专利名称：改进型半导体焊脚结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体领域技术，尤其是指半导体中改进型半导体焊脚结构。
背景技术：
众所周知，二极管、三极管、晶体管、电容、电阻、集成模块等器件均含有两个、三个或多个金属焊脚，通过将焊脚插入电路板预先布设的插孔中，再用焊锡将焊脚与电路板焊牢，从而组成电子线路。请参照图1和图2所示，现有的绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 100之焊脚10 —般具有两层结构，其内层11为铜材料，在铜的表面还有一镀银层13，然而由于银的价格昂贵，大量镀银不利于节约生产成本，因此，需研究出一种新的技术方案来解决上述问题。
实用新型内容有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种改进型半导体焊脚结构，其内层采用纯铜材料并于外层直接镀锡而成，有利于节约材料成本。为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案一种改进型半导体焊脚结构，所述焊脚自半导体之本体向下延伸而成，该焊脚具有两层结构，其中内层为较厚纯铜材料，其外层镀锡形成一厚度较薄的镀锡层。优选地，所述半导体为二极管、三极管、晶体管或集成模块。优选地，所述焊脚为长方柱状、圆柱状或薄片状。本实用新型采用上述技术方案后，其有益效果在于半导体的焊脚系直接采用纯铜材料并于表面镀锡而成，由于镀锡比传统之镀银价格低，从而有利于节约材料成本，为企业创造较大利益。为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，
以下结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。
图1是现有技术中常见IGBT晶体管之正视图；图2是图1中A-A处的截面图；图3是本实用新型之实施例的正视图；图4图3中B-B处的截面图。附图标识说明100、晶体管10、焊脚11、内层12、镀锡层13、镀银层20、本体 。
具体实施方式
[0019]首先本方案以IGBT晶体管为例作详细说明，请参见图3至图4所示，其显示出了本实用新型之实施例的具体结构，包括自IGBT晶体管100本体20向下延伸形成的焊脚10， 具其而言，所述焊脚10有三个，用于焊接在电路板预先布设的插孔中组成电子电路。所述的三个焊脚10均为小四方柱状，其上部较粗，下部较细，并于下部的底端形成一尖针状，从而更容易地将晶体管100插入到电路板的插孔，并挡止在焊脚10的上部。所述焊脚10之截面分为内外两层，其中内层11系纯铜材料，于纯铜表面直接镀锡形成一厚度较薄的镀锡层12，该镀锡层12可以提高焊接的质量和速度，避免虚焊等缺陷。锡焊的过程中，通过加热约到120度，配合封装树脂，让锡焊料在焊脚10与电路板之间的焊接面上熔化、流动、浸润，使锡原子渗透到焊脚10内层的纯铜表面中，同时也渗透到电路板的插孔中，并在两者的接触面上形成合金结合层，由这个结合层将电路板与焊脚牢固连接起来，同时于结合层的表面形成树脂保护膜。然而，所述的焊脚10不限于上述的IGBT晶体管的焊脚，亦可以系二极管、电容、电阻、三极管、集成块等半导体所含有的焊脚。并且，所述的焊脚10形状不限于上述的晶体管的形状，其亦可以系圆柱状，薄片状或带有拆弯。本实用新型的设计重点在于半导体的焊脚系直接采用纯铜材料并于表面镀锡而成，由于镀锡比传统之镀银价格低，从而有利于节约材料成本，为企业创造较大利益。以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
权利要求1.一种改进型半导体焊脚结构，所述焊脚自半导体之本体向下延伸而成，其特征在于 该焊脚具有两层结构，其中内层为较厚纯铜材料，其外层镀锡形成一厚度较薄的镀锡层。
2.根据权利要求1所述的改进型半导体焊脚结构，其特征在于所述半导体为二极管、 三极管、晶体管或集成模块。
3.根据权利要求1所述的改进型半导体焊脚结构，其特征在于所述焊脚为长方柱状、 圆柱状或薄片状。
专利摘要本实用新型公开一种改进型半导体焊脚结构，所述焊脚自半导体之本体向下延伸而成，该焊脚具有两层结构，其中内层为较厚纯铜材料，外层直接镀锡形成一厚度较薄的镀锡层；所述半导体为二极管、三极管、电容、电阻、晶体管或集成模块,所述焊脚为长方柱状、圆柱状或薄片状。籍此，半导体的焊脚系直接采用纯铜材料并于表面镀锡而成，由于镀锡比传统之镀银价格低，从而有利于节约材料成本，为企业创造较大利益。
文档编号H01L23/488GK202142523SQ20112019809
公开日2012年2月8日 申请日期2011年6月14日 优先权日2011年6月14日
发明者冯子刚 申请人:广州友益电子科技有限公司