专利名称：抗大电流金属化薄膜方阻的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及到方阻的应用领域，具体的是一种抗大电流金属化薄膜方阻。
背景技术：
一种高比容大电流新型脉冲储能器，该种型号的储能器其容量一般较大，方阻在2-8 Q/ 口之间，承载的电流也非常高，特别是瞬间可以达到10万安培的电流。采用常规工艺蒸镀的金属化薄膜经常承受不了如此高的电流，使金属化薄膜的自愈功能得不到充分的应用，经常出现早期失效的现象。为此我们从自愈的原理上进行分析，通过工艺摸索，对大电流应用的金属化膜方阻进行了重新设计并在产品中得到应用。实用新型内容本实用新型提供了一种寿命更长的抗大电流金属化薄膜方阻。本实用新型的技术方案抗大电流金属化薄膜方阻，包括基膜，其特征在于所述的基膜上连接有镀层，镀层为方块电阻，所述的镀层方块电阻阻值在7-20 Q/方。本实用新型的优点本实用新型提高金属化薄膜的镀层方阻，使其在大电流时能充分自愈，隔离瑕疵点，有效的保护了整个芯组的长寿命使用。
图I为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
参见附图抗大电流金属化薄膜方阻，包括基膜1，基膜I上连接有镀层，镀层为方块电阻2，所述的镀层方块电阻2阻值在7-20 Q/方。
权利要求1.抗大电流金属化薄膜方阻，包括基膜，其特征在于所述的基膜上连接有镀层，镀层为方块电阻，所述的镀层方块电阻阻值在7-20 Ω/方。
专利摘要本实用新型公开了一种抗大电流金属化薄膜方阻，包括基膜，基膜上连接有镀层，镀层为方块电阻，所述的镀层方块电阻阻值在7-20Ω/方。本实用新型提高金属化薄膜的镀层方阻，使其在大电流时能充分自愈，隔离瑕疵点，有效的保护了整个芯组的长寿命使用。
文档编号H01G4/015GK202423011SQ201120455860
公开日2012年9月5日 申请日期2011年11月17日 优先权日2011年11月17日
发明者王金兵 申请人:王金兵, 铜陵亿亨达电子有限责任公司