专利名称：利用抑制收缩烧结改善积层陶瓷组件电极连续性的制作方法
技术领域：
本发明为一种烧结方法，具体地，本发明涉及改善积层陶瓷组件电极连续性的抑制收缩烧结方法。
背景技术：
被动组件(Passive Components)为电子产品电路设计中不可或缺的零组件。与微控制器、内存等相比较，电容虽然不是关键性组件，但其质量的优劣，却关系到电子产品性能的表现。传统的云母电容、纸质电容、陶瓷电容、塑料薄膜电容、电解电容以及目前先进的积层陶瓷电容(Multilayer Ceramic Capacitors,MLCC)等都是电容器,其用途在于能量的储存、滤波、旁路、耦合、反耦合及调谐振荡等；目前电容器为PC、手机、车用电子的组件，随信息产品的需求而“轻薄短小”。体积小、电容量大、运用高频时企图损失率低的积层陶瓷电容，由于可采取大量生产，达到价格低廉及稳定性高的特性，因而在现行产业的发展趋势下应用表面黏着技术(Surface Mount Technology, SMT)大量生产,而相对于单层陶瓷电容更能普及地发展。为了实现陶瓷层的薄层化，因此增加陶瓷层的积层片数。一般积层陶瓷电子零件是由陶瓷层与内部电极交互积层而构成，但其内部电极并不是覆盖全部陶瓷层，而仅在陶瓷层的周缘部位微后缩的内侧位置使内部电极从芯片侧面露出，这是因为内部电极与陶瓷层间存在段差。因此，如果陶瓷层的积层片数增加时，就容易因该段差而产生剥层等构造缺陷。虽然，可通过将内部电极图案印刷在陶瓷未加工片后，于未印刷内部电极图案的部分印刷陶瓷膏，通过该陶瓷膏来吸收段差(參照日本特开昭56-94719号公报)。然而该方法，却在烧成时因内部电极与陶瓷层的烧结收缩行为所存在的差异，导致内部电极端部与陶瓷层间呈现微细的间隙，虽然可吸收陶瓷层与内部电极间的段差，然而当湿气等水分渗入，该间隙反而引发耐湿性不好的瑕疵。另外将SiO2添加干段差以便吸收陶瓷膏，虽然可缩短陶瓷与内部电极因烧结收缩行为的差异量(參照专利文献2004-96010号公报)，然 而，实际上不容易使陶瓷与内部电极两者的烧结收缩行为完全一致，目前产业尚未能充分地解决该间隙所产生的耐湿性不好问题。电容器系储存电荷利用瞬间将所储存电荷释出的电子被动组件，其功能的发挥在于两平行传导电极间所包夹的绝缘介电材料，能否呈现所储存电荷的能力。有关电容量的大小，公式如下所示C = 8. 84xlO_12K(n-l)S/e，其中，C代表电容值，单位为法拉(F) ;K代表介电常数；n代表内电极层数；S代表内电极交迭的面积,单位为平方米(m2) ;e代表介电材料的厚度，单位为米(m)。积层陶瓷电容的电性为质量重要指针之一，从生产数据显示以及业界资深工程师的经验得知，MLCC制程的电性质量不良率可达5% 40%，而其主要原因，约70% 80%是因为Pd/Ag膏印刷制程。上述陶瓷与内部电极的烧结收缩行为完全一致，也可能导致其内裂的缺陷，而影响组件的可靠性及良品率，促使不连续接触、电阻值变更、电容量衰减、及漏电过度等缺陷。当库存温度及湿度变化，这种内裂、电性质量不良的MLCC，因功能受损，呈现短路、流通过的电流不受控制、失序等现象，因而产品发热，可能导致Sony锂电池爆炸这类事件。虽然台湾201023218公开号公开的ー种由介电层与镍和微量的ニ氧化钛所紧致的金属层，提升了积层陶瓷电容器的内部电性质量并提供稳定的电容值。在发明人等致力于积层陶瓷电容制程研究多年，台湾587067公开号公开了 “抑制低温陶瓷烧结收缩之方法及抑制层”后，更构思“利用抑制收缩烧结改善积层陶瓷组件电极连续性”以增进积层陶瓷电容的质量。
发明内容
本发明主要是关于ー种抑制低温陶瓷烧结收缩的方法，其包含堆栈抑制层于介电层上而形成陶瓷生坯，以便抑制该介电层的收缩，其中该介电层上印刷有异质材料及/或放置有导体、电阻、电容及其类似物，其特征在于该抑制层系具有与该介电层上的异质材料及/或放置导体、电阻、电容及其类似物位置相对应的凿孔，使该等异质材料及/或导体、电阻、电容及其类似物干介电层与抑制层堆栈时不会被抑制层覆盖。
本发明利用抑制烧结时的收缩行为来改善电极层的不连续问题，并且可在降低印刷厚度下，依然可維持良好的电极连续性，降低印刷层厚度可以大幅降低金属膏的使用成本。由文献可以知道，若想提高电极连续性必须使用快速烧结方式，但一般积层陶瓷组件公司在考虑产量的成本吋，并无法同时考虑快速烧结方式，因为快速烧结需要耗费非常大的功率，对于成本计算极不可能实现。利用本发明的技木，在一般被动组件公司的烧结条件下均可适用，不需要大幅改变制程条件与步骤，不会影响整个公司的制作流程，就可以在大量生产中应用。对积层陶瓷电容器而言，其是由陶瓷层及内部金属电极层交错堆栈而成，也就是陶瓷层被上下两平行电极层所包挟，如果是形成的平板电容，再凭借内部电极与外部电极相连结，使各电容并联，以提高电容器的总储存电量。而先将陶瓷粉末制备成薄带，再将薄带堆积成型(tape casting)方式是增加积层陶瓷层数目，以便改善积层陶瓷电容器的制程。然而因为粉末颗粒的偏析而残留孔隙，烧结后会导致电性质量不良现象。本发明提供了一种烧结方法，其包括步骤提供第一生坯、于该第一生坯上形成第ニ生坯、以及同时加热该第一生坯及该第二生坯至特定温度，其中该特定温度能使得该第一生还完成烧结。根据上述构想，其中第一生坯是以陶瓷粉末制备的介电层以及金属层，而其介电层上印刷着异质材料及/或放置有导体、电阻、电容及其类似物。金属层则是添加不同比例的Cu含量于Ni金属膏内，形成镍(Ni)-铜(Cu)合金。或银-钯合金亦或纯金属。在积层陶瓷制作需要耗费大量印刷金属膏，因此需尽量减少金属膏(Metalization Paste)在组件上的成本花费，利用本发明的技术特点，就可大幅降低金属膏使用量，也不会影响积层组件特性，还能很大程度上降低成本。介电层包括以各种组合掺杂其它金属氧化物(如BaO、Y2O3> ZrO2, SiO2, MgO、MnO,Mo03、Ca0、Lu203、Yb203、或WO3)的钛酸钡基本材料。本发明于同时加热该第一生坯及该第二生坯至特定温度，其中该特定温度仅能使得该第一生坯完成烧结，而其加热的升温速率，并无快慢的限制。烧结该第一生坯时，維持该金属层及该陶瓷层两者的收缩率相近。
本发明还提供了一种烧结方法，其包括步骤提供第一生坯，其中该第一生坯包含金属层及陶瓷层，并提供收缩维持媒介，于特定温度烧结该第一生坯时，得维持该金属层及该陶瓷层两者的收缩率，使其相匹配。根据上述构想，其中陶瓷粉末制备的陶瓷层，其上印刷着异质材料及/或放置导体、电阻、电容及其类似物，而其中收缩维持媒介系烧结过程维持该金属层及该陶瓷层两者的收缩率相近的抑制层，不需加入陶瓷粉末。此外，本发明还提供了一种烧结方法，其包括步骤提供第一生坯，其中该第一生坯包含金属层及陶瓷层，并提供电极连续性维持媒介，用以于特定温度烧结该第一生坯时，维持该金属层的电极连续性。具体地，陶瓷组件自由烧结时是X、Y、Z三方向同时收缩约15-20%，然而当加上需较高烧结温度的抑制层于陶瓷组件上下两边时，因为在烧结陶瓷组件的温度下无法让抑制层材料收缩，所以在烧结温度下陶瓷组件在X、Y方向不收缩，所有收缩方向集中在Z方向，其收缩率可以高达30-40%。明显地说明相对于自由烧结来说，当利用抑制烧结陶瓷组件时，在Z方向产生假想力施加在陶瓷组件上促成陶瓷组件在Z方向大幅的收缩。相对于一般烧结积层陶瓷组件来说，只有在快速升温速率烧结下才能使电极连续性佳，然而利用抑制收缩烧结积层陶瓷组件，则不管升温速率快慢，积层陶瓷组件的电极连续性都佳，由此，利用抑制收缩烧结积层陶瓷组件，可以依据积层陶瓷组件所需要的特性来调整其所需要的升温速率。另外，由于利用抑制烧结可以有效地改善积层陶瓷组件内的陶瓷生坯与金属电极生坯两种材料在X、Y方向烧结收缩不匹配问题，这对于原先烧结积层陶瓷组件时为了降低积层陶瓷组件内的陶瓷生坯与金属电极生坯两种材料在X、Y方向烧结收产生不匹配问题，通常会添加5-20wt%的陶瓷粉体于内电极膏内，以改善两者之间烧结时收缩的匹配。但由此，则为了改善电极连续性，却大幅增加了电极厚度，现今超高电容值的积层电容器的内电极层数已高达数百层以上，这种效应就特别明显，因为利用加陶瓷于内电极来改善电极连续性却増加内电极厚度，内电极数目多，对组件厚度非常大，所以只能限制内电极数目。因此对于超高电容值的积层电容器而言，如何降低内电极金属层厚度并且保持良好的电极连续性则是目前研究的重点。当利用抑制烧结吋，电极与陶瓷烧结收缩匹配已不是问题，由此即可用不添加陶瓷粉的纯金属电极膏来制作内电极，达到在较薄内电极厚度下，仍拥有良好电极连续性，所以可以增加単位体积内的电极堆栈层数来提升积层陶瓷电容器的电容值。现今高容值的积层陶瓷电容器中的介电层厚度可以降至1.5pm与电极层厚度可以降至1. 2iim，然而其电极连续性只达75%左右，有将近25%的改善空间。当使用抑制烧结方式，电极连续性明显比自由制烧结改善很多，而从电极层厚度与电极连续性关系，可观察出在利用纯金属当电极且在抑制烧结时，即使电极厚度在Ium以下，电极连续性也可达90 %以上。如此不仅可以改善电极连续性，又可因电极厚度薄増加电极堆栈数目，这对发展高容值的积层陶瓷电容器有极大帮助。
本发明改善方式是将积层陶瓷组件上下方加上需要较高烧结温度的抑制层，利用需要较高烧结温度抑制层来有效抑制积层陶瓷组件的内陶瓷材料与电极材料在X-Y方向的收缩率，使在Z方向产生假想カ施加于含内电极的积层陶瓷组件上，促成抑制内电极在X、Y方向的收缩率及时加大内电极在Z-方向的收缩。由此，因为内电极有如大面积的薄层金属生坯，影响内电极连续性主要是陶瓷组件内的陶瓷生坯与金属电极生坯两种材料在X、Y方向烧结收缩的不匹配所造成，当两种材料在于烧结时X、Y方向被抑制时可以降低烧结收缩的不匹配问题，以达到改善电极连续性的问题。自由烧结时与被抑制层陶瓷材料吋，电极材料收缩行为差异在于有抑制层时的抑制烧结可以产生较大纵向收缩，达到抑制电极材料与陶瓷材料在横向收缩，由此即可达到电极材料因较少横向收缩导致较佳连续性。内电极收缩与陶瓷材料收缩率不匹配问题，导致产生在烧结后无法达到良好电极连续性，由先前文献指出利用快速烧结才可改善积层陶瓷组件电极不连续性问题，本发明利用此方法不需利用快速烧结，即可将积层陶瓷组件达到良好电极连续性。改善积层陶瓷组件内的陶瓷生坯与金属电极生坯两种材料在X、Y方向烧结收缩不匹配问题，目前做法是有两种(一)利用添加陶瓷粉体于内电极膏来減少两种材料烧结匹配问题，此做法主要缺点是需要较厚内电极来得到好的电极连续性，由此除了无法增加电极堆栈数目外，太厚电极生坯与陶瓷生坯堆栈时容易产生离裂问题。( ニ)利用快速升温来減少两种材料烧结匹配问题，然而快速升温除了容易造成因材料热膨胀系数不同所造成的积层陶瓷组件容易发生离裂问题外，通常积层陶瓷组件在烧结前，升温过程可以帮忙除去残余的有机黏着剂，大量生产，升温过快容易造成不够时间除去残余的有机黏着剂，此残碳进入烧结区容易造成陶瓷组件异常晶粒成长导致电性不良与组件可靠度问题。本发明利用抑制烧结时的收缩行为来改善电极层的不连续问题，并且可在降低印刷厚度下，依然可維持良好的电极连续性，降低印刷层厚度可以大幅降低金属膏的使用成本。由文献可以知道，若想提高电极连续性必须使用快速烧结方式，但一般积层陶瓷组件公司在考虑产量的成本吋，并无法同时考虑快速烧结方式，因为快速烧结需耗费相当大的功率，对于成本计算极不可能 实现。利用本发明技术，在一般被动组件公司的烧结条件下均可适用，不需要大幅改变制程条件与步骤，不会影响整个公司的制作流程，就可以方便地在大量生产中应用。本发明通过下列详细说明，能够得到更深入的了解。
图1a抑制烧结方法示意图b被动组件抑制收缩烧结方法示意图c被动组件改善电极连续性方法示意2a抑制收缩被动组件烧结生坯示意图b改善电极连续性被动组件烧结生坯示意3自由烧结材料x-y-z-方向收缩行为示意4抑制烧结材料x-y-z-方向收缩行为示意5积层陶瓷组件自由烧结与抑制烧结材料收缩行为示意6积层陶瓷组件的电极、被抑制层、抑制层三种材料的烧结收缩率行为差异图7a自由烧结下，升温速率200°C /hr对电极连续性影响
b自由烧结下，升温速率3000°C /hr对电极连续性影响图8a抑制烧结下，升温速率200°C /hr对电极连续性影响b抑制烧结下，升温速率3000°C /hr对电极连续性影响9图积层陶瓷电容器在自由烧结或抑制烧结下电极层厚度对电极连续性及电容值影响主要组件符号说明I 提供第一生坯步骤2 形成第二生坯步骤3 同时加热步骤11 提供第一生坯步骤12 形成收缩维持媒介步骤13 加热步骤 21 提供第一生坯步骤22 形成电极连续性维持媒介步骤23 加热步骤31 被动组件的烧结生坯32 第一生坯33 金属层34 陶瓷层35 收缩维持媒介41 被动组件的烧结生坯42 第一生坯43 金属层44 陶瓷层45 电极连续性维持媒介52 烧结层62 烧结陶瓷组件65 束缚层72 积层陶瓷组件73 内电极75 抑制层
具体实施例方式请參见图la，本发明提供了一种烧结方法，其包括步骤提供第一生坯1、于该第一生坯上形成第二生坯2、以及同时加热该第一生坯及该第二生坯至特定温度3，其中该特定温度能使得该第一生坯完成烧结4。在本发明的较佳实施例中，该特定温度为可为600 2000°C以上、该第二生坯的烧结温度则需高于该特定温度。此外，该第一生坯具有收缩量，且该收缩量的收缩受该第二生坯抑制。该第一生坯可通过多个陶瓷生坯以及多个电极生坯交替堆栈所形成。
请參见图lb，根据本发明的发明精神，还可用来提供另ー种烧结方法，该方法包括步骤提供第一生坯11，其中该第一生坯包含金属层及陶瓷层，并提供收缩维持媒介12，于特定温度烧结该第一生坯13时，得维持该金属层及该陶瓷层两者的收缩率，使其相匹配。在本发明的较佳实施例中，该特定温度为600 2000°C以上、该金属层及陶瓷层在该特定温度分别具有第一收缩量以及第ニ收缩量，且该第一收缩量的收缩受该收缩維持媒介抑制。此外，该金属层及陶瓷层可通过多个陶瓷生坯以及多个电极生坯交替堆栈所形成。请參见图lc，根据本发明的发明精神，更可用来提供另ー种烧结方法，该方法包括步骤提供第一生坯21，其中该第一生坯包含金属层及陶瓷层，并提供电极连续性维持媒介22，用以于特定温度烧结该第一生坯23吋，维持该金属层的电极连续性。在本发明的较佳实施例中，该特定温度为600 2000°C以上、该金属层及陶瓷层在该特定温度分别具有第一收缩量以及第ニ收缩量，且该第一收缩量的收缩受该电极连续性維持媒介抑制。此外，该金属层及陶瓷层是由多个陶瓷生坯以及复多个电极生坯交替堆栈所形成。请參见图2a，根据本发明的发明精神，ー种被动组件的烧结生坯31包含第一生坯32，其中该第一生坯32包含金属层33及陶瓷层34、收缩维持媒介35，用以于特定温度烧结该第一生坯31吋，维持该金属层33及该陶瓷层34两者的收缩率，使其相匹配。在本发明的较佳实施例中，该特定温度为600 2000°C以上、该金属层33及陶瓷层34在该特定温度分别具有第一收缩量以及第ニ收缩量，且该第一收缩量的收缩受该收缩維持媒介抑制。此夕卜，该金属层及陶瓷层是由多个陶瓷生坯以及多个电极生坯交替堆栈所形成。请參见图2b，根据本发明的发明精神，还有ー种被动组件的烧结生坯41包含第一生坯42，其中该第一生坯42包含金属层43及陶瓷层44、电极连续性维持媒介45，用以于特定温度烧结该第一生坯41吋，维持该金属层43的电极连续性，使其相匹配。在本发明的较佳实施例中，该特定温度为600 2000°C以上、该金属层43及陶瓷层44在该特定温度分别具有第一收缩量以及第ニ收缩量，且该第一收缩量的收缩受该电极连续性維持媒介抑制。此外，该金属层及陶瓷层系由多个陶瓷生坯以及多个电极生坯交替堆栈所形成。以上所述的所有烧结方法及产品的实施例，还可相对应用于消费性电子产品、计算机产品及通讯装置等的积 层陶瓷组件的烧结，为明确表示其对应关系并使图示标号简洁及減少重复性，仅将主要步骤详列如下一种消费性电子产品、计算机产品或通讯装置的积层陶瓷组件烧结方法，其包括步骤提供第一生坯、于该第一生坯上形成第二生坯，以及同时加热该第一生坯及该第二生坯至特定温度，其中该特定温度能使得该第一生坯完成烧结。一种消费性电子产品、计算机产品或通讯装置的积层陶瓷组件烧结方法，其包括步骤提供第一生坯，其中该第一生坯包含金属层及陶瓷层，以及提供收缩维持媒介，用以于特定温度烧结该第一生坯时，維持该金属层及该陶瓷层两者的收缩率，使其相匹配。—种消费性电子产品、计算机产品或通讯装置的积层陶瓷组件烧结方法，其包括步骤提供第一生坯，其中该第一生坯包含金属层及陶瓷层，以及提供电极连续性维持媒介，用以于特定温度烧结该第一生坯时，維持该金属层的电极连续性。—种消费性电子产品、计算机产品或通讯装置包含由生坯烧结所形成积层陶瓷组件，以及收缩维持媒介，与该陶瓷组件相连结。且积层陶瓷组件可为电阻、电容等被动组件。该积层陶瓷组件更可进一歩限定为多个陶瓷层，以及多个电极层与该等陶瓷层交替堆栈，以形成组件。而该消费性电子产品包括音响器材、电视、光盘播放器、掌上型游乐器、电视游乐器、个人数字助理、MP3播放器、MP4播放器、数字相机、数字摄影机、打印机、扫描机、多功能事务机、数字相框、GPS定位系统、电子纸、计算机外设商品。该计算机产品包括桌上型计算机、笔记型计算机、麦金塔计算机、平板计算机、准系统计算机、掌上型计算机或小笔电。该通讯装置包括无线传送接收单元(wireless transmit/receive unit,WTRU)、行动电话、智能型手机、对讲机、传呼机、电话机、视讯电话、传真机、无线通话器或网络电话。为了更加了解本发明实施后的样态以及与现有技术的区別，在此再以文字配合图式加以说明。请先參考图3与图4。图3中，自由烧结陶瓷组件烧结层52时，在X、Y、Z三方向同时收缩约15-20%。然而，在图4中，当加上需较高烧结温度的束缚层65于陶瓷组件62上吋，因为在烧结陶瓷组件62的温度无法让束缚层65材料收缩，所以在烧结温度下陶瓷组件62在X、Y方向不收缩，所有收缩方向集中在Z方向，其收缩率可以高达30-40%。明显地说明相对于自由烧结来说，当利用抑制烧结陶瓷组件吋，在Z方向产生假想力施加在陶瓷组件上促成陶瓷组件在Z方向大幅的收缩。请再參考图5，本发明改善方式是将积层陶瓷组件72上下方加上需要较高烧结温度的抑制层75，利用需要较高 烧结温度抑制层75来有效抑制积层陶瓷组件72的内陶瓷材料与电极材料在X-Y方向的收缩率，使在Z方向产生假想力施加在含内电极73的积层陶瓷组件上，促成抑制内电极73在X、Y方向的收缩率及时加大内电极73在Z-方向的收缩。由此，因为内电极有例如大面积的薄层金属生坯，影响内电极73连续性主要是陶瓷组件72内的陶瓷生坯与金属电极生坯两种材料在X、Y方向烧结收缩的不匹配所造成，当两种材料在于烧结时X、Y方向被抑制时可以降低烧结收缩的不匹配问题，以达到改善电极连续性的问题。另外，本发明将通过下述的较佳实施例并配合图示，作更进一歩的详细说明。引用发明内容所述原理进行本发明实验，利用(Ba，Ca) (Ti，Zr)03+Si02当烧结助剂，所以有较低烧结温度(く 1150°C )为介电陶瓷层，BaTiO3为抑制层有较高烧结温度(> 1250°C )，Ni为内电极膏，三种材料间收缩率随温度变化，用以证明材料间彼此收缩具有差异性，如图6所示。此积层陶瓷电容器自由烧结在200°C /hr和3000°C /hr升温速率下，烧结温度为1150で，持温21^，呈现不同电极连续性，从图7a微结构可看出在慢速升温速率下(200°C /hr)，因电极与材料间开始烧结收缩温度的差异较大，导致积层陶瓷电容器内的陶瓷生坯与金属电极生坯两种材料在X、Y方向烧结收缩的严重不匹配，所以电极不连续，只有70%有良好连续性，但当提高烧结升温速率时，例如3000°C /hr，因快速升温所以电极与材料间开始烧结收缩温度大幅缩短，导致积层陶瓷电容器内的陶瓷生坯与金属电极生坯两种材料在X、Y方向烧结收缩达到匹配，如图7b所示，电极连续性可以大幅提升到92%。然而当积层陶瓷电容器加抑制层做抑制烧结吋，则在两种升温速率200°C /hr和3000°C /hr下，烧结温度为1150°C，持温2hr时，都呈现出非常好的电极连续性如图8a及图Sb。明显地，因有抑制层的存在关系，电极连续性可以进一歩改善，且与烧结升温速率无关。这主要原因就是抑制层的存在大幅減少了积层陶瓷电容器内的陶瓷生坯与金属电极生坯两种材料在X、Y方向烧结收缩不匹配问题。目前的高容值的积层陶瓷电容器中的介电层厚度可以降至1.5与电极层厚度可以降至1. 2iim，然而其电极连续性只达75%左右，有将近25%的改善空间。当使用抑制烧结方式，电极连续性明显比自由制烧结改善很多，而从电极层厚度与电极连续性的关系，可观察出在利用纯金属当电极且在抑制烧结时，即使电极厚度在Ium以下，电极连续性也可达90%以上， 如图9所示。
权利要求
1.一种烧结方法，其包括步骤 提供第一生坯； 于所述第一生坯上形成第二生坯；以及 同时加热所述第一生坯及所述第二生坯至特定温度，其中所述特定温度能使得所述第一生还完成烧结。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述特定温度为600 2000°C以上。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二生坯的烧结温度高于所述特定温度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一生坯在所述烧结温度具有收缩量，并受所述第二生坯抑制。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一生坯是由多个陶瓷生坯以及多个电极生坯交替堆栈所形成。
6.一种烧结方法，其包括步骤 提供第一生坯，其中所述第一生坯包含金属层及陶瓷层；以及 提供收缩维持媒介，其中所述收缩维持媒介用以于特定温度烧结所述第一生坯时，维持所述金属层及所述陶瓷层两者的收缩率，使其相匹配。
7.根据权利要求6所述的方法，其中 所述金属层及陶瓷层在所述特定温度分别具有第一收缩量以及第二收缩量，且所述第一收缩量的收缩受所述收缩维持媒介抑制；或所述金属层及陶瓷层系由多个陶瓷生坯以及多个电极生坯交替堆栈所形成。
8.一种烧结方法，其包括步骤 提供第一生坯，其中所述第一生坯包含金属层及陶瓷层；以及 提供电极连续性维持媒介，其中所述电极连续性维持媒介用以于特定温度烧结所述第一生还时,维持该金属层的电极连续性。
9.一种被动组件的烧结生坯，包含 第一生坯，其中所述第一生坯包含金属层及陶瓷层；以及 收缩维持媒介，其中所述收缩维持媒介用以于特定温度烧结所述第一生坯时，维持该金属层及该陶瓷层两者的收缩率，使其相匹配。
10.一种被动组件的烧结生坯，包含 第一生坯，其中所述第一生坯包含金属层及陶瓷层；以及 电极连续性维持媒介，其中所述电极连续性维持媒介用以于特定温度烧结所述第一生坯时，维持该金属层的电极连续性。
全文摘要
本发明在于解决积层陶瓷组件在烧结过程中，内电极收缩与陶瓷材料收缩率不匹配问题，导致产生在烧结后无法达到良好电极连续性，由先前文献指出利用快速烧结才可改善积层陶瓷组件电极不连续性问题，通过本发明提供的方法不需利用快速烧结，即可将积层陶瓷组件达到良好电极连续性。
文档编号H01G4/30GK103050281SQ20111030892
公开日2013年4月17日 申请日期2011年10月12日 优先权日2011年10月12日
发明者李文熙 申请人:李文熙