一歩降低所得到的各向异性导电构件的电阻率，优选为至多O. I μ m并且更优选至多O. 05 μ m。对于算木平均粗糙度Ra的下限没有特别的限定并且优选尽可能小并且更优选为O可以通过例如SURFCOM(Tokyo Seimitsu Co.，Ltd.)测量铝基板的算术平均粗糙度Ra。用于在本发明中使用的铝基板可以是可商购的产品或通过预定方法制造。[制造铝基板的方法]虽然对其制造方法没有特别的限定，优选通过以下步骤制造铝基板。(鋳造步骤)用于由铝合金熔体形成铝基板的步骤；(冷压延步骤)用于减小铸造步骤中获得的铝基板的厚度的步骤；(中间退火步骤)用于热处理冷压延步骤中获得的铝基板的步骤；以及(最終冷压延步骤)用于在中间退火步骤之后减小铝基板的厚度的步骤。下面详细描述相应的步骤中所使用的材料和程序。[铝合金熔体]通过以上制造方法制造的铝基板优选由铝合金熔体(以下也称作“铝熔体”)制备，所述铝合金熔体至少含有铁和硅，并且可以含有铜作为杂质的ー种。硅是在用作原材料的铝锭中作为不可避免的杂质含有的ー种元素。通常有意加入非常少量的硅，以防止由于原材料的区别而带来的变化。硅以铝中的固溶体的状态或者作为金属间化合物或単独的析出物存在。在本发明的实施中，铝熔体优选以至多O. 01重量％，更优选至多O. 008重量％并且再更优选至多O. 002重量％的量含有硅。铁增加铝合金的机械强度，并且在強度上产生巨大影响，但是以较小的量进入铝中的固溶体中，并且基本上作为金属间化合物存在。在本发明的实施中，铝熔体优选以O. 01至O. 03重量％的量含有铁。铜非常容易进入固溶体中并且仅有部分铜作为金属间化合物存在。在本发明中，铝熔体优选以O. 001至O. 004重量％的量含有铜。为防止在铸造过程中形成裂纹，铝熔体可以包含具有晶粒细化作用的元素如钛和硼，但是残留的晶粒细化剂粒子可能妨碍阳极氧化膜的均匀生长。在本发明的实施中，铝熔体可以例如以O. 001至O. 003重量％的量含有钛。铝熔体还可以以O. 001至O. 002重量％含有硼。铝熔体的余下部分是铝和不可避免的杂质。这种杂质的实例包括镁、锰、锌、铬、锆、钒和铍。铝熔体可以以至多O. 001重量％的量含有这些杂质。大部分不可避免的杂质来源于铝锭。如果不可避免的杂质是具有99. 999重量％的铝纯度的锭中存在的杂质，它们将不会损害本发明的预期效果。不可避免的杂质可以是，例如，以L. F. Mondolfo所著的《招合金结构和性质(Aluminum Alloys : Structure andProperties))) (1976)中提到的量包含的杂质。[铸造步骤]鋳造步骤是用于由铝合金熔体形成铝基板的步骤。对于该步骤中使用的方法没有特别的限制，并且可以使用半连续铸造(DC(直接冷铸)方法)和连续铸造压延(CC (连续铸造)方法)。
在DC鋳造的情况下，使熔融金属流入下鋳型中，在这里使其冷却并固化。之后将下鋳型降低以从侧面用水进ー步冷却熔融金属以使其固化至中心部分。在该情况下，冷却速率据称是O. 5至10°C /s。在本发明中为了通过DC鋳造形成金属间化合物，需要将所得到的锭的厚度降低至IOcm以下并且将冷却速率増加至10°C /s以上。优选通过以下三步进行DC铸造以形成铝基板(I)用于由铝合金熔体形成锭的半连续铸造步骤；(2)用于削去半连续铸造步骤中形成的锭的表皮的削皮步骤；以及(3)用于压延削去表皮的锭以获得压延板的热压延步骤。在JP 2010-058315A的第
至
段中描述了步骤⑴至(3)的程序。 连续铸造和压延方法是这样的方法其中当上述铝熔体固化时将其压延以形成铝基板，其实例包括双辊法和带式铸造法。更具体地，有益地使用这样的双辊法它包括将上述铝熔体通过冷却辊对之间的熔体进料嘴进料，并当铝熔体在冷却辊对之间固化的同时压延铝熔体以形成铝基板。连续铸造压延方法的特征在于在铝熔体固化的过程中其高冷却速率(固化速率)，并且为了进ー步减小铝基板中金属间化合物的尺寸，冷却速率为优选100至800°C /s并且更优选400至600°C /s。为了满足该需求，通过铸造最终获得的板材适宜地具有O. 4至I. 2mm的厚度。在以下段落中，详细描述在连续铸造的情况下的处理方法。(熔化步骤)通过以下方法制备铝熔体首先在熔化炉中熔化含有优选至少95重量％的铝的铝金属，并向其加入优选O. 03至O. 50重量％的铁，优选O. 03至O. 20重量％的硅，优选I至400ppm的铜以及其它所需元素。(过滤)通常通过使熔体通过过滤器如陶瓷管过滤器或陶瓷泡沫过滤器进行熔体的过滤。在例如 JP 6-57432A、JP 3-162530A、JP 5-140659A、JP4-231425A、JP 4-276031A、JP
5-311261A和JP 6-136466A中描述了这种过滤。(净化处理步骤)可以对被调节为所需组成的铝熔体任选地进行浄化处理。可以用于移除铝熔体中多余的气体如氢气的示例性浄化处理包括熔剂处理和使用例如，氩气或氯气的脱气处理。可以通过普通方法进行净化处理。浄化处理不是必须的，但优选被进行以防止归因于铝熔体中的异物如非金属夹杂物和氧化物的缺陷和归因于溶解在铝熔体中的气体的缺陷。通常通过类似于浮选的方法进行净化处理，所述方法包括用转动体将惰性气体如氩气吹入熔体以使熔体中的氢气陷入氩气气泡中井上升至熔体表面，或者通过熔剂处理。在例如JP 5-51659A和JP 5-49148U中描述了脱气。(晶粒细化步骤)铝熔体可以含有晶粒细化元素。更具体地，优选将含TiB2的母合金加入铝熔体作为晶粒细化材料。这是因为晶粒细化材料的加入在连续铸造过程中促进晶粒细化。
可以使用的示例性含TiB2的母合金包括含有钛(5% )和硼(1% )余下的是铝和不可避免的杂质的线形母合金。当単独使用吋，TiB2粒子通常具有I至2 μ m的极小粒子尺寸，但是可以聚集为具有100 μ m以上尺寸的粗粒子。在这种情况下，粗粒子可能在表面处理中引起不均匀性，并且因此在流道中优选设置搅拌工具。(过滤步骤)优选通过过滤器将铝熔体过滤以移除熔体中并入的杂质以及留在熔化炉和熔体流道中的污染物。也需要过滤步骤以抑制如所需可以加入的TiB2聚集粒子的流出，并且适宜地在将TiB2作为晶粒细化材料加入的位置的下游设置过滤槽。过滤步骤和用于其中的过滤槽优选是如JP 3549080 B中所描述的那些。 (进料步骤) 在该制造方法中，优选将以上过滤步骤之后的铝熔体通过流道从过滤槽进料至熔体进料嘴。优选使用设置在流道的底面中形成的凹部中的搅拌工具搅拌铝熔体。这是因为能防止在过滤步骤中滤过的TiB2粗粒子在熔体停滞的区域中再次聚集。(熔体进料嘴)从熔体进料嘴流出的铝熔体与冷却辊的表面进行接触，在这里熔体的凝固开始。在铝熔体从熔体进料嘴的尖端至冷却辊表面的移动过程中形成熔体弯液面。熔体弯液面的振动引起熔体弯液面与冷却辊的接触点的振动，作为其结果在冷却辊表面上形成具有不同凝固历程的部分，并且更容易出现结晶结构的不均匀性和痕量元素的偏祈。这种缺陷也被称作“波痕”，这在对铝基板进行冷压延、中间退火和最終冷压延之后的表面处理中容易引起不均勻。在减少这种波痕方面，优选使熔体进料嘴的尖端倾斜，以至少使该尖端的较低ー侧上的外表面与铝熔体流出的方向形成鋭角，借此将铝熔体从一点连续地放出。例如，可以有益地使用JP 10-58094A中描述的方法。优选的是减小进料嘴的尖端与每个冷却辊的表面之间的距离以便在弯液面的振动过程中减小振幅。更具体地，在优选的实施方案中，在形成熔体进料嘴的构件中，顶板构件和底板构件可以垂直移动，所述顶板构件从上面与铝熔体接触，所述底板构件从下面与铝熔体接触，并且顶板和底板构件在来自铝熔体的压カ下压在邻接的冷却辊的表面上。例如，可以有益地使用JP 2000-117402A中描述的实施方案。(冷却辊)对于冷却辊没有任何特别的限定。例如，可以使用具有铁芯/壳结构的公知冷却辊。当使用带有芯-壳结构的冷却辊时，可以通过使冷却水流过设置在芯与壳之间的流道増加冷却辊表面上的冷却能力。此外，可以通过进ー步对凝固的铝施加压カ将铝基板精确地设置为所需厚度。在冷却辊表面凝固的铝在这种状态下可能具有粘在冷却辊上的倾向，使得难以连续地进行稳定的鋳造。此外，粘在冷却辊上的铝可能减缓所压延的铝表面的冷却。因此，在本发明的实施中，优选将脱模剂涂敷至冷却辊的表面。脱模剂优选是具有出色耐热性的脱模剂。合适的实例包括含有碳石墨的脱模剂。对涂敷的方法不进行任何特别的限定。合适的实例是其中将碳石墨粒子的悬浮液(优选水悬浮液)喷涂在其上的方法。因为可以将脱模剂提供至冷却辊而不需要直接与冷却辊接触，喷涂是优选的。因为脱模剂可能被刮擦器或其它厚度均匀化工具所捕获或者转移至连续铸造铝基板的表面，适宜的是周期性地将新脱模剂补充至冷却辊的表面。通过DC铸造获得的锭具有厚达数十厘米的厚度并且因此在随后的冷压延步骤之前优选通过进行均热步骤和热压延步骤减小该厚度。JP2010-058315A的第
至段中描述了均热步骤和热压延步骤的程序。[冷压延步骤]在鋳造步骤之后是冷压延步骤。冷压延步骤是用于减小铸造步骤中获得的铝基板的厚度的步骤。从而将铝基板压延至所需的厚度。
可以通过本领域中公知的任何方法进行冷压延步骤。更具体地，可以使用JP6-220593A, JP 6_210308A、JP 7-54111A 和 JP 8-92709A 中描述的方法。[中间退火步骤]在冷压延步骤之后是中间退火步骤。因此，当在上述冷压延步骤中应变积累之后进行中间退火步骤时，位错释放，再结晶产生，并且可以将晶粒再进ー步细化。具体地，可以通过冷压延步骤中的压缩比和中间退火步骤中的热处理条件(尤其是温度、时间和温度升高速率)控制晶粒。例如，在连续退火中，通常在300至600°C下加热铝基板至多10分钟，优选在400至600°C下加热铝基板至多6分钟，并且更优选在450至550°C下加热铝基板至多2分钟。此外，虽然可以通过将温度升高速率设置为10至200°C /s并且将温度升高之后的保持时间缩短至最多10分钟，并且优选2分钟以下以促进形成更小的晶粒，通常将温度升高速率设定至约O. 5至500°C /分钟。可以使用分批退火，但是因为在从升温至冷却的处理过程中可能将杂质如铁和硅向晶粒界面释放，从而形成析出粒子，希望的是使用连续退火。可以通过本领域中公知的任何方法进行中间退火步骤。更具体地，可以使用JP
6-220593A, JP 6_210308A、JP 7-54111A 和 JP 8-92709A 中描述的方法。〈最终冷压延步骤〉在中间退火步骤之后是最终冷压延步骤，最終冷压延步骤是用于减小中间退火步骤之后的铝基板的厚度的步骤。经过最終冷压延步骤的铝基板优选具有O. I至O. 5mm的厚度。可以通过本领域中公知的任何方法进行最終冷压延步骤。可以用与上述中间退火步骤之前的冷压延步骤相同的方法进行最終冷压延步骤。(平面性校正步骤)优选在最終冷压延步骤之前加上平面性校正步骤。平面性校正步骤是用于校正铝基板的平面性的步骤。可以通过本领域中公知的任何方法进行平面性校正步骤。例如，可以通过使用矫正机如辊式矫直机或拉伸矫直机进行该步骤。可以在将铝基板切为分离的片材之后进行平面性校正步骤。然而，为提高生产率，优选的是在连续板材卷的状态下校正铝基板的平面性。
最終压延的板材适宜地具有平滑的表面，并且优选具有至多O. 3 μ m并且更优选至多O. 2 μ m的算术表面粗糙度Ra。在易于处理方面，强度优选为至少60MPa。〈导电通路〉构成本发明的各向异性导电构件的导电通路由填充至绝缘基材中的贯通微孔中的导电材料制成。对于导电材料没有特别的限定，只要它具有导电性即可。具有至多103Ω · cm的电阻率的材料是优选的。可以优选使用的材料的说明性实例包括金属如金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、镍(Ni)和铟掺杂的氧化锡(ITO)。其中，在电导性方面，铜、金、铝和镍是优选的，并且镍、铜和金是更优选的。在成本方面，更优选的是仅使用金形成在绝缘基材的两个表面暴露或从绝缘基材 的两个表面突出的导电通路的表面(在下文中也称作“端面”)。在本发明的实施中，导电通路是圆柱形的并且具有优选5至500nm的，更优选20至400nm，并且最优选30至200nm的直径(如图IB中的附图标记8所示)。导电通路的直径在上述范围内，当电信号通过导电通路时，可以获得足够的响应，从而使得能够更适宜地使用本发明的各向异性导电构件作为用于电子部件的电连接构件或检查连接器。如上所述，每个导电通路的中心线长度与绝缘基材的厚度之比(长度/厚度)优选为I. O至I. 2并且更优选I. O至I. 05。每个导电通路的中心线长度与绝缘基材的厚度之比在上面定义的范围内，使得导电通路能够被认为是具有直管状结构并且当通过电信号时能确保一対一响应。因此，可以更有利地将本发明的各向异性导电构件用作用于电子部件的检查连接器或电连接构件。在本发明的实施中，当导电通路的两端从绝缘基材的两个表面突出时，突出部分(在图IB中，由附图标记4a和4b表示的部分；在下面也称作“突起(bumps)”)具有优选10至lOOnm，并且更优选10至50nm的高度。突起高度在这个范围之内，与电子部件上的电极(焊点)部分的连通性提高。在本发明的实施中，导电通路通过绝缘基材相互绝缘并且以优选为至少lxl07pcs/mm2,更优选至少5xl07pcs/mm2并且再更优选至少lxl08pcs/mm2的密度形成。对于密度的上限没有特别限定，但是在相邻导电通路之间的绝缘方面，优选至多lxlO'cs/mm2。导电通路的密度在以上范围内，S卩使在已经实现了较高的集成化水平的今天，也可以使用本发明的各向异性导电构件作为用于电子部件如半导体器件的检查连接器或电连接构件。如下测量导电通路的密度通过FE-SEM (由Hitachi High-TechnologiesCorporation制造的S-4800),在10，000X的观察放大率下，在多个0. Olmm2测量面积的视野中观察各向异性导电构件的表面。基于观察结果数出导电通路的数目以获得该密度。在本发明的实施中，相邻导电通路的中心间距离(图IB中的附图标记9表示的部分；下面也称作“节距”)优选为20至500nm，更优选40至200nm，并且再更优选50至140nm。节距在上面定义的范围之内，在导电通路的直径与导电通路之间的宽度(绝缘屏蔽厚度)之间容易达到平衡。在本发明的实施中，可以通过将导电材料(尤其是金属)填充到绝缘基材的贯通微孔中形成导电通路。
将与后面涉及的本发明的各向异性导电构件制造方法结合详细描述导电材料填充处理步骤。因为可以在高密度下确保电连接同时保持高绝缘性，本发明的各向异性导电构件优选具有I至1，000 μ m,并且更优选30至300 μ m的绝缘基材厚度，以及5至500nm，更优选20至400nm并且最优选30至200nm的导电通路直径。[制造各向异性导电构件的方法]对于本发明的各向异性导电构件制造方法(在下文中也简称为“本发明的制造方法”)没有特别限定，但是所述方法优选包括以下步骤 (阳极氧化处理步骤)其中将铝基板阳极氧化的步骤；(贯通处理步骤)其中在阳极氧化处理步骤之后，将通过阳极氧化形成的微孔贯通以获得绝缘基材的步骤；以及(填充步骤)其中在贯通处理步骤之后，将导电材料填充在所得到的绝缘基材中的贯通微孔中以获得各向异性导电构件。以下详细描述每个步骤的程序。[阳极氧化处理步骤]阳极氧化处理步骤是用于阳极氧化铝基板以在铝基板的表面上形成带微孔的氧化物膜的步骤。如上所述，在该步骤中使用的铝基板以预定密度含有预定尺寸的金属间化合物。在对铝基板的表面进行阳极氧化处理步骤之前优选对其预先进行脱脂处理和镜面抛光处理。(热处理)优选在200至350°C的温度下进行热处理约30秒至约2分钟的时间。这种热处理提高通过阳极氧化处理在膜中形成的微孔阵列的有序性。在热处理之后，优选的是迅速地冷却铝基板。冷却方法的例示包括将铝基板直接浸入水等中的方法。(脱脂处理)使用合适的物质如酸、碱或有机溶剂进行脱脂处理，以便溶解并移除铝基板表面附着的包括灰尘、油脂和树脂等的有机物质，从而防止在每个后续处理中由于有机物质而出现缺陷。在脱脂处理中可以使用公知的脱脂剂。例如，可以通过上述方法使用多种可商购的脱脂剂中的任意一种进行脱脂处理。(镜面抛光处理)为了以更加直的管状形状形成阳极氧化膜的微孔，进行镜面抛光处理以消除铝基板的表面凹凸特征。铝基板的示例性表面凸凹特征包括在其制造需要压延步骤的铝基板的压延过程中形成的压延条纹。在本发明的实施中，对于镜面抛光处理没有任何特别的限定，并且可以使用现有技术公知的任意合适方法进行。合适方法的实例包括机械抛光、化学抛光和电解抛光。在JP 2010-177171A的第
至
段中详细描述了这些特定方法。镜面抛光处理使得可以获得具有例如O. I μ m以下的算木平均粗糙度Ra和至少50%的光泽度的表面。算术平均粗糙度Ra优选为至多O. 05 μ m,并且更优选至多O. 02 μ m。光泽度优选为至少70%，并且更优选至少80%。光泽度是可以根据JIS Z8741_1997(方法3 60°镜面光泽)在垂直于压延方向的方向上测定的镜面反射率。具体地，使用变角光泽计(例如，VG-1D，由Nippon DenshokuIndustries Co. ,Ltd.制造)，当镜面反射率为70%以下时,在60°的入射/反射角下进行測量，并且当镜面反射率大于70%时，在20°的入射/反射角下进行测量。可以使用传统公知的方法用于阳极氧化处理，但是优选使用下述自排序方法和恒定电压处理，因为绝缘基材优选是由铝基板获得的阳极氧化膜，所述阳极氧化膜具有这样排列的贯通微孔使得所述微孔具有至少50%的如式(i)所定义的有序度。自排序方法是通过利用通过阳极氧化处理获得的阳极氧化膜中微孔的规则排列属性并且消除可能干扰有序排列的因素而提高有序性的方法。具体地，在适合于电解液的类型的电压下并且在低速下在延长的时期内(例如，从数小时至大大超过十小吋)在高纯铝上形成阳极氧化膜。 在该方法中，因为微孔大小(孔径)依赖于电压，通过控制电压可以一定程度获得所需孔径。为了通过自排序方法形成微孔，至少应该进行随后描述的阳极氧化处理(A)。然而，优选通过以下方法进行微孔形成其中按下述顺序进行随后描述的阳极氧化处理(A)、膜移除处理(B)和再阳极氧化处理(C)的方法(自排序方法I)，或者其中将随后描述的阳极氧化处理(D)和氧化膜溶解处理(E)按所述顺序进行至少一次的方法(自排序方法II)。下面，详细描述优选实施方案中的自排序方法I和自排序方法II中的各个处理。[自排序方法I]〈阳极氧化处理(A)>在阳极氧化处理(A)中电解液的平均流速优选为O. 5m/分钟至20. Om/分钟，更优选I. Om/分钟至15. Om/分钟，并且再更优选2. Om/分钟至10. Om/分钟。通过在上述流速下进行阳极氧化处理(A)，阳极氧化膜可以具有均匀的且有序度高的微孔。对于用于使电解液在以上条件下流动的方法没有进行任何特别的限定。例如，可以使用包括使用普通搅拌装置如搅拌器的方法。特别适宜的是使用其中可以通过数字显示控制搅拌速度的搅拌器，因为它能够调整平均流速。这种搅拌器的ー个实例是磁力搅拌器HS-50D (由 As One Corporation 制造)。可以通过以下方法进行阳极氧化处理(A)，例如，其中在具有I至10重量％的酸浓度的溶液中使电流通过作为阳极的铝基板的方法。阳极氧化处理(A)中使用的溶液优选为酸溶液。硫酸、磷酸、铬酸、草酸、氨基磺酸(sulfamic acid)、苯磺酸、氨基磺酸(amidosulfonic acid)、こ醇酸、酒石酸、苹果酸或朽1檬酸的溶液是更优选的。其中，硫酸、磷酸或草酸的溶液是特别优选的。可以单独使用这些酸或者使用它们两种以上的组合。阳极氧化处理(A)的条件依赖所使用的电解液而变化，并且因此无法严格規定。然而，以下条件是通常优选的0. I至20重量％的电解质浓度，-10°c至30°C的溶液温度，
0.01至20A/dm2的电流密度，3至300V的电压，以及0. 5至30小时的电解时间。更优选的是0. 5至15重量％的电解质浓度，-5°C至25°C的溶液温度，0. 05至15A/dm2的电流密度，5至250V的电压以及I至25小时的电解时间。再更优选的是I至10重量％的电解质浓度，(TC至20°C的溶液温度，O. I至ΙΟΑ/dm2的电流密度，10至200V的电压以及2至20小时的电解时间。阳极氧化处理(A)中的处理时间为优选O. 5分钟至16小吋，更优选I分钟至12小吋，并且再更优选2分钟至8小吋。除了在恒定电压进行以外，可以使用间歇地或连续地改变电压的方法进行阳极氧化处理(A)。在这样的情况下，优选的是逐渐地减小电压。如此可以降低阳极氧化膜的抵抗性(resistance)，从而在阳极氧化膜中形成小微孔。因此，尤其是当随后通过电沉积处理进行封孔时，因为可以提高均匀性，该方法优选的。在本发明的实施中，通过这种阳极氧化处理(A)形成的阳极氧化膜具有优选I至1000 μ m,更优选5至500 μ m,并且再更优选10至300 μ m的厚度。
·
在本发明的实施中，通过这种阳极氧化处理(A)形成的阳极氧化膜具有优选50至1，500pcs/ μ m2的平均微孔密度。优选的是微孔具有20至50%的表面覆盖率。在这里将微孔的表面覆盖率定义为微孔开ロ的总表面积与铝表面的表面积之比。[膜移除处理(B)]在膜移除处理(B)中，将通过上述阳极氧化处理(A)在铝基板的表面上形成的阳极氧化膜溶解并移除。可以在通过上述阳极氧化处理(A)在铝基板的表面上形成阳极氧化膜后立即进行随后描述的贯通处理步骤。然而，优选的是在上述阳极氧化处理(A)之后以下列顺序另外进行膜移除处理(B)和随后描述的再阳极氧化处理(C)，随后是以下描述的贯通处理步骤。公知当接近铝基板时阳极氧化膜的有序性増加，通过使用该膜移除处理(B)移除已经形成的阳极氧化膜，使得留在铝基板的表面上的阳极氧化膜的下部在表面上露出，从而给出凹坑的有序排列。因此，在膜移除处理(B)中，不溶解铝；仅溶解了由氧化铝(alumia)(氧化招(aluminum oxide))构成的阳极氧化膜。氧化铝溶解液优选为含有选自由以下各项组成的组中的至少ー种物质的水溶液铬化合物、硝酸、磷酸、错化合物、钛化合物、锂盐、铺盐、镁盐、六氟娃酸钠、氟化锌、猛化合物、钥化合物、镁化合物、钡化合物和未化合的卤素。铬化合物的示例性实例包括铬(III)氧化物和铬(VI)氧化物。锆化合物的实例包括氟化锆铵、氟化锆和氯化锆。钛化合物的实例包括氧化钛和硫化钛。锂盐的实例包括氟化锂和氯化锂。铈盐的实例包括氟化铈和氯化铈。镁盐的实例包括硫化镁。锰化合物的实例包括高锰酸钠和高锰酸钙。钥化合物的实例包括钥酸钠。镁化合物的实例包括五水氟化镁。钡化合物的实例包括氧化钡、こ酸钡、碳酸钡、氯酸钡、氯化钡、氟化钡、碘化钡、乳酸钡、草酸钡、高氯酸钡、硒酸钡、亚硒酸钡、硬脂酸钡、亚硫酸钡、钛酸钡、氢氧化钡、硝酸钡，及其水合物上面的钡化合物中，氧化钡、こ酸钡和碳酸钡是优选的。氧化钡是特别优选的。未化合的卤素的实例包括氯、氟和溴。以上所述中，氧化铝溶解液优选是含酸水溶液。酸的实例包括硫酸、磷酸、硝酸和盐酸。两种以上的酸的混合物也是容许的。酸浓度优选为至少O. 01mol/L,更优选至少O. 05mol/L,并且再更优选至少
0.lmol/L0虽然酸浓度没有特定的上限，通常，该浓度为优选lOmol/L以下，并且更优选5mol/L以下。不必要地高的浓度是不经济的并且可能导致铝基板的溶解。氧化铝溶解液具有优选-10°C以上，更优选_5°C以上，并且再更优选0°C以上的温度。使用沸腾的氧化铝溶解液进行处理破坏或扰乱用于有序化的起点。因此，优选使用未沸腾的氧化铝溶解液。氧化铝溶解液溶解氧化铝，但是不溶解铝。这里，氧化铝溶解液可以溶解非常少量的铝，只要它不溶解大量的铝。通过使其上形成有阳极氧化膜的铝基板与上述氧化铝溶解液接触而进行膜移除处理(B)。接触方法的实例包括，但不限于，浸溃和喷涂。这些中，浸溃是优选的。浸溃是这样的处理其中将其上形成有阳极氧化膜的铝基板浸入氧化铝溶解液中。为了实现均匀的处理，适宜的是在浸溃处理过程中进行搅拌。浸溃处理时间优选为至少10分钟，更优选至少I小吋，再更优选至少3小吋，并且最优选至少5小时。[再阳极氧化处理(C)]可以通过在通过上述膜移除处理(B)移除阳极氧化膜之后再次进行阳极氧化处理以在铝基板的表面形成良高度有序的凹坑，从而形成带有更高有序度的微孔的阳极氧化膜。可以使用本领域已知的方法进行再阳极氧化处理(C)，虽然优选的是在与上述阳极氧化处理(A)相同的条件下进行。备选地，适合使用以下方法其中反复地接通和断开电流同时保持dc电压恒定的方法，或者其中反复地接通和断开电流同时间歇地改变dc电压的方法。因为这些方法导致在阳极氧化膜中形成小微孔，它们对于提高均匀性是优选的，特别是当通过电沉积处理进行封孔时。当在低温下进行再阳极氧化处理(C)时，微孔的阵列是高度有序的并且孔尺寸是均匀的。另ー方面，通过在相对高的温度下进行再阳极氧化处理(C)，可以干扰微孔阵列或者可以将孔径的变化调节到给定的范围内。也可以通过处理时间控制孔径的变化。在本发明中，通过这样的再阳极氧化处理(C)形成的阳极氧化膜具有优选30至
1,000 μ m,并且再更优选50至500 μ m的厚度。在本发明中，通过这种阳极氧化处理(C)形成的阳极氧化膜具有孔径优选为O. 01至O. 5 μ m,更优选O. 02至O. I μ m的微孔。平均微孔密度优选至少I X 107pcs/mm2。
在自排序方法I中，可以使用例如，物理方法、粒子束方法、嵌段共聚物方法或抗蚀剂图案化/曝光/蚀刻方法代替上述阳极氧化处理(A)和膜移除处理(B)，以形成凹坑作为用于通过上述再阳极氧化处理(C)形成微孔的起点。在JP 2008-270158A的第
至
段中详细描述了这些方法。[自排序方法II][第一歩阳极氧化处理⑶]在阳极氧化处理(D)中可以使用传统已知的电解液，但是通过在直流电流和恒定电压的条件下，使用以下电解液进行阳极氧化可以显著地提高孔阵列的有序性在所述电解液中，通过通式(ii)表示的參数R满足160 < 200，优选170 < 190并且最优选175 ^ 185，其中A是施加电流的过程中膜的形成速率并且B是不施加电流的过程中膜 的溶解速率。R = A[nm/s]/(B[nm/s] X 施加的电压[V])... (ii)与上面所述的阳极氧化处理(A)中相同，阳极氧化处理(D)中电解液的平均流速优选为O. 5至20. Om/分钟，更优选I. O至15. Om/分钟，并且再更优选2. O至10. Om/分钟。通过在上面定义的范围内的流速下进行阳极氧化处理(D)，阳极氧化膜可以具有均匀的且有序度闻的微孔。与在上述阳极氧化处理(A)中相同，对于使电解液在以上条件下流动的方法没有进行任何特别的限定。例如，可以使用包括使用普通搅拌装置如搅拌器的方法。阳极氧化处理液在25°C和I个大气压下优选具有O. 0001至100. OPa *s并且更优选O. 0005至80. OPa · s的粘度。通过使用具有上面定义的范围内的粘度的电解液进行阳极氧化处理(D)，可以获得均匀的并且高度的有序。阳极氧化处理(D)中所使用的的电解液可以是酸性溶液或碱性溶液，但是在提高贯通微孔的圆度方面，使用酸性电解液是有益的。更具体地，与上述阳极氧化处理㈧中相同，盐酸、硫酸、磷酸、铬酸、草酸、こ醇酸、酒石酸、苹果酸、柠檬酸、氨基磺酸(sulfamic acid)、苯磺酸或氨基磺酸(amidosulfonic acid)的溶液是更优选的。其中，硫酸、磷酸或草酸的溶液是尤其优选的。可以单独使用这些酸，或者通过按需要调整由通式(ii)表示的计算式中的參数而组合使用它们的两种以上。阳极氧化处理(D)的条件依赖所使用的电解液而变化，并且因此无法严格規定。然而，与上述阳极氧化处理(A)中的相同，以下条件一般是优选的0. I至20重量％的电解质浓度，-10至30°C的溶液温度，O. 01至20A/dm2的电流密度，3至500V的电压，以及O. 5至30小时的电解时间。更优选的是O. 5至15重量％的电解质浓度，-5至25°C的溶液温度，O. 05至15A/dm2的电流密度，5至250V的电压以及I至25小时的电解时间。再更优选的是I至10重量％的电解质浓度，O至20°C的溶液温度，O. I至ΙΟΑ/dm2的电流密度，10至200V的电压以及2至20小时的电解时间。在本发明的实施中，通过这种阳极氧化处理(D)形成的阳极氧化膜具有优选O. I至300 μ m,更优选O. 5至150 μ m,并且再更优选I至100 μ m的厚度。在本发明中，通过这种阳极氧化处理⑶形成的阳极氧化膜具有优选50至1，500pcs/ μ m2的平均微孔密度。
优选的是微孔具有20至50%的表面覆盖率。在这里将微孔的表面覆盖率定义为微孔开ロ的总表面积与铝表面的表面积之比。如图3A中所示，作为阳极氧化处理⑶的结果，在铝基板12的表面上形成了带有微孔16a的阳极氧化膜14a。在阳极氧化膜14a更靠近铝基板12的ー侧存在阻挡层18a。[第二步氧化膜溶解处理(E)]氧化膜溶解处理(E)是用于扩大通过上述阳极氧化处理(D)形成的存在于阳极氧化膜中的微孔的直径的处理(孔尺寸扩大处理)。通过使已经经过上述阳极氧化处理(D)的铝基板与酸或碱的水溶液接触进行氧化膜溶解处理(E)。接触方法的实例包括，但是不限于，浸溃和喷涂。其中，浸溃是优选的。当用酸的水溶液进行氧化膜溶解处理(E)时，优选的是使用无机酸如硫酸、磷酸、 硝酸或盐酸或其混合物的水溶液。在其高安全度方面，特别优选的是使用不含铬酸的水溶液。酸的水溶液优选具有I至10重量％的浓度。酸的水溶液优选具有25至60°C的温度。当用碱的水溶液进行氧化膜溶解处理(E)吋，优选的是使用选自由以下各项组成的组的至少ー种碱的水溶液氢氧化钠、氢氧化钾和氢氧化锂。碱的水溶液优选具有O. I至5重量％的浓度。碱的水溶液优选具有20至35°C的温度。可以优选使用的溶液的具体实例包括含有50g/L的磷酸的40°C水溶液,含有
O.5g/L的氢氧化钠的30°C水溶液，以及含有O. 5g/L的氢氧化钾的30°C水溶液。在酸的水溶液或碱的水溶液中的浸溃时间优选为8至120分钟，更优选10至90分钟并且再更优选15至60分钟。在氧化膜溶解处理(E)中，孔尺寸扩大的程度随阳极氧化处理(D)的条件变化，但在处理后的孔尺寸与在处理前的孔尺寸的比例优选为I. 05至100，更优选I. I至75，并且最优选为I. 2至50。氧化膜溶解处理(E)将如图3A中所示的阳极氧化膜14a的表面和微孔16a的内部(阻挡层18a和多孔层)溶解，以获得如图3B中所示的在铝基板12上具有带微孔16b的阳极氧化膜14b的铝构件。与图3A中相同，阻挡层18b存在于阳极氧化膜14b靠近铝基板12的ー侧上。[第三歩阳极氧化处理⑶]在自排序方法II中，优选的是在上述氧化膜溶解处理(E)之后再次进行上述阳极氧化处理⑶。通过再次进行阳极氧化处理(D)，进行图3B中所示的铝基板12的氧化反应，以如图3C中所示得到具有在铝基板12上形成的阳极氧化膜14c的铝构件，所述阳极氧化膜14c带有具有比微孔16b更大深度的微孔16c。与图3A中相同，阻挡层18c存在于阳极氧化膜14c靠近招基板12的ー侧上。[第四步氧化膜溶解处理(E)]在自排序方法II中，优选的是在上述阳极氧化处理(D)，氧化膜溶解处理(E)和阳极氧化处理(D)按该顺序进行之后进ー步进行上述氧化膜溶解处理(E)。该处理使处理液能够进入微孔以溶解通过第三步中的阳极氧化处理(D)形成的阳极氧化膜，借此通过第三步中的阳极氧化处理(D)形成的微孔可以具有扩大的直径。更具体地，再次进行的氧化膜溶解处理(E)将图3C中所示的阳极氧化膜14c中表面侧上的微孔16c的内部从拐点开始溶解，以获得如图3D中所示在铝基板12上具有带有直管形微孔16d的阳极氧化膜14d的铝构件。与图3A中相同，靠近铝基板12的阳极氧化膜14d —侧上存在阻挡层18d。孔尺寸的扩大的程度随第三步中进行的阳极氧化处理(D)的条件变化，但是处理后的孔尺寸与处理前的孔尺寸的比例优选为I. 05至100，更优选I. I至75，并且再更优选
I.2 至 50。自排序方法II至少包括上述阳极氧化处理(D)和氧化膜溶解处理(E)的ー个循环。重复的次数越多，孔阵列的有序度越高。通过在氧化膜溶解处理(E)中将通过在前的阳极氧化处理(D)形成的阳极氧化膜 溶解，显著地改善了从膜表面侧看到的微孔的圆度。因此，优选将该循环重复至少两次，更优选至少三次并且再更优选至少四次。在将该循环至少重复两次的情况下，在氧化膜溶解处理和阳极氧化处理的每个循环中的条件可以是相同的或不同的。备选地，该处理可以终止于阳极氧化处理。[贯通处理步骤]贯通处理步骤是这样的步骤其中在阳极氧化处理步骤之后，将通过阳极氧化形成的微孔贯通以获得具有贯通微孔的绝缘基材。更具体地，通过以下方法进行贯通处理步骤例如，这样的方法，其中在阳极氧化处理步骤之后将铝基板(在图3D中通过附图标记12表示的部分)溶解，并将阳极氧化膜的底部(在图3D中通过附图标记18d表示的部分)移除；以及这样的方法，其中在阳极氧化处理步骤之后将铝基板和靠近铝基板的阳极氧化膜切除。接下来，详细描述作为优选实施方案的前ー种方法。(铝基板的溶解)使用不易溶解阳极氧化膜(氧化铝)但是易溶解铝的处理液用于阳极氧化处理步骤之后铝基板的溶解。換言之，使用这样的处理液它具有至少I μ m/分钟，优选至少3 μ m/分钟，并且更优选至少5 μ m/分钟的铝溶解速率，并且具有O. Inm/分钟以下，优选O. 05nm/分钟以下，并且更优选O. Olnm/分钟以下的阳极氧化膜溶解速率。具体地，使用这样的处理液用于浸溃处理它包含至少ー种其离子化倾向低于铝的离子化倾向的金属化合物，并且它的pH为4以下或8以上，优选3以下或9以上，并且更优选2以下或10以上。这种处理液的优选实例包括由以下各项组成的溶液作为基体的酸或碱的水溶液以及混入其中的下列金属的化合物例如，锰、锌、铬、铁、镉、钴、镍、锡、铅、锑、铋、铜、汞、银、钯、钼或金(例如，氯钼酸)，或者这些金属中任意一种的氟化物或氯化物。上面这些中，优选的是处理液基于酸的水溶液并且具有混入其中的氯化物。从处理范围的角度，尤其优选的是其中混入氯化汞的盐酸水溶液的处理液(盐酸/氯化汞)和其中混入氯化铜的盐酸水溶液的处理液(盐酸/氯化铜)。对于这种处理液的组成没有特别的限定。可以使用的处理液的示例性实例包括溴/甲醇混合物、溴/こ醇混合物和王水。这种处理液具有优选O. 01至10mol/L并且更优选O. 05至5mol/L的酸或碱浓度。
此外，优选在-10°C至80°C并且更优选0至60°C的处理温度下使用这种处理液。在本发明中，通过使经过阳极氧化处理步骤的铝基板与上述处理液接触而进行铝基板的溶解。接触方法的实例包括，但是不限于，浸溃和喷涂。其中，浸溃是优选的。在该方法中的接触时间优选为10秒至5小吋，并且更优选I分钟至3小吋。(阳极氧化膜底部的移除)在铝基板的溶解之后通过在酸或碱的水溶液中浸溃以将阳极氧化膜的底部移除。阳极氧化膜底部的移除使微孔在那里贯通。优选通过包括以下各步的方法移除阳极氧化膜的底部预先将阳极氧化膜浸溃在PH缓冲溶液中以用pH缓冲溶液从微孔的开ロ侧填充微孔，并且使与开ロ相反的表面(即，阳极氧化膜的底部)与酸的水溶液或碱的水溶液接触。当用酸的水溶液进行该处理时，优选的是使用无机酸如硫酸、磷酸、硝酸或盐酸或其混合物的水溶液。酸的水溶液优选具有I至10重量％的浓度。酸的水溶液优选具有25 至40°C的温度。当用碱的水溶液进行该处理吋，优选的是使用选自由以下各项组成的组的至少ー种碱的水溶液氢氧化钠、氢氧化钾和氢氧化锂。碱的水溶液优选具有0. I至5重量％的浓度。碱的水溶液优选具有20至35°C的温度。可以优选使用的溶液的具体实例包括含有50g/L的磷酸的40°C水溶液,含有0. 5g/L的氢氧化钠的30°C水溶液，以及含有0. 5g/L的氢氧化钾的30°C水溶液。在酸的水溶液或碱的水溶液中的浸溃时间优选为8至120分钟，更优选10至90分钟并且再更优选15至60分钟。在将该膜预先浸入pH缓冲溶液中的情况下，使用适合于上述酸/碱的缓冲溶液。该贯通处理步骤产生在铝基板12和阻挡层18d的移除之后的图3D中所示的结构体，即，如图4A中所示的绝缘基材20。另ー方面，可以有益地使用以将铝基板和铝基板附近的阳极氧化膜切除的后ー种方法的实例包括以下这种方法该方法包括通过用激光束切割或其它多种抛光处理将铝基板(图3D中通过附图标记12表示的部分)和阳极氧化膜的底部(图3D中通过附图标记18d表示的部分)物理移除。[填充步骤]填充步骤是其中将导电材料填充到贯通处理步骤之后得到的绝缘基材中的贯通微孔中以获得各向异性导电构件的步骤。所要填充的导电材料构成各向异性导电构件的导电通路，并且其实例与上面所描述的相同。在本发明的制造方法中，可以使用电解电镀方法或无电镀膜方法用金属作为导电材料填充微孔。在电解电镀之前优选通过电极膜形成处理在绝缘基材的ー个表面上形成没有空隙的电极膜。对于形成电极膜的方法没有特别限定，并且其优选的实例包括金属无电镀膜和导电材料如金属的直接涂敷。这些之中，在电极膜的均匀性和易于操作方面更优选的是无电镀膜。当无电镀膜用于电极膜形成处理时，优选的是在氧化物膜的ー个表面上形成电镀核。更具体地，优选使用这样的方法其中在绝缘基材的ー个表面上提供与将要通过无电镀膜提供的特定金属相同类型的金属或金属化合物，或者提供具有比将要通过无电镀膜提供的特定金属更高的电离倾向的金属或金属化合物。提供这种金属或金属化合物的示例性实例包括气相沉积、溅射和直接涂敷，但是本发明不特别限定于这些方法。在如上所述设置电镀核之后，通过无电镀膜形成电极膜。从可以通过时间控制电极膜厚度的观点上，浸溃是优选的处理方法。可以使用任何传统公知类型的无电镀膜液。在增加所要形成的电极膜的电连续性方面，优选的是含贵金属的电镀液如金电镀液、铜电镀液和银电镀液，并且在电极的长期稳定性，即防止由氧化带来的劣化方面，更优选的是金电镀液。在本发明的制造方法中，当通过电解电镀处理进行金属填充时，优选在脉冲电解或恒压电解的过程中提供休息期。休息期应当为至少10秒，并且优选为30至60秒。
·
为了促进电解液的搅拌，适宜的是施用超声能。此外，电解电压通常不超过20V，并且优选不超过10V，虽然优选的是首先測量所要使用的电解液中目标金属的沉积电位，并且在该电位+不超过IV的电位下进行恒电位电解。当进行恒电位电解时，适宜的是也使用循环伏安法。为此，可以使用恒电位仪，如可得自 Solartron, BAS Inc.、Hokuto Denko Corporation 和 Ivium Technologies 的那些。可以使用任何传统公知的电镀液用于金属填充。更具体地，当要沉积铜时，通常可以使用硫酸铜的水溶液。硫酸铜的浓度优选为I至300g/L，并且更优选100至200g/L。可以通过将盐酸加入电解液促进沉积。在这样的情况下，盐酸的浓度优选为10至20g/L。当要沉积金时，适宜的是使用四氯金酸盐的硫酸溶液通过交流电电解进行电镀。根据无电镀膜方法，用金属完全填充具有高纵横比的微孔花费很多时间，并且因此适宜的是在本发明的制造方法中通过电解电镀方法填充金属。该填充步骤产生图4B中所示的各向异性导电构件21。[绝缘材料填充处理]在填充步骤之后任选地对用金属填充的绝缘基材进行封孔处理，并且可以进行绝缘材料填充处理以进一歩用绝缘材料填充绝缘基材以使导电通路的形成率可以是99%以上。对于绝缘材料填充处理中的封孔处理没有特别地限制，并且可以根据公知方法进行，如沸水处理、热水处理、水蒸汽处理、硅酸钠处理、亚硝酸盐处理或こ酸铵处理。例如，可以使用 JP 56-12518B,JP 4-4194A.JP 5-202496A 和 JP 5-179482A 中描述的装置和方法进行封孔处理。当使用金属和绝缘材料的导电通路的形成率在以上范围内时，可以提供能进ー步抑制互连缺陷的各向异性导电构件。在各向异性导电构件上互连层的形成过程中，来源于用于形成互连层的材料(主要为液体形式)的微尘或油(以下统称为“污染物”)可能留存在未封孔的贯通微孔中，从而使互连层的粘附变差。另ー方面，通过用预定的绝缘材料填充贯通微孔抑制了这种污染物的存在，使得在贯通微孔中导电通路的形成率可以是至少99%。
[表面平面化处理]在本发明的制造方法中，在填充步骤之后优选是表面平面化步骤，其中通过抛光(例如，化学机械抛光)平面化顶侧和背侧。通过进行化学机械抛光(CMP)，优选地将金属填充之后的顶侧和背侧平面化，同时移除粘附至表面的过量金属。可以使用CMP浆液如可得自Fujimi Inc.的PNANERLITE-7000、可得自HitachiChemical Co. ,Ltd.的 GPX HSC800 或者可得自 AGC Seimi Chemical Co. ,Ltd.的 CL-1000进行CMP处理。因为不应将阳极氧化膜抛光，不优选的是使用用于层间电介质膜和阻挡金属的浆液。[修整处理]在本发明的制造方法中，在填充步骤或表面平面化步骤之后优选是修整步骤。修整步骤是这样的步骤其中在填充步骤或表面平面化步骤之后仅将各向异性导电构件的表面中的绝缘基材的一部分移除以使导电通路从各向异性导电膜表面突出。如果不会将构成导电通路的材料(例如，金属)溶解，可以在与上述氧化物膜溶解处理(E)的处理条件相同的条件下进行修整处理。特别优选的是使用磷酸，用磷酸容易控制溶解速率。修整步骤产生图4C中所示的各向异性导电构件21。[电解沉积处理]在本发明的制造方法中，可以将修整步骤替换为或在其后进行电解沉积步骤，其中将与填充在微孔中的金属相同或不同的导电金属进ー步仅沉积在图4B中所示的导电通路3的表面上(图4D)。在本发明的实施中，电解沉积是也包括利用不同类金属电负性上的区别的无电镀膜的处理。无电镀膜是这样的步骤其中将绝缘基材浸溃在无电镀膜液中(例如，通过将pH值为6至13的还原剂处理液与pH为I至9的含贵金属的处理液适当地混合获得的溶液)。在本发明的制造方法中，优选刚好在各向异性导电构件的使用之前进行修整步骤和电解沉积步骤。优选的是刚好在使用之前进行这些处理，因为这样构成导电通路的突起的金属直至刚好在使用之前的时刻还不会发生氧化。[保护膜形成处理步骤]在本发明的制造方法中，通过由氧化铝制成的绝缘基材与空气中的水分水合，微孔大小可以随时间而变化，并且因此在填充步骤之前优选进行保护膜形成处理。保护膜的示例性实例包括含有元素锆和/或元素硅的无机保护膜，和含有水不溶性聚合物的有机保护膜。JP 2008-270157A 的第
至
段中详细描述了这些。[各向异性导电构件]、
可以在多种应用中使用本发明的各向异性导电构件，例如，作为在CPU主板与插片之间的电连接(电连接构件)，或者作为插片与CPU IC芯片之间的电连接。在对于上述用途的应用方面，本发明的各向异性导电构件优选具有lX10_4Qm以下，更优选IX 10_5 以下并且再更优选IX 10_7 Qm以下的导电通路的厚度方向上的电阻率。实施例下面通过实施例的方式更具体地描述本发明。然而，不应将本发明理解为限于以下实施例。(实施例I和2)(I)镜面抛光处理(电解抛光)将高纯铝基板(NipponLight Metal Co. , Ltd.;纯度，99. 9999 重量厚度，0. 4mm)切为10平方厘米的尺寸并将其阳极氧化，之后使用下面给出的组成的电解抛光液在25V的电压，65°C的溶液温度，以及3. Om/分钟的溶液流动速率下进行电解抛光。 使用碳电极作为阴极，并且使用GP0110-30R单元(Takasago，Ltd.)作为电源。此夕卜，使用As One Corporation制造的涡流式流量监测仪FLM22-10PCW测量电解液的流速。(电解抛光液的组成)*85 重量憐酸(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. ) 66OmL* 纯水160mL* 硫酸150mL* こニ醇30mL(2)阳极氧化处理根据JP 2007-204802A中描述的方法对经过电解抛光的铝基板进行自排序阳极
氧化处理。更具体地，用0. 50mol/L草酸的电解液在以下条件下对经过电解抛光的铝基板进行5小时的预阳极氧化处理电压，40V ;溶液温度，160C ;以及溶液流动速率，3. Om/分钟。在预阳极氧化处理之后，对铝基板进行膜移除处理，其中将其浸溃在0. 2mol/L的铬酸酐与0. 6mol/L的磷酸的混合水溶液(溶液温度，50°C )中12小吋。接下来，用0. 50mol/L草酸的电解液在以下条件下对铝基板进行16小时的再阳极氧化处理电压，40V ;溶液温度，160C ；以及溶液流动速率，3. Om/分钟。如此获得厚度为130 iim的氧化物膜。预阳极氧化处理和再阳极氧化处理两者都使用不锈钢电极作为阴极并使用GP0110-30R单兀(Takasago, Ltd.)作为电源进行。使用 NeoCool BD36 (Yamato ScientificCo. , Ltd.)作为冷却系统,并用 Pairstirrer PS-100 (Tokyo Rikakikai Co. , Ltd.)作为揽拌和加温単元。此外，使用涡流式流量监测仪FLM22-10PCW(As One Corporation)测量电解液的流速。(3)贯通处理接下来，通过在20°C下在氯化汞(升汞)的20重量％水溶液中浸溃3小时将铝基板溶解。之后，将阳极氧化膜在30°C下浸溃在5重量％的磷酸中30分钟以移除阳极氧化膜的底部从而制备具有贯通微孔的阳极氧化膜。 贯通微孔具有30nm的平均孔径大小。通过用FE-SEM在50，000X的放大率下取得表面图像，測量50个点的孔径大小并计算测量的平均值，从而測定平均孔径大小。贯通微孔具有130 U m的平均深度。通过以下方法測定平均深度用FIB在贯通微孔的厚度方向上切割所得到的微结构体，用FE-SEM在50，000X的放大率下取得截面表面的图像，測量10个点的微孔深度并计算測量结果的平均值。贯通微孔的密度为约lxl08pCS/mm2。通过下式计算该密度，如图5中所示，假设贯通微孔的单位晶格(unit cell) 51是以使得通过上述式(i)定义的有序度是至少50%而排列的，并且所述单位晶格51含有贯通微孔52的一半。密度[pcs/iim2] = (1/2) / {Pp (ii m) XPp (ii m) X V 3X (1/2)}这里Pp是贯通微孔的节距。贯通微孔的有序度为92%。通过FE-SEM取得其表面图像(放大率20，000X)，并在的视野中測量如上式⑴所定义的贯通微孔的有序度。 (4)加热处理接下来，将如上所述获得的带贯通微孔的结构体在400°C的温度下加热I小吋。(5)电极膜形成处理接下来，进行用于在经过上述加热处理的带贯通微孔的结构体的ー个表面上形成电极膜的处理。更具体地，将0. 7g/L氯金酸的水溶液涂敷在ー个表面上，在140°C下干燥I分钟并且之后在500°C下焙烧I小时以形成金的电镀核。之后，使用PRECIOUSFAB ACG2000 底液 / 还原液(可得自 ElectroplatingEngineers of Japan Ltd.)作为无电镀膜液在50°C下进行浸溃I小时从而形成没有空隙的电极膜。(6)金属填充处理步骤(电解电镀)接下来，将铜电极与形成有电极膜的表面置于紧密接触，并且使用铜电极作为阴极并使用钼作为阳极进行电解电镀。在实施例I中，使用下面给出的组成的铜电镀液进行恒电流电解从而制备其中用铜填充贯通微孔的各向异性导电构件。在实施例2中，使用下面给出的组成的镍电镀液进行恒电流电解从而制备其中用镍填充贯通微孔的各向异性导电构件。在电镀液中通过循环伏安法检查沉积电位之后,使用由Yamamoto-MS Co. ,Ltd.制造的电镀系统和由Hokuto Denko Corp.制造的电源(HZ-3000)在以下条件下进行恒定电流电解。[铜电镀液的组成]* 硫酸铜100g/L* 硫酸50g/L* 盐酸15g/L*温度25で* 电流密度10A/dm2[镍电镀液的组成]* 硫酸镍300g/L* 氯化镍60g/L* 硼酸40g/L*温度50で
* 电流密度5A/dm2(7)精密抛光处理接下来，对所制备的各向异性导电构件的两个表面进行机械抛光，并且从而得到的各向异性导电构件具有IlOym的厚度。将陶瓷夹具(Kemet Japan Co. , Ltd.)用于机械抛光中的样品固定台，并且使用ALCOffAX (Nikka Seiko Co. ,Ltd.)作为应用于样品固定台的材料。按顺序使用DP-悬浮液P-6 u m 3 u m Ium* l/4iim(可得自 Struers)作为石开磨齐[I。測量如上所述制备的各向异性导电构件中用金属填充的贯通微孔的比例。更具体地，通过FE-SEM观察所制备的各向异性导电构件的两个表面以观察1，000 个贯通微孔是否填充有金属，从而计算在两个表面上的导电通路形成率，并从其中測定平均值。作为结果，实施例I和2中的各向异性导电构件分别具有92. 6%和96. 2%的比例。通过FIB在厚度方向切割如此制备的各向异性导电构件，通过FE-SEM在50，000X的放大率下取得截面图像并检查贯通微孔的内部。作为结果，显示出形成了导电通路的贯通微孔的内部被金属完全填充。(8)绝缘材料填充处理接下来，对如上所述制备的各向异性导电构件进行下面描述的封孔处理。封孔处理包括将各向异性导电构件在纯水中在80°C下浸溃I分钟并将其在浸溃状态下在110°C下的气氛下加热10分钟。(9)精密抛光处理接下来，对封孔的各向异性导电构件的两个表面进行类似于(7)中的精密抛光的机械抛光，并且从而得到的各向异性导电构件具有100 u m的厚度。作为导电通路的形成率的计算结果，在实施例I和2中如上所述制备的各向异性导电构件具有100%的形成率。(10)修整处理接下来，将经过精密抛光处理的结构体浸入磷酸溶液中，以便选择性地溶解阳极氧化膜，从而使得充当导电通路的金属柱从该结构体的表面突出。使用与上述贯通处理步骤中使用的磷酸溶液相同的磷酸溶液，并且处理时间为I分钟。(实施例3)除了将高纯招基板(NipponLight Metal Co. ,Ltd.;纯度,99. 9999重量％;厚度，
0.4mm)替换为高纯招基板(Nippon Light Metal Co. , Ltd.;纯度,99. 999重量％ ;厚度，
0.5mm)以外,重复实施例I，从而制备厚度为100 ii m的各向异性导电构件。(实施例4)除了在实施例I的(2)中的阳极氧化处理中将铝基板在丙ニ酸水溶液中阳极氧化以形成直径为lOOnm、密度为I. 3xl07pcs/mm2的导电通路以外,重复实施例I,从而制备厚度为IOOiim的各向异性导电构件。在含有0. 50mol/L丙ニ酸的电解液中在以下阳极氧化条件下进行阳极氧化处理以获得厚度为130 iim的阳极氧化膜115V的电压，3 °C的溶液温度以及13小时的时间。(实施例5)
除了在实施例I的⑵中的阳极氧化处理中将铝基板阳极氧化54小时以制备厚度为430 iim的阳极氧化膜以外，重复实施例I，从而制备厚度为400 iim的各向异性导电构件(实施例6)除了不进行实施例I的(I)中的镜面抛光处理(电解抛光)以外，重复实施例1，从而在实施例6中制备厚度为IOOiim的各向异性导电构件。(实施例7)除了将实施例I中使用的高纯铝基板(Nippon Light Metal Co.，Ltd.;纯度，99. 9999 重量％ ;厚度，0.4mm)替换为高纯招基板(Nippon Light Metal Co.，Ltd.;纯度，99. 996重量厚度，0.5mm)以外，重复实施例1，从而制备厚度为100 y m的各向异性导电构件。(实施例8)除了通过连续鋳造和压延(CC (连续鋳造)法)制备实施例3中使用的高纯铝基板(Nippon Light Metal Co. ,Ltd.;纯度,99. 999重量％;厚度,0. 5mm)以减小金属间化合物的尺寸以外，重复实施例1，从而制备厚度为IOOiim的各向异性导电构件。(比较例I)除了将高纯招基板(NipponLight Metal Co. ,Ltd.;纯度,99. 9999重量％;厚度,
0.4mm)替换为高纯招基板(Sumitomo Light Metal Industries,Ltd.;纯度,99. 99重量;厚度,0.4mm)以外,重复实施例I，从而制备厚度为100 ii m的各向异性导电构件。[无导电通路区面积比]通过FE-SEM观察实施例I至8和比较例I中制备的各向异性导电构件的每ー个的表面。未形成导电通路的区域具有低于形成导电通路的区域的电子密度，并且从而可以将前者与后者区分。換言之，可以从所得到的SEM图像计算出未形成导电通路的区域的面积比。表I中显示了从在2，000X的放大率下在Imm x Imm的观察区域中取得的FE-SEM图像获得的无导电通路区域面积比) {(无导电通路区域的面积)/观察区域的面积)X 100}。从实用的观点来看，无导电通路区域面积比优选为约0. 50%以下。[电阻率的測量]使用实施例I至8和比较例I中制备的各向异性导电构件以及预先准备掩模(mask)以将它们浸溃在含有 PRECIOUSFAB ACG2000 (Tanaka Holdings Co.，Ltd.)的无电镀金电镀浴中，从而如图6A和6B的各向异性导电构件I中所示，在各向异性导电构件的前表面和背表面的每ー个上形成厚度为20 的金属电极部分60。金属连接部分具有5 u mX 5 u m的尺寸。经由形成在各向异性导电构件的前表面和背表面上的金属连接部分，使用RM3542 (Hioki E. E. Corporation)通过四端子方法计算各向异性导电构件的厚度方向上的电阻率。从实用的观点来看，电阻率为IXKT4Qm以下。表I中的“金属间化合物的密度”和“金属间化合物的平均等价圆直径”分别显示了所使用的铝基板中金属间化合物的密度和平均等价圆直径的数值。“铝基板的Ra”显示了所要阳极氧化的铝基板的表面粗糙度。
权利要求
1.ー种各向异性导电构件，所述各向异性导电构件包括绝缘基材，所述绝缘基材具有贯通微孔和多个导电通路，所述导电通路通过用导电材料填充所述贯通微孔形成，彼此绝缘，并且在所述绝缘基材的厚度方向上贯通所述绝缘基材，所述导电通路的每ー个的一端暴露在所述绝缘基材的ー侧上，所述导电通路的每ー个的另一端暴露在所述绝缘基材的另ー侧上， 其中所述绝缘基材是由铝基板获得的阳极氧化膜，并且所述铝基板以至多100pCS/mm2的密度含有平均等价圆直径至多2 μ m的金属间化合物。
2.根据权利要求I所述的各向异性导电构件，其中所述导电通路以至少IX107pCS/mm2的密度形成。
3.根据权利要求I或2所述的各向异性导电构件，其中所述导电通路具有5至500nm的直径。
4.根据权利要求I至3中任一项所述的各向异性导电构件，其中所述绝缘基材具有I至1,000 μ m的厚度。
5.根据权利要求I至4中任一项所述的各向异性导电构件，其中所述铝基板具有至多O.I μ m的算术平均粗糙度Ra。
6.一种各向异性导电构件制造方法，所述方法用于制造根据权利要求I至5中任ー项所述的各向异性导电构件，所述方法至少包括 阳极氧化处理步骤，其中将铝基板阳极氧化； 贯通处理步骤，其中在所述阳极氧化处理步骤之后，使通过阳极氧化形成的微孔贯通以获得绝缘基材；以及 填充步骤，其中在所述贯通处理步骤之后，将导电材料填充至所得到的绝缘基材中的贯通微孔中以获得所述各向异性导电构件。
7.根据权利要求6所述的各向异性导电构件制造方法，所述方法在所述填充步骤之后还包括表面平面化步骤，其中通过化学机械抛光将顶表面和背表面平面化。
8.根据权利要求6或7所述的各向异性导电构件制造方法，所述方法在所述填充步骤之后还包括修整步骤。
全文摘要
本发明提供一种各向异性导电构件，所述各向异性导电构件包含绝缘基材，所述绝缘基材具有贯通微孔和导电通路，所述导电通路通过用导电材料填充贯通微孔形成，彼此绝缘，并且在所述绝缘基材的厚度方向上贯通所述绝缘基材，所述导电通路的每一个的一端暴露在所述绝缘基材的一侧上，所述导电通路的每一个的另一端暴露在所述绝缘基材的另一侧上。该绝缘基材是由铝基板获得的阳极氧化膜，并且所述铝基板以至多100pcs/mm2的密度含有平均等价圆直径至多2μm的金属间化合物。该各向异性导电构件显著地增加了所设置的导电通路的密度，并且抑制了不具有导电通路的区域的形成，并且可以将其用作用于电子部件的电连接构件或检查连接器。
文档编号H01R43/00GK102664324SQ201110286748
公开日2012年9月12日 申请日期2011年9月23日 优先权日2010年9月24日
发明者上杉彰男, 堀田吉则, 山下广祐 申请人:富士胶片株式会社