多组合模式下的超级压敏电阻器的制作方法

文档序号:7173911阅读:328来源:国知局
专利名称:多组合模式下的超级压敏电阻器的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种压敏电阻器。
背景技术
目前常用的压敏电阻(MOV)有碳化硅压敏电阻和氧化锌压敏电阻,氧化锌压敏电阻最为常用,它主要以氧化锌为原料,添加多种种微量金属氧化物,经混合成型,烧结装配而成一种过压保护型器件,它的电阻值随施加的电压改变而成非线性变化。它以其优异的非曲线特性和高浪涌吸收能力被广泛用于电子电路中进行保护,但存在以下缺陷响应速度慢;工作电压范围窄、限压特性差、电压非线性系数小;残压比大、电压温度系数大;可靠性较差,易老化;散热性较差、寿命短。

实用新型内容本实用新型的目的在于克服现有技术中上述缺陷提供一种响应速度快;工作电压范围宽、限压特性好、电压非线性系数大;残压比小、电压温度系数小;可靠性高,不易老化;散热性较好、寿命长的多组合模式下的超级压敏电阻器。为实现上述目的,本实用新型提供的技术方案如下构造一种多组合模式下的超级压敏电阻器,该超级压敏电阻器是由若干个压敏电阻芯片通过导电介质串联、并联或串、 并混合相联叠加封装而成,各压敏电阻芯片上装设有电极片。本实用新型所述多组合模式下的超级压敏电阻器的有益效果是通过将若干个压敏电阻芯片通过导电介质串联、并联或串、并混合相联叠加封装而成超级压敏电阻器 (SMOV),该超级压敏电阻器具有以下优点1、工作电压范围宽,限压特性好,电压非线性系数大,无极性。2、残压比小,电压温度系数小。3、响应速度快,对于急速的电涌响应一般< 50ns,无续流。为ns级反应速度。4、功耗小,正常状态下,漏电流为iiA(微安)数量级。5、成本低,价格廉。6、克服了可靠性较差,易老化,不易恢复性的特点。7、较同规格的压敏电阻通流量更大,抑制电压更低,同时更能节省空间,集成度更高,可同时保护多路信号,散热性更好,耐冲击次数更多,寿命大大增强。8、根据客户的要求,可操作性强,组合方式多。
以下结合附图和实施例对本实用新型所述的多组合模式下的超级压敏电阻器作进一步说明

图1是本实用新型多组合模式下的超级压敏电阻器的主视图;图2是图1的左视图。
具体实施方式
以下本实用新型所述多组合模式下的超级压敏电阻器的最佳实施例,并不因此限定本实用新型的保护范围。参照图1、图2,提供一种多组合模式下的超级压敏电阻器,该超级压敏电阻器是由若干个压敏电阻芯片1通过导电介质串联、并联或串、并混合相联叠加封装而成,各压敏电阻芯片1上装设有电极片2。所述压敏电阻芯片1的形状为圆形、正方形、长方形、椭圆形、梯形,所述电极片2 的形状与压敏电阻芯片1的形状相适应,所述压敏电阻芯片1还可是其他几何形状。上述实施例为本实用新型较佳的实施方式,但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制,其他的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种多组合模式下的超级压敏电阻器,其特征在于,该超级压敏电阻器是由若干个压敏电阻芯片(1)通过导电介质串联、并联或串、并混合相联叠加封装而成,各压敏电阻芯片⑴上装设有电极片O)。
2.根据权利要求1所述的多组合模式下的超级压敏电阻器,其特征在于,所述压敏电阻芯片(1)的形状为圆形、正方形、长方形、椭圆形、梯形,所述电极片(2)的形状与压敏电阻芯片(1)的形状相适应。
专利摘要本实用新型公开了一种多组合模式下的超级压敏电阻器,该超级压敏电阻器是由若干个压敏电阻芯片通过导电介质串联、并联或串、并混合相联叠加封装而成,各压敏电阻芯片上装设有电极片。具有响应速度快;工作电压范围宽、限压特性好、电压非线性系数大;残压比小、电压温度系数小;可靠性高,不易老化;散热性较好、寿命长的优点。
文档编号H01C7/10GK202049823SQ201120054468
公开日2011年11月23日 申请日期2011年3月3日 优先权日2011年3月3日
发明者刘宗金, 吴国文 申请人:刘宗金, 吴国文
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