专利名称：顶发射有机电致发光二极管及其制备方法
技术领域：
本发明 涉及光电子器件领域，尤其涉及一种顶发射有机电致发光二极管。本发明还涉及该顶发射有机电致发光二极管的制备方法。
背景技术：
有机电致发光(Organic Light Emission Diode,简称0LED) 二极管,具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及可顺畅显示动画的高速响应等优势，并且OLED器件可制作成柔性结构，可进行折叠弯曲，是一种极具潜力的平板显示技术和平面光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是最近十几年相当热门的研究领域。有机电致发光二极管具有一种类似三明治的结构，其上下分别是阴极和阳极，二个电极之间夹着单层或多层不同材料种类和不同结构的有机材料功能层，依次为空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入层。有机电致发光二极管是载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后光从电极一侧发出。然而，有机电致发光二极管发展到现在，其结构大多是底部发光式的，且阴极层为透明状以获得出光。目前常用的透明阴极层一般是ITO或者薄层的金属层，如Ag、Mg:Ag合金等。但是ITO制程都是使用溅镀的方式制备，其制作过程对有机层的破坏较大，并且容易造成短路；而使用热蒸镀制备透明的薄层金属电极层，如果电极层太薄，则导电性太差，，如果电极层太厚，则光透过率低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种工艺制备简单、导电性较好且可见光透过率较高的顶发射有机电致发光二极管。一种顶发射有机电致发光二极管，包括依次层叠的衬底、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，所述阴极层的材质为金属和金属氟化物组成的混合物，所述混合物中，金属所占质量百分比为60 90%。上述顶发射有机电致发光二极管中，所述金属为铝或银；所述金属氟化物为氟化镁、氟化钙、氟化锂、氟化铯、氟化铅、氟化钡、氟化钍或氟化钕；且所述阴极层的厚度为20 40nm。本发明提供的顶发射有机电致发光二极管，其采用的衬底材料为聚合物薄膜，如，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、透明聚酰亚胺、环烯烃共聚物或者聚碳酸酯。该顶发射有机电致发光二极管的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层所用材料为本领域所常用的材质，比如
空穴注入层的材质选用4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)_三苯基胺；空穴传输层的材质选用N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-联苯_4，4' -二胺；发光层的材质选用4，4' -N, N- 二咔唑基-联苯掺杂双(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2 ‘)吡啶甲酰合铱组成的掺杂混合物；电子传输层的材质选用8-羟基喹啉-铝；电子注入层的材质选用氟化镁、氟化钙、氟化锂或氟化铯。所述阳极层的材质为银、铝或者金。本发明还提供一种上述顶发射有机电致发光二极管的制作方法，其包括以下步骤步骤S1、清洗、干燥衬底；步骤S2、利用真空镀膜的方法，在所述衬底表面蒸镀一层阳极层；步骤S3、利用真空镀膜的方法，在所述阳极层表面依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；步骤S4、在所述电子注入层的表面蒸镀阴极层，该阴极层的材质为金属掺杂金属氟化物组成的混合物，且所述混合物中，金属所占质量百分比为60 90% ； 上述制备工艺完成后，得到顶发射有机电致发光二极管。
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本发明提供的顶发射有机电致发光二极管，阴极层的材质采用金属和金属氟化物组成的混合物，其阴极层的可见光透过率可达到60-80%，从而提高了阴极层表面的出光率；同时，金属氟化物具有较好的电子注入效果，当其掺杂在金属材质的阴极层里面时，其与下层的电子注入层接触时，还能进一步减少两层之间的界面接触势垒，因此有利于电子的注入，降低驱动电压。本发明制备的顶发射有机电致发光二极管，其制备工艺简单，且在制作阳极层时，制作过程中对聚合物薄膜衬底的破坏性较小，并可以避免短路现象发生。
图1为本发明顶发射有机电致发光二极管的结构示意图；图2为本发明顶发射有机电致发光二极管的制备工艺流程图；图3为实施例1、对比例I和对比例2的有机电致发光二极管的电流密度-电压特性曲线图。
具体实施例方式本发明提供的一种顶发射有机电致发光二极管，如图1所示，包括依次层叠的衬底101、阳极层102、空穴注入层103、空穴传输层104、发光层105、电子传输层106、电子注入层107及阴极层108 ;其中，所述阴极层108的材质为金属掺杂金属氟化物组成的混合物，且所述混合物中，金属所占质量百分比为60 90% ;所述金属为主体材料，所述金属氟化物为客体材料或掺杂材料。该顶发射有机电致发光二极管的所述混合薄膜层中，阴极层中的金属可以是金属铝(Al)或者银(Ag);所述金属氟化物选自氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化铅(PbF2)、氟化钡(BaF2)、氟化钍(ThF4)或氟化钕(NdF2)等材料，所述金属氟化物的透明波段为包括380-780nm的可见光波段。所述阴极的厚度在20_40nm之间，所述阴极的制备过程是将金属与金属氟化物分别置于两个蒸发舟中，通过热蒸镀同时蒸发两种材料(即金属与金属氟化物)得到的混合物薄膜。通过调节材料的蒸镀速率，控制材料在阴极膜层中的比例，这样就可以制得可见光透过率可达到65-80%的阴极层。同时，所述金属氟化物具有较好的电子注入效果，当其掺杂在金属阴极里面时，其与下层的电子注入层接触时，还能进一步减少两层之间的界面接触势垒，因此有利于电子的注入，降低驱动电压。此外，所述金属氟化物掺杂在阴极中，可以提高阴极的光学带隙，从而提高阴极的可见光透过率。该顶发射有机电致发光二极管，其采用的衬底材料为聚合物薄膜，如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、透明聚酰亚胺(PI)、环烯烃共聚物(COC)或聚碳酸酯(PC);鉴于该顶发射有机电致发光二极管为顶发射OLED器件，故其衬底材料的聚合物薄膜表面必须经过平整加硬处理，使表面硬度高达2H-3H(铅笔硬度)。该顶发射有机电致发光二极管的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层所用材料为本领域所常用的材质，比如空穴注入层的材质选用4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)_三苯基胺(m-MTDATA)；空穴传输层的材质选用N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-联苯_4，4' -二胺(NPB);发光层的材质选用4，4' -N, N- 二咔唑基-联苯(CBP)掺杂双(4，6_ 二氟苯基吡啶-N，C2 ‘)吡啶甲酰合 铱(FIrPic)组成的掺杂混合物；双(4,6- 二氟苯基吡啶-N，C2 ‘)吡啶甲酰合铱的掺杂质量百分比为8%，即FirPic为客体材料或掺杂材料，CBP为主体材料；电子传输层的材质选用8-轻基喹啉-招(Alq3)；电子注入层的材质选用氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锂(LiF)或氟化铯(CsF);所述电子注入层的厚度为0. 5-lnm。所述阳极层的材质为银(Ag)、铝(Al)或者金(Au);所述阳极层厚度为60_150nm。上述顶发射有机电致发光二极管的制作方法，如图2所示，其包括以下步骤步骤S1、将衬底(如，聚合物薄膜)放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，用去离子水清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理，然后在用氮气吹干，备用；其中，聚合物薄膜选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、透明聚酰亚胺(PI)、环烯烃共聚物(COC)或聚碳酸酯(PC)；步骤S2、利用真空镀膜的方法，在洗净的衬底表面蒸镀一层阳极层，该阳极层的厚度 60_150nm ；步骤S3、用真空镀膜的方法，在阳极层表面依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的厚度分别为25 35nm、45 55nm、15 25nm、35 45nm和0. 5 Inm ；
步骤S4、在所述电子注入层的表面蒸镀厚度为20_40nm的阴极层，该阴极层的材质为金属掺杂金属氟化物组成的混合物，且所述混合物中，金属所占质量百分比为60 90% ；上述制备工艺完才成后，得到顶发射有机电致发光二极管。上述步骤S2中，还包括对所述阳极层的表面处理步骤所述阳极层制备完毕后，需将其置于等离子处理仪中进行等离子处理；这样，经过等离子处理的阳极层，能够降低空穴的注入势垒。上述步骤S4中，阴极层的制备还包括如下步骤将金属与金属氟化物分别置于两个蒸发舟中，通过热蒸镀同时蒸发两种材料得到混合物组成的阴极层；并通过调节金属与金属氟化物的蒸镀速率，控制金属与金属氟化物在阴极层中的比例。本发明提供的顶发射有机电致发光二极管，阴极层的材质采用金属和金属氟化物组成的混合物，其阴极层的可见光透过率可达到60-80%，从而提高了阴极层表面的出光率；同时，金属氟化物具有较好的电子注入效果，当其掺杂在金属阴极里面时，其与下层的电子注入层接触时，还能进一步减少两层之间的界面接触势垒，因此有利于电子的注入，降低驱动电压。本发明制备的顶发射有机电致发光二极管，其制备工艺简单，且在制作阳极层时，制作过程中对聚合物薄膜衬底的破坏性较小，并可以避免短路现象发生。下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。实施例1
本实施例1的顶发射有机电致发光二极管结构为PET/Ag/m-MTDATA/NPB/(FIrPic:CBP)/Alq3/MgF2/(Ag:MgF2)。该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下将PET薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空蒸镀系统中，在PET薄膜表面沉积厚度为60nm的Ag作为阳极层，然后将阳极层用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极层表面依次蒸镀厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA、厚度为50nm的空穴传输层NPB、厚度为20nm的发光层FIrPic: CBP (其中，FIrPic为客体材料，CBP为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为8% )、厚度为40nm的电子传输层Alq3、厚度为0. 5nm的电子注入层MgF2。然后是蒸镀厚度为20nm的阴极层，结构为Ag = MgF2 ;其中，Ag在Ag = MgF2中的质量百分比为60. 1%。实施例2本实施例2的顶发射有机电致发光二极管结构为PC/Au/m-MTDATA/NPB/(FIrPic:CBP)/Alq3/LiF/(Ag:PbF2)。该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下将PC薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。
在真空蒸镀系统中，在PC薄膜表面沉积厚度为SOnm的Au作为阳极层，然后将阳极层用氧等离子处理5分钟。处理完毕后，继续在阳极层表面依次蒸镀厚度为35nm的空穴注入层m-MTDATA、厚度为50nm的空穴传输层NPB、厚度为15nm的发光层FIrPic: CBP (其中，FIrPic为客体材料，CBP为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为8% )、厚度为45nm的电子传输层Alq3、厚度为Inm的电子注入层LiF。然后是蒸镀厚度为25nm的阴极层，结构为Ag = PbF2 ;其中，Ag在Ag = MgF2中的质量百分比为65. 3%。实施例3本实施例3的顶发射有机电致发光二极管结构为PI/Al/m-MTDATA/NPB/(FIrPic:CBP)/Alq3/CaF2/(Ag:CaF2)。该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下将PI薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空蒸镀系统中，在PI薄膜表面沉积厚度为IOOnm的Al作为阳极层，然后将阳极层用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极层表面依次蒸镀厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA、厚度为45nm的空穴传输层NPB、厚度为25nm的发光层FIrPic: CBP (其中，FIrPic为客体材料，CBP为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为8% )、厚度为40nm的电子传输层Alq3、厚度为Inm的电子注入层Ca F2。然后是蒸镀厚度为35nm的阴极层，结构为Ag = CaF2 ;其中，Al在Ag:CaF2中的质量百分比为71.4%。实施例4本实施例4的顶发射有机电致发光二极管结构为PEN/Ag/m-MTDATA/NPB/(FIrPic:CBP)/Alq3/LiF/(Ag:BaF2)。该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下将PEN薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空蒸镀系统中，在PEN薄膜表面沉积厚度为120nm的Ag作为阳极层，然后将阳极层用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极层表面依次蒸镀厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA、厚度为50nm的空穴传输层NPB、厚度为20nm的发光层FIrPic: CBP (其中，FIrPic为客体材料，CBP为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为8% )、厚度为40nm的电子传输层Alq3、厚度为Inm的电子注入层LiF。然后是蒸镀厚度为40nm的阴极层，结构为Ag = BaF2 ;其中，Al在Ag = BaF2中的质量百分比为78. 1% o实施例5本实施例5的顶发射有机电致发光二极管结构为COC/Al/m-MTDATA/NPB/(FIrPic:CBP)/Alq3/CsF/(Ag:CaF2)。
该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下将COC薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空蒸镀系统中，在COC薄膜表面沉积厚度为150nm的Al作为阳极层，然后将阳极层用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极层表面依次蒸镀厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA、厚度为50nm的空穴传输层NPB、厚度为20nm的发光层FIrPic: CBP (其中，FIrPic为客体材料，CBP为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为8% )、厚度为35nm的电子传输层Alq3、厚度为Inm的电子注入层CsF。然后是蒸镀厚度为35nm的阴极层，结构为Ag = CaF2 ;其中，Ag在Ag:CaF2中的质量百分比为79. 2%。实施例6本实施例6的顶发射有机电致发光二极管结构为PES/Ag/m-MTDATA/NPB/(FIrPic: CBP) /Alq3/Li F/ (Al: LiF)。该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下将PES薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空蒸镀系统中，在PES薄膜表面沉积厚度为120nm的Ag作为阳极层，然后将阳极层用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极层表面依次蒸镀厚度为25nm的空穴注入层m-MTDATA、厚度为50nm的空穴传输层NPB、厚度为25nm的发光层FIrPic: CBP (其中，FIrPic为客体材料，CBP为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为8% )、厚度为40nm的电子传输层Alq3、厚度为Inm的电子注入层LiF。然后是蒸镀厚度为20nm的阴极层，结构为Al: LiF ;其中，Al在Al: LiF中的质量百分比为89. 3%0实施例7本实施例7的顶发射有机电致发光二极管结构为PET/Al/m-MTDATA/NPB/(FIrPic: CBP) /Alq3/MgF2/ (Al: ThF4)。该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下将PET薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空蒸镀系统中，在PET薄膜表面沉积厚度为IOOnm的Al作为阳极层，然后将阳极层用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极层表面依次蒸镀厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA、厚度为50nm的空穴传输层NPB、厚度为15nm的发光层FIrPic: CBP (其中，FIrPic为客体材料，CBP为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为8% )、厚度为45nm的电子传输层Alq3、厚度为0. 5nm的电子注入层MgF2。然后是蒸镀厚度为30nm的阴极层，结构为Al = ThF4 ;其中，Al在Al: ThF4中的质量百分比为81. 5%。
实施例8本实施例8的顶发射有机电致发光二极管结构为PEN/Ag/m-MTDATA/NPB/(FIrPic: CBP) /Alq3/MgF2/ (Al: NdF2)。该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下将PEN薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空蒸镀系统中，在PEN薄膜表面沉积厚度为120nm的Ag作为阳极层，然后将阳极层用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极层表面依次蒸镀厚度为25nm的空穴注入层m-MTDATA、厚度为55nm的空穴传输层NPB、厚度为20nm的发光层FIrPic: CBP (其中，FIrPic为客体材料，CBP为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为8% )、厚度为40nm的电子传输层Alq3、厚度为0. 5nm的电子注入层MgF2。然后是蒸镀厚度为40nm的阴极层，结构为Al = NdF2 ;其中，Al在Al = NdF2中的质量百分比为83.9%。对比例I本对比例I的有机电致发光二极管结构为PET/Ag/m-MTDATA/NPB/(FIrPic: CBP) /Alq3/LiF/Ag。该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下将PET薄膜衬 底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空蒸镀系统中，在PET薄膜表面沉积厚度为60nm的Ag作为阳极层，然后将阳极层用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极层表面依次蒸镀厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA、厚度为50nm的空穴传输层NPB、厚度为20nm的发光层FIrPic =CBP (其中，FIrPic为客体材料，CBP为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为8% )、厚度为40nm的电子传输层Alq3、厚度为0. 5nm的电子注入层LiF。然后是蒸镀厚度为20nm的阴极层，材质为Ag。对比例2本对比例2的有机电致发光二极管结构为PET/Ag/m-MTDATA/NPB/(FIrPic: CBP) /Alq3/LiF/IT0。该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下将PET薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空蒸镀系统中，在PET薄膜表面沉积厚度为60nm的Ag作为阳极层，然后将阳极层用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极层表面依次蒸镀厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA、厚度为50nm的空穴传输层NPB、厚度为20nm的发光层FIrPic: CBP (其中，FIrPic为客体材料，CBP为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为8% )、厚度为40nm的电子传输层Alq3、厚度为0. 5nm的电子注入层LiF。
然后是采用低频溅射技术制作50nm的ITO作为阴极层。将实施例1至8制得的顶发射有机电致发光二极管与对比例I和2制得的有机电致发光二极管进行测试，结果如表I所示。从表I中的光透过率可以看出，金属掺杂金属氟化物组成的混合阴极比普通的金属Ag电极层具有更高的光透过率，略低于ITO电极层的光透过率；因此，在顶发射有机电致发光二极管中，金属掺杂金属氟化物组成的阴极层结构能够提高阴极层表面的出光率，大概是普通的金属Ag电极层以及ITO电极层的两倍。表I中的发光性能对比，包括了有机电致发光二极管在8V的驱动电压下的发光亮度以及器件的最大发光效率。从表I中可以得知，由于金属掺杂金属氟化物混合阴极既提高了阴极层的透光率，又保证了阴极层的导电性，此外电子注入性能也由于普通的薄层金属Ag以及ITO电极，因此各项发光性能数据均较好。表I
权利要求
1.一种顶发射有机电致发光二极管,该顶发射有机电致发光二极管包括依次层叠的衬底、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其特征在于，所述阴极层的材质为金属掺杂金属氟化物组成的混合物，所述混合物中，金属所占质量百分比为60 90%。
2.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光二极管，其特征在于，所述金属为铝或银；所述金属氟化物为氟化镁、氟化钙、氟化锂、氟化铯、氟化铅、氟化钡、氟化钍或氟化钕。
3.根据权利要求1或2所述的顶发射有机电致发光二极管，其特征在于，所述阴极层的厚度为20 40nm。
4.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光二极管，其特征在于，所述衬底的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、透明聚酰亚胺、环烯烃共聚物或者聚碳酸酯；所述空穴注入层的材质为4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺；所述空穴传输层的材质为N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1，1'-联苯_4，4! - 二胺；所述发光层的材质为4，4' -N，N-二咔唑基-联苯掺杂双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2 ‘)吡啶甲酰合铱组成的掺杂混合物；所述电子传输层的材质为8-羟基喹啉-铝；所述电子注入层的材质为氟化镁、氟化钙、氟化锂或氟化铯。
5.根据权利要求1至4任一所述的顶发射有机电致发光二极管，其特征在于，所述阳极层的材质为银、铝或者金。
6.一种顶发射有机电致发光二极管的制备方法，包括如下步骤 步骤SI，清洗、干燥衬底； 步骤S2，在所述衬底的表面蒸镀一层阳极层； 步骤S3，在所述阳极层表面依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层； 步骤S4，在所述电子注入层的表面蒸镀阴极层，该阴极层的材质为金属和金属氟化物组成的混合物，且所述混合物中，金属所占质量百分比为60 90% ； 上述制备工艺完后，制得所述顶发射有机电致发光二极管。
7.根据权利要求6所述的顶发射有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述金属为铝或银；所述金属氟化物为氟化镁、氟化钙、氟化锂、氟化铯、氟化铅、氟化钡、氟化钍或氟化钕。
8.根据权利要求6或7所述的顶发射有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述阴极的厚度为20 40nm。
9.根据权利要求6所述的顶发射有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述衬底的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、透明聚酰亚胺、环烯烃共聚物或者聚碳酸酯；所述空穴注入层的材质为4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)_三苯基胺；所述空穴传输层的材质为N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，I'-联苯-4,4' - 二胺；所述发光层的材质为4，4' -N，N-二咔唑基-联苯掺杂双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2‘)吡啶甲酰合铱组成的掺杂混合物；所述电子传输层的材质为8-羟基喹啉-铝；所述电子注入层的材质为氟化镁、氟化钙、氟化锂或氟化铯。
10.根据权利要求6至9任一所述的顶发射有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述阳极层的材质为银、铝或者金。
全文摘要
本发明属于光电子器件领域，其公开了一种顶发射有机电致发光二极管及其制备方法；该顶发射有机电致发光二极管包括依次层叠的衬底、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，的材质为金属掺杂金属氟化物组成的混合物，所述混合物中，金属所占质量百分比为60～90％。本发明提供的顶发射有机电致发光二极管，阴极层的材质采用金属和金属氟化物组成的混合物，其阴极层的可见光透过率可达到60-80％，从而提高了阴极层表面的出光率；同时，金属氟化物具有较好的电子注入效果，当其掺杂在金属阴极里面时，其与下层的电子注入层接触时，还能进一步减少两层之间的界面接触势垒，因此有利于电子的注入，降低驱动电压。
文档编号H01L51/56GK103050636SQ201110314958
公开日2013年4月17日 申请日期2011年10月17日 优先权日2011年10月17日
发明者周明杰, 王平, 冯小明, 钟铁涛 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司