专利名称：一种半导体湿法腐蚀的装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于半导体器件制造领域，具体为ー种半导体湿法腐蚀的装置。
背景技术：
目前主流的湿法腐蚀，所采用的腐蚀方式均为晶片浸泡在腐蚀液中腐蚀，对于ー些较难腐蚀的物质，不能给硅片起到更好的腐蚀效果，特别是对于较厚的薄膜和混合材料薄膜经常出现残留和腐蚀不均匀。
实用新型内容针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种半导体湿法腐蚀的装置的技术方案。所述的ー种半导体湿法腐蚀的装置，包括设备支架，所述的设备支架上配合设置传动装置、花篮支架和盛装腐蚀液的槽体，传动装置带动花篮支架往复运动于槽体内。所述的ー种半导体湿法腐蚀的装置，所述的传动装置由气缸、导轨支架和导轨组成，气缸固定设置在设备支架的内侧，其通过传动轴与配合设置在设备支架外侧上方的导轨支架相连，导轨支架滑动设置在导轨上，导轨设置在所述槽体上方的侧沿；所述的花篮支架配合设置在导轨支架上。所述的ー种半导体湿法腐蚀的装置，所述的导轨上设置滑轮，导轨支架与滑轮滑动配合。所述的ー种半导体湿法腐蚀的装置，所述的花篮支架内配合设置片架花篮，片架花篮内放置晶片。所述的ー种半导体湿法腐蚀的装置，气缸通过电磁阀与气源相连，气源和电磁阀分别与PLC控制器相连。所述的ー种半导体湿法腐蚀的装置，所述的传动装置由气缸、导轨支架和导轨组成，气缸固定设置在设备支架的内侧，其通过传动轴与配合设置在设备支架外侧上方的导轨支架相连，导轨支架滑动设置在导轨上，导轨设置在所述槽体上方的侧沿；所述的花篮支架配合设置在导轨支架上；所述的气缸通过电磁阀与气源相连，气源和电磁阀分别与PLC控制器相连；所述的花篮支架内配合设置片架花篮，片架花篮内放置晶片。本实用新型通过前后摇动的方式，使盛装晶片的花篮具有较大的运行轨迹，从而增加了腐蚀液的流动性，通过控制前后摆动的幅度和频率，在增加化学腐蚀液的流动性的同时提供了一种腐蚀液对腐蚀体的冲击动能，能够有效提高腐蚀液的纵向腐蚀速率，因而改善腐蚀的均匀性，减少腐蚀体的残留。
图I为本实用新型的结构示意图；图中ト气缸，2-导轨支架，3-导轨，4-片架花篮，5-花篮支架，6-槽体，7-设备支架。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本实用新型作进ー步说明一种半导体湿法腐蚀的装置，包括设备支架7，在设备支架7上配合设置传动装置、花篮支架5和盛装腐蚀液的槽体6，传动装置带动花篮支架5往复运动于槽体6内。具体地，传动装置由气缸I、导轨支架2和导轨3组成，气缸I固定设置在设备支架7的内侧，其通过传动轴与配合设置在设备支架7外侧上方的导轨支架2相连，导轨支架2滑动设置在导轨3上，导轨3设置在所述槽体6上方的侧沿；可以在导轨3上设置滑轮， 导轨支架2可在滑轮上滑动，实现往复运动；花篮支架5配合设置在导轨支架2上，由导轨支架2的带动，往复运动与槽体内，实现晶片与槽体6内腐蚀液的充分接触；气缸I通过电磁阀与气源相连，气源和电磁阀分别与PLC控制器相连；在花篮支架5内配合设置片架花篮4，片架花篮4内放置晶片。利用该半导体湿法腐蚀的装置对半导体湿法腐蚀的工作流程如下I)启动开始按钮，PLC控制器根据事先编好的所需程序开始工作，计时器计时；2)PLC控制器根据程序设置，输出24V直流信号驱动电磁阀工作，电磁阀控制气源的开关状态；电磁阀根据PLC控制器输出信号的不同，来决定气源(CDA)的输出情况，再由气源来控制汽缸的伸出和缩回；3)气缸在气源的作用下帯动导轨支架往复运动于槽体上方，同时导轨支架带动设置在其上方的花篮支架来回运动，使晶片与槽体内的腐蚀液充分接触；气缸的行程和运动频率由PLC控制器控制，且可调。通过来回摇动导轨支架，从而增大了片架花篮内晶片的运动行程，同时使得腐蚀液在槽体内得到较好的流动并向晶片提供冲击的动能，使得晶片与腐蚀液充分接触并增加纵向冲击力，提高纵向腐蚀速率，因而改善腐蚀的均匀性，减少腐蚀体的残留。
权利要求1.一种半导体湿法腐蚀的装置，包括设备支架，其特征在于所述的设备支架上配合设置传动装置、花篮支架和盛装腐蚀液的槽体，传动装置带动花篮支架往复运动于槽体内。
2.根据权利要求I所述的一种半导体湿法腐蚀的装置，其特征在于所述的传动装置由气缸、导轨支架和导轨组成，气缸固定设置在设备支架的内侧，其通过传动轴与配合设置在设备支架外侧上方的导轨支架相连，导轨支架滑动设置在导轨上，导轨设置在所述槽体上方的侧沿；所述的花篮支架配合设置在导轨支架上。
3.根据权利要求2所述的一种半导体湿法腐蚀的装置，其特征在于所述的导轨上设置滑轮，导轨支架与滑轮滑动配合。
4.根据权利要求I或2所述的一种半导体湿法腐蚀的装置，其特征在于所述的花篮支架内配合设置片架花篮，片架花篮内放置晶片。
5.根据权利要求2所述的一种半导体湿法腐蚀的装置，其特征在于气缸通过电磁阀与气源相连，气源和电磁阀分别与PLC控制器相连。
6.根据权利要求I所述的一种半导体湿法腐蚀的装置，其特征在于所述的传动装置由气缸、导轨支架和导轨组成，气缸固定设置在设备支架的内侧，其通过传动轴与配合设置在设备支架外侧上方的导轨支架相连，导轨支架滑动设置在导轨上，导轨设置在所述槽体上方的侧沿；所述的花篮支架配合设置在导轨支架上；所述的气缸通过电磁阀与气源相连，气源和电磁阀分别与PLC控制器相连；所述的花篮支架内配合设置片架花篮，片架花篮内放置晶片。
专利摘要本实用新型属于半导体器件制造领域，具体为一种半导体湿法腐蚀的装置。其特征在于设备支架上配合设置传动装置、花篮支架和盛装腐蚀液的槽体，传动装置带动花篮支架往复运动于槽体内。本实用新型通过前后摇动的方式，使盛装晶片的花篮具有较大的运行轨迹，从而增加了腐蚀液的流动性，通过控制前后摆动的幅度和频率，在增加化学腐蚀液的流动性的同时提供了一种腐蚀液对腐蚀体的冲击动能，能够有效提高腐蚀液的纵向腐蚀速率，因而改善腐蚀的均匀性，减少腐蚀体的残留。
文档编号H01L21/67GK202373566SQ20112052559
公开日2012年8月8日 申请日期2011年12月15日 优先权日2011年12月15日
发明者周诗雨, 朱春生, 朱灵辉, 王海峰, 郑振宇, 陈宝华, 黄力平 申请人:杭州立昂微电子股份有限公司