专利名称：一种玻璃钝化整流芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及的是电子元器件技术领域，尤其是一种玻璃钝化整流芯片。
背景技术：
随着科学技术的不断进步，整流芯片作为电力电子设备中必不可少的器件，需求量极大，且随着现代设备设计性能的提升，整流芯片的性能要求也越来越高。传统的扩散芯片已经逐渐难以满足需要。为了进一步提升整流芯片的电性参数，主要从材料和制作工艺两方面进行改进。目前一些高端产品(尤其是国外厂商)多采用外延片为基材进行生产，但是成本较高；另一方面，台面型芯片等产品从工艺和外部镀层等方面进行改进，经济成本和性能提升都比较理想。台面型整流芯片被研制开发并作为高性能的整流芯片被广泛应用，由于各自生产工艺的差别，台面型芯片生产中的光刻掩膜板设计不同导致形成的台面形状有所差异，同时蚀刻工艺的不同也造成了侧壁蚀刻角度的差异，同时保护材料、镀层也都因为工艺差别而不同。现有台面型芯片存在如下缺点1.光刻掩膜板设计时多为直边直角图形，生产过程易造成边角的损伤；2.生产过程不注意鸟嘴的保护或保护不到位，易造成鸟嘴的损伤而影响产品特性；3.选用保护材料的不同和涂覆材料工艺的差别造成保护材料满布沟道， 造成后续的切割困难；4.金属镀层多采用单层，导电性和抗拉力性能差。这是现有技术所存在的不足之处。
发明内容本实用新型的目的，就是针对现有技术所存在的不足，而提供一种新型、简单、实用的一种玻璃钝化整流芯片。为了解决上述存在的技术问题，本实用新型采用下述技术方案包括有整流基材、 整流基材上面覆盖着的上金属层、整流基材底面覆盖着的金属层，在所述整流基材的上面覆盖着有上合金层，在所述上合金层上面覆盖着有上镀镍层，所述上金属层覆盖在所述上镀镍层上面，在所述整流基材的底面覆盖着有合金层，在所述合金层上面覆盖着有镀镍层， 所述金属层覆盖在所述镀镍层上面，在所述整流基材上面的四周有一凹槽，所述凹槽覆盖着有玻璃钝化层。凹槽是在光刻版设计时留足蚀刻沟道的宽度。本实用新型的进一步改进有，上述整流基材上部呈四边形凸台，下部呈四边形平台。所述凸台的四周呈圆角，并与所述凸台的四条边圆滑连接。芯片台面采用四边形，但是在四个角上采用一定弧度的圆弧角，而不是采用四边形的直角。防止因为四边形直角结构的直角比较尖锐而在生产过程造成的直角损伤。所述整流基材为硅基材料。所述上金属层与所述金属层均为镀金层。芯片表面镀金层，采用化学镀金工艺在芯片的表面形成一层镀金层，而沟道内由于有玻璃保护层的保护，不会有镀金。通过表面镀金可以提高芯片的导电性和增大导电电流。综上所述，本实用新型优点在于在金属镀层方面选用化学镀的方法，先后进行三次镀金属的过程，一次镀镍后烧结形成合金层增加抗拉力，二次镀镍增加导电性和外层金属的可镀性，第三次镀金增加可焊性和提高通过电流的能力。采用圆弧形边角的四边形，同时采用玻璃钝化层，对台面边角进行有效的保护，防止加工过程的边角损伤。由此可见，本实用新型与现有技术相比，具有实质性特点和进步，其实施的有益效果也是显而易见的。
图1为本实用新型具体实施方式
的结构示意图。图2为俯视图。图3为图IA局部放大图。图中，1为上金属层，2为上镀镍层，3为上合金层，4为整流基材，5为鸟嘴，6为玻璃钝化层，7为金属层，8为镀镍层，9为合金层，10为凹槽，11为四边形凸台，12为四边形平台。
具体实施方式
为能清楚说明本方案的技术特点，下面通过一个具体实施方式
，并结合其附图，对本方案进行阐述。通过附图1可以看出，本方案提供了一种玻璃钝化整流芯片，包括有整流基材4、 整流基材4上面覆盖着的上金属层1、整流基材4底面覆盖着的金属层7，在整流基材4的上面覆盖着上合金层3，在上合金层3上面覆盖着上镀镍层2，上金属层1覆盖在上镀镍层2 上面，在整流基材4的底面覆盖着合金层9，在合金层9上面覆盖着镀镍层8，金属层7覆盖在镀镍层8上面，述整流基材4上面的四周有一凹槽10，凹槽10覆盖着玻璃钝化层6。采用两次镀镍，第一次镀镍通过烧结形成合金层，使镀层与基材紧密结合，增加芯片抗拉力； 二次镀镍则增加导电性和可镀性，使外层的金更容易、更均勻的镀在芯片表面。通过附图2可以看出，整流基材4上部呈四边形凸台11，下部呈四边形平台12。凸台11的四周呈圆角，并与凸台11的四条边圆滑连接。整流基材4为硅基材料。上金属层1与金属层6均为镀金层。通过附图3可以看出，鸟嘴5是玻璃钝化层6覆盖的部分，所以起到了保护作用。本实用新型未经描述的技术特征可以通过现有技术实现，在此不再赘述。当然，上述说明并非是对本实用新型的限制，本实用新型也并不仅限于上述举例，本技术领域的普通技术人员在本实用新型的实质范围内所做出的变化、改型、添加或替换，也应属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种玻璃钝化整流芯片，包括有整流基材(4)、整流基材(4)上面覆盖着的上金属层 (1)、整流基材(4)底面覆盖着的金属层(7)，其特征在于在所述整流基材(4)的上面覆盖着有上合金层(3 )，在所述上合金层(3 )上面覆盖着有上镀镍层(2 )，所述上金属层(1)覆盖在所述上镀镍层(2 )上面，在所述整流基材(4 )的底面覆盖着有合金层(9 )，在所述合金层 (8)上面覆盖着有镀镍层(7)，所述金属层(6)覆盖在所述镀镍层8)上面，在所述整流基材 (4)上面的四周有一凹槽(10)，所述凹槽10)覆盖着有玻璃钝化层(6)。
2.根据权利要求1所述的一种玻璃钝化整流芯片，其特征在于所述整流基材(4)上部呈四边形凸台(11)，下部呈四边形平台(12)。
3.根据权利要求1或2所述的一种玻璃钝化整流芯片，其特征在于所述凸台(11)的四周呈圆角，并与所述凸台(11)的四条边圆滑连接。
4.根据权利要求1或2所述的一种玻璃钝化整流芯片，其特征在于所述整流基材(4) 为硅基材料。
5.根据权利要求1所述的一种玻璃钝化整流芯片，其特征在于所述上金属层(1)与所述金属层(7)均为镀金层。
专利摘要本实用新型涉及的是电子元器件技术领域，尤其是一种玻璃钝化整流芯片。包括有整流基材(4)、整流基材(4)上面覆盖着的上金属层(1)、整流基材(4)底面覆盖着的金属层(7)，其特征在于在所述整流基材(4)的上面覆盖着有上合金层(3)，在所述上合金层(3)上面覆盖着有上镀镍层(2)，所述上金属层(1)覆盖在所述上镀镍层(2)上面，在所述整流基材(4)的底面覆盖着有合金层(9)，在所述合金层(8)上面覆盖着有镀镍层(7)，所述金属层(6)覆盖在所述镀镍层8)上面，在所述整流基材(4)上面的四周有一凹槽(10)，所述凹槽10)覆盖着有玻璃钝化层(6)。采用先后三次镀金属的过程，提高通过电流的能力。采用圆弧形边角的四边形，对台面边角进行有效的保护，防止加工过程的边角损伤。
文档编号H01L23/31GK201946583SQ20112001434
公开日2011年8月24日 申请日期2011年1月18日 优先权日2011年1月18日
发明者吕明, 李秉永, 郭城 申请人:山东科芯电子有限公司