专利名称：具有发光元件的封装件及其制法的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种封装件及其制法，尤指一种具有发光元件的封装件及其制法。
背景技术：
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品在型态上趋于轻薄短小，在功能上则逐渐迈入高性能、高功能、高速度化的研发方向。请参阅第6，531，328号美国专利或图1，该图I为现有具有发光元件的封装件I的剖面示意图。该封装件I使用层叠式晶片堆叠(chip on chip, C0C)的方式或提供一单一片硅基材，于一硅基板10上利用蚀刻液进行湿蚀刻而形成一凹槽100及多个导通孔101， 该凹槽100具有一倾斜壁100a,且于该凹槽100的底部承载一发光晶片11，该发光晶片11 借由导线13电性连接至该导通孔101的端部，且于该凹槽100的倾斜壁IOOa上形成反射层14，其中，一般通过于倾斜壁IOOa上形成有以铝或银等对光反射率高材质以作为该反射层14。然而，现有封装件I中，借由湿蚀刻方式制作凹槽100，需考量该硅基板10中的硅晶格的化学晶格排列，以蚀出所需的倾斜壁IOOa(如倾斜角54. 74ο)而达到所需的发光反射效率；因此，若需蚀刻出其他较佳的倾斜壁IOOa角度，势必耗费更多时间、药液成本、及湿蚀刻设备成本,导致生产成本大幅提高。此外，现有封装件I中，借由凹槽100的倾斜角控制反射效率，容易因湿蚀刻工艺的倾斜误差，造成光激发效果不良，导致产品的可靠度下降。因此，如何避免上述现有技术的问题，简化工艺的流程并提升产品可靠度，实为当前所要解决的目标。
发明内容
为克服现有技术的缺失，本发明提供一种具有发光元件的封装件，其包括具有相对的第一表面与第二表面的晶片，该第一表面上设有多个电极垫；包覆该晶片，且外露该晶片的第二表面与电极垫的封装胶体；分别电性连接该些电极垫的多个导电凸块；设于该晶片的第二表面上的萤光层；以及设于该封装胶体上以包覆该萤光层的透光罩。依上述的封装件，该些导电凸块电性连接该些电极垫的方式繁多，例如该些导电凸块可直接设于该电极垫上、借由凸块底部金属层电性结合至该些电极垫上、借由介电保护层作布设、或可设于线路重布层上以借该线路重布层电性连接该些电极垫等，并无特别限制。此外，可依薄化需求，令该封装胶体与该些电极垫齐平。再者，该萤光层还可延伸设于该封装胶体的部分表面上，且该封装件可具有多个晶片，使该透光罩覆盖该些晶片上的萤光层，以形成不同实施例的样式。于另一实施例，本发明还提供一种具有发光元件的封装件，其包括基板；具有相对的第一表面与第二表面的晶片，该第一表面上设有多个电极垫；分别设于该些电极垫上的多个导电凸块，且该晶片借由该些导电凸块结合并电性连接至该基板上；设于该晶片的 第二表面上的萤光层；以及设于该基板及萤光层上的透光罩，以包覆该晶片。依上述的封装件，该萤光层还可设于该晶片的侧表面上，且该封装件也可具有多 个晶片，使该透光罩覆盖该些晶片上的萤光层，以形成不同实施例的样式。前述的两种封装件中，该些导电凸块的型式繁多，例如锡球或铜凸块等，可依需 求作设计，并无特别限制。为得到本发明的具有发光元件的封装件，本发明还提供该具有发光元件的封装件 的制法，包括提供一承载板及具有相对的第一表面与第二表面的晶片，该第一表面上设有 多个电极垫，且该晶片以其第二表面设于该承载板上；形成封装胶体于该承载板与该晶片 上，以包覆该晶片，且该封装胶体外露各该电极垫；形成多个导电凸块以分别电性连接该些 电极垫；移除该承载板，以外露该晶片的第二表面；形成萤光层于该晶片的第二表面上；以 及形成透光罩于该封装胶体及萤光层上。本发明还提供另一具有发光元件的封装件的制法，该方法主要包括先形成多个导 电凸块于该晶片的电极垫上，接着移除该承载板，以外露该晶片的第二表面，再借由该些导 电凸块将该晶片设于基板上，之后形成萤光层于该晶片的第二表面及/或侧面上；以及形 成透光罩于该基板及萤光层上，以包覆该晶片。其中，该导电凸块为锡球、具有凸块底部金 属层的锡球、或具有凸块底部金属层的铜凸块。由上可知，本发明的具有发光元件的封装件，主要借由在晶片上直接形成萤光层 与透光罩，并不需要将晶片置入凹槽中，所以无需如现有技术中以湿蚀刻硅基板形成凹槽， 因此，本发明的制法将更简易，可使生产成本大幅降低。此外，本发明的具有发光元件的封装件，借由萤光层与透光罩作为光发射调整结 构或聚光结构，而非使用凹槽的倾斜角控制反射效率，所以可避免现有技术的湿蚀刻工艺 的倾斜误差所造成反射不良的问题。
图1为现有具有发光元件的封装件的剖面示意图；图2A至图2F为本发明具有发光元件的封装件的第一实施例的制法的剖面示意 图，其中，图2C’及图2C”为图2C的其他实施例，图2E’为图2E的另一实施例；图3A至图3E为本发明具有发光元件的封装件的第二实施例的制法的剖面示意 图，其中，图3C’为图3C的另一实施例，图3D’为图3D的另一实施例；以及图4A至图4C为本发明具有发光元件的封装件的第三实施例的制法的剖面示意 图，其中，图4C’为图4C的另一实施例。主要组件符号说明1，2，2’，3，3’，4，4’封装件10硅基板100凹槽100a倾斜壁101导通孔11发光晶片
13导线
14反射层
20，30，40承载板
200，300，400离型层
21，21，，31，31，，41，41，曰日日/T
21a，31a，41a第一表面
21b，31b，41b第二表面
210,310,410电极垫
22,32封装胶体
220，230a，330a开口
23,33,43导电凸块
230,330凸块底部金属层
230’，330’介电保护层
231线路层
232导电盲孔
232a连接垫
24，24’，34，34’，44，44’萤光层
25，25’，35，35’，45，45’透光罩
26，36线路重布层
260,360增层介电层
261，26Γ，361，36Γ增层线路层
262,362增层导电盲孔
263,363电性连接垫
33a焊接材料
41c侦U表面
42基板
420,422线路
421导电通孔
5,6电路板
L预定切割线。
具体实施方式
以下借由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明
书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。 须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，所以不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“上层”、“下层”、“一”及“二”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。第一实施例请参阅图2A至图2F，其为本发明具有发光元件的封装件的第一实施例的制法的剖面示意图。如图2A所示，首先，提供一承载板20与置设于其上的多个晶片21 (图中仅呈现一晶片作说明)，该承载板20上设有离型层200，且该晶片21具有相对的第一表面21a与第二表面21b,该第一表面21a上设有多个电极垫210,并将该晶片21以其第二表面21b设于该承载板20的离型层200上。所述的承载板20也可借由可耐热胶材(图未示)黏着该晶片21，并非仅限用离型层200结合该晶片21，不仅不会发生残胶问题，且容易分离承载板20与后续制得的封装结构；此外，所述的晶片21为发光元件,例如发光二极体(Light-Emitting Diode, LED)或激光二极体(Laser Diode),但并不以此为限。如图2B所示，形成封装胶体22于该离型层200与该晶片21上，以包覆该晶片21， 且于该封装胶体22上形成多个开口 220，以对应外露各该电极垫210。此外，形成该封装胶体22的材质为高透光性、耐热及低形变材质,例如环氧树脂(epoxy molding compound, EMC)。如图2C、图2C’及图2C”所示，进行植设为锡球的导电凸块23工艺，可依需求设计不同型式，例如借由凸块底部金属层(under-bump metallization, UBM) 230结合锡球、或借由介电保护层230’布设并限制锡球置放位置，其中，该介电保护层230’可为防焊层或钝化层(Passivation layer)。此外,本发明因该封装胶体22具有开口 220,所以可于该封装胶体22的开口 220中制作线路以利于电极垫210导接。于图2C的实施例中，分别形成多个导电盲孔232于该开口 220中的电极垫210上， 以电性连接该些电极垫210，再借由电镀工艺以形成凸块底部金属层(UBM) 230于该些导电盲孔232的连接垫(land) 232a上，再将为锡球的导电凸块23植于该凸块底部金属层230 上。又，借由电镀工艺，可电镀出多种不同的复合金属凸块。于图2C’的实施例中，通过先形成线路层231于该封装胶体22上，且形成导电盲孔232于该开口 220中并电性连接该线路层231与电极垫210，再形成介电保护层230’于该封装胶体22与该线路层231上，且该介电保护层230’具有开口 230a，以外露该线路层 231的部分表面，使该些导电凸块23设于该介电保护层230’开口 230a中的线路层231上。另外，于图2C”的实施例中，先形成线路重布层(Redistribution layer, RDL) 26 于该封装胶体22与该线路层231上，再形成该些导电凸块23。该线路重布层26具有至少一增层介电层260、设于该增层介电层260上的增层线路层261、及设于该增层介电层260 中并电性连接该增层线路层261与电极垫210的增层导电盲孔262。该线路重布层26的层数可依需求而定，并无特别限制，而于本实施例中，最外层的增层线路层261’具有电性连接垫263,以借由凸块底部金属层230电性结合该些导电凸块23。如图2D所示，其为接续图2C的工艺，剥离该离型层200，以移除该承载板20，且外露该晶片21的第二表面21b。如图2E所示，借由涂布或喷涂法形成萤光层24于该晶片21的第二表面21b，也可
9延伸至该封装胶体22的部分表面上，接着，形成材质例如为硅树脂的透光罩25于该封装胶体22及萤光层24上，再沿预定切割线L进行切单工艺，以完成所述的封装件2。于本实施例中，该透光罩25为透镜(Lens)，以提供所需的发光反射效率，或改变光型的用。此外，如图2E’所示，于形成该透光罩25’时，可令该透光罩25’覆盖于两个晶片 21’上的萤光层24’，基于产品需求，以于切单工艺后，令单一封装件2’具有两个晶片21’， 其中，该多个晶片型的封装模组不限于两个，也可三个、四个、多个等为一组，依实际需求进行切单。如图2F所示，于后续工艺中，可将该封装件2以该些导电凸块23结合至一电路板 5上，以完成终端产品的应用。第二实施例请参阅图3A至图3E，其为本发明的第二实施例的制法。第二实施例与第一实施例的差异在于封装胶体32的高度、导电凸块33的结构及电性连接方式等，其他相关工艺均大致相同，所以不再赘述。如图3A所示，其为接续图2A的工艺，于形成封装胶体32时，令该封装胶体32与该第一表面31a上的电极垫310齐平，以外露各该电极垫310。如图3B所示，形成线路重布层36 (RDL)于该封装胶体32与该些电极垫310上，该线路重布层36具有至少一增层介电层360、设于该增层介电层360上的增层线路层361、及设于该增层介电层360中并电性连接该增层线路层361与电极垫310的增层导电盲孔362。如图3C所示，再制作一层线路重布层36，该线路重布层36的层数可依需求而定， 并无特别限制，而最外层的增层线路层361’具有电性连接垫363。接着，分别形成凸块底部金属层(UBM) 330于该电性连接垫363上，再形成多个导电凸块33于该凸块底部金属层 330上。于本实施例中，该些导电凸块33为表面具有焊接材料33a的铜凸块。此外，于其他实施实施例中，该些导电凸块33可借由凸块底部金属层(UBM) 330结合至该些电极垫310上，而无需形成线路重布层36。也或，如图3C’所示，先形成介电保护层330’于该封装胶体32与该些电极垫310 上，该介电保护层330’具有外露该电极垫310的开口 330a，再将该导电凸块33植于该开口 330a中的电极垫310上。如图3D所示，剥离离型层300以移除该承载板30，接着，形成萤光层34于该晶片 31的第二表面31b与封装胶体32的部分表面上，再形成透光罩35于该封装胶体32及萤光层34上，最后沿预定切割线L进行切单工艺，以形成另一种封装件3。此外，如图3D’所示，于形成该透光罩35’时，也可令该透光罩35’覆盖于两个晶片31’上的萤光层34’，以于切单工艺后，单一封装件3’中具有两个晶片31’。如图3E所示，于后续工艺中，也可将该封装件3以该些导电凸块33结合至电路板 6上。因此，本发明借由嵌埋式晶圆级封装EWLP (Embedded Wafer Level Package)技术，将该晶片21，31嵌埋于该封装胶体22，32中，而非现有需使用蚀刻液形成凹槽及反射面的工艺，所以可简化工艺，且大幅降低制作流程及成本。此外，本发明的制法因工艺简化，使其单位时间的生产效率(Unit per hour，UPH) 较现有技术的UPH值大。
第三实施例请参阅图4A至图4C，其为本发明的第三实施例的制法。第三实施例与前述两种实施例的差异在于未以封装胶体包覆晶片41、导电凸块43的结构及电性连接方式等，其他相同工艺即不再赘述。如图4A所示，其为接续图2A的工艺，分别形成多个导电凸块43于该晶片41的第一表面41a上的电极垫410上；于本实施例中，以网版涂布的方式形成该些导电凸块43,其中该些导电凸块43为锡球。如图4B所示，剥离离型层400以移除该承载板40，且外露该晶片41的第二表面 41b ;接着，借由该些导电凸块43将该晶片41设于具线路420，422与导电通孔421的基板 42上，且该些导电凸块43电性连接该上层线路420。如图4C所示，可借由喷涂法形成萤光层44于该晶片41的第二表面41b与侧表面 41c上，再形成透光罩45于该基板42及萤光层44上，以形成另一种封装件4。此外，如图4C’所示，于该基板42上可设置多个晶片41’，且该透光罩45’覆盖该些晶片41’上的萤光层44’，使单一封装件4’中具有两个晶片41’。再者，于后续工艺中，也可于该封装件4的基板42的下层线路422上形成焊球(图未示)，以结合至电路板(图未示)上。于第三实施例中，因未形成封装胶体，所以可不需进行封装结构切单工艺，也即可依需求设计基板42上的晶片数量，以增加产品应用范围。综上所述，本发明的具有发光元件的封装件及其制法，借由在晶片上形成萤光层与透光罩，并不需要将晶片置入硅基板的凹槽中，以避免进行湿蚀刻工艺，所以有效降低生产成本。此外，本发明借由萤光层与透光罩作为反射结构，而非使用凹槽的倾斜角控制反射效率，所以有效克服反射不良的问题，以达到提高产品的可靠度的目的。上述实施例仅用以例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。
1权利要求
1.一种具有发光元件的封装件，其包括晶片，其具有相对的第一表面与第二表面，该第一表面上设有多个电极垫；封装胶体，其包覆该晶片，且外露出该晶片的第二表面与电极垫，而令该晶片的第二表面与该封装胶体的表面齐平；多个导电凸块，其分别电性连接该些电极垫；萤光层，其设于该晶片的第二表面上；以及透光罩，其设于该封装胶体上以包覆该萤光层。
2.根据权利要求I所述的具有发光元件的封装件，其特征在于，该些导电凸块借由凸块底部金属层电性结合至该些电极垫上。
3.根据权利要求I所述的具有发光元件的封装件，其特征在于，该封装件还包括介电保护层，其设于该封装胶体上，该介电保护层具有对应该电极垫的开口，使该些导电凸块设于该开口中并电性连接该些电极垫。
4.根据权利要求I所述的具有发光元件的封装件，其特征在于，该封装件还包括导电盲孔，其设于该封装胶体中并电性连接该些电极垫，且该些导电凸块借由凸块底部金属层电性结合至该导电盲孔的端部上。
5.根据权利要求I所述的具有发光元件的封装件，其特征在于，该封装件还包括设于该封装胶体上的线路层、设于该封装胶体中并电性连接该线路层与电极垫的导电盲孔、及设于该封装胶体与该线路层上的介电保护层，该介电保护层具有开口，以外露该线路层的部分表面，使该些导电凸块设于该开口中的线路层上。
6.根据权利要求I所述的具有发光元件的封装件，其特征在于，该封装件还包括设于该封装胶体上的线路层、设于该封装胶体中并电性连接该线路层与电极垫的导电盲孔、及设于该封装胶体与该线路层上的线路重布层，该线路重布层具有至少一增层介电层、设于该增层介电层上的增层线路层、及设于该增层介电层中并电性连接该增层线路层与线路层的增层导电盲孔，且该最外层的增层线路层具有多个电性连接垫，以借由凸块底部金属层电性结合该些导电凸块。
7.根据权利要求I所述的具有发光元件的封装件，其特征在于，该封装胶体的表面与该些电极垫齐平。
8.根据权利要求7所述的具有发光元件的封装件，其特征在于，该封装件还包括线路重布层，其设于该封装胶体与该些电极垫上，且具有至少一增层介电层、设于该增层介电层上的增层线路层、及设于该增层介电层中并电性连接该增层线路层与电极垫的增层导电盲孔，且该最外层的增层线路层具有多个电性连接垫，以借由凸块底部金属层电性结合该些导电凸块。
9.根据权利要求7所述的具有发光元件的封装件，其特征在于，该封装件还包括线路重布层，其设于该封装胶体与该些电极垫上，且具有至少一增层介电层、设于该增层介电层上的增层线路层、设于该增层介电层中并电性连接该增层线路层与电极垫的增层导电盲孔、及设于该最外层的增层介电层上的介电保护层，该介电保护层具有开口，以外露该最外层的增层线路层的部分表面，使该些导电凸块设于该开口中的线路层上。
10.根据权利要求I所述的具有发光元件的封装件，其特征在于，该些导电凸块为锡球、或表面具有焊接材料的铜凸块。
11.根据权利要求I所述的具有发光元件的封装件，其特征在于，该萤光层还设于该封装胶体的部分表面上。
12.根据权利要求I所述的具有发光元件的封装件，其特征在于，该封装件具有多个该晶片，且该透光罩覆盖该些晶片上的萤光层。
13.根据权利要求I所述的具有发光元件的封装件，其特征在于，该封装件还包括电路板，且该晶片借由该些导电凸块设于电路板上。
14.一种具有发光元件的封装件，其包括基板；晶片，其具有相对的第一表面与第二表面，该第一表面上设有多个电极垫；多个导电凸块，其分别设于该些电极垫上，以令该晶片借由该些导电凸块结合并电性连接至该基板上；萤光层，其设于该晶片的第二表面上；以及透光罩，其设于该基板及萤光层上，以包覆该晶片。
15.根据权利要求14所述的具有发光元件的封装件，其特征在于，该些导电凸块为锡球、具有凸块底部金属层的锡球、或具有凸块底部金属层的铜凸块。
16.根据权利要求14所述的具有发光元件的封装件，其特征在于，该萤光层还设于该晶片的侧表面上。
17.根据权利要求14所述的具有发光元件的封装件，其特征在于，该封装件具有多个该晶片，该透光罩覆盖该些晶片上的萤光层。
18.一种具有发光元件的封装件的制法，其包括提供一承载板及具有相对的第一表面与第二表面的晶片，且该晶片的该第一表面上设有多个电极垫，并以其第二表面设于该承载板上；形成封装胶体于该承载板与该晶片上，以包覆该晶片，且该封装胶体外露各该电极垫；形成多个导电凸块以分别电性连接该些电极垫；移除该承载板，以外露该晶片的第二表面；形成萤光层于该晶片的第二表面上；以及形成透光罩于该封装胶体及萤光层上。
19.根据权利要求18所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该承载板与该晶片的第二表面之间还具有一离型层，以利于移除该承载板。
20.根据权利要求18所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该些导电凸块借由凸块底部金属层电性结合至该些电极垫上。
21.根据权利要求18所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成该导电凸块之前，形成介电保护层于该封装胶体上，该介电保护层具有对应该电极垫的开口，以使该些导电凸块设于该开口中的电极垫上。
22.根据权利要求18所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该封装胶体具有多个开口，以对应外露各该电极垫。
23.根据权利要求22所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成导电盲孔于该开口中，以电性连接该些电极垫，且该些导电凸块借由凸块底部金属层电性结合至该导电盲孔的端部上。
24.根据权利要求22所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成线路层于该封装胶体上，且形成导电盲孔于该开口中并电性连接该线路层与电极垫，再形成介电保护层于该封装胶体与该线路层上，该介电保护层具有开口以外露该线路层的部分表面，使该些导电凸块设于该开口中的线路层上。
25.根据权利要求22所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该制法包括形成线路层于该封装胶体上，且形成导电盲孔于该开口中并电性连接该线路层与电极垫， 再形成线路重布层于该封装胶体与该线路层上，该线路重布层具有至少一增层介电层、设于该增层介电层上的增层线路层、及设于该增层介电层中并电性连接该增层线路层与线路层的增层导电盲孔，且该最外层的增层线路层具有多个电性连接垫，以借由凸块底部金属层电性结合该些导电凸块。
26.根据权利要求18所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该封装胶体的表面与该些电极垫齐平。
27.根据权利要求26所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成该些导电凸块之前，形成线路重布层于该封装胶体与该些电极垫上，且该线路重布层具有至少一增层介电层、设于该增层介电层上的增层线路层、及设于该增层介电层中并电性连接该增层线路层与电极垫的增层导电盲孔，且该最外层的增层线路层具有多个电性连接垫，以借由凸块底部金属层电性结合该些导电凸块。
28.根据权利要求26所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成该些导电凸块之前，形成线路重布层于该封装胶体与该些电极垫上，且该线路重布层具有至少一增层介电层、设于该增层介电层上的增层线路层、设于该增层介电层中并电性连接该增层线路层与电极垫的增层导电盲孔、及设于该最外层的增层介电层上的介电保护层，该介电保护层具有开口，以外露该最外层的线路层的部分表面，使该些导电凸块设于该开口中的线路层上。
29.根据权利要求18所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该些导电凸块为锡球、或表面具有焊接材料的铜凸块。
30.根据权利要求18所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该萤光层还形成于该封装胶体的部分表面上。
31.根据权利要求18所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，提供多个该晶片，且该透光罩覆盖该些晶片上的萤光层。
32.根据权利要求18所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于形成该透光罩之后，进行切单工艺。
33.根据权利要求18所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于形成该透光罩之后，将该些导电凸块结合至电路板上。
34.一种具有发光元件的封装件的制法，其包括提供一承载板及具有相对的第一表面与第二表面的晶片，该第一表面上设有多个电极垫，且该晶片以其第二表面设于该承载板上；形成多个导电凸块于该些电极垫上；移除该承载板，以外露该晶片的第二表面；借由该些导电凸块将该晶片设于基板上；形成萤光层于该晶片的第二表面上；以及形成透光罩于该基板及萤光层上，以包覆该晶片。
35.根据权利要求34所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该承载板与该晶片的第二表面之间还具有一离型层，以利于移除该承载板。
36.根据权利要求34所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该些导电凸块为锡球、具有凸块底部金属层的锡球、或具有凸块底部金属层的铜凸块。
37.根据权利要求34所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该萤光层还形成于该晶片的侧表面上。
38.根据权利要求34所述的具有发光元件的封装件的制法，其特征在于，该基板上设有多个该晶片，且该透光罩覆盖该些晶片上的萤光层。
全文摘要
一种具有发光元件的封装件及其制法，该封装件包括可被封装胶体包覆的晶片，该晶片的第一表面上方设有导电凸块以供接置电路板，相对于第一表面的第二表面上形成有萤光层，该封装件还包括覆盖该萤光层的透光罩。本发明借由在晶片上直接形成萤光层与透光罩，而不需要将晶片置入基板的凹槽中，可免除进行湿蚀刻凹槽的工艺，以有效降低生产成本。
文档编号H01L33/62GK102610597SQ20111036512
公开日2012年7月25日 申请日期2011年11月17日 优先权日2011年1月18日
发明者李文豪, 陈贤文, 马光华 申请人:矽品精密工业股份有限公司