专利名称：去除氮化硅侧墙、形成晶体管、半导体器件的方法
技术领域：
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及去除氮化硅侧墙、形成晶体管、半导体器件的方法。
背景技术：
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的资料存储量以及更多的功能，半导体芯片向更高集成度方向发展。而半导体芯片的集成度越高，半导体器件的特征尺寸(CD, Critical Dimension)越小。目前,半导体器件的特征尺寸逐步缩小，在半导体器件的特征尺寸缩小到65nm以及更小的尺寸时，在制造半导体器件时需要用到应力应变技术(stress strain technology),例如应力近接技术(stressproximate technology, SPT)。图1至图2为现有技术中晶体管制造方法的剖面结构示意图，参考图1 图2，现有技术的晶体管的制造过程为:参考图1，提供基底10，基底10上形成有栅极结构，所述栅极结构包括依次位于衬底10上的栅介质层U、栅极12、包围栅极12的侧墙，该侧墙包括内侧的氧化硅侧墙131和包围氧化硅侧墙131的氮化硅侧墙132。在形成侧墙前，对基底10进行轻掺杂离子注入，在基底10中形成轻掺杂源区和轻掺杂漏区(图中未标号)。在形成侧墙后，对基底10进行重掺杂离子注入，形成源区141和漏区142。形成源区141和漏区142后，在源区141、漏区142和栅极12上形成金属硅化物(silicide) 15。所述金属娃化物15上方后续会形成插塞结构,金属娃化物15可以起到减小接触电阻的作用。参考图2，在形成金属硅化物15之后，通过应力近接技术选择性去除所述氮化硅侧墙132。然而，在SPT蚀刻过程中，容易去除金属硅化物15，这样会使后续形成的插塞结构的接触电阻变大。为了克服利用应力近接技术选择性去除所述氮化硅侧墙132时，会去除金属硅化物15的问题，2007年3月29日公开的公开号为US2007/0072402A1的美国专利申请公开了一种移除氮化硅侧墙的方法。其主要方法为:将50片表面具有氮化硅层的晶圆置于磷酸溶液中，磷酸溶液的温度为160°C，放置磷酸溶液48小时后，磷酸溶液的温度从160°C降低至140°C，在140°C时磷酸溶液内的硅离子达到饱和，然后将具有氮化硅侧墙的晶圆放入磷酸溶液中，氮化硅侧墙在磷酸溶液的作用下被去除，而且金属硅化物的损失很小。但是，该文献中公开的方法需要放置磷酸溶液48小时，使磷酸溶液的温度从160°C降低至140°C，磷酸溶液在140°C时其内的硅离子达到饱和，并在140°C的磷酸溶液内去除氮化硅侧墙，这将导致工艺时间被延长，降低了半导体器件的生产效率，相应的导致生产成本增加。
发明内容
本发明解决的问题是现有技术的去除氮化硅侧墙的工艺时间长的问题。为解决上述问题，本发明提供一种去除氮化硅侧墙的方法，包括:
提供娃基底，所述娃基底上形成有棚极，所述棚极周围具有氣化娃侧墙，所述娃基底内形成有源区、漏区，且所述源区和漏区位于所述栅极的两侧；在所述栅极上以及硅基底的源区、漏区上形成金属层，进行第一退火使所述金属层与硅基底作用形成第一金属硅化物层，进行第二退火使所述第一金属硅化物层与硅基底作用形成第二金属硅化物层；在所述第二金属硅化物层的表面形成保护层；形成保护层之后，将所述硅基底置于具有饱和硅离子的磷酸溶液中以去除所述氮化硅侧墙。可选的，所述金属层的材料为Ni和Pt,所述第一金属娃化物层的材料为Ni2SiPt,所述第二金属硅化物层的材料为NiSiPt。可选的，在所述第二金属硅化物层的表面形成保护层的方法为:氧化所述第二金属硅化物层的表面形成保护层。可选的，所述氧化所述第二金属硅化物层表面的方法为:利用臭氧去离子水氧化所述第二金属娃化物层表面。可选的，所述臭氧去离子水的浓度为30 85ppm。可选的，所述保护层的厚度为5 15埃。可选的，所述利用臭氧去离子水氧化所述第二金属硅化物层表面包括:利用单片喷淋机台向所述第二金属硅化物层喷洒臭氧去离子水，喷洒的时间为30s以上；或者，将具有第二金属硅化物层的硅基底置于臭氧去离子水槽中3分钟以上。可选的，所述第一退火的温度为250°C 350°C，所述第二退火的温度为380°C 500。。。可选的，所述具有饱和硅离子的磷酸溶液的获得方法为:将预定数量的表面具有硅化物的晶圆置于磷酸溶液中预定时间，使磷酸溶液中的硅离子处于饱和状态。可选的，所述硅化物为氮化硅。可选的，在所述磷酸的浓度为85%，磷酸溶液的体积为50L，晶圆的尺寸为12寸时，所述预定数量为200± 10片，所述氮化硅的厚度为2500±100埃，所述磷酸溶液的温度为100°C 170°C，所述预定时间为I 3小时。可选的，在形成具有饱和硅离子的磷酸溶液后，去除氮化硅侧墙时，所述磷酸溶液的温度保持不变。可选的，去除氮化硅侧墙时，硅基底置于温度为165°C的磷酸溶液内，时间2 5分钟。可选的，在所述氮化硅侧墙和所述栅极之间还具有氧化硅侧墙。本发明还提供一种形成晶体管的方法，包括:用所述的方法去除氮化硅侧墙；去除氮化硅侧墙后，形成应力层，覆盖所述硅基底和保护层，在所述晶体管为PMOS晶体管时，所述应力层的应力为压应力，在所述晶体管为NMOS晶体管时，所述应力层的应力为张应力。可选的，所述应力层为氮化硅层。
本发明还提供一种形成半导体器件的方法，包括:利用所述的方法形成晶体管；形成层间介质层，覆盖所述应力层；刻蚀所述层间介质层、应力层以及所述保护层，形成接触孔，所述接触孔暴露出所述第二金属娃化物层；在所述接触孔内填充导电材料形成接触插栓。与现有技术相比，本发明具有以下优点:本发明具体实施例的去除氮化硅侧墙的方法，在形成金属硅化物的过程中，对硅基底进行第一退火形成第一金属硅化物层，进行第二退火形成第二金属硅化物层，该第二金属硅化物层即为半导体器件中通常使用的金属硅化物，在第二金属硅化物层的表面形成保护层，该保护层可以保护下面的第二金属硅化物层；之后，将硅基底置于具有饱和硅离子的磷酸溶液中以去除所述氮化硅侧墙，由于第二金属硅化物层的表面具有一层保护层，该保护层可以起到保护第二金属硅化物层的作用，防止第二金属硅化物层的损失，因此，可以将硅基底直接放入具有饱和硅离子的磷酸溶液中以去除氮化硅侧墙，无需像现有技术那样，将磷酸溶液放置48小时从160°C降至140°C，才可以将基底置于磷酸溶液中去除氮化硅侧墙。在具体实施例中，将预定数量的表面具有硅化物的晶圆置于磷酸溶液中预定时间，使磷酸溶液中的硅离子处于饱和状态后，即可以将基底置于磷酸溶液中以去除氮化硅侧墙。无需像现有技术那样，将磷酸溶液放置48小时从160°C降至140°C，才可以将基底置于磷酸溶液中去除氮化硅侧墙。因此，可以节省工艺流程的时间，相应的也就可以节约制造成本。在具体实施例中，磷酸溶液的温度可以为100°C 170°C，并且在140°C 170°C范围内，磷酸溶液的温度比现有技术高，使用大于140°C的磷酸溶液去除氮化硅侧墙，速度快，可以更好的加快工艺流程的速度。
图1至图2为现有技术中晶体管制造方法的剖面结构示意图；图3为本发明具体实施例的去除氮化硅侧墙的方法的流程示意图；图4 图7为本发明具体实施例的去除氮化硅侧墙的方法的剖面结构示意图；图8为本发明具体实施例的形成晶体管的方法的剖面结构示意图；图9为本发明具体实施例的形成半导体器件的方法的剖面结构示意图。
具体实施例方式发明人发现，现有技术中，将50片表面具有氮化硅的晶圆置于温度为160°C磷酸溶液内，由于表面具有氮化硅的晶圆的数量不足因此磷酸溶液中的硅离子不能达到饱和，所以需要放置磷酸溶液48小时，使磷酸溶液的温度从160°C降低至140°C，在140°C时磷酸溶液内的硅离子达到饱和。耗时较长，如果要节约时间，不对磷酸溶液进行放置降温，则需要在160°C的磷酸溶液内继续放置表面具有氮化硅的晶圆，当表面具有氮化硅的晶圆的数量足够使160°C的磷酸溶液内的硅离子达到饱和时，当将具有氮化硅侧墙的基底放入160°C的具有饱和硅离子的磷酸溶液内时，由于160°C的磷酸溶液比140°C的磷酸溶液温度高，金属硅化物的损失也相应增大。现有技术中，通常形成金属硅化物例如NiSiPt的方法为:在栅极、源区、漏区上形成金属层NiPt，然后对基底进行第一退火，该第一退火的温度范围为250°C 350°C，在栅极、源区、漏区上形成第一金属硅化物层Ni2SiPt ;之后，对基底进行第二退火，该第二退火的温度范围为380°C 500°C，形成第二金属硅化物层NiSiPt。其中，先形成第一金属硅化物层再形成第二金属硅化物层的目的是保证金属硅化物与基底之间晶格匹配可以渐变，防止一次退火形成第二金属硅化物层NiSiPt导致第二金属硅化物层与基底之间晶格匹配度不好。本发明具体实施方式
的去除氮化硅侧墙的方法，在形成第二金属硅化物层之后，在第二金属硅化物层上形成保护层，然后将将基底置于具有饱和硅离子的磷酸溶液中以去除所述氮化硅侧墙，由于第二金属硅化物层的表面具有一层保护层，起到保护第二金属硅化物层的作用，防止第二金属硅化物层的损失，因此，可以将硅基底直接放入具有饱和硅离子的磷酸溶液中，无需像现有技术那样，将磷酸溶液从160°C降至140°C并放置48小时后，才可以将基底置于磷酸溶液中去除氮化硅侧墙。为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。图3为本发明具体实施例的去除氮化硅侧墙的方法的流程示意图，参考图3，本发明具体实施例的去除氮化硅侧墙的方法包括:步骤S31，提供硅基底，所述硅基底上形成有栅极，所述栅极周围具有氮化硅侧墙，所述硅基底内形成有源区、漏区，且所述源区和漏区位于所述栅极的两侧；步骤S32，在所述栅极上以及硅基底的源区、漏区上形成金属层，进行第一退火使所述金属层与硅基底作用形成第一金属硅化物层，进行第二退火使所述第一金属硅化物层与硅基底作用形成第二金属硅化物层；步骤S33，在所述第二金属硅化物层的表面形成保护层；步骤S34，形成保护层之后，将所述硅基底置于具有饱和硅离子的磷酸溶液中以去除所述氮化硅侧墙。图4 图7为本发明具体实施例的去除氮化硅侧墙方法的剖面结构示意图，下面结合参考图3和图4 图7详细说明本发明具体实施例的去除氮化硅侧墙的方法。结合参考图3和图4，执行步骤S31，提供硅基底20，所述硅基底20上形成有栅极21，所述栅极21周围具有氮化硅侧墙232，所述硅基底20内形成有源区241、漏区242，且所述源区241和漏区242位于所述栅极21的两侧。本发明具体实施例中，栅极21周围的侧墙为双层结构，在氮化硅侧墙232和栅极21之间还具有氧化硅侧墙231。但本发明中，栅极21周围的侧墙结构不限于双层结构还是单层结构，以及本领域技术人员公知的其他叠层结构，只要其外层结构为氮化硅侧墙即可。硅基底20可以为单晶硅基底，也可以为绝缘体上硅(SOI)基底。栅极21的材料可以为多晶硅、金属或者本领域技术人员公知的其他材料，其中金属可以为如T1、Co、N1、Al、W等。相邻栅极之间形成有隔离结构243，在本发明具体实施例中，隔离结构243为浅沟槽隔离结构(STI, shallow trench isolation),但隔离结构243不限于浅沟槽隔离结构，也可以为本领域技术人员公知的其他隔离结构。栅极21和硅基底20之间形成有栅介质层22，栅介质层22的材料为氧化硅，但不限于氧化硅，也可以为本领域技术人员公知的其他材料。结合参考图3和图5，执行步骤S32，在所述栅极21上以及硅基底20的源区241、漏区242上形成金属层，进行第一退火使所述金属层与硅基底作用形成第一金属硅化物层，进行第二退火使所述第一金属硅化物层与硅基底20作用形成第二金属硅化物层251。本发明具体实施例中，金属层的材料为镍(Ni)和钼(Pt);形成所述金属层后，对所述硅基底20进行第一退火的温度为250°C 350°C，金属层在第一退火的作用下与硅基底作用形成第一金属娃化物层为Ni2SiPt,第二退火的温度为380°C 500°C,形成的第二金属娃化物层为NiSiPt。本发明具体实施例中，金属层为NiPt，其形成方法为物理气相沉积或本领域技术人员公知的其他技术；相应的第一金属硅化物层为Ni2SiPt,第二金属硅化物层为NiSiPt。但本发明中，金属层的材料不限于NiPt,相应的第一金属娃化物层不限于Ni2SiPt,第二金属娃化物层不限于NiSiPt,也可以为其他材料的金属层、第一金属娃化物层和第二金属娃化物层。结合参考图3和图6，执行步骤S33，在所述第二金属硅化物层251的表面形成保护层252。本发明中，保护层252的厚度为5 15埃。本发明具体实施例中，在第二金属硅化物层251的表面形成保护层252的方法为:氧化第二金属硅化物层251表面形成保护层252，在第二金属硅化物层251的表面形成氧化的第二金属硅化物层，该氧化的第二金属硅化物层作为保护层252。其中，氧化第二金属硅化物层251表面的方法为:利用臭氧去离子水(DIO3)氧化第二金属硅化物层表面。具体的，利用臭氧去离子水(DIO3)氧化第二金属硅化物层表面的方法为:利用单片喷淋机台向第二金属硅化物层喷洒臭氧去离子水，喷洒的时间为30s以上，该30s以上包括30s，第二金属硅化物层的表面在臭氧去离子水的作用下被氧化形成氧化的第二金属硅化物层，具体的，氧化的第二金属硅化物层的厚度为5 15埃。当然，本发明中，不限于用喷洒工具向硅基底喷洒臭氧去离子水来氧化第二金属硅化物层，也可以将硅基底置于臭氧去离子水槽中，搁置3分钟以上(包括3分钟)使第二金属硅化物层的表面氧化形成氧化的第二金属硅化物层作为保护层252，氧化的第二金属硅化物层的厚度为5 15埃。其中，臭氧去离子水的浓度为30 85ppm。需要说明的是，本发明具体实施例中，氧化第二金属硅化物层的表面形成保护层，氧化的第二金属硅化物层作为保护层，利用氧化第二金属硅化物层表面的方法形成保护层，工艺简单，形成保护层的方法所用的时间较短，不会对整个生产流程的生产效率造成影响。本发明中，保护层不限于氧化的第二金属硅化物层，也可以利用气相沉积等方法在第二金属硅化物层上形成其他材料的保护层，只要可以起到保护第二金属硅化物层，防止第二金属硅化物层与磷酸溶液反应即可。 结合参考图3和图7，执行步骤S34，在形成保护层252之后，将所述硅基底20置于具有饱和硅离子的磷酸溶液中以去除所述氮化硅侧墙232。本发明中，具有饱和硅离子的磷酸溶液的获得方法为:将预定数量的表面具有硅化物的晶圆置于磷酸溶液中预定时间，使磷酸溶液中的硅离子处于饱和状态。在具体应用中，晶圆的预定数量以及放置的时间需要根据磷酸的浓度、体积以及硅化物的种类、厚度等进行确定。在该具体实施例中，在磷酸的浓度为85%，磷酸溶液的体积为50L，但本发明中提到的50L并不限定严格为50L，允许存在一定的误差，也就是说只要磷酸溶液的体积为大约50L，晶圆的尺寸为12寸时，将预定数量为200±10片的表面具有氮化娃的晶圆置于磷酸溶液中I 3小时的预定时间，且氮化娃的厚度为2500±100埃，磷酸溶液的温度为100°C 170°C。实施例中表面具有氮化硅的晶圆的预定数量选用200片，放置的预定时间选用I小时，磷酸溶液的温度选用165°C。其中，经过大量的实验证明，磷酸溶液在165°C时活性大，较140°C的磷酸可以更好的催化氮化硅的水解反应。在形成具有饱和硅离子的磷酸溶液后，由于第二金属硅化物层251上有保护层252，该保护层252起到保护第二金属硅化物层的作用，因此可以直接将硅基底置于磷酸溶液中，无需像现有技术那样需要将磷酸溶液放置48小时从165°C降至140°C，然后将基底置于具有饱和硅离子的磷酸溶液中以去除氮化硅侧墙，也就是说，去除氮化硅侧墙时，磷酸溶液的温度可以保持不变。实施例中，在磷酸溶液的温度保持165°C去除氮化硅侧墙时，硅基底置于磷酸溶液中的时间为2 5分钟，可以选择4分钟。165°C时磷酸溶液的活性大，因此使用165°C的磷酸溶液去除氮化硅侧墙，速度快，可以更好的加快工艺流程的速度。在具体实施例中，只要磷酸溶液的温度大于140°C，均可以比现有技术去除氮化硅侧墙的速度快。需要说明的是，本发明具体实施例中，以第一金属硅化物层为Ni2SiPt、第二金属硅化物层为NiSiPt为例说明了去除氮化硅侧墙时的方法，但本发明中，第一金属硅化物层不限于Ni2SiPt、第二金属硅化物层不限于NiSiPt，两者均可以为本领域技术人员公知的其他材料。基于以上所述的去除氮化硅侧墙的方法，本发明还提供一种形成晶体管的方法，包括:用上述的方法去除氮化硅侧墙；参考图8，去除氮化硅侧墙后，形成应力层26，覆盖所述硅基底20和保护层252，在所述晶体管为PMOS晶体管时，应力层的应力为压应力，在所述晶体管为NMOS晶体管时，应力层的应力为张应力。在具体实施例中，应力层为氮化硅层，形成应力层的方法为本领域技术人员的公知技术，在此不做赘述。基于以上形成晶体管的方法，参考图9，本发明还提供一种形成半导体器件的方法，包括:利用所述的方法形成晶体管；形成层间介质层27，覆盖所述应力层26 ；刻蚀所述层间介质层27、应力层26以及所述保护层252，形成接触孔，所述接触孔暴露出第二金属娃化物层251 ；在所述接触孔内填充导电材料形成接触插栓28。由于形成在第二金属硅化物层251上的保护层252会阻碍接触插栓与源区、漏区以及栅极的电连接，因此在刻蚀层间介质层、应力层形成接触孔时，对层间介质层、应力层进行过刻(over etch)使保护层也被刻蚀，使形成的接触孔暴露出第二金属硅化物层，这样保护层不会阻碍接触插栓与源区、漏区以及栅极的电连接，而且，第二金属硅化物层也可以起到其应有的减小接触电阻的作用。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
权利要求
1.一种去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，包括: 提供硅基底，所述硅基底上形成有栅极，所述栅极周围具有氮化硅侧墙，所述硅基底内形成有源区、漏区，且所述源区和漏区位于所述栅极的两侧； 在所述栅极上以及硅基底的源区、漏区上形成金属层，进行第一退火使所述金属层与硅基底作用形成第一金属硅化物层，进行第二退火使所述第一金属硅化物层与硅基底作用形成第二金属硅化物层； 在所述第二金属硅化物层的表面形成保护层； 形成保护层之后，将所述硅基底置于具有饱和硅离子的磷酸溶液中以去除所述氮化硅侧墙。
2.按权利要求1所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，所述金属层的材料为Ni和Pt，所述第一金属硅化物层的材料为Ni2SiPt,所述第二金属硅化物层的材料为NiSiPt。
3.按权利要求1所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，在所述第二金属硅化物层的表面形成保护层的方法为:氧化所述第二金属硅化物层的表面形成保护层。
4.按权利要求3所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，所述氧化所述第二金属硅化物层表面的方法为:利用臭氧去离子水氧化所述第二金属硅化物层表面。
5.按权利要求4所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，所述臭氧去离子水的浓度为30 85ppm。
6.按权利要求3所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，所述保护层的厚度为5 15埃。
7.按权利要求5所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，所述利用臭氧去离子水氧化所述第二金属硅化物层表面包括:利用单片喷淋机台向所述第二金属硅化物层喷洒臭氧去离子水，喷洒的时间为30s以上； 或者，将具有第二金属硅化物层的硅基底置于臭氧去离子水槽中3分钟以上。
8.按权利要求1所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，所述第一退火的温度为250°C 350°C，所述第二退火的温度为380°C 500°C。
9.按权利要求1所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，所述具有饱和硅离子的磷酸溶液的获得方法为: 将预定数量的表面具有硅化物的晶圆置于磷酸溶液中预定时间，使磷酸溶液中的硅离子处于饱和状态。
10.按权利要求9所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，所述硅化物为氮化硅。
11.按权利要求10所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，在所述磷酸的浓度为85%，磷酸溶液的体积为50L，晶圆的尺寸为12寸时，所述预定数量为200±10片，所述氮化硅的厚度为2500±100埃，所述磷酸溶液的温度为100°C 170°C，所述预定时间为I 3小时。
12.按权利要求11所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，在形成具有饱和硅离子的磷酸溶液后，去除氮化硅侧墙时，所述磷酸溶液的温度保持不变。
13.按权利要求11所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，去除氮化硅侧墙时，硅基底置于温度为165°C的磷酸溶液内，时间2 5分钟。
14.按权利要求1所述的去除氮化硅侧墙的方法，其特征在于，在所述氮化硅侧墙和所述栅极之间还具有氧化硅侧墙。
15.一种形成晶体管的方法，其特征在于，包括: 用权利要求1所述的方法去除氮化硅侧墙； 去除氮化硅侧墙后，形成应力层，覆盖所述硅基底和保护层，在所述晶体管为PMOS晶体管时，所述应力层的应力为压应力，在所述晶体管为NMOS晶体管时，所述应力层的应力为张应力。
16.按权利要求15所述的形成晶体管的方法，其特征在于，所述应力层为氮化硅层。
17.一种形成半导体器件的方法，其特征在于，包括: 利用权利要求15所述的方法形成晶体管； 形成层间介质层，覆盖所述应力层； 刻蚀所述层间介质层、应力层以及所述保护层，形成接触孔，所述接触孔暴露出所述第二金属硅化物层； 在所述接触孔内填充导 电材料形成接触插栓。
全文摘要
一种去除氮化硅侧墙、形成晶体管、半导体器件的方法，去除氮化硅侧墙的方法包括提供硅基底，所述硅基底上形成有栅极，所述栅极周围具有氮化硅侧墙，所述硅基底内形成有源区、漏区，且所述源区和漏区位于所述栅极的两侧；在所述栅极上以及硅基底的源区、漏区上形成金属层，进行第一退火使所述金属层与硅基底作用形成第一金属硅化物层，进行第二退火使所述第一金属硅化物层与硅基底作用形成第二金属硅化物层；在所述第二金属硅化物层的表面形成保护层；形成保护层之后，将所述硅基底置于具有饱和硅离子的磷酸溶液中以去除所述氮化硅侧墙。本技术方案可以节约工艺流程的时间。
文档编号H01L21/28GK103094083SQ20111033845
公开日2013年5月8日 申请日期2011年10月31日 优先权日2011年10月31日
发明者刘焕新, 刘佳磊 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司