支撑单元及具有支撑单元的衬底处理设备的制作方法

文档序号:7163538阅读:205来源:国知局
专利名称:支撑单元及具有支撑单元的衬底处理设备的制作方法
技术领域
本发明涉及加热器以及具有加热器的衬底处理设备,且更具体来说涉及迅速均勻对衬底进行加热的支撑单元以及具有支撑单元的衬底处理设备。
背景技术
要制造具有纵向结构的典型LED装置,应将上部衬底和下部衬底相互接合,在所述上部衬底上,半导体层和金属层堆叠在SiC晶片上,在所述下部衬底上,金属层设置在其上部。这里,利用共晶接合法(eutectic bonding method)使得上部衬底和下部衬底接合。 艮口,设置上部衬底的金属层,使其面向下部衬底的金属层,然后按住上部衬底和下部衬底的金属层,使它们紧贴在一起以对金属层进行加热。此时,上部衬底和下部衬底的金属层熔化,使得上部衬底和下部衬底相互接合。用于使得上部衬底和下部衬底相互接合以制造纵向型LED装置的衬底接合设备包括提供内部空间的室(在所述内部空间中实施接合法)、设置在室内部以支撑多个下部衬底并对其进行加热的下部加热器单元,以及设置在下部加热器单元上方、面向下部加热器单元从而支撑多个上部衬底并对其进行加热的多个上部加热器单元。下部加热器单元包括下部加热器块以及下部冷却块,下部加热器快中插入有由金属制成的下部加热丝,下部冷却快连接到下部加热器块一侧,其中插入有下部制冷剂管路,制冷剂流经所述管路。同样,上部加热器单元包括上部加热器块以及上部冷却块,上部加热器块中插入有由金属制成的上部加热丝,上部冷却块连接到上部加热器块一侧,其中插入有上部制冷剂管路,制冷剂流经所述管路。这里,上部衬底和下部衬底分别安装在下部加热器块的上部和上部加热器块的下部。应对下部衬底和上部衬底进行加热以使得上部衬底和下部衬底相互接合。S卩,对下部加热丝进行加热以对插入有下部加热丝的下部加热器块进行加热。同样,对上部加热丝进行加热以对插入有上部加热丝的上部加热器块进行加热。对下部加热丝和上部加热丝进行加热时,下部加热丝和上部加热丝由于高温迅速膨胀。由于下部加热丝和上部加热丝的膨胀,使得分别包含下部加热丝和上部加热丝的下部加热器块和上部加热器块的加热丝部分相对较快地膨胀。因此,下部衬底和上部衬底分别安装在下部加热器块和上部加热器块上时,由于下部加热器块与下部衬底之间以及上部加热器块与上部衬底之间的接触缺陷,可能会在局部传递热量。即,下部衬底底面的一部分与下部加热器块的顶面接触,上部衬底顶面的一部分与上部加热器块的底面接触。因此,存在下部衬底和上部衬底加热不均勻的局限性。因而,下部衬底的金属层和上部衬底的金属层中可能存在空隙,从而导致下部衬底与上部衬底之间的接合缺陷。同样,由于接触存在缺陷,无法均勻按住上部衬底和下部衬底。同样,由于向上部衬底和下部衬底中每一者局部施加负载,可能会损坏上部衬底和下部衬底。为解决上述局限性,相关技术提供用于分别支撑下部衬底和上部衬底的下部陶瓷板和上部陶瓷板。这里,下部陶瓷板与下部加热器单元的上部装配在一起,上部陶瓷板与上部加热器单元的下部装配在一起。因此,通过下部加热器单元的热传导和辐射热量来对下部陶瓷板和下部衬底间接进行加热,通过上部加热器单元的热传导和辐射热量来对上部陶瓷板和上部衬底间接进行加热。同样,单独基座(s印arate susc印tor)设置在下部陶瓷板的上部时,应另外对基座进行加热。因此,传热速率可能进一步降低。因而,需要花费很长的时间来分别对下部衬底和上部衬底进行加热。

发明内容
本发明提供迅速均勻对衬底进行加热的支撑单元以及具有支撑单元的衬底处理设备。本发明还提供防止衬底受颗粒污染的支撑单元以及具有支撑单元的衬底处理设备。根据示范性实施例,用于对待处理物体进行加热的支撑单元包括加热器块,其经配置以对待处理物体进行加热;传热板,其连接到加热器块的一侧;以及金属板,其设置在传热板与待处理物体之间,所述金属板的一侧连接到传热板且另一侧连接到待处理物体。支撑单元可进一步包括设置在金属板上的基座。可利用石墨基材料、硅基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的一者制造传热板。可利用钨、钼、铝、硅、钛、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、银、锡、钼、金、汞、铅、铀、钚以及
包含前述材料中至少一者的合金中的一者制造金属板。支撑单元可进一步包括连接到加热器块另一侧以使得加热器块冷却的冷却块。根据另一个示范性实施例,用于处理待处理物体的衬底处理设备包括室部分,其经配置以提供内部空间;下部支撑单元,其设置在室部分内部以支撑下部衬底并对其进行加热;以及上部支撑单元,其经设置以对应于下部加热器从而支撑上部衬底并对其进行加热,其中下部支撑单元和上部支撑单元中的每一者包含经配置以对待处理物体进行加热的加热器块,连接到加热器块的一侧的传热板,及设置在传热板与待处理物体之间的金属板, 所述金属板的一侧连接到传热板,另一侧连接到待处理物体。可利用石墨基材料、硅基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的一者制造传热板。衬底处理设备可进一步包括连接到加热器块另一侧以使得加热器块冷却的冷却块。


根据下文结合附图的描述可更详细地理解示范性实施例,图中图1是根据示范性实施例的衬底处理设备的截面图。图2是根据示范性实施例的下部加热器单元和上部加热器单元的图。
图3至图5是图解说明根据示范性实施例的利用衬底处理设备使得下部衬底与上部衬底接合的方法的图。
具体实施例方式在下文中,将参考附图对特定实施例进行详细描述。然而,本发明可以不同的形式体现且不应当被解释为局限于本文所述的实施例。 提供这些实施例是为了使得本发明详细且完整,同时向所属领域的技术人员充分传达本发明的范围。图1是根据示范性实施例的衬底处理设备的截面图。图2是根据示范性实施例的下部加热器单元和上部加热器单元的图。参考图1和图2,根据示范性实施例的衬底处理设备为接合装置,其中实施用于使得下部衬底Sl与上部衬底S2接合的接合法。衬底处理设备包括提供内部空间的室部分 100,设置在室部分100内部以支撑多个下部衬底Sl并对其进行加热的下部支撑单元200, 设置在下部支撑单元200上方以对应于下部支撑单元200,从而支撑多个上部衬底S2并对其进行加热的多个上部支撑单元300,连接到下部支撑单元200的下部以支撑下部支撑单元200的下轴410,连接到从室部分100向外凸出的下轴410以向下轴410提供提升力和旋转力的下部驱动部分420,分别连接到多个上部支撑单元300以分别支撑多个上部支撑单元300的多个上轴510,及分别连接到从室部分100向外凸出的多个上轴510以向上轴510 中的每一者提供提升力和旋转力的上部驱动部分520。同样,衬底处理设备包括设置在室部分100外部以向下部支撑单元200提供热源的下部电源部分620、用于提供制冷剂的下部制冷剂供应部分720、用于向上部支撑单元300中的每一者提供热源的上部电源部分820 以及用于提供制冷剂的制冷剂供应部分930。虽然未图示,但衬底处理设备可包括用于保持室部分100内部压力的压力保持部分以及用于排出室部分100内部副产品和未反应材料的排出部分。室部分100包括提供空间(在其中实施用于分别使得上部衬底S2与下部衬底Sl 接合的接合法)的下室110以及设置在下室110上方以覆盖下室110的上室120。同样,上室120的一侧经由连接部件(如铰链)连接到下室110。再者,设置用于密封上室120与下室110之间的空间的独立密封单元。下部支撑单元200包括用于支撑多个下部衬底Sl的基座200a以及设置在基座 200a下方的下部加热器200b。这里,基座200a支撑多个下部衬底Si,且其尺寸足以支撑多个下部衬底Si。举例来说,可利用陶瓷(如SiC)材料制造根据示范性实施例的基座200a。 虽然未图示,但在基座200a中界定用于利用真空吸附力支撑多个下部衬底Sl的真空孔。这里,真空处理设备连接到真空孔。然而,本发明并不限于此。举例来说,可提供用于将多个下部衬底Sl固定到基座200a的各个单元。再者,虽然未图示,但可提供用于移动基座200a 的基座驱动部分。下部加热器200b包括下部加热器块210、设置在下部加热器块210下方以使得下部加热器块210冷却的下部冷却块220、设置在下部加热器块210上的下部传热板230以及设置在下部传热板230上的下部金属板M0。下部加热器块210包括下部加热板211以及设置在下部加热板211内部以对下部加热板211进行加热的下部加热器212。虽然根据示范性实施例,下部加热板211为方板形,但本发明并不限于此。举例来说,下部加热板211可具有可支撑下部衬底Sl的各种形状。可利用不锈钢(stainless steel,STS)、铝、镍、钼或钛等金属材料制造下部加热板211。 同样,根据示范性实施例,圆柱形的加热丝用作下部加热器212。然而,本发明并不限于此。 举例来说,产生热量的各个单元均可用作下部加热器212。下部加热器212均勻设置在下部加热板211整个表面上的结构是有效的。虽然根据示范性实施例,下部加热器212设置在环线形下部加热板211的内部,但本发明并不限于此。举例来说,下部加热器212可均勻设置在各种线形下部加热板211的整个表面上。此外,下部加热器212的一端连接到下部电力线610(将在后面进行描述)的一端。下部冷却块220包括设置在下部加热板211下方的下部冷却板221以及插入下部冷却板221中的下部冷却管路222。根据示范性实施例的下部加热板221与上述下部加热板211的形状相同,例如方板形。同样,可利用不锈钢(stainless steel,STS)、铝、镍、钼或钛等金属材料制造下部冷却板221。同样,在下部冷却板221内部界定插入有下部冷却管路222的冷却管路容置槽(未图示)。下部冷却管路222为用于冷却下部加热板211的制冷剂流经的通道。如上所述,下部冷却管路222插入到下部冷却板221中所界定的下部冷却管路容置槽(未图示)中。根据示范性实施例,具有内部空间的圆柱形管道用作下部冷却管路222。然而,本发明并不限于此。举例来说,下部冷却管路222可制造为具有制冷剂流经的内部空间的各种形状。下部冷却管路222均勻设置在下部冷却板221整个表面上的结构是有效的。根据示范性实施例,下部冷却管路222可为环线形。然而,本发明并不限于此。举例来说,下部冷却管路222可均勻设置在各种线形下部冷却板221的整个表面上。 下部冷却管路222的一端连接到下部制冷剂供应管道710,另一端连接到下部制冷剂排出管道720(将在后面进行描述)。下部传热板230设置在下部加热板211上方以将下部加热板211中产生的热量传递到下部金属板MO中。可利用具有较好传热性能和柔性的材料制造下部传热板230。根据示范性实施例,石墨可层压在下部加热板211上以制造下部传热板230。然而,本发明并不限于此。举例来说,硅基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的至少一者可层压在下部加热板211上以制造下部传热板230。或者,石墨基材料、硅基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的至少一者可沉积在下部加热板211上以制造下部传热板230。这里,下部传热板230的厚度可为约1毫米到约5毫米。举例来说,当下部传热板230的厚度小于约1毫米或更小时,下部传热板230由于外部冲击可能会弯曲或损坏。此外,当下部传热板230的厚度大于约5毫米时,热传导可能会减少。因此,根据示范性实施例,下部传热板230的厚度可为约1毫米到约5毫米。如上所述,当下部传热板230设置在下部加热器块210上时, 下部加热器块210的热量可均勻传递到下部传热板230的整个表面上。同样,由于下部金属板240设置在下部传热板230上,因此热量可均勻传递到下部金属板240的整个表面上。如上所述,可利用石墨基材料、硅基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的至少一者制造下部传热板230。然而,即使这些材料具有较好的传热性能和柔性,这些材料也还是可能会产生颗粒。当上面安装有下部衬底Sl中的每一者的基座200a设置在下部传热板 230上时,下部衬底Sl可能会受颗粒污染。因此,根据示范性实施例,下部金属板240设置在下部传热板230上。同样,基座200a设置在下部金属板240上。根据示范性实施例,利用具有较好导热性且热膨胀系数与陶瓷(基座200a的材料)的热膨胀系数相同的金属材料制造下部金属板M0。这里,相对于构成基座200a的材料,用于下部金属板240的材料的热膨胀系数差可能为约4微米/开到约5微米/开。这样做是因为下部传热板230的热量很容易转移,且其防止下部金属板240与基座200a之间的摩擦面上产生颗粒。因此,根据示范性实施例,钨(W)层压在下部传热板230上以制造下部金属板M0。然而,本发明并不限于此。举例来说,下部金属板240可由钼、铝、硅、钛、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、银、锡、钼、 金、汞、铅、铀、钚及其组合(合金)中的一者制成。同样,本发明并不限于此。举例来说,上述材料中的一者可沉积在传热板230上以制造下部金属板M0。同样,可制造单独的下部金属板对0,然后所述下部金属板240可焊接到下部传热板230。这里,下部加热金属板MO 的有效厚度可为约1毫米到约3毫米。如上所述,根据示范性实施例,下部传热板230和下部金属板240可相继堆叠以在下部金属板240上设置基座200a。因此,由下部加热器块210产生的热量可经由下部传热板230均勻传递到下部金属板MO的整个表面。同样,下部金属板MO的热量传递到设置在下部金属板240上的基座200a以及多个下部衬底Sl。即,下部传热板230的热量通过设置在基座200a下方的下部金属板240迅速传递到基座200a和多个下部衬底Si。与相关技术相比,加热多个下部衬底Sl的时间可能减少。此外,由于利用热膨胀系数与基座200a 的热膨胀系数相似的材料(如钨(W))制造下部金属板M0,因此在下部金属板240与基座 200a之间的摩擦面上不会产生因热膨胀系数差而产生的颗粒。同样,由于下部金属板MO 设置在下部传热板230上,因此可防止由下部传热板230产生颗粒。下轴410的一端插入室部分100中并连接到下部冷却块220的下部,另一端从室部分100向外凸出并连接到下部驱动部分420。这里,下部驱动部分420向下轴410提供提升力和旋转力。因此,当经由下部驱动部分420提升或旋转下轴410时,通过下轴410提升或旋转下部支撑单元200。同样,用于向下部加热器块210的下部加热器212施加功率的下部电力线610、用于向下部冷却管路222提供制冷剂的下部制冷剂供应管道710以及用于排出下部冷却管路222的制冷剂的下部制冷剂排出管道720设置在下轴410内部。这里, 下部电力线610的一端穿过下部冷却板221和下部加热板211并连接到设置在下部加热板 211内部的下部加热器212,且另一端凸出到下轴410的一端并连接到下部电源部分620。 同样,下部制冷剂供应管道710的一端插入下部冷却板221中并连接到下部冷却管路222, 且另一端凸出到下轴410的一端并连接到下部制冷剂供应部分730。同样,下部制冷剂排出管道720的一端插入下部冷却板221中并连接到下部冷却管路222,且另一端连接到下部制冷剂供应部分730。这里,下部制冷剂供应部分730储存制冷剂以降低制冷剂的温度,由此将制冷剂提供到下部制冷剂供应管道710中。此外,下部制冷剂供应部分730接收从下部制冷剂排出管道720排出的制冷剂以再次降低制冷剂的温度,由此将制冷剂提供到下部制冷剂供应管道710中。多个上部支撑单元300中的每一者均包含设置在基座200a上方以对应于基座 200a的陶瓷板300a和设置在陶瓷板300a上方以对陶瓷板300a进行加热的上部加热器 300b。根据示范性实施例,使用由陶瓷(如SiC)制成的下部衬底Sl和上部衬底S2。多个上部加热器300b中的每一者均设置在下部支撑单元200上方以支撑陶瓷板 300a并对其进行加热。这里,上部加热器300b经制造以支撑一个陶瓷板300a,且提供多个上部加热器300b。上部加热器300b中每一者的构造与上述下部加热器200b的构造相同。 多个上部加热器300b中的每一者均包含上部加热器块310、设置在上部加热器块310上以使得上部加热器块310冷却的上部冷却块320、设置在上部加热器块310下方的上部传热板 330以及设置在上部传热板330下方的上部金属板340。这里,多个上部加热器300b中每一者的上部加热器块310和上部冷却块320的构造和结构与上述下部加热器200b的构造和结构相同。同样,经由与制造下部传热板230和下部金属板240相同的方法制造多个上部加热器300b中每一者的上部传热板330和上部金属板340。多个上部加热器300b分别连接到多个上轴510。S卩,多个上轴510中每一者的一端插入室部分100中并连接到上部冷却块320的上部,另一端从室部分100向外凸出并连接到上部驱动部分520。因此,当经由上部驱动部分520提升或旋转上轴510时,通过上轴 510提升或旋转上部支撑单元300。同样,用于向上部加热器块310的上部加热器312施加功率的上部电力线810、用于向上部冷却管路322提供制冷剂的上部制冷剂供应管道910 以及用于排出上部冷却管路322的制冷剂的上部制冷剂排出管道920均设置在上轴510内部。这里,上部电力线810的一端穿过上部冷却板321和上部加热板311并连接到设置在上部加热板311内部的上部加热器312,且另一端朝上轴510的一端凸出并连接到上部电源部分820。同样,上部制冷剂供应管道910的一端插入上部冷却板321中并连接到上部冷却管路322,另一端凸出到上轴510的一端并连接到上部制冷剂供应部分930。同样,上部制冷剂排出管道920的一端插入上部冷却板321中并连接到上部冷却管路322,且另一端连接到上部制冷剂供应部分930。这里,用于支撑下部衬底Sl的单独的基座200a设置在下部金属板240上方,且用于支撑上部衬底S2的单独的陶瓷板300a设置在上部金属板340下方。然而,在不提供单独基座200a和单独陶瓷板300a的情况下,可直接在下部金属板240上支撑下部衬底Sl,且可直接在上部金属板340下方支撑上部衬底S2。即,可直接在下部金属板MO的顶面上支撑下部衬底Sl的底面,且可直接在上部金属板340的顶面上支撑上部衬底S2的顶面。这里,由于根据示范性实施例,使用由陶瓷(如SiC)制成的下部衬底Sl和上部衬底S2,因此可利用热膨胀系数与制成下部衬底Sl和上部衬底S2的热膨胀系数相似的金属制造下部金属板240和上部金属板340中的每一者。即,下部金属板240和上部金属板340中的每一者可由钨、钼、铝、硅、钛、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、银、锡、钼、金、汞、铅、铀及钚中的至少一者制成。图3至图5是图解说明根据示范性实施例的利用衬底处理设备使得下部衬底与上部衬底接合的方法的图。在下文中,将参考图3至图5对根据示范性实施例的利用衬底处理设备使得下部衬底与上部衬底接合的方法进行描述。利用根据示范性实施例的衬底处理设备使得下部衬底Sl和上部衬底S2相互接合以制造纵向型LED。为此,将多个下部衬底Sl装入室部分100中以在基座200a上安装下部衬底Si。这里,多个下部衬底Sl与基座200a隔开。同样,将多个上部衬底S2装入室100 中以分别在多个陶瓷板300a上支撑上部衬底S2。根据示范性实施例,使用由SiC制成的基座200a和陶瓷板300a。此外,虽然未图示,但具有低熔点的共熔金属(如金层)设置在由硅制成的板上以制造下部衬底Si。同样,上部衬底S2包含SiC晶片、设置在SiC晶片上的 GaN基半导体层以及由设置在半导体层上的锡制成的金属层。同样,虽然根据示范性实施例,利用金和锡制成上部衬底S2和下部衬底Sl的金属层,但本发明并不限于此。举例来说, 金属层中的每一者均可由具有低熔点的各种共熔金属制成。下部衬底Sl安装在基座200a 上以使得设置在其上部的金属层面向上方。同样,上部衬底S2经设置以使得设置在半导体层上的金属层面向设置在下部衬底Sl上部上的金属层。参考图4,下部支撑单元200上升而上部支撑单元300下降以使得上部衬底S2的底面与下部衬底Sl的顶面接触。然而,本发明并不限于此。举例来说,上部支撑单元300 可在下部支撑单元200固定的状态下下降,或下部支撑单元200可在上部支撑单元300固定的状态下上升。其次,如上所述,上部支撑单元300在上部衬底S2和下部衬底Sl相互连接以使得上部衬底S2和下部衬底Sl紧贴的状态下下降。随后,分别利用上部加热器块310和下部加热器块210对上部衬底S2和下部衬底 Sl进行加热。为此,当利用下部加热器块210的下部加热器212对下部加热板211进行加热时,下部加热板211的热量经由下部传热板230传递到下部金属板M0。同样,下部金属板240的热量传递到设置在下部金属板240上的基座200a以及多个下部衬底Si。这里,通过设置在下部传热板230与基座200a之间的下部金属板240迅速转移下部传热板230的热量。因此,与相关技术相比,多个下部衬底Sl可迅速加热。同样,由于由石墨制成的下部传热板230设置在下部金属板240下方,所以下部金属板M0、基座200a以及多个下部衬底 Sl中的每一者均可均勻加热。同样,当利用上部加热器块310的上部加热器312对上部加热板311进行加热时,上部加热板311的热量经由上部传热板330传递到上部金属板340。 同样,上部金属板340的热量传递到设置在上部金属板340上的陶瓷板300a以及多个上部衬底S2。这里,通过设置在上部传热板330与陶瓷板300a之间的上部金属板340迅速转移上部传热板330的热量。因此,与相关技术相比,多个上部衬底S2可迅速加热。同样,由于由石墨制成的上部传热板330设置在上部金属板340下方,所以上部金属板340、陶瓷板 300a以及多个上部衬底S2中的每一者均可均勻加热。如上所述,当对紧贴在一起的下部衬底Sl和上部衬底S2进行加热时,下部衬底Sl 的金属层和上部衬底S2的金属层经熔化以使得下部衬底Sl和上部衬底S2连接。因此,下部衬底Sl和上部衬底S2经由接合法共晶接合以制造纵向型LED。参考图5,利用上轴510和上部驱动部分520使得上部加热器300b上升,以将上部衬底S2从上部加热器300b中分离出来。在下文中,使得下部支撑单元200和上部支撑单元300冷却。即,将制冷剂提供到下部冷却块220的下部冷却管路222中以使得上部加热器300b冷却。同样,将制冷剂提供到上部冷却块320的上部冷却管路322中以使得上部加热器300b冷却。如上所述,通过下部加热器200b和上部加热器300b的传热板230和330来减少当下部加热器200b和上部加热器300b中每一者的温度突然改变时所发生的冲击。如上所述,这样做是因为下部传热板230和上部传热板330中的每一者均由具有吸收因温度变化所引起的冲击的柔性较好的材料制成。这里,提供设置在室部分100下侧的下部支撑单元200以及设置在下部支撑单元 200上方的多个上部支撑单元300。同样,下部支撑单元200和多个上部支撑单元300设置在用于使得下部衬底Sl和上部衬底S2接合的接合设备内部。然而,本发明并不限于此。举例来说,根据示范性实施例的加热器200b和300b可适用于对衬底进行加热的各种装置。
如上所述,根据示范性实施例的加热器对待处理物体进行加热。同样,加热器包含用于对待处理物体进行加热的加热器块、连接到加热器块一侧的传热板以及设置在传热板与待处理物体之间、一侧连接到传热板而另一侧连接到待处理物体的金属板。这里,利用具有较好传热性能和柔性的石墨基材料、硅基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的至少一种材料制造传热板。同样,利用热膨胀系数与衬底或用于支撑待处理物体(即衬底)的基座的热膨胀系数相似的材料制造金属板。因此,根据示范性实施例,由加热器块产生的热量经由传热板均勻传递到金属板的整个表面。同样,金属板的热量迅速传递到设置在金属板上方的基座或衬底。因此,与相关技术相比,加热衬底的时间可能减少。同样,由于利用热膨胀系数与基座(其为待处理物体)或衬底的热膨胀系数相似的材料制造金属板,因此在金属板与基座之间或金属板与衬底之间的摩擦面上不会产生因热膨胀系数差而产生的颗粒。同样,由于金属板设置在传热板上方,因此可防止由传热板产生颗粒。虽然已参考特定实施例对支撑单元以及具有支撑单元的衬底处理设备进行描述, 但其并不限于此。因此,所属领域的技术人员将容易了解,可在不脱离由随附权利要求书界定的本发明的精神和范围的前提下对其作各种修改和变化。
权利要求
1.一种支撑单元,用于对待处理物体进行加热,所述支撑单元包括加热器块,其经配置以对所述待处理物体进行加热;传热板,其连接到所述加热器块的一侧;以及金属板,其设置在所述传热板与所述待处理物体之间,所述金属板的一侧连接到所述传热板且另一侧连接到所述待处理物体。
2.根据权利要求1所述的支撑单元,其进一步包括设置在所述金属板上的基座。
3.根据权利要求1所述的支撑单元,其中利用石墨基材料、硅基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的一者制造所述传热板。
4.根据权利要求1所述的支撑单元,其中利用钨、钼、铝、硅、钛、铬、锰、铁、钴、镍、铜、 锌、银、锡、钼、金、汞、铅、铀、钚以及包含前述材料中至少一者的合金中的一者制造所述金属板。
5.根据权利要求1所述的支撑单元,其进一步包括冷却块,连接到所述加热器块的另一侧以使得所述加热器块冷却。
6.一种衬底处理设备,用于处理待处理物体,所述衬底处理设备包括室部分,其经配置以提供内部空间;下部支撑单元,其设置在所述室部分内部以支撑下部衬底并对其进行加热;以及上部支撑单元,其经设置以对应于下部加热器从而支撑上部衬底并对其进行加热,其中,所述下部支撑单元以及所述上部支撑单元中的每一者均包括经配置以对所述待处理物体进行加热的加热器块、连接到所述加热器块一侧的传热板以及设置在所述传热板与所述待处理物体之间的金属板,所述金属板的一侧连接到所述传热板且另一侧连接到所述待处理物体。
7.根据权利要求6所述的衬底处理设备,其中利用石墨基材料、硅基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的一者制造所述传热板。
8.根据权利要求6所述的衬底处理设备,其进一步包括冷却块,连接到所述加热器块的另一侧以使得所述加热器块冷却。
全文摘要
本发明提供支撑单元及衬底处理设备。支撑单元包括提供用于对衬底进行加热的热量的加热器块、连接到加热器块一侧的传热板及设置在传热板与衬底之间的金属板,金属板的一侧连接到传热板且另一侧连接到待处理物体。这里,利用石墨基材料、硅基材料、丙烯酸基材料及尿烷基材料中的至少一者制造传热板。同样,利用热膨胀系数与陶瓷的热膨胀系数相似的材料制造金属板。因此,由加热器块产生的热量经由传热板均匀传递到金属板的整个表面。此外,金属板的热量迅速传递到设置在金属板上方的衬底。
文档编号H01L33/00GK102456599SQ20111033946
公开日2012年5月16日 申请日期2011年11月1日 优先权日2010年11月2日
发明者李亨根, 李镇焕 申请人:Ap系统股份有限公司
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