专利名称：基板处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及基板处理装置。更具体而言，涉及一种仅在必须使用基板托架的工序中使用基板托架，从而能够提高基板处理工艺效率的基板处理装置。
背景技术：
用于制造太阳能电池或液晶显示器的装置，大体上有蒸镀装置和热处理装置。蒸镀装置是用于形成构成太阳能电池或液晶显示器的半导体层的装置，包括如LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition :低压化学气相淀积)或 PECVD (PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition :等离子增强化学气相沉积)的化学气相蒸镀装置，以及如溅射器(sputtering)的物理蒸镀装置。此外，热处理装置用于在蒸镀工序之后为了结晶化、相变等进行的热处理步骤。 关于蒸镀装置和热处理装置的具体例子，在为IXD的情况下，代表性的蒸镀装置，有将薄膜晶体管(thin film transistor TFT)的相当于活性物质的非晶娃蒸镀到玻璃基板上的硅蒸镀装置，代表性的热处理装置有将蒸镀到玻璃基板上的非晶硅结晶化为多晶硅的硅晶化装置。一般来说，在这种蒸镀工序和热处理工序中，均要求把基板加热到规定温度以上。为了将基板加热到规定温度以上，主要采用将基板装载到腔内的晶舟上并利用设在腔外部或内部的加热器加热基板的方法。
发明内容
技术问题在将基板装载到晶舟上的情况下，若只有基板的边缘部被晶舟所支撑，则基板的中间部分下垂，有可能导致基板变形。此时，为了防止基板变形，必须要使用基板托架。针对此问题，采用在基板托架上安装了基板的状态下加热基板、并冷却基板的方法。但是，现有的这种方式，在不需要基板托架的工序中也使用基板托架，从而降低了工序的效率。为了解决这种问题，提出了如下方案事先在对基板进行加热的腔的晶舟内设置基板托架，并仅在加热基板的工序中使用基板托架。但是，现有的方式在完成基板加热之后，很难从基板托架分离基板，并且，为了防止基板变形，在基板冷却到一定程度之后才能分离基板，因而存在工艺生产效率降低的问题。技术问题解决方案本发明是为了解决现有技术的上述技术问题而提出的，本发明的目的在于，提供一种仅在必须使用基板托架的工序中使用基板托架从而提高基板处理工艺的效率的基板
处理装置。本发明的另一目的在于，提供一种同时处理多个基板从而能够提高基板处理工艺的生产率的基板处理装置。本发明的另一目的在于，提供一种能够最大限度地活用用于冷却基板的冷却部空间的基板处理装置。本发明的另一目的在于，提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够防止在基板和基板托架的分离过程中因基板托架的贯通孔和基板支撑销未对齐而导致的基板及/或基板托架破损。发明效果本发明的基板处理装置，仅在必须使用基板托架的工序中使用基板托架，从而具有提高基板处理工艺的效率的效果。此外，由于同时处理多个基板，所以提高了基板处理工艺的生产率。
此外，使得用于冷却基板的冷却部的空间活用极大化。此外，能够防止在基板和基板托架的分离过程中因基板托架的贯通孔和基板支撑销未对齐而导致基板及/或基板托架破损。实施发明的最优方式实现上述目的的本发明的基板处理装置，其特征在于，包括预热部，对基板进行预热；移送部，移送上述基板；基板处理部，对上述基板进行处理；以及冷却部，对经处理的上述基板进行冷却，上述预热部和上述冷却部以垂直层叠的方式配置成一体。此外，本发明的基板处理装置，其特征在于，包括预热部，对基板进行预热；移送部，用于移送上述基板；基板处理部，对上述基板进行处理；以及冷却部，对经处理的上述基板进行冷却，上述预热部包括预热腔；基板支撑销，设在上述预热腔的内部，对上述基板进行支撑；以及基板托架支撑销，设在上述预热腔的内部，对基板托架进行支撑，该基板托架用于支撑上述基板，在上述基板托架上形成有供上述基板支撑销贯通的贯通孔，上述基板支撑销设置成能够弹性地压入到上述基板托架支撑销中。
图I是示意性地示出本发明一实施例的基板处理装置的结构的俯视图。图2是示意性地示出本发明一实施例的预热部的结构的截面图。图3是示意性地示出本发明一实施例的预热部和冷却部的结构的截面图。图4是示出本发明一实施例的预热部的支撑台上所设置的基板支撑销和基板托架支撑销的结构的截面图。图5是在图4的支撑台上基板托架对基板支撑销进行施压的动作状态图。图6是示意性地示出本发明一实施例的基板处理部的结构的图。图7是示出本发明一实施例的第一基板处理腔的结构的图。图8是示出本发明一实施例的第一基板处理腔的晶舟的结构的立体图。图9是示出本发明一实施例的冷却部的结构的图。
具体实施例方式后述的对本发明的详细说明以能够实施本发明的特定实施例作为例子，参照图示的附图。详细说明这些实施例，以使本领域的技术人员能够实施本发明。本发明的多种实施例相互不同，但是应理解为不是相互排他的。例如，在此记载的一实施例的特定形状、特定结构及特性在不脱离本发明的宗旨和范围的情况下，能够通过其他实施例实现。此外，应理解为在不脱离本发明的宗g和范围的情况下，能够变更所公开的各实施例中的个别构成要素的位置或配置。因此，后述的详细说明意不在于限定本发明，本发明的范围在适当说明的前提下，只由与其权利要求主张的范围均等的范围以及权利要求来限定。图上的类似的參考标记在多个方面表示相同或类似的功能，并且有可能为了便于说明而夸张地示出了长度、面积、厚度以及形态。下面，为了使得本领域的技术人员容易实施本发明，參照附图来详细说明本发明的优选实施例。本实施例中装载到基板处理装置上的基板的材质不特别限定，能够装载玻璃，塑料、聚合物、娃晶片、不镑钢等多种材质的基板。下面，假设是在如IXD或OLED那样的平板显示器或薄膜型硅太阳能电池领域普遍使用的方形玻璃材料基板来进行说明。
图I是示意性地示出本发明的一实施例的基板处理装置的结构的俯视图。參照图I，本发明的一实施例的基板处理装置I包括基板箱100。在基板箱100中保管将要处理的多个基板10。保管在基板箱100中的基板10在被转位移送部110移送到冷却部500之后，可以重新移送到预热部200。此外，參照图I，本发明的一实施例的基板处理装置I包括将基板10 (參照图2 )预热(Pre-Heating)到预定温度的预热部200。预热部200执行如下功能在处理基板10之前，将基板10预热到规定温度。这样，预热部200能够缩短基板10的处理时间，提高基板10的处理工艺的生产率，并且，能够防止基板10随着急剧的温度变化而发生变形。在预热部200，对基板10进行预热的温度和时间不特别限定不特别限定，能够根据根据本发明目的来进行各种变更。例如，在为了使非晶硅结晶化而对非晶硅进行预热的情况下，预热温度优选是约350°C 500°C，预热时间优选为约I分钟 I个小吋。图2是示意性地示出本发明的一实施例的预热部的结构的截面图。參照图2，本发明的一实施例的预热部200可以包括预热腔210。预热腔210执行如下功能在执行エ序的期间，实质性地密闭内部空间，从而提供用于对基板10进行预热的空间。预热腔210构成为能够维持最佳エ艺条件，其形态能够制造成四边形或圆形。预热腔210的材质不特别限定，能够采用石英玻璃或一般的不锈钢等。此外，參照图2，本发明的一实施例的预热部200能够包括预热加热器220。预热加热器220设置在预热腔210的内部或外部，能够执行在规定的温度下对基板10进行预热的功能。预热加热器220的种类不特别限定，热丝的材质为钨的卤灯或一般的坝塔尔加热器，就能够用作预热加热器220。此外，參照图2，本发明的一实施例的预热部200包括基板支撑销230。基板支撑销230设置在预热腔210内部，执行对基板10进行支撑的功能。为了进一步稳定地支撑基板10，优选设置4个以上的基板支撑销230，但是并不一定限于此，可以根据基板面积来进
行变更。此外，參照图2，本发明的一实施例的预热部200包括基板托架支撑销240。基板托架支撑销240设置在预热腔200内部，执行支撑基板托架20的功能。基板托架支撑销240构成为筒形，其内嵌入有基板支撑销230的下端部。基板托架支撑销240的个数优选与基板支撑销230的个数相同。另ー方面，基板托架支撑销240为了稳定支撑基板托架20，最好与基板支撑销230类似地设置4个以上，但是并不一定限定于此，能够根据相应的基板托架的面积而进行变更。再有，优选基板支撑销230和基板托架支撑销240设置成不会妨碍后述的转位移送部110及基板移送部300的移动。例如，基板支撑销230能够设置为，对基板10的边缘附近进行支撑，以使基板移送部300能够在基板支撑销230之间灵活移动。此外，在基板托架20上，能够形成与基板支撑销230的个数相同个数的贯通孔21(參照图5)，以供基板支撑销230贯通。贯通孔21的直径优选比基板支撑销230的直径大，比基板托架支撑销240的直径小。随之 ，如图2所示，在基板支撑销230贯通了基板托架20的贯通孔21的状态下，由基板托架支撑销240支撑基板托架20。进ー步參照2，在预热部200，基板10在与基板托架20分离的状态下被加热或保管。更具体而言，优选基板10被基板支撑销230支撑，基板托架20被基板托架支撑销240支撑，从而在与基板托架20分离的状态下对基板10进行预热。如上所述，将基板10从基板托架20分离后进行预热是考虑到在作为相对低温エ序的预热エ序中，不需要在将基板10安装到基板托架20上的状态下进行预热，以提闻エ序效率。但是，在完成了基板10的预热的情况下，基板10被移送到基板处理部400进行处理，此时，优选将基板10安装到基板托架20来移送到基板处理部400。这是因为，在基板处理部400，在比预热温度高的温度下对基板10进行处理，为了防止基板10的变形，必须使用基板托架20。为了将基板10安装到基板托架20上来进行移送，能够采用如下方法在基板托架20的下侧，后述的基板移送部300将基板托架20抬到高于基板支撑销230高度的位置，将基板10安装到基板托架20上之后移送基板10。图3是示出本发明的一实施例的预热部和冷却部的结构的图。如图3所示，在本发明中，预热部200和后述的冷却部500以垂直层叠的方式被配置成一体。此时，预热部200优选配置到冷却部500的上側。关于因预热部200和冷却部500配置成一体而产生的特定结构，将在后面进行说明。參照图I，本发明的一实施例的基板处理装置I能够包括转位移送部110和基板移送部300。转位移送部110能够在基板10未被安装到基板托架20上的状态下进行移送。这种移送可以是基板箱100、预热部200、冷却部500之间的移送。例如，转位移送部110能够执行从基板箱100到冷却部500的移送，从冷却部500到预热部200的移送，从预热部200到冷却部500的移送。此外，基板移送部300能够在基板10被安装于基板托架20上的状态下进行移送。这种移送可以是基板处理部400和预热部200之间的移送。例如，基板移送部300能够执行从基板处理部400到预热部200的移送，从预热部200到基板处理部400的移送。转位移送部110和基板移送部300包括能够向上下左右移动的机械臂，从而能够顺利执行移送动作。为此，公知的基板移送机械臂的构成原理能够应用于转位移送部110和基板移送部300。參照图I，本发明的一实施例的基板处理装置I能够包括基板处理部400。基板处理部400能够按照基板10的处理工序的目的执行处理基板10的功能。例如，基板处理部400对基板10进行等离子体处理，从而对基板10的表面状态进行改质，或者在基板10上蒸镀规定的物质或进行热处理。在下面，为了便于说明，假定基板处理部400是在比预热温度高的温度下对基板10进行热处理的装置。此外，基板处理部400可以构成为一次对ー个基板10进行处理的单片方式，但是优选构成为包括晶舟450以便一次能够处理多个基板10的批处理方式。在这样的前提下，在下面的说明中，假定本发明的基板处理部400为批处理方式来进行说明。图4是示出设置在本发明的一实施例的预热部的支撑台上的基板支撑销和基板托架支撑销的结构的截面图，图5是在图4的支撑台上，基板托架对基板支撑销施压的动作状态图。參照图4和图5，基板支撑销230设置成能够弹性地压入到基板托架支撑销240上。在基板托架20通过基板支撑销230而配置到基板托架支撑销240上时，在基板支撑销230不能通过基板托架20的贯通孔21的情况下，基板支撑销230 被基板托架20施压而压入到基板托架支撑销240的内部。更具体而言，在安装有基板10的基板托架20移送到预热部200时，若基板托架20的贯通孔21和基板支撑销230对齐，则基板支撑销230通过基板托架20的贯通孔21并支撑基板10，基板托架支撑销240支撑基板托架20。但是，在移送过程中，因振动或外部干扰等而基板托架20的贯通孔21和基板支撑销230未对齐吋，多数基板支撑销230中一部分或全部能够接触基板托架20。此时，与基板托架20接触的基板支撑销230被基板托架20施压而直接压入到基板托架支撑销240的内部。这样，即使发生上述未对齐的情况，基板托架20在維持平衡的同时下降而被基板托架支撑销240支撑。此外，參照图4，在基板支撑销230的下端结合支撑板241，该支撑板241以能够移动的方式嵌入在基板托架支撑销240的内部。基板托架支撑销240是管状体，在上面部形成有基板支撑销230通过的导孔245，在基板托架支撑销240的内部，设有用干支撑支撑板241的螺旋弹簧242。通过这种结构，基板支撑销230能够在压缩螺旋弹簧242的同时压入到基板托架支撑销240的内部。支撑板241能够构成为接触或靠近基板托架支撑销240的内壁并进行滑动的形状。螺旋弹簧242能够充分支撑支撑板241的底面，优选具有能够被基板托架支撑销240的内壁支撑的宽度。虽然未图示，在基板支撑销230的下端可具备弾性体，该弾性体能够替代支撑板241和螺旋弹簧242。作为上述弾性体，可以采用具有气孔的海绵、橡胶或合成树月旨。但是，上述弾性体与螺旋弹簧242同样，应提供基板支撑销230能够压入到基板托架支撑销240的内部的位移。在基板支撑销230的下方设有传感器243，该传感器243检测基板支撑销230是否压入到基板托架支撑销240的内部。作为一例，如图4所示，传感器243能够设置在支撑台235的底面，在该支撑台235上设有基板托架支撑销240。传感器243在基板支撑销230的下部检测显示机械性位移的移动销244，从而能够检测基板支撑销230压入到基板托架支撑销240的内部的状态。此时，传感器243可以是检测移动销244靠近的情况的靠近检测传感器。传感器243和移动销244还可以是通过机械性接触来驱动内部开关的结构或具有发光元件的非接触性结构。此外，參照图4和图5，传感器243与控制部245连接，该控制部245检测基板支撑销230压入的状态之后，使基板10和基板托架20的对齐动作停止，控制部245能够执行报警功能。控制部245可以相当于对基板处理装置I整体的动作进行控制的主控制部的一部分，或单独设置在预热部200的外側，并只针对传感器243。控制部245可以是模拟方式的，也可以是数字方式的，为了提供简洁的结构，并提高设置和动作的灵活性，能够使用可编程的微控制器。此外，控制部245可以是通用的计算机，该计算机设置在外部，通过网络监视装备的状态，能够执行动作和维护。控制部245的报警功能是通知基板支撑销230没能通过基板托架20的贯通孔21，基板支撑销230受到基板托架20的压カ的状态的功能。报警功能是通过联动的显示单元通知基板处理装置I的作业错误的功能。作为上述显示单元，能够使用基于听觉的蜂鸣、扩音器、机械的打击音，或者是基于视觉的发光体。报警功能的报警显示还可以提供给连接在网络上的远程作业人员。
在预热部200，基板10和基板托架20分离的过程中，即使基板托架20的贯通孔21和基板支撑销230未对齐的情况下，通过基板托架20，基板支撑销230能够弹性地压入到基板托架支撑销240的内部。其結果，由移动销244使传感器243启动，使上述分离过程立即中止，从而能够预先防止基板10及/或基板托架20被基板支撑销230挡住而不能维持平行而可能发生的基板10及/或基板托架20的破损。通过这种结构，能够在基板处理部400完成了基板处理之后被移送到预热部200，在基板10和基板托架20分离的过程中，确保基板10及/或基板托架的移动的稳定性，从而能够事先防止在不能确保这种移动稳定性时有可能发生的大型安全事故。图6是示意性地示出本发明的一实施例的基板处理部的结构的图。參照图6，能够确认本发明ー实施例的基板处理部400包括多个基板处理腔，该多个基板处理腔提供基板10处理空间。更具体而言，基板处理部400包括第一基板处理腔410以及与第一基板处理腔410分开配置的第二基板处理腔420。进ー步參照图6，能够确认第一基板处理腔410及第ニ基板处理腔420垂直层叠。此外，能够确认第一基板处理腔410和第二基板处理腔420分别被用于支撑腔的腔架430所支撑。如上所示，在本发明中，ー个基板处理部400能够包括多个基板处理腔，一次能够处理更多数量的基板10，从而能够提高基板10的处理工序的生产率。第一基板处理腔410和第二基板处理腔420能够形成为实质上相同。在这样的前提下，只对第一基板处理腔410的构成要素进行说明，视为这种第一基板处理腔410的构成要素同样适用于第二基板处理腔420。參照图7，是示出本发明的一实施例的第一基板处理腔410的图。这种第一基板处理腔410提供处理基板10的空间。与预热腔200 (參照图2)类似，在第一基板处理腔410的ー侧能够设置扉门(未图示)，该扉门用于向第一基板处理腔410装载或卸载基板10。第一基板处理腔410的材质不特别限定，可以使用石英玻璃或一般的不锈钢等。參照图7，本发明的一实施例的第一基板处理腔410可以包括基板处理加热器440。基板处理加热器440设置在第一基板处理腔410的内部或外部，能够执行在规定的温度下对基板10进行热处理的功能。如图7所示，基板处理加热器440包括多个主加热器单元442，其沿着基板10的层叠方向以一定间隔配置。此时，基板10能够配置在多个主加热器单元442之间。基板10优选配置在主加热器单元442之间的中央。这样，基板10被与各基板10对应的上侧和下侧的主加热器单元442加热而进行加热处理。此时，主加热器单元442能够包括与基板10的短边方向平行且具有一定间隔的多个单位主加热器444。这种单位主加热器444是长度较长的棒形加热器，可以是在石英管内部插入有发热体，通过设在两端的端子接收外部的电源而发热的単位体。此外，优选基板10和主加热器单元442分开，分开的程度以在第一基板处理腔410装载安装到基板托架20上的基板10时不会影响基板移送部300的动作为好。图8是示出本发明的一实施例的第一基板处理腔的晶舟结构的立体图。參照图8,本发明的一实施例的第一基板处理腔410(參照图7)可以包括晶舟450。晶舟450设置在第一基板处理腔410的内部，对装载到第一基板处理腔410上的基板10进行支撑。优选将晶舟450设置成能够支撑基板10的长边侧。
在本实施例中，晶舟450构成为能够在基板10的两个长边侧各支撑3处，即对ー个基板的6处进行支撑的形态，这种晶舟450的形态，能够根据基板10的大小进行多种变更，以便稳定支撑基板10。此外，在图8中示出了在晶舟450上装载了三个基板10，但是不特别限定装载到晶舟450上的基板10的个数，能够根据根据本发明的目的而进行各种变更。另一方面，晶舟450的材质优选为石英。进ー步參照图8，优选在将基板10安装到基板托架20上的状态下装载到晶舟450上。如上所述，这是为了防止基板10随着被加热到高温而发生变形。为此，如前所述，通过基板移送部300，基板10能够在安装到基板托架20上的状态下移送到基板处理部400。进ー步參照图8，本发明的一实施例的第一基板处理腔410能够包括多个基板处理气体供给部460。基板处理气体供给部460将用于形成热处理氛围的基板10的处理气体供给到第一基板处理腔410内部。如图8所示，基板处理气体供给部460能够构成为，形成有多个气孔462的棒形，该气孔462排出基板10处理气体。基板处理气体供给部460优选设置在基板10的长边侦U。作为基板10的处理气体，能够使用如Ar，Ne，He，N2等惰性气体。在基板处理气体供给部460的相反侧，能够设置基板处理气体排出部(未图示)，该基板处理气体排出部用于将第一基板处理腔410内的基板10的处理气体排出到第一基板处理腔410的外部。上述基板处理气体排出部与气体供给部460类似，能够构成为具有多个用于吸入热处理气体的气孔(未图示)的棒形。另ー方面，參照图1，本发明的基板处理装置I优选包括多个基板处理部400。BP,优选为，具有相同结构的多个基板处理部400配置在基板移送部300的周围。根据这种结构，一次能够处理更多数量的基板10，从而能够提高基板10的处理工序的生产率。此外，在维护ー个基板处理部400吋，也能驱动其他基板处理部400，从而能够持续执行基板10的处
理工序。如前所述，能够在基板10安装到基板托架20上的状态下，对基板10进行处理。此时，当基板10的处理完成时，优选基板10和基板托架20 —同重新被移送到预热部200。被移送到预热部200的基板10和基板托架20能够重新分离。更具体而言，在基板10被基板支撑销230支撑，基板托架20在基板支撑销230贯通的状态下被基板托架支撑销240支撑，从而基板10和基板托架20能够分离。即，基板10和基板托架20能够按照如图2所示的形态重新分离。在基板10和基板托架20分离之后，优选通过转位移送部110仅将基板10移送到后述的冷却部500。随之，在预热部200，只有基板托架20被基板托架支撑销240支撑。之后，新的基板10装载到预热部200并被基板支撑销230支撑，从而能够在与基板托架20分离的状态下进行预热。接着，重新參照图I，本发明的一实施例的基板处理装置I能够包括冷却部500。冷却部500能够对在基板处理部400进行了基板处理的基板10进行冷却。在冷却部500冷却基板10的方式不特别限定。随之，包括水冷式或空冷式的公知的各种冷却原理，均能够用于本发明的冷却部500。图9是示出本发明的一实施例的冷却部500的结构的图。參照图3和图9，本发明的一实施例的冷却部500基本上包括冷却架510。在冷却 架510的内部流动冷却水，该冷却水能够迅速冷却基板10。此外，在冷却架510的一侧能够设置冷却扇(未图75)，该冷却扇向基板10喷射冷却气体。进ー步參照图9，本发明的一实施例的冷却部500可以包括托盘520。托盘520在冷却基板10的期间支撑多个基板10。进ー步參照图9，能够确认ー个基板10被第一支撑销群530支撑。在此，第一支撑销群530可以是多个第一支撑销532，该多个第一支撑销532设在托盘520上用以支撑ー个基板10。S卩，ー个基板10被由多个第一支撑销532构成的第一支撑销群530支撑而进行冷却。如图9所示，第一支撑销群530的第一支撑销532能够设置在，朝向托盘520的内侧相互对置形成的杆522及与杆522具有一定间隔并配置于杆522的下侧的板524上。另一方面，在图9中示出了ー个第一支撑销群530包括4个第一支撑销532，但是并不一定限定于此。此外，如图9所示，优选第一支撑销群530是多个。换言之，本发明的冷却部500具备多个第一支撑销群530，一次能够冷却多个基板10。图9的冷却部500具备6个第一支撑销群530，一次能够冷却6个基板10。冷却部500具备的第一支撑销532的个数不特别限定，能够根据本发明的目的而进行多种变更。另ー方面，在预热部200预热的基板10经过冷却部500后移送到预热部200。更具体而言，转位移送部110从基板箱100取出将要执行预热エ序的基板10，先移送到冷却部500，被移送的新的基板10暂时放置于冷却部500，之后被移送到预热部200。在此，在冷却部500暂时放置将要预热的基板10的原因在于，等待完成了处理的基板10在预热部200与基板托架20分离而被移送到冷却部500从而在预热部200只剩下基板托架20的时机。換言之，等待在预热部200，基板10和基板托架20分离之后仅有基板10被卸载的时机。在预热部200只卸载基板10时预热部200上只剩下基板托架20，因此，此时能够将新的基板10移送到预热部200。此时，不会无用地对仅在高温エ序中利用的基板托架20进行冷却，能够在加热的状态下重新使用，从而能够提高基板10的处理工艺的效率。如上所示，为了在冷却部500暂时放置基板10，本发明的一实施例的冷却部500能够包括第二支撑销群540。在此，第二支撑销群540可以是设在托盘520上的多个第二支撑销542，该多个第二支撑销542用于对ー个新的基板10、即在预热部200预热的基板10进行支撑。如图9所示，第二支撑销群540设在托盘520的上側，能够执行支撑新的基板10的功能。新的基板10暂时被第二支撑销542支撑，之后，在预热部200上只剩下基板托架20时，能够移送到预热部200。与第一支撑销群530不同，包含在冷却部500中的第二支撑销群540优选是ー个。此外，包含在第二支撑销群540中的第二支撑销542的个数不特别限定，能够根据本发明的目的来设置成多种方式。 前面已经提到本发明的预热部200和冷却部500以垂直层叠的方式排列成一体。图3示出预热部200和冷却部500垂直层叠而排列成一体的结构。此时，如图3所示，优选预热部200位于冷却部500的上側，但是不限定于此，冷却部500也可以位于预热部200的上側。在本发明中，预热部200和冷却部500垂直层叠而排列成一体，这样，转位移送部110能够将基板10从预热部200迅速移送到冷却部500，以及从冷却部500迅速移送到预热部200，由此，能够更加顺利执行前面说明的移送过程，其结果，能够进ー步提高基板10的处理工艺的生产率。另ー方面，在基板处理部400不动作的情况下，在本发明的冷却部500能够保管多个基板托架20。在此，基板处理部400不动作的情况是指，在多个基板处理部400中的ー个基板处理部400发生异常，从而对发生异常的基板处理部400的进行维护的情況。此时，基板托架20能够被托盘520的杆522支撑而保管。即，在本发明的基板托架20上，形成有贯通孔21使第一支撑销532贯通，因此，基板托架20能够在贯通了设在板524上的第一支撑销532的状态下，被杆522支撑而保管。随之，即使将基板托架20保管在冷却部500，也不会对驱动冷却部500而冷却基板10造成任何影响，因此，能够使得冷却部500的空间活用极大化。下面，对多个基板托架20保管在冷却部500中的一例进行说明。首先，假设在多个基板处理部400中之一的基板处理部400发生了异常。此时，使用于发生异常的基板处理部400的多个基板托架20能够保管到冷却部500。更具体而言，如上所述，多个基板托架20在贯通了设置于板524上的第一支撑销532的状态下被杆522支撑而保管。在该状态下，未发生异常的其他基板处理部400继续处理基板10，经处理的基板10在不对保管在冷却部500中的基板托架20产生任何影响的情况下，在冷却部500被进行冷却。如上所示，以优选实施例说明了本发明，但本发明不限定于上述实施例，在不脱离本发明的宗_的范围内，本发明的技术领域的普通技术人员能够进行多种变形和变更。这种变形例和变更例应视为属于本发明和所附的请求范围内。
权利要求
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括 预热部，对基板进行预热； 移送部，移送上述基板； 基板处理部，对上述基板进行处理；以及 冷却部，对经处理的上述基板进行冷却， 上述预热部和上述冷却部以垂直层叠的方式配置成一体。
2.根据权利要求I所述的基板处理装置，其特征在于， 上述预热部配置在上述冷却部的上侧。
3.根据权利要求I所述的基板处理装置，其特征在于，上述预热部包括 预热腔； 基板支撑销，设置在上述预热腔的内部，对上述基板进行支撑； 基板托架支撑销，设置在上述预热腔的内部，对用于支撑上述基板的基板托架进行支撑， 在上述基板托架上形成有供上述基板支撑销贯通的贯通孔。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于， 在上述预热部，上述基板以与上述基板托架分离的状态下被预热。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于， 在上述预热部被预热的上述基板，以安装在上述基板托架上的状态被移送到上述基板处理部。
6.根据权利要求I所述的基板处理装置，其特征在于， 上述基板处理部包括彼此独立配置的第一基板处理腔和第二基板处理腔， 上述第一基板处理腔和上述第二基板处理腔垂直层叠配置。
7.根据权利要求I所述的基板处理装置，其特征在于， 上述基板处理部是多个。
8.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于， 在上述基板处理部，上述基板以安装在上述基板托架上的状态被进行处理。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于， 在上述基板处理部完成了处理的上述基板，以安装在上述基板托架上的状态被移送到上述预热部。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于， 上述基板在上述预热部与上述基板托架分离并被移送到上述冷却部。
11.根据权利要求I所述的基板处理装置，其特征在于， 将要在上述预热部预热的上述基板，经由上述冷却部被移送到上述预热部。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，上述冷却部包括 第一支撑销群，包括对在上述基板处理部经过处理的上述基板进行支撑的多个第一支撑销；以及 第二支撑销群，包括对将要在上述预热部预热的上述基板进行支撑的多个第二支撑销。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一支撑销群为多个。
14.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于， 上述第二支撑销群是一个，位于上述第一支撑销群的上侧。
15.根据权利要求I所述的基板处理装置，其特征在于， 当上述基板处理部不动作时，在上述冷却部保管多个基板托架。
16.一种基板处理装置，其特征在于， 包括预热部，对基板进行预热；移送部，用于移送上述基板；基板处理部，对上述基板进行处理；以及冷却部，对经处理的上述基板进行冷却， 上述预热部包括 预热腔；基板支撑销，设在上述预热腔的内部，对上述基板进行支撑；以及基板托架支撑销，设置在上述预热腔的内部，对用于支撑上述基板的基板托架进行支撑， 在上述基板托架上形成有供上述基板支撑销贯通的贯通孔， 上述基板支撑销设置成能够弹性地压入到上述基板托架支撑销。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于， 在上述基板支撑销的下端结合有支撑板，该支撑板以能够移动的方式压入到上述基板托架支撑销的内部， 上述基板托架支撑销是管状体，在其上面部形成有供上述基板支撑销通过的导孔， 在上述基板托架支撑销的内部，设有对上述支撑板进行支撑的螺旋弹簧。
18.根据权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于， 在上述基板支撑销的一侧设有传感器，该传感器用于检测上述基板支撑销压入到上述基板托架支撑销的内部的状态。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其特征在于， 上述传感器被连接到控制部，该控制部在检测出上述基板支撑销压入的状态后，停止上述基板和上述基板托架的对齐动作。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于， 上述控制部执行报警功能。
21.根据权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于， 上述基板处理部包括彼此独立配置的第一基板处理腔和第二基板处理腔， 上述第一基板处理腔和上述第二基板处理腔垂直层叠配置。
22.根据权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，上述冷却部包括 第一支撑销群，包括对在上述基板处理部经过处理的上述基板进行支撑的多个第一支撑销；以及 第二支撑销群，包括对将要在上述预热部预热的上述基板进行支撑的多个第二支撑销。
23.根据权利要求22所述的基板处理装置，其特征在于， 上述第一支撑销群是多个。
24.根据权利要求22所述的基板处理装置，其特征在于， 上述第二支撑销群是一个，位于上述第一支撑销群的上侧。
全文摘要
本发明公开一种基板处理装置。本发明的基板处理装置，仅在必须使用基板托架的工序中利用基板托架，因此，提高了基板处理工艺的效率。此外，由于同时处理多个基板，所以能够提高基板处理工艺的生产率。此外，能够最大限度地活用用于冷却基板的冷却部的空间。此外，在基板和基板托架的分离过程中，能够防止因基板托架的贯通孔和基板支撑销未对齐而产生的基板及/或基板托架破损的现象。
文档编号H01L21/324GK102859667SQ201180020406
公开日2013年1月2日 申请日期2011年4月29日 优先权日2010年4月30日
发明者康浩荣, 宋钟镐 申请人:泰拉半导体株式会社