专利名称：使用非结合式半导体靶来溅射的方法
技术领域：
本文中公开的主题大体涉及非结合式半导体靶以及在衬底上的半导体层的溅射期间使用它们。更具体而言，本文中公开的主题涉及在基于碲化镉的薄膜光电装置的制造期间使用非结合式硫化镉靶来溅射硫化镉层。
背景技术：
基于与硫化镉(CdS)配对作为光反应性构件的碲化镉(CdTe)的薄膜光电(PV)模块(也称为“太阳能板”)在工业中正获得广泛的接受和关注。CdTe是具有特别适于将太阳能转化成电的特性的半导体材料。例如，CdTe具有约1. 45eV的能带隙，这使得与在历史上用于太阳能电池应用中的较低带隙的半导体材料(例如对于硅为约1. IeV)相比，它能够从太阳能光谱中转化更多的能量。而且，与较低带隙的材料相比，CdTe会在较低光状况或散射光状况下转化辐射能，并且因此与其它传统材料相比，在一天的过程中或在多云状况下具有更长的有效转化时间。在CdTe PV模块暴露于光能(例如太阳光)时，η型层和P型层的联结部一般负责产生电势和电流。具体而言，碲化镉(CdTe)层和硫化镉(CdS)形成ρ-η异质结，其中，CdTe 层用作P型层(即正的电子接受层)，而CdS层用作η型层(即负的电子给予层)。光能会产生自由载体对，并且然后自由载体对被Ρ-η异质结分开，以产生电流。可通过溅射过程(也称为物理气相淀积)形成CdS层以及其它层(例如，镉锡氧化物制成的透明的导电氧化物层)，其中，从半导体靶供应源材料(例如硫化镉、镉锡氧化物等)。典型地，硫化镉半导体靶结合到通过水冷却的背板上，并且然后置于执行溅射动作的磁控管(阴极)中。典型地使用铟焊料或导电环氧树脂来将半导体靶结合到背板上。该结合在半导体靶和水冷式背板之间提供了良好的热接触和电接触。因而，由等离子体在半导体靶的相反的侧上产生的热可被消散且由水冷式背板携带离开靶。在半导体靶发生溅射时，半导体材料从靶上消蚀掉。在半导体靶消蚀时，会在靶的表面上形成节结，随着时间的过去，其可改变溅射期间的淀积速率，并且可影响产生的薄膜的特性。另外，这些节结可导致在溅射室中形成电弧。在大型制造环境中，例如在基于碲化镉的薄膜光电装置的商业制造期间，在溅射了延长的时段之后产生的这些变数可导致淀积的半导体层的薄膜差异。因而，存在对用于基本均勻的层的淀积的更均勻的溅射过程的需要。
发明内容
将在以下描述中部分地阐述本发明的各方面和优点，或者根据描述，本发明的各方面和优点可为显而易见的，或者可通过实践本发明来学习本发明的各方面和优点。大体提供了使非结合式半导体靶发生溅射的方法。例如，该方法可包括可拆装地将半导体靶插入溅射阴极中而暴露半导体靶的溅射表面，以及使溅射表面与等离子体接触，使得半导体靶在最初与等离子体接触之后温度升高。该方法还可包括在使溅射表面与等离子体接触之前通过定位在溅射阴极内的加热元件来将半导体靶加热至溅射温度。在所有方法中，溅射阴极包括背板，使得半导体靶定位成邻近背板而不结合到其上。还提供了用于从溅射阴极中更换耗尽的非结合式半导体靶的方法。可从溅射阴极的滑动轨道中移除端部支架，以提供滑动轨道的开口端。滑动轨道限定在背板、第一支架和第二支架之间。然后，可从滑动轨道的开口端中移出耗尽的非结合式半导体靶，并且可通过开口端将代用非结合式半导体靶插入滑动轨道中。最后，端部支架可重新附连到溅射阴极上。参照以下描述和所附权利要求，本发明的这些和其它特征、方面和优点将变得更好理解。结合在本说明书中且构成本说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且与描述一起用来阐述本发明的原理。
参照附图，在说明书中阐述了本发明的针对本领域普通技术人员的完整的和能够实施的公开，包括其最佳模式，其中图1显示了包括多个非结合式半导体靶的示例性溅射阴极的透视图；图2显示了图1的示例性溅射阴极的一个实施例的截面图；图3显示了图1的示例性溅射阴极的另一个实施例的截面图；图4显示了图1的示例性溅射阴极的另外的另一个实施例的截面图；图5显示了图1的示例性溅射阴极的另外的另一个实施例的截面图；图6显示了包括多个非结合式半导体靶的、成多轨道构造的另一个示例性溅射阴极的透视图；以及，图7显示了图6的示例性溅射阴极的一个实施例的截面图。部件列表10溅射阴极12非结合式靶14溅射表面16背表面18 背板17加热元件54温度传感器42、44 防护件20第一支架22第二支架21第一边缘23第二边缘25、27 前缘28滑动轨道30、32 侧缘24第一外伸凸缘
5
26第二外伸凸缘
34第一间隔件
36第二间隔件
38、40螺栓
19偏置部件
42第一暗区防护件
44第二暗区防护件
46-.48侧部防护件
50冷却板
52液体隔膜
55第一端部支架
56第二端部支架
60第一轨道
62第二轨道
64中间阻隔件
66第三外伸凸缘
68第四外伸凸缘
具体实施例方式现将对本发明的实施例作出详细参照，在图中示出了实施例的一个或多个实例。 各个实例以阐述本发明而非限制本发明的方式来提供。实际上，对于本领域技术人员将为显而易见的是，可在本发明中作出各种修改和变型，而不脱离本发明的范围或精神。例如， 被示出或描述为一个实施例的一部分的特征可用于另一个实施例，以产生另外的另一个实施例。因而，意图本发明覆盖落在所附权利要求和它们的等效方案的范围内的这样的修改和变型。大体提供了非结合式半导体靶，以及结合这样的非结合式靶的溅射阴极。非结合式靶可提供优于它们的结合式对等物的若干个明显的优点。例如，可在减少或基本消除在靶的溅射表面中形成的节结的情况下使非结合式靶发生溅射。因而，在淀积过程期间可使非结合式靶发生较均勻的溅射，并且非结合式靶可导致既在单个衬底上又在整个制造过程 (即所有衬底(from substrate to substrate))中形成更均勻的薄膜层(例如硫化镉薄膜层、镉锡氧化物层等)。图1显示了包括多个非结合式靶12的示例性溅射阴极10。靶12中的各个限定了溅射表面14和与溅射表面14相反的背表面16。各个靶的背表面16保持不结合到背板18 上，背板18定位在溅射阴极10内且面向各个靶12的背表面16。如本文中所用，用语“不结合”指靶12在靶12的背表面16和背板18之间没有任何附连力(即在靶12的背表面 16 (和背板18)之间不存在焊接、焊料、粘合剂或其它附连材料)。这样，靶12可相对于背板18自由地运动。因为靶12未结合到背板18上，所以它们之间的热传导可受到限制，特别是在存在于溅射期间的溅射环境的较低的真空压力(例如约ImTorr至约50mTorr)中。因而，靶12会由于溅射室中的等离子体和/或在溅射室内的辐射性热源而变热。对于任何基本恒定的溅射过程(即具有基本恒定的磁控管功率、溅射压力和/或溅射温度)，在沿着溅射表面14 吸收的热能基本等于从靶12的背表面16辐射到背板18的热能时，靶12可到达相对稳定的溅射温度。例如，靶12的溅射温度可为约100°C至约1，000°C，这取决于使用的特定溅射参数。在一个特定实施例中，在发生溅射之前(例如形成等离子体场之前)，靶12可通过在背板18中或在背板18上的加热元件17来预热。例如，图2、4和5显示了背板内的加热元件17，而图3显示了在背板的面向靶12的表面上的加热元件17。因而，靶12可加热到溅射温度，可在整个溅射过程期间基本保持该溅射温度，以提供均勻的溅射参数。在靶12 的溅射期间，由于会加热靶12的等离子体和/或加热元件17 (在存在时)的原因，可保持靶12的溅射温度。在一个特定实施例中，在溅射阴极10上或在溅射阴极10内包括温度传感器M，以监测靶12的溅射表面14的温度。例如，温度传感器M可为非接触式温度传感器，例如高温计。如所显示的那样，温度传感器M可在溅射阴极10内包括在防护件42、44的背侧上， 以在溅射期间保护它不受等离子体的影响。但是，温度传感器M可位于溅射室内的任何适合的位置上。可使用多个温度传感器M来监测溅射表面14的不同的区域的溅射温度，以确保在表面14上保持基本恒定的温度。在等离子体在溅射期间加热靶12时，可减少和/或甚至一起缩减加热元件17提供的热的量。因而，在一个实施例中，由于等离子体提供的热的原因，靶12可在溅射期间保持其溅射温度，而不需要加热元件17来对靶12提供额外的热能。但是，如果溅射温度降低到期望的温度以下，则加热元件17可对靶12提供额外的热能，以如期望的那样升高其溅射温度。靶12的这些较高的溅射温度使靶12的材料限于能够承受这些溅射温度和通过靶 12的厚度而形成的任何潜在的温度梯度而基本不破裂或熔化的那些材料。在一个特定实施例中，非结合式靶可包含硫化镉，以在用于通过溅射在例如用于基于碲化镉的薄膜光电装置中的衬底上而形成硫化镉层的方法中使用。当由硫化镉构成时，非结合式硫化镉靶还可以比在其它方面相同但被结合的靶典型地所需要的更低的功率设置来发生溅射，同时仍然实现基本相同的淀积速率。另外，在耗尽之后非结合式硫化镉靶可容易地互换，从而导致有显著的时间和成本节约。备选地，靶12的材料可包括镉锡氧化物，例如以在例如用于基于碲化镉的薄膜光电装置中的衬底上形成透明的导电氧化物层。靶12可通过支架或其它非结合式附连机构(一个或多个)保持在背板18上或背板18附近。图2-4显示了分别沿着靶12的相对的边缘21、23 (即第一边缘21和第二边缘 23)定位的第一支架20和第二支架22。第一支架20和第二支架22两者限定了从它们的相应的前缘25、27延伸的外伸凸缘对、26。因而，第一支架20和第二支架22形成滑动轨道 28，以在溅射阴极10内可拆装地将靶12接收在它们之间。滑动轨道观由下者确定边界 从相应的支架20、22延伸的各个外伸凸缘M、26的内表面；第一支架20和第二支架22各自的侧缘30、32;以及背板18。分别从第一支架20和第二支架22延伸的第一外伸凸缘M和第二外伸凸缘沈各自定位成沿着靶12的相应的边缘(即第一边缘21和第二边缘2 与溅射表面14的一部分
7交迭。各个外伸凸缘MJ6覆盖的溅射表面14的交迭部分足以将靶12保持在溅射阴极内且邻近背板18。但是，溅射表面14的被外伸凸缘MJ6覆盖的交迭部分优选为最小，以便避免浪费靶材料，因为沿着靶12的第一边缘21和第二边缘23的交迭部分在淀积过程期间将受到限制而不能发生溅射。例如，各个外伸凸缘对、26可覆盖从靶12的第一边缘21和第二边缘23延伸的溅射表面14的约0. 5%至约5 %，例如溅射表面14的约！^至约彳1^。第一支架20和第二支架22可将靶(一个或多个)12保持和固定在溅射阴极10 内，使得背表面16在溅射期间面向背板18。这样，靶12的背表面16可紧邻背板18或直接接触背板18。但是因为背表面16不结合到背板18上，所以靶能够在滑动轨道观的界限内相对于背板18自由运动。在一个特定实施例中，靶12可大小设置成稳固地装配在滑动轨道观内，基本允许靶仅沿着滑动轨道观的长度运动。例如，第一支架20和第二支架22各自的相对的侧缘 30、32之间的间隔可为靶12的限定在第一边缘21和第二边缘23之间的宽度的约100. 1% 至约105%，例如约100. 5%至约104%，并且特别地约101%至约103%。同样地，外伸凸缘MJ6和背板18之间的间隔可为靶12的限定在溅射表面14和背表面16之间的厚度的约100. 至约110%，例如约100. 5%至约105%，并且特别地约101%至约103%。因而， 靶12的溅射表面14的90%至约99. 8%，例如约92%至约99%，并且特别地约96%至约 98 %，可保持暴露且保持可用于溅射。在滑动轨道28内的额外的空间可允许靶12在处于室温(例如约20°C至约25°C ) 处时较容易地运动，但在阴极沿竖向或上下颠倒地安装时将仍然固定靶12而防止其掉出。 例如，该额外的空间允许靶在升高的溅射温度(例如约100°C或更高)处有热膨胀，同时防止靶12的破裂，因为靶12没有被以机械的方式约束在其热膨胀的范围内。图2显示了图1的溅射阴极10的一个实施例，其中，靶12的背表面16直接接触背板18。在此实施例中，在背表面16和背板18之间不存在其它材料。例如，外伸凸缘M、26 和背板18之间的间隔可为靶12的限定在溅射表面14和背表面16之间的厚度的约100. 1 % 至约102%，例如约100. 2%至约101. 5%，并且特别地约100. 5%至约101%。因而，几乎没有空间可用来让靶12在外伸凸缘MJ6和背板18之间运动，特别是在靶12受热而导致膨胀时。在一个实施例中，可在背板18的面向靶12的表面上包括一层电介质材料(例如硫化镉)。此层电介质材料可在靶12耗尽之后防止背板18发生溅射。在一个实施例中，该层电介质材料可包含与靶12基本相同的材料(例如，具有基本相同的构造)。例如，该层电介质材料和靶12两者可包含硫化镉。图3显示了图1的溅射阴极10的一个备选实施例，其中，在靶12的背表面16和背板18之间存在间隙。在此实施例中，允许靶12在背板18与第一支架20和第二支架22 的外伸凸缘对、26之间有特定的浮动量。例如，外伸凸缘MJ6和背板18之间的间隔可为靶12的限定在溅射表面14和背表面16之间的厚度的约102%至约105%。此构造可允许靶12在滑动轨道观内容易地滑动，以有较容易的可互换能力。在溅射阴极10的另外的另一个备选实施例中，间隔件可定位在靶12的背表面16 和背板18之间，使得在背表面16和背板18之间存在间隙。例如，图4显示了在靶12的背表面16和背板18之间的、分别连接到第一支架20和第二支架22上的第一间隔件34和第二间隔件36。在所示实施例中，第一间隔件34和第二间隔件36分别限定了从第一支架20 和第二支架22的侧缘30、32延伸的第二凸缘，以防止靶12的背表面16和背板18之间的接触。可如期望的那样控制第一间隔件34和第二间隔件36的大小，以控制背表面16和背板18之间的距离。当在靶12的背表面16和背板18之间存在间隙时，可调节该间隙，以在溅射过程期间控制靶12的均衡溅射温度，这可导致对淀积速率和/或淀积均勻性的控制。在某些实施例中，该间隙可为约100 μ m至约1cm，例如约200 μ m至约0. 5cm。可如需要的那样根据靶12的厚度和存在于滑动轨道观中的期望浮动量来调节第一支架20和第二支架22与背板18之间的间隔。在图2-4中显示的实施例中，例如，包括一对螺栓38、40，以调节分别从第一支架20和第二支架22延伸的外伸凸缘M、26与背板 18的距离。图5显示了包括偏置部件19的一个实施例，偏置部件19位于背板18和靶12之间以提供将靶12推靠在支架20、22的力。虽然在图5中显示为指状块(fingerstock)，但是偏置部件19可为将靶12偏置向支架20、22的任何构造，例如弹簧等。在一个特定实施例中，偏置部件19为由铍铜构成的指状块。在一个实施例中，第一支架20和第二支架22可由非磁性材料构成，以便避免在溅射期间对形成的磁场有任何影响。例如，第一支架20和第二支架22可由非磁性金属材料 (例如不锈钢，例如304型不锈钢或316型不锈钢)形成。在一个特定实施例中，第一支架 20和第二支架22的暴露的表面可涂覆有镉，以防(in the event that)支架20、22在淀积过程期间发生溅射。在第一支架20和第二支架22的表面上的一层镉可防止支架20、22本身发生溅射，从而防止污染溅射室(以及产生的淀积的膜)。在图1-5的实施例中显示了通过第一暗区防护件42和第二暗区防护件44来保护溅射阴极10的第一支架20和第二支架22不受溅射的等离子体的影响，并且通过侧部防护件46、48来保护它们不受溅射室的其余部分的影响。因而，保护支架20、22的材料而使其不发生溅射，以便防止淀积的薄膜层受支架20、22的材料的污染。背板18可连接到冷却系统上。图2-5的实施例显示了背板连接到包括冷却板50 和液体隔膜52的液体冷却系统上。液体隔膜52构造成对冷却系统提供和运送持续的冷却液体(例如水)流，以在加热和溅射期间从背板18中移除热。提供了冷却板50来帮助从背板18中收集热能且将该热能传递到液体隔膜52。在一个特定实施例中，靶12是长方形的，以便具有基本平行的侧部。例如，图1中显示的靶12是正方形的。此长方形构造可允许靶12容易地在溅射阴极10内的多个靶上形成基本均勻的溅射表面。因而，可避免在邻近的靶12之间有间隙，从而防止在溅射过程期间下面的背板18发生溅射。另外，长方形构造可允许使用滑动轨道观来容易地替换和更换靶12。在发生溅射之后，耗尽的靶12可通过这样来容易地替换移除第一端部支架55和 /或第二端部支架56，从而允许通过遵从滑动轨道观的长度而使靶滑向开口端(一个或多个)来从滑动轨道观中移出靶12。然后，代用靶12可通过开口端(一个或多个)插入滑动轨道观中，以为溅射过程提供新的源材料。第一端部支架55和第二端部支架56可通过任何机构可拆装地附连到溅射阴极10上(例如螺栓连接)。
图1-5的实施例显示了用于将溅射靶12接收在示例性溅射阴极10中的单个轨道。但是，在备选实施例中，在溅射阴极10中可包括多个轨道。例如，图6的实施例类似于图1的设计，只是在溅射阴极10中包括两个轨道60、62。轨道60、62沿着各个轨道60、62 的长度基本平行于彼此，并且由定位在第一轨道60和第二轨道62之间的中间阻隔件64分开。中间阻隔件64用来通过限定第三外伸凸缘66和第四外伸凸缘68而使靶12保持在各个轨道60、62内。具体而言，第一轨道60限定在第一支架20的第一外伸凸缘沈和中间阻隔件64的第三外伸凸缘66之间。同样地，第二轨道62限定在第二支架22的第二外伸凸缘28和中间阻隔件64的第四外伸凸缘68之间。可控制中间支架64的大小，以在将发生溅射的区域中(特别是沿着在传统的磁控管溅射期间看到的传统的椭圆形的类似跑道的耗尽区)暴露靶12的溅射表面14。因而，中间阻隔件64基本不妨碍溅射过程而仍然为溅射提供源材料。图7显示了图6的溅射阴极10的一个实施例，其中，靶12的背表面16直接接触背板18。但是，第一支架20和第二支架22与中间阻隔件64的外伸凸缘66，68可定位成和大小设置成在靶12的背表面16和背板18之间提供间隙，例如图3-5中关于图1的单轨道实施例所显示。例如，图7的双轨道实施例可包括在靶12的背表面16和背板18之间从中间阻隔件64延伸的第三和第四间隔件(未显示)，以与从第一支架20和第二支架22延伸的第一和第二间隔件(未显示)一起起作用来在靶12的背表面16和背板18之间产生间隙(类似于图4中关于图1的单轨道实施例所显示的那些)。另外，图7的双轨道实施例可包括指状块(一个或多个)，从而将靶12偏置向第一支架20和第二支架22和中间阻隔件 64的外伸凸缘66、68，如图5中所示。溅射阴极10可用于任何溅射过程。溅射淀积大体包括通过使靶接触等离子体来从靶(它是材料源)中喷出材料。喷出的材料然后可淀积到衬底上而形成膜。DC溅射大体包括对在溅射室内定位在衬底(即阳极)附近的金属靶(即阴极)施加电压而形成直流放电。溅射室可具有在金属靶和衬底之间形成等离子体场的反应环境(例如氧气环境、氮气环境、氟环境)。对于磁控管溅射，反应环境的压力可介于约ImTorr和约20mTorr之间。 当在施加电压之后从靶中释放出金属原子时，金属原子可与等离子体反应且淀积到衬底的表面上。例如，当该环境包含氧气时，从金属靶释放的金属原子可在衬底上形成金属氧化物层。相反，RF溅射大体包括通过在靶(例如陶瓷源材料)和衬底之间施加交流(AC)或射频(RF)信号来激发电容性放电。溅射室可具有惰性环境(例如氩气环境)，并且可具有较低的溅射压力(例如约ImTorr和约20mTorr)。在一个特定实施例中，靶12包括硫化镉，使得可使用溅射阴极10来将硫化镉层淀积在衬底上。如所叙述的那样，非结合式半导体靶可插入溅射阴极中，可选地通过加热元件预热到溅射温度，并且此后与等离子体接触，以从靶的溅射表面喷出原子。在某些实施例中，在靶的整个加热和溅射中，可通过定位在溅射阴极内的温度传感器来监测溅射温度 (例如约100°c至约1000°C )，并且如期望的那样通过增加或减少加热元件的输出来调节溅射温度。此书面描述使用了实例来公开本发明，包括最佳模式，并且还使得本领域的任何技术人员能够实践本发明，包括制造和使用任何装置或系统，以及执行任何结合的方法。本发明的可授予专利权的范围由权利要求限定，并且可包括本领域技术人员想到的其它实
10例。如果这样的其它实例包括不异于权利要求的字面语言的结构元素，或如果它们包括与权利要求的字面语言无实质性差异的等效结构元素，则这样的其它实例意图处于权利要求的范围内。
权利要求
1.一种使非结合式半导体靶(1 发生溅射的方法，所述方法包括可拆装地将半导体靶(1 插入溅射阴极(10)中而暴露所述半导体靶(1 的溅射表面(14)，其中，所述溅射阴极(10)包括背板(18)，使得所述半导体靶(1 定位成邻近背板 (18)而不结合到其上；通过定位在所述溅射阴极(10)内的加热元件(17)来将所述半导体靶(1 加热至溅射温度；以及，使半导体靶(1 的所述溅射表面与等离子体接触，使得从所述半导体靶(1 的所述溅射表面(14)喷出原子。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括通过增加或减少所述加热元件(17)的输出来调节所述靶(1 的所述溅射表面(14) 的溅射温度。
3.一种使非结合式半导体靶(1 发生溅射的方法，所述方法包括可拆装地将半导体靶(1 插入溅射阴极(10)中而暴露所述半导体靶(1 的溅射表面(14)，其中，所述溅射阴极(10)包括背板(18)，使得所述半导体靶(1 定位成邻近背板 (18)而不结合到其上；以及，使所述半导体靶(1 的所述溅射表面(14)与等离子体接触，使得所述半导体靶(12) 在最初接触所述等离子体之后温度升高。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括 允许所述半导体靶(1 在溅射期间建立均衡溅射温度。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体靶(1 包含硫化镉。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述溅射温度为约100°C 至约 1，000°C。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括 监测所述靶(1 的溅射表面(14)的溅射温度。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，通过定位在所述溅射阴极(10)内的温度传感器(54)来监测所述溅射温度。
9.一种从溅射阴极(10)中更换耗尽的非结合式半导体靶(1 的方法，所述方法包括从所述溅射阴极(10)的滑动轨道08)中移除端部支架(5 ，以提供所述滑动轨道 (28)的开口端，其中，所述滑动轨道(28)限定在背板(18)、第一支架(20)和第二支架(22) 之间；从所述滑动轨道08)的所述开口端中移出所述耗尽的非结合式半导体靶(12)； 通过所述开口端将代用非结合式半导体靶(1 插入所述滑动轨道08)中；以及， 将所述端部支架(5 重新附连到所述溅射阴极(10)上。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，从所述滑动轨道08)的所述开口端中移出多个耗尽的非结合式半导体靶(12)，并且其中，通过所述开口端将多个代用非结合式半导体靶(1 插入所述滑动轨道08)中。
11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述溅射阴极(10)进一步包括定位成基本平行于所述滑动轨道08)的第二滑动轨道(62)。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括 从所述第二滑动轨道(6 中移除耗尽的非结合式半导体靶(12)。
13.根据权利要求9、10、11或12所述的方法，其特征在于，所述代用非结合式半导体靶包含硫化镉。
全文摘要
本发明涉及使用非结合式半导体靶来溅射的方法。大体提供了一种溅射阴极(10)。溅射阴极(10)可包括半导体靶(12)(例如硫化镉靶、镉锡氧化物靶等)，半导体靶(12)限定了溅射表面(14)和与溅射表面(14)相反的背表面(16)。背板(18)可定位成面向靶(12)的背表面(16)而不结合到靶(12)的背表面(16)上。非结合式附连机构能够可拆装地将靶(12)保持在溅射阴极(10)内，使得背表面(16)在溅射期间面向背板(18)。
文档编号H01L31/18GK102418074SQ20111030974
公开日2012年4月18日 申请日期2011年9月28日 优先权日2010年9月28日
发明者P·L·奥基夫, R·D·戈斯曼, R·W·布莱克, S·D·费尔德曼-皮博迪 申请人:初星太阳能公司