专利名称：太阳能电池片去除磷硅玻璃装置的制作方法
技术领域：
太阳能电池片去除磷硅玻璃装置技术领域[0001]本实用新型涉及太阳能电池片制造设备技术领域，尤其是一种太阳能电池片去除磷硅玻璃装置。
背景技术：
[0002]太阳能电池的主要制造过程去除硅片表面损伤层、扩散制结、等离子边缘腐蚀、 去除磷硅玻璃、沉积减反射膜、制作上下电极等工序。[0003]在太阳能电池的扩散工艺后，硅片表面会形成一层PSG，必须去除。扩散原理 POCl3在高温600°C下分解，产生P2O5和PCl5,然后2P205+5Si——5Si02+4P,这样生成的P就可以扩散到硅片里，实现P掺杂。在扩散中，我们还比通入足够的氧气，这样PCl5和氧气反应，生成P2O5和Cl2,从而避免产生的PCl5对硅片的不利影响。[0004]通过反应可以发现，在实现P掺杂的同时，在硅片表面还会有二氧化硅和五氧化二磷，所谓的PSG，通过酸溶液洗去。[0005]采用酸溶液进行去PSG，一般采用氢氟酸溶液洗去PSG，去除PSG后，再经过一些除酸操作才能进入下一工序。现有工艺中依次有酸洗槽、喷淋槽、漂洗槽、热水慢提拉槽和烘箱。需要五个步骤才能在去除PSG后，并充分完全的去除残余酸。此工艺效率低，设备投入大，若一个设备损坏，就整条生产线瘫痪，导致产能降低。实用新型内容[0006]本实用新型要解决的技术问题是为了解决现有技术中的不足，本实用新型提供一种太阳能电池片去除磷硅玻璃装置，采用碱洗槽中和残余酸，去酸效果好，工序步骤简单，大大缩短去PSG设备的长度。[0007]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种太阳能电池片去除磷硅玻璃装置，依次包括酸洗槽、碱洗槽、喷淋槽和甩干机。[0008]本实用新型的有益效果是，本实用新型太阳能电池片去除磷硅玻璃装置，采用碱洗槽中和残余酸，去酸效果好，工序步骤简单，大大缩短去PSG设备的长度，投资成本减降低，占地减少，有利于车间的空间利用，甩干机的配备和调配灵活多变，保证产量稳定。
[0009]
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。[0010]图1是现有技术的流程框图。[0011]图2是本实用新型的太阳能电池片去除磷硅玻璃装置最佳实施例的流程框图。
具体实施方式
[0012]现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图， 仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。[0013]图2是本实用新型的太阳能电池片去除磷硅玻璃装置，依次包括酸洗槽、碱洗槽、 喷淋槽和甩干机。[0014]酸洗槽中存放氢氟酸溶液，碱洗槽中选用弱碱性溶液为佳，喷淋槽优选采用无离子水。
权利要求1. 一种太阳能电池片去除磷硅玻璃装置，其特征在于依次包括酸洗槽、碱洗槽、喷淋槽和甩干机。
专利摘要本实用新型涉及一种太阳能电池片去除磷硅玻璃装置，依次包括酸洗槽、碱洗槽、喷淋槽和甩干机。本实用新型太阳能电池片去除磷硅玻璃装置，采用碱洗槽中和残余酸，去酸效果好，工序步骤简单，大大缩短去PSG设备的长度，投资成本减降低，占地减少，有利于车间的空间利用，甩干机的配备和调配灵活多变，保证产量稳定。
文档编号H01L31/18GK202308019SQ20112044250
公开日2012年7月4日 申请日期2011年11月10日 优先权日2011年11月10日
发明者王煜辉 申请人:常州华盛恒能光电有限公司