专利名称：太阳能电池的超薄硅片的生产装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种硅片的生产装置，特别是太阳能电池的超薄硅片的生产装置。
背景技术：
公告号为CN201153124Y的中国专利申请，公开了一种超薄太阳能级硅片，其主要生产方法是由高精密机床成型切割而成，且该超薄硅片的厚度为165微米至195微米，而随着现有太阳能发电对硅片的厚度要求加高，这样的方法不能满足现有技术的需求，如直接再切薄，容易增加破损，影响后道工序的成品率，导致成本增加。
实用新型内容本实用新型的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供一种不影响切片得率， 并能生产出厚度为120微米至160微米的太阳能电池的超薄硅片的生产装置。为了实现上述目的，本实用新型所设计的太阳能电池的超薄硅片的生产装置，包括高精密机床，高精密机床上设有切割硅晶棒的切割台，切割台的下端设有出料口 ；其特征是高精密机床的出料口处连接有硅片传送装置，硅片传送装置的末端连接有注有NaOH减薄液的减薄装置。本实用新型得到的太阳能电池的超薄硅片的生产装置，能制作出厚度为120微米至160微米的超薄硅片，并且保证硅片的合格率。
图1是实施例的整体结构示意图。图中高精密机床1、切割台11、出料口 12、硅片传送装置2、末端21、减薄装置3、 硅晶圆棒4、超薄硅片5。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。实施例如图1所示，本实施列提供的太阳能电池的超薄硅片的生产装置，包括高精密机床1，高精密机床1上设有切割硅晶棒的切割台11，切割台11的下端设有出料口 12 ；高精密机床1的出料口 12处连接有硅片传送装置2，硅片传送装置2的末端21连接有注有NaOH 减薄液的减薄装置3。在生产过程中，先把硅晶圆棒4放置在切割台11上，经过高精密机床1上的刀具进行切割后即形成厚度为165微米至195微米的超薄硅片5，超薄硅片5通过传送装置2 输送到减薄装置3内，再采用NaOH减薄液在90°C左右腐蚀减薄，以达到去除损伤层和减薄的效果，此时的腐蚀速率可达到6 10微米/分钟。根据需要减薄的程度控制腐蚀时间，
3在高温下，碱和硅会发生如下的反应Si+20H_+H20 = Si032_+2H2个，从而达到生产出厚度在 120微米至160微米的超薄硅片的目的。
权利要求1. 一种太阳能电池的超薄硅片的生产装置，包括高精密机床(1)，高精密机床(1)上设有切割硅晶棒的切割台(11)，切割台(11)的下端设有出料口(12)；其特征是高精密机床 (1)的出料口(1 处连接有硅片传送装置O)，硅片传送装置O)的末端连接有注有 NaOH减薄液的减薄装置(3)。
专利摘要本实用新型公开了一种太阳能电池的超薄硅片的生产装置，包括高精密机床，高精密机床上设有切割硅晶棒的切割台，切割台的下端设有出料口；其特征是高精密机床的出料口处连接有硅片传送装置，硅片传送装置的末端连接有注有NaOH减薄液的减薄装置。本实用新型得到的太阳能电池的超薄硅片的生产装置能生产出厚度为120微米至160微米的超薄硅片，防止超薄硅片破损，并且保证硅片的合格率。
文档编号H01L31/18GK202332917SQ20112042499
公开日2012年7月11日 申请日期2011年11月1日 优先权日2011年11月1日
发明者俞英芸, 庞井明, 张云国, 张立波, 石义洋 申请人:宁波市鑫友光伏有限公司