一种磁共振成像装置用磁体的制作方法

文档序号:7223172阅读:251来源:国知局
专利名称:一种磁共振成像装置用磁体的制作方法
技术领域
本实用新型涉及医用磁共振装置辅助机构,尤其涉及一种磁共振成像装置用磁体。
背景技术
根据现有技术,磁体属于此广州设备的关键性部件,它可以为MRI成像系统提供一个字成像空间内足够均匀的磁场,其性能直接决定着磁共振设备的信噪比,所以可以说,它在一定程度上决定着磁共振成像的清晰度。传统的永磁性磁体采用铁氧体材料制作,整体笨重,体积较大,尤其采用封闭式结构,往往会使得受检的病人产生恐惧的心里,尤其很难为儿童和其他焦躁性患者所接受。现有技术的磁体已经出现了采用开放式结构的形式,但这种开放式的磁体在整体上采用了分体式拼装的结构,磁轭铁部分采用多组件组合的形式,在加工装配的过程中很难保证上轭铁和下轭铁的平行度,因此磁体的技术指标在一定 程度上受到了影响。

实用新型内容本实用新型的目的在于,克服现有技术的不足之处,提供一种磁共振成像装置用磁体,采用钕铁硼磁材料制作成体积和重量都有大幅度降低的结构形式。本实用新型所述的一种磁共振成像装置用磁体,包括有C型机架上体、上孔道、温度上探头、钕铁硼磁材料上极、匀均环调整上片、匀均环调整下片、钕铁硼磁材料下极、温度下探头、下孔道和C型机架下体。C型机架上体和C型机架下体构成本实用新型C型机架的主体件,在C型机架上体和C型机架下体的外开口端稍靠内的位置,在C型机架上体上设置有上孔道,上孔道的下部设置有温度上探头,在C型机架下体上设置有下孔道,在下孔道的上部设置有温度下探头。在C型机架上体的下侧面,设置有钕铁硼磁材料上极,在钕铁硼磁材料上极的下面,设置有匀均环调整上片,在C型机架下体的上面,设置有钕铁硼磁材料下极,在钕铁硼磁材料下极的上面,设置有匀均环调整下片。本实用新型所述的一种磁共振成像装置用磁体,整体结构简单,安装和操作使用方便,稳定性好,可靠性高。由于本实用新型设置了钕铁硼磁材料上极和钕铁硼磁材料下极,使得整体性体积和重量都有大幅度的降低。

附图I是本实用新型所述一种磁共振成像装置用磁体的结构示意图。I一C型机架上体2—上孔道3—温度上探头4一钕铁硼磁材料上极5—匀均环调整上片6—匀均环调整下片7—钕铁硼磁材料下极8—温度下探头9 一下孔道10—C型机架下体。
具体实施方式
现参照附图1,结合实施例说明如下本实用新型所述的一种磁共振成像装置用磁体,包括有C型机架上体I、上孔道2、温度上探头3、钕铁硼磁材料上极4、匀均环调整上片5、匀均环调整下片6、钕铁硼磁材料下极7、温度下探头8、下孔道9和C型机架下体10。C型机架上体I和C型机架下体10构成本实用新型C型机架的主体件,在C型机架上体I和C型机架下体10的外开口端稍靠内的位置,在C型机架上体I上设置有上孔道2,上孔道2的下部设置有温度上探头3,在C型机架下体10上设置有下孔道9,在下孔道9的上部设置有温度下探头8。在C型机架上体I的下侧面,设置有钕铁硼磁材料上极4,在钕铁硼磁材料上极4的下面,设置有匀均环调整上片5,在C型机架下体10的上面,设置有钕铁硼磁 材料下极7,在钕铁硼磁材料下极7的上面,设置有匀均环调整下片6。本实用新型所述的一种磁共振成像装置用磁体,整体结构简单,安装和操作使用方便,稳定性好,可靠性高。由于本实用新型设置了钕铁硼磁材料上极4和钕铁硼磁材料下极7,使得整体性体积和重量都有大幅度的降低。
权利要求1.一种磁共振成像装置用磁体,其特征在于在C型机架上体(I)和C型机架下体(10)的外开口端稍靠内的位置,在C型机架上体(I)上设置有上孔道(2),上孔道(2)的下部设置有温度上探头(3),在C型机架下体(10)上设置有下孔道(9),在下孔道(9)的上部设置有温度下探头(8);在C型机架上体(I)的下侧面,设置有钕铁硼磁材料上极(4),在钕铁硼磁材料上极(4)的下面,设置有匀均环调整上片(5),在C型机架下体(10)的上面,设置有钕铁硼磁材料下极(7 ),在钕铁硼磁材料下极(7 )的上面,设置有匀均环调整下片(6 )。
专利摘要一种磁共振成像装置用磁体,包括有C型机架上体、上孔道、温度上探头、钕铁硼磁材料上极、匀均环调整上片、匀均环调整下片、钕铁硼磁材料下极、温度下探头、下孔道和C型机架下体。在C型机架上体和C型机架下体的外开口端稍靠内的位置,在C型机架上体上设置有上孔道,上孔道的下部设置有温度上探头,在C型机架下体上设置有下孔道,在下孔道的上部设置有温度下探头。在C型机架上体的下侧面,设置有钕铁硼磁材料上极,在钕铁硼磁材料上极的下面,设置有匀均环调整上片,在C型机架下体的上面,设置有钕铁硼磁材料下极,在钕铁硼磁材料下极的上面,设置有匀均环调整下片。本实用新型整体结构简单,安装和操作使用方便,稳定性好,可靠性高。
文档编号H01F7/02GK202383275SQ20112055853
公开日2012年8月15日 申请日期2011年12月28日 优先权日2011年12月28日
发明者山君来 申请人:山君来
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