专利名称：沉积掩模的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种沉积掩模，更具体地讲，涉及一种在制造显示装置的过程中使用的沉积掩模。
背景技术：
电致发光元件作为自发光显示元件，由于它们宽的视角、高的对比度以及高的响应速度而作为下一代显示元件备受关注。
根据形成发光层的材料，这些电致发光元件被分为无机电致发光元件和有机电致发光元件。有机电致发光元件具有比无机电致发光元件高的亮度和响应速度，并且能够显示彩色图像。由于这些优点，正在积极开发有机电致发光元件。通过各种沉积工艺来制造采用有机电致发光元件的显示装置，并且在制造工艺的一部分中米用沉积掩模。沉积掩模包括掩模框架和掩模片。通过将分开的或未分开的掩模片拉紧并且固定到掩模框架上来制造沉积掩模。例如，可以通过将掩模框架的固定区域焊接到掩模片来将掩模框架和掩模片彼此固定。然而，在这种情况下，虽然掩模框架的除了固定区域之外的区域与掩模片彼此非常靠近，但是掩模框架的除了固定区域之外的区域通常不完全地附于掩模片。因此，如果杂质被引入到掩模框架的这些区域与掩模片之间的空间中，则可能在沉积掩模和基底之间形成间隙。所述间隙会阻碍图案的精确沉积并且产生由于掩模缺陷导致的阴影。
发明内容
本发明提供了一种沉积掩模，其中，可以从所述沉积掩模容易地去除杂质。然而，本发明的方面不限于这里提出的方面。通过参照下面给出的对本发明的详细描述，本发明的以上和其它方面对于本发明所属领域的普通技术人员来说将变得更加清
/E. o根据本发明的一方面，一种沉积掩模包括掩模框架，具有限定在所述掩模框架的中心的开放窗口，并且包括形成在所述掩模框架的外表面中的第一开口和第二开口以及形成在所述掩模框架中的用于将第一开口空间连接到第二开口的第一连接通道；掩模片，放置在所述掩模框架上，其中，所述掩模框架的表面面对掩模片并且包括固定到掩模片的固定区域，第一开口位于所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的区域中。根据本发明的另一方面，一种沉积掩模包括掩模框架，具有限定在所述掩模框架的中心的开放窗口，并且所述掩模框架包括形成在所述掩模框架的外表面中的第一开口和第二开口以及形成在所述掩模框架中用于将第一开口空间连接到第二开口的第一连接通道；掩模片，放置在所述掩模框架上，其中，所述掩模框架的表面包括第一表面、第二表面以及连接第一表面和第二表面的台阶表面，其中，第一表面和第二表面面对所述掩模片，第一表面包括固定到所述掩模片的固定区域，第一开口位于所述台阶表面中。
通过参照下面的结合附图考虑时的详细描述，对本发明的更完整的理解以及本发明的许多附加优点将变得更加清楚以及更好理解，在附图中，相同的标号始终表示相同或相似的组件，其中图I是根据本发明示例性实施例的沉积掩模的分解透视图；图2是图I中示出的沉积掩模的平面图；图3是沿着图2中的线III-III截取的剖视图； 图4是用于解释清洁图3中示出的沉积掩模的方法的剖视图；图5和图6是根据本发明其它示例性实施例的沉积掩模的剖视图；图7至图9是根据本发明其它示例性实施例的沉积掩模的剖视图；图10是根据本发明又一不例性实施例的沉积掩模的剖视图；图11是用于解释清洁图10中示出的沉积掩模的方法的剖视图；图12和图13是根据本发明其它示例性实施例的沉积掩模的剖视图；图14是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图；图15是用于解释清洁图14中示出的沉积掩模的方法的剖视图；图16是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图；图17是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图；图18是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的分解透视图；图19是图18中示出的沉积掩模的平面图。
具体实施例方式现在将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的优选实施例。然而，本发明可以以不同的形式实施，而不应该被解释为限于这里提出的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的范围充分传达给本领域技术人员。在整个说明书中，相同的标号表示相同的组件。在附图中，为了清晰起见，夸大了层和区域的厚度。还将理解的是，当层被称作“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接位于所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。图I是根据本发明示例性实施例的沉积掩模的分解透视图，图2是图I中示出的沉积掩模的平面图。参照图I和图2，沉积掩模包括掩模框架110和掩模片120。掩模框架110可以为在其中心具有开放窗口 111的框架。例如，如图I中所示,掩模框架110可以成型为类似中空的六棱柱。
如图I中所示，掩模片120放置在掩模框架110上。掩模片120可以被分为多个单元掩模片121。单元掩模片121可以彼此相邻地布置。然而，本发明不限于此，单元掩模片121中的每两个相邻的单元掩模片121可以分开预定间隙。如图2中所示，每个单元掩模片121可以包括多个掩模图案。掩模图案可以为多个开口部分122。开口部分122可以按照矩阵形式布置在每个单元掩模片121中。可选地，开口部分122可以线性地布置在每个单元掩模片121中。即使当开口部分122线性地布置在每个单元掩模片121中时，如果单元掩模片121彼此相邻地布置，则整个开口部分122也可以看起来按照矩阵形式布置，如图I中所示。在一些实施例中，当掩模片120用来形成有机发光元件的有机膜时，每个开口部分122可以对应于有机发光元件的每个像素。掩模框架110的外表面中的至少一个(例如，图I中示出的掩模框架110的顶表面)包括固定区域115。固定区域115位于掩模框架110的外围部分中。当掩模框架110的顶表面是多边形时，固定区域115可以形成在多边形的至少一条边上。在图I和图2中，掩模框架110的顶表面是正方形，并且固定区域115形成在正方形的两条面对的边上。然 而，本发明不限于此，固定区域115也可以形成在正方形的一条边、三条边或者全部四条边上。固定构件130形成在每个固定区域115中。固定构件130置于掩模框架110和掩模片120之间，并且将它们彼此固定。固定构件130可以包括例如焊接件。例如，在掩模框架110的每个固定区域115中限定多个焊点，并且在焊点处分别放置待焊接的材料。然后，将掩模片120放置在所述材料上方。在这种情况下，如果执行焊接，则所述材料变为焊接件，并且焊接件作为将掩模框架110和掩模片120彼此固定的固定构件130。图2中示出的焊接件为线性布置的点的形状。然而，焊接件也可以形成为连续的线。单兀掩模片121的开口部分122设置在掩模框架110的开放窗口 111内。掩模框架110包括形成在其外表面中的第一开口 112和第二开口 180。每个第一开口 112可以通过至少一个连接通道140空间连接到对应的第二开口 180，现在将参照图3以及图I和图2更详细地描述连接通道140。图3是沿着图2中的线III-III截取的剖视图。参照图I至图3，第一开口 112和第二开口 180被限定为掩模框架110的开放表面，第一开口 112和第二开口 180中的每个分别作为至少一个连接通道的起点。连接通道140穿透掩模框架110。每个第一开口 112通过至少一个连接通道140物理连接并空间连接到对应的第二开口 180。第一开口 112和/或第二开口 180位于掩模框架110的外表面中的面对掩模片120的表面中。在图3中，第一开口 112位于掩模框架110的面对掩模片120的顶表面114中。第一开口 112位于固定区域115的靠近窗口 111的侧部(在下文中称作窗口侧)上。尽管第一开口 112比固定区域115靠近窗口 111，但是第一开口 112设置为与其中放置有掩模片120的开口部分122的窗口 111相对。因此，第一开口 112可以设置在外围部分中，而不是掩模片110的开口部分122中。第二开口 180可以位于掩模框架110的外表面中的除了具有第一开口 112的顶表面114之外的表面中。例如，如图3中所示，第二开口 180可以形成在掩模框架110的外侧表面118中。由于每个第一开口 112通过第一连接通道140空间连接到对应的第二开口180，所以面对并接触掩模片120的每个第一开口 112通过第一连接通道140和对应的第二开口 180空间连接到掩模框架110的外部。可以使用第一开口 112、第一连接通道140和第二开口 180来清洁掩模框架110的面对并接触掩模片120的表面中的比固定区域115靠近窗口 111的区域116。更具体地讲，掩模框架110的顶表面114放置为面对掩模片120，并且通过每个固定区域115中的焊接件(即，固定构件130)固定到掩模片120。因此，掩模框架110的顶表面114与掩模片120彼此非常近地设置。然而，尽管顶表面114和掩模片120通过固定区域115中的焊接件彼此完全贴合，但是它们在固定区域115之外的区域中没有如此贴合。因此，在固定区域115之外的区域中，在掩模框架110的顶表面114和掩模片120之间会形成间隙。如果杂质150引入到所述间隙中，则会需要清洁工艺来去除杂质150。关于这一点，沿着从顶表面114的位于固定区域115的窗口侧上的区域116朝向顶表面114的位于 固定区域115的与窗口侧相对侧上的区域117的方向执行清洁工艺可能是不容易的。这是因为区域116与区域117被焊接件(即，固定构件130)空间分开，或者从顶表面114的区域117向窗口 111的通道被焊接件部分地阻挡。掩模框架110的顶表面114面对并接触掩模片120,第一开口 112位于顶表面114的位于固定区域115的窗口侧上的区域116中。因此，位于固定区域115的窗口侧上的区域116通过第一开口 112空间连接到掩模框架110的外侧表面118中的暴露的第二开口 180。在这种结构中，清洁溶液或者处理气体可以从每个第二开口 180经过第一连接通道140提供到对应的第一开口 112。因此，可以容易地去除位于顶表面114的比固定区域115靠近窗口 111的区域116中的杂质150。图4是用于解释清洁图3中示出的沉积掩模的方法的剖视图。参照图4，可以在多个清洁槽160中清洁沉积掩模。当从清洁槽160中取出沉积掩模时，可以通过沉积掩模的每个第二开口 180和第一连接通道140向每个第一开口 112提供清洁溶液161，如图4中的箭头所示。在清洁工艺之后，一些清洁溶液161会保留在掩模框架110和单元掩模片121之间。在一些实施例中，第一连接通道140可以便于在清洁工艺之后可能保留在单元掩模片121和掩模框架110之间的清洁溶液161的蒸发。在一些其它实施例中，可以向第一连接通道140中注入适当的清洁气体，以去除清洁溶液161或杂质。注入到第一连接通道140中的清洁气体可以是干燥空气或者氮气。图5是根据本发明另一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。 参照图5，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图3的前面的示例性实施例的沉积掩模的区别在于第二开口 181形成在掩模框架190的外表面中的掩模框架190的底表面119中。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图3的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于第一连接通道141将每个第一开口 112空间连接到对应的第二开口 181。在图5中，掩模框架190的底表面119与掩模框架190的顶表面114相对，并且与掩模框架190的外侧表面118相接。在图5中，尽管第二开口 181形成在掩模框架190的底表面119中，但是由于第一开口 112位于顶表面114的位于固定区域115的窗口侧上的区域116中，所以位于固定区域115的窗口侧上的区域116空间连接到掩模框架190的暴露的底表面119。因此，从每个第二开口 181延伸到对应的第一开口 112的第一连接通道141可以用作清洁溶液或者处理气体的通道，因此可以容易地去除杂质150等。图6是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。参照图6，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图3的前面的示例性实施例的沉积掩模的区别在于第二开口 182形成在掩模框架191的表面114的位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117中。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图3中的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于第一连接通道142将每个第一开口112空间连接到对应的第二开口 182。第一连接通道142的剖面可以为弯曲的形状或者可以具有通过将沿着不同方向延伸的两条或更多条线或曲线连接而形成的形状。在图6中，尽管第二开口 182形成在表面114的位于固定区域151的与开放窗口相对的侧部上的区域117中，但是由于第一开口 112位于表面114的位于固定区域115的 窗口侧的区域116中，所以位于固定区域115的窗口侧上的区域116空间连接到位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117。因此，从每个第二开口 182延伸到对应的第一开口 112的第一连接通道142可以用作清洁溶液或者处理气体的通道，从而可以容易地去除杂质150等。图7是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。参照图7，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图3的前面的示例性实施例的沉积掩模的区别在于沿着第一连接通道143延伸的方向，第一连接通道143的竖直剖面的面积保持不变或者从每个第一开口 112朝向对应的第二开口 183增加(如标号170所示)；以及单元掩模片121和掩模框架192的第一开口 112之间的距离小于单元掩模片121与表面114的位于固定区域115的窗口侧上的端部之间的距离。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图3的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于“第一连接通道142将每个第一开口 112空间连接到对应的第二开口 183。在当前示例性实施例中，通过其提供清洁溶液的第一连接通道143的面积增加，以更容易地去除杂质150。更具体地讲，当通过第二开口 183提供清洁溶液时，更大量的清洁溶液可以穿过第二开口 183。当通过第二开口 183去除杂质150时，更多杂质150可以穿过第二开口 183。另外，当通过单元掩模片121和表面114的位于固定区域115的窗口侧上的端部之间的空间提供清洁溶液时，更大量的清洁溶液可以穿过所述空间，并且更大量的杂质150可以通过所述空间。因此，可以更容易地去除位于掩模框架192和单元掩模片121之间的杂质150。图8是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。参照图8，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图7的前面的示例性实施例的沉积掩模的区别在于第二开口 184形成在掩模框架193的外表面中的掩模框架193的底表面119中。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图7的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于第一连接通道144将每个第一开口 112空间连接到对应的第二开口 184 ;沿着第一连接通道144延伸的方向，掩模框架193的第一连接通道144的竖直剖面的面积保持不变或者从每个第一开口 112朝向对应的第二开口 184增加(如标号171所示)；以及单元掩模片121与掩模框架193的第一开口 112之间的距离小于单元掩模片121与顶表面114的位于固定区域115的窗口侧上的端部之间的距离。在图8中，掩模框架193的底表面119与掩模框架193的顶表面114相对，并且与掩模框架193的外侧表面118相接。在图8中，尽管第二开口 184形成在掩模框架193的底表面119中，但是由于第一开口 112位于顶表面114的位于固定区域115的窗口侧上的区域116中，所以位于固定区域115的窗口侧上的区域116空间连接到掩模框架190的暴露的底表面119。另外，可以增加清洁溶液和/或杂质150所穿过的第一连接通道144的面积。因此，更大量的清洁溶液可以穿过第一连接通道144，并且可以更容易地去除杂质150。图9是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。参照图9，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图7的前面的示例性实施例的沉积掩模的区别在于第二开口 185形成在掩模框架194的表面114的位于固定区域115 的与开放窗口相对的侧部上的区域117中。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图7的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于第一连接通道145将每个第一开口112空间连接到对应的第二开口 185 ;沿着第一连接通道145延伸的方向，掩模框架194的第一连接通道145的竖直剖面的面积保持不变或者从每个第一开口 112朝向对应的第二开口 185增加(如标号172所示)；单元掩模片121与掩模框架194的第一开口 112之间的距离小于单元掩模片121与表面114的位于固定区域115的窗口侧上的端部之间的距离。在图9中，尽管第二开口 185形成在掩模框架194的表面114的位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117中，但是由于第一开口 112位于掩模框架194的面对并接触掩模片120的表面114中的位于固定区域115的窗口侧上的区域116中,所以位于固定区域115的窗口侧上的区域116空间连接到位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117。另外，可以增加清洁溶液和/或杂质150所穿过的第一连接通道145的面积。因此，更大量的清洁溶液可以穿过第一连接通道145，并且可以更容易地去除杂质150。图10是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。参照图10，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图5的前面的示例性实施例的沉积掩模的区别在于掩模框架195还包括形成在掩模框架195的外表面中的第三开口186，以及形成在掩模框架195的内部并且将每个第三开口 186空间连接到第一连接通道141的第二连接通道146。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图5的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于第一连接通道141将每个第一开口 112空间连接到对应的第二开口 181。每个第三开口 186被限定为掩模框架195的开放表面，并且作为至少一个连接通道的起点。连接通道穿透掩模框架195。每个第三开口 186物理连接并且空间连接到第一连接通道141。第三开口 186可以位于掩模框架195的除了具有第一开口 112的顶表面114之外的表面中。例如，如图10中所示，第三开口 186可以形成在掩模框架195的外侧表面118中。由于每个第三开口 186通过第二连接通道146空间连接到第一连接通道141，所以面对并接触掩模片120的每个第一开口 112通过第一连接通道141和对应的第二开口 181以及通过第二连接通道146和对应的第三开口 186空间连接到掩模框架195的外部。图11是用于解释清洁图10中示出的沉积掩模的方法的剖视图。
参照图11，可以在多个清洁槽160中清洁沉积掩模。当从清洁槽160中取出沉积掩模时，清洁溶液161可以分别穿过沉积掩模的第一连接通道141和第二连接通道146，如图11中所示。连接到每个第三开口 186的第二连接通道146可以用作向第一连接通道141提供另外的清洁溶液以及排放杂质150的附加通道。更具体地讲，在清洁工艺过程中，可以通过对应的第二开口 181以及连接到对应的第二开口 181的第一连接通道141提供穿过位于掩模框架195的面对掩模片120的顶表面114中的每个第一开口 112的清洁溶液，并且可以通过对应的第三开口 186以及连接到对应的第三开口 186的第二连接通道146提供穿过位于掩模框架195的面对掩模片120的顶表面114中的每个第一开口 112的清洁溶液。因此，更大量的清洁溶液可以穿过每个第一开口 112。另外，可以通过对应的第二开口 181经由第一连接通道141以及通过对应的第三开口 186经由第二连接通道146排放穿过每个第一开口 112的杂质150。因此，可以更容易地去除杂质150。图12是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。 参照图12，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图10的前面的示例性实施例的沉积掩模的不同之处在于第二开口 182形成在掩模框架196的表面114的位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117中；以及第三开口 187形成在掩模框架196的外侧表面118中。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图10的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于第一连接通道142将每个第一开口 112空间连接到对应的第二开口 182 ;以及第二连接通道147将每个第三开口 187空间连接到第一连接通道142。在图12中，尽管掩模框架196的形成有第二开口 182和第三开口 187的表面与图10中的掩模框架195的形成有第二开口 181和第三开口 186的表面不同，但是连接到每个第三开口 187的第二连接通道147可以用作向第一连接通道142提供另外的清洁溶液以及排放杂质150的附加通道。因此，更大量的清洁溶液可以穿过每个第一开口 112，并且穿过每个第一开口 112的杂质150可以通过第一连接通道142和第二连接通道147两者排出。因此，可以更容易地去除杂质150。图13是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。参照图13，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图10的前面的示例性实施例的沉积掩模的不同之处在于第二开口 182形成在掩模框架197的表面114的位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117中；以及第三开口 188形成在掩模框架197的底表面119中。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图10的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于第一连接通道142将每个第一开口 112空间连接到对应的第二开口 182 ;以及第二连接通道148将每个第三开口 188空间连接到第一连接通道142。在图13中，尽管掩模框架197的形成有第二开口 182和第三开口 188的表面与图10中的掩模框架195的形成有第二开口 181和第三开口 186的表面不同，但是连接到每个第三开口 188的第二连接通道148可以用作向第一连接通道142提供另外的清洁溶液以及排放杂质150的附加通道。因此，更大量的清洁溶液可以通过每个第一开口 112，并且穿过每个第一开口 112的杂质150可以通过第一连接通道142和第二连接通道148两者排放。因此，可以更容易地去除杂质150。图14是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。
参照图14，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图12的前面的示例性实施例的沉积掩模的不同之处在于掩模框架198还包括形成在掩模框架198的外表面中的第四开口 189，以及形成在掩模框架198的内部并且将每个第四开口 189空间连接到第一连接通道142的第三连接通道149。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图12的前面的示例性实施的沉积掩模的相同之处在于第一连接通道142将每个第一开口 112空间连接到对应的第二开口 182 ;以及第二连接通道147将每个第三开口 187连接到第一连接通道142。每个第四开口 189被限定为掩模框架198的开放表面，并且作为至少一个连接通道的起点。第三连接通道149穿透掩模框架198。每个第四开口 189物理连接并且空间连接到第一连接通道142。第四开口 189可以位于掩模框架198的除了具有第一开口 112的顶表面114之外的表面中。例如，如图14中所示，第四开口 189可以形成在掩模框架198的底表面119中。掩模框架198的底表面119与掩模框架198的顶表面114相对，并且与掩模框架198的外 侧表面118相接。由于每个第四开口 189通过第三连接通道149空间连接到第一连接通道142，面对并接触掩模片120的每个第一开口 112通过第一连接通道142和对应的第二开口 182、第二连接通道147和对应的第三开口 187、第三连接通道149和对应的第四开口 189空间连接到掩模框架198的外部。图15是用于解释清洁图14中示出的沉积掩模的方法的剖视图。参照图15，可以在多个清洁槽160中清洁沉积掩模。当从清洁槽160中取出沉积掩模时，清洁溶液161可以分别穿过沉积掩模的第一连接通道142、第二连接通道147和第三连接通道149，如图15中的箭头所示。连接到每个第四开口 189的第三连接通道149可以用作向第一连接通道142提供另外的清洁溶液并且排放杂质150的附加通道。更具体地讲，在清洁工艺过程中，可以通过对应的第二开口 182和连接到对应的第二开口 182的第一连接通道142提供穿过掩模框架198的面对掩模片120的顶表面114中的每个第一开口 112的清洁溶液，可以通过对应的第三开口 187和连接到对应的第三开口 187的第二连接通道147提供穿过掩模框架198的面对掩模片120的顶表面114中的每个第一开口 112的清洁溶液，以及可以通过对应的第四开口 189和连接到对应的第四开口 189的第三连接通道149提供穿过掩模框架198的面对掩模片120的顶表面114中的每个第一开口 112的清洁溶液。因此，更大量的清洁溶液可以通过每个第一开口 112。另外，可以通过对应的第二开口 182经由第一连接通道142、通过对应的第三开口 187经由第二连接通道147、以及通过对应的第四开口 189经由第三连接通道149排放穿过每个第一开口 112的杂质150。因此，可以更容易地去除杂质150。图16是根据本发明又一不例性实施例的沉积掩模的剖视图。参照图16，根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图3的前面的示例性实施例的沉积掩模的不同之处在于单兀掩模片121与掩模框架199的顶表面114的位于固定区域115的窗口侧上的区域116之间的距离大于单元掩模片121与掩模框架199的顶表面114的位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117之间的距离。根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据图3的前面的示例性实施例的沉积掩模的相同之处在于第一连接通道142将每个第一开口 112空间连接到对应的第二开口 180。掩模框架199的顶表面114设置为面对单元掩模片121，并且通过每个固定区域115中的焊接件(例如，固定构件130)固定到单元掩模片121。因此，掩模框架199的顶表面114的位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117非常靠近单元掩模片121。另一方面，由于单兀掩模片121与掩模框架199的顶表面114的位于固定区域115的窗口侧上的区域116之间的距离大于单兀掩模片121与掩模框架199的顶表面114的位于固定区域115的与开放窗口相对的侧部上的区域117之间的距离，因此即使当掩模框架199和单元掩模片121之间存在杂质151和152时，如果杂质151和152是小尺寸的，在沉积掩模和基底之间也可以不形成间隙。当将沉积掩模放到清洁槽中时，由于杂质151和152中较小的杂质151没有固定在掩模片120和掩模框架199之间，所以可以在清洁工艺中更容易地去除较小的杂质151。另外，当从清洁槽中取出沉积掩模时，由于清洁溶液可以穿过沉积掩模的第一连接通道142，所以也可以通过清洁溶液的流动更容易地去除杂质151和152中较大的杂质152，如图4中所示。 图17是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图。参照图17，掩模框架210和掩模片220彼此固定。掩模框架210具有表面214，其中，表面214面对掩模片220并且掩模片220固定到表面214。在一些实施例中，掩模片220可以包括多个单元掩模片。进一步参照图17，根据当前示例性实施例的沉积掩模200与根据图3的前面的示例性实施例的沉积掩模的不同之处在于掩模框架210的接触掩模片220的表面214包括第一表面215、第二表面216以及连接第一表面215和第二表面216的台阶表面217 ;以及第一开口 211位于台阶表面217中。具体地讲，掩模框架210的表面214包括第一表面215、第二表面216以及连接第一表面215和第二表面216的台阶表面217。另外，掩模框架210的表面214包括掩模框架210和掩模片220彼此固定的固定区域218。在一些实施例中，固定区域218可以包括在第一表面215中。第一表面215和第二表面216面对掩模片220。在一些实施例中，台阶表面217可以不面对掩模片220。在一些其它实施例中，台阶表面217可以与第一表面215和第二表面216垂直。如以上参照图3所述，由于图17中的掩模框架210和掩模片220在固定区域218中彼此固定，所以掩模框架210和掩模片220在固定区域218中彼此非常靠近。因此，掩模框架210的包括固定区域218的第一表面215也非常靠近掩模片220。另一方面，通过台阶表面217连接到第一表面215的第二表面216与掩模片220分离。在一些实施例中，第一表面215和掩模片220之间的距离可以小于第二表面216和掩模片220之间的距离。因此，即使当掩模框架210和掩模片220之间存在杂质时，如果杂质是小尺寸的，则在沉积掩模和基底之间可以不形成间隙。另外，当将沉积掩模200放在清洁槽中时，由于较小的杂质没有固定在掩模片220和掩模框架210之间，所以较小的杂质可以在清洁工艺中容易地去除。进一步参照图17，掩模框架210包括形成在掩模框架210的外表面中的第一开口211和第二开口 212。掩模框架210包括将每个第一开口 211空间连接到对应的第二开口212的第一连接通道240。在一些实施例中，第一开口 211位于台阶表面217中。由于第一开口 211位于台阶表面217中，所以通过每个第二开口 212注入并且穿过第一连接通道240的清洁溶液可以通过掩模框架210的第二表面216和掩模片220之间的空间直接排出。当通过第一连接通道240的清洁溶液通过第二表面216和掩模片220之间的空间直接排放时，通过掩模片220和掩模框架210之间的空间的清洁溶液流可以是强的。因此，可以更容易地去除位于掩模片220和掩模框架210之间的杂质。图18是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的分解透视图，图19是图18中示出的沉积掩模的平面图。参照图18和图19，沉积掩模300包括掩模框架310和掩模片320。 进一步参照图18和图19，根据当前示例性实施例的沉积掩模300与图I和图2的沉积掩模的区别在于掩模片320是未分开的掩模片。因此,掩模片320可以是未分开的掩模片，并且未分开的掩模片320放置在掩模框架310上。未分开的掩模片320可以包括多个掩模图案，并且掩模图案可以是开口部分322。开口部分322可以按照矩阵形式布置在未分开的掩模片320中。在一些实施例中，当掩模片320用来形成有机发光元件的有机膜时，每个开口部分322可以对应于有机发光元件的每个像素。根据详细的描述，本领域技术人员将理解，在基本不脱离本发明的原理的情况下，可以对优选实施例进行许多变化和修改。因此，仅以总体的和描述性的目的使用本发明的所公开的优选实施例，而不是出于限制的目的。本发明的示例性实施例提供了至少一种下面的优点。在根据本发明示例性实施例的沉积掩模中，可以在清洁工艺中容易地去除存在于掩模框架和掩模片之间的杂质、清洁溶液的残余物等。这种杂质、清洁溶液的残留物等的去除使得沉积掩模紧密地附于基底，从而能够精确地沉积图案并且防止沉积阴影。在根据本发明示例性实施例的沉积掩模中，由于去除了掩模框架和掩模片之间的清洁溶液的残余物，所以避免了有害气体的排放，因此防止诸如驱动电流增大的缺陷。根据本发明示例性实施例的沉积掩模包括连接通道，所述连接通道便于在完成清洁工艺之后保留在掩模片和掩模框架之间的清洁溶液的蒸发，适当的清洁气体可以注入到连接通道中，以去除清洁溶液、杂质等。然而，本发明的效果不限于这里提出的情况。通过参照以上描述、相关附图和权利要求，本发明的以上和其它效果对于本发明所属领域的普通技术人员将变得更加清楚。
权利要求
1.一种沉积掩模,所述沉积掩模包括 掩模框架，具有限定在所述掩模框架的中心的开放窗口，并且包括形成在所述掩模框架的外表面中的第一开口和第二开口以及形成在所述掩模框架中的用于将第一开口空间连接到第二开口的第一连接通道； 掩模片，放置在所述掩模框架上， 其中，所述掩模框架的表面面对掩模片并且包括固定到掩模片的固定区域，其中，第一开口位于所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的区域中。
2.根据权利要求I所述的沉积掩模，其中，第二开口形成在所述掩模框架的除了掩模框架的所述表面之外的外表面上。
3.根据权利要求2所述的沉积掩模，其中，沿着第一连接通道延伸的方向，第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口保持不变。
4.根据权利要求2所述的沉积掩模，其中，沿着第一连接通道延伸的方向，第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口增加。
5.根据权利要求4所述的沉积掩模，其中，所述掩模片与第一开口之间的距离小于所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的端部之间的距离。
6.根据权利要求3所述的沉积掩模，其中，所述掩模片与第一开口之间的距离小于所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的端部之间的距离。
7.根据权利要求I所述的沉积掩模，其中，第二开口位于所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的与所述开放窗口相对的侧部上的区域中。
8.根据权利要求7所述的沉积掩模，其中，沿着第一连接通道延伸的方向，第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口保持不变。
9.根据权利要求7所述的沉积掩模，其中，沿着第一连接通道延伸的方向，第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口增加。
10.根据权利要求9所述的沉积掩模，其中，所述掩模片与所述表面的第一开口之间的距离小于所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的端部之间的距离。
11.根据权利要求8所述的沉积掩模，其中，所述掩模片与所述表面的第一开口之间的距离小于所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的端部之间的距离。
12.根据权利要求I所述的沉积掩模，所述沉积掩模还包括形成在所述固定区域中用于将所述掩模框架和所述掩模片彼此固定的固定构件。
13.根据权利要求12所述的沉积掩模，其中，所述固定构件包括线性布置的点形状的多个焊接件。
14.根据权利要求I所述的沉积掩模，其中，所述掩模片包括多个开口部分。
15.根据权利要求14所述的沉积掩模，其中，所述开口部分按照矩阵形式布置。
16.根据权利要求I所述的沉积掩模，其中，所述掩模片是未分开的掩模片。
17.根据权利要求I所述的沉积掩模，其中，所述掩模片包括多个单元掩模片。
18.根据权利要求I所述的沉积掩模，其中，所述掩模框架还包括形成在所述掩模框架的外表面中的第三开口以及形成在所述掩模框架中用于将第三开口空间连接到第一连接通道的第二连接通道。
19.根据权利要求18所述的沉积掩模，其中，所述掩模框架还包括形成在所述掩模框架的外表面中的第四开口以及形成在所述掩模框架中用于将第四开口空间连接到第一连接通道的第三连接通道。
20.根据权利要求I所述的沉积掩模，其中，所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的区域之间的距离大于所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的与所述开放窗口相对的侧部上的区域之间的距离。
21.—种沉积掩模,所述沉积掩模包括 掩模框架，具有限定在所述掩模框架的中心的开放窗口，并且包括形成在所述掩模框架的外表面中的第一开口和第二开口以及形成在所述掩模框架中的用于将第一开口空间连接到第二开口的第一连接通道； 掩模片，放置在所述掩模框架上， 其中，所述掩模框架的表面包括第一表面、第二表面以及连接第一表面和第二表面的台阶表面，其中，第一表面和第二表面面对所述掩模片，第一表面包括固定到所述掩模片的固定区域，第一开口位于所述台阶表面中。
22.根据权利要求21所述的沉积掩模，其中，第一表面和所述掩模片之间的距离小于第二表面和所述掩模片之间的距离。
23.根据权利要求21所述的沉积掩模，其中，第二开口形成在所述掩模框架的除了所述掩模框架的所述表面之外的外表面中。
24.根据权利要求23所述的沉积掩模，其中，沿着第一连接通道延伸的方向，第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口保持不变。
25.根据权利要求23所述的沉积掩模，其中，沿着第一连接通道延伸的方向，第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口增加。
26.根据权利要求21所述的沉积掩模,其中,第二开口位于第一表面中。
27.根据权利要求26所述的沉积掩模，其中，沿着第一连接通道延伸的方向，第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口保持不变。
28.根据权利要求26所述的沉积掩模，其中，沿着第一连接通道延伸的方向，第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口增加。
29.根据权利要求21所述的沉积掩模，所述沉积掩模还包括形成在所述固定区域中的用于将所述掩模框架和所述掩模片彼此固定的固定构件。
30.根据权利要求29所述的沉积掩模，其中，所述固定构件包括线性布置的点形状的多个焊接件。
31.根据权利要求21所述的沉积掩模，其中，所述掩模片包括多个开口部分。
32.根据权利要求31所述的沉积掩模，其中，所述开口部分按照矩阵形式布置。
33.根据权利要求21所述的沉积掩模，其中，所述掩模片是未分开的掩模片。
34.根据权利要求21所述的沉积掩模，其中，所述掩模片包括多个单元掩模片。
35.根据权利要求21所述的沉积掩模，其中，所述掩模框架还包括形成在所述掩模框架的外表面中的第三开口以及形成在所述掩模框架中用于将第三开口空间连接到第一连接通道的第二连接通道。
36.根据权利要求35所述的沉积掩模，其中，所述掩模框架还包括形成在所述掩模框架的外表面中的第四开口以及形成在所述掩模框架中用于将第四开口空间连接到第一连接通道的第三连接通道。
全文摘要
本发明公开了一种沉积掩模，所述沉积掩模包括掩模框架，具有限定在所述掩模框架的中心的开放窗口，并且包括形成在所述掩模框架的外表面中的第一开口和第二开口以及形成在所述掩模框架中的用于将第一开口空间连接到第二开口的第一连接通道；掩模片，放置在所述掩模框架上；其中，所述掩模框架的表面面对掩模片并且包括固定到掩模片的固定区域，其中，第一开口位于所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的区域中。
文档编号H01L51/56GK102683618SQ201110461209
公开日2012年9月19日 申请日期2011年12月26日 优先权日2011年3月15日
发明者李相信 申请人:三星移动显示器株式会社