专利名称：光半导体装置用粘着剂、光半导体装置用粘着剂薄片、光半导体装置用粘着剂薄片的制造 ...的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体装置用粘着剂，特别是涉及一种光半导体装置用粘着剂及使用该粘着剂而成的光半导体装置的制造方法。
背景技术：
光半导体装置的制造，至今是使用:用以将光半导体元件粘着于元件装设部的液状、糊膏(paste)状的固化性粘着剂(又称为粘晶剂(die bonding agent));以及用以从上方将光半导体元件加以密封等的固化性粘着剂。对于光半导体装置的制造，而该光半导体装置具有蓝色LED(发光二极管)元件、或是具有根据具有蓝光波长以下的发光波长的LED元件的发光来进行波长转换而发出白色光的LED元件，至今是使用液状、糊膏状的聚硅氧烷(silicone)系粘着剂来作为用以从上方将光半导体元件加以密封等的固化性粘着剂。而且，粘晶剂也使用了液状、糊膏状的聚硅氧烷系粘晶剂，一般而言，聚硅氧烷系粘晶剂的内部应力小，粘着性优异，而且光穿透性也优异(专利文献1、专利文献2)。具体而言，在专利文献I中，是灌注(potting)环氧-聚硅氧烷混成树脂组合物，并以180°C固化I小时，由此制作发光半导体装置；而在专利文献2中，是在杯体(cup)、空腔(cavity)、封装凹部等的底部配置发光元件后，以分注器(dispenser)或其他方法，将环氧-聚硅氧烷混成树脂组合物注入至杯体、空腔、封装凹部等，再根据加热等方式使该树脂组合物固化，由此粘着、S封。这种液状、糊膏状的聚硅氧烷系粘晶剂的涂布方法，一般而言是使用根据戳印(stamping)来涂布的方法。以下，使用图3(B)来说明根据戳印粘晶剂来制造光半导体装置的方法。首先，根据切割机11’而自I 片晶片12’大量地切出LED元件等光半导体元件13’(工序Γ)并检选(pick)，但由于发光波长的差异大，所以进行所谓分类(sorting)的作业，分类是测定每一个光半导体元件13’的发光波长，依发光波长来分级(工序2’)。继而，再依等级而将被分类为各等级的光半导体元件13’ 一并地贴附于I片粘着胶带(粘着薄片)21上(工序3’)。然后，进行所谓捡取(pick up)的作业，捡取是从贴附有具有所选择的发光波长等级的光半导体元件13’的粘着胶带21上，一个一个地取出光半导体元件13’(工序4-1’)，同时，根据戳印方式将液状、糊膏状的粘晶剂22涂布于另外配置的光半导体装置14’内的元件装设部15’(工序4-2’)，再进行将所捡取的光半导体元件13’置于元件装设部15’的作业，根据加热等而使粘晶剂22固化，而使光半导体元件13’与光半导体装置14’内的元件装设部15’固化粘着(工序5’)。但是，上述光半导体装置的制造方法中，由于必须将粘晶剂戳印于光半导体装置的每一个元件装设部，所以有着耗费时间的问题。这个问题，只要是以涂布等方式来使用液状、糊膏状的粘晶剂，就无法避免。因此，从高效率生产性、降低生产成本的观点而言，期望能有一种取代液状、糊膏状的粘晶剂的光半导体装置用粘着剂及使用该粘着剂的光半导体装置的制造方法。现有技术文献专利文献专利文献1:日本发明专利第4479883号公报专利文献2:日本特开平2004-266134号公报
发明内容
[发明所要解决的课题]本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种光半导体装置用粘着齐U、光半导体装置用粘着剂薄片、光半导体装置用粘着剂薄片的制造方法及光半导体装置的制造方法，该光半导体装置用粘着剂能效率良好地制造光半导体装置，特别是能效率良好地进行直到将以发光二极管(以下称为LED)、激光二极管(以下称为LD)为首的光半导体元件(又称为晶粒(die)或芯片(chip))固定于光半导体装置的元件装设部为止的作业，并且能提高制造光半导体装置的生产性。[解决课题的方法]为了解决上述课题，本发明中提供一种光半导体装置用粘着剂，其是用以在从基材薄片上捡取自晶片切出并经分类的光半导体元件并且将前述光半导体元件搭载于光半导体装置内的元件装设部后，将前述光半导体元件固化粘着于前述元件装设部，所述光半导体装置用粘着剂的特征在于:其被成形为薄膜状且被配置于前述基材薄片上，并且能自前述基材薄片上剥离。如果是这种光半导体装置用粘着剂，则因为是被成形为薄膜状且被配置于在基材薄片上，所以能对经分类的光半导体元件贴附光半导体装置用粘着剂，并且因为能自基材薄片上剥离，所以在进行捡取时，光半导体元件与光半导体装置用粘着剂能成为一体而一起剥离及捡取，并且直接搭载于元件装设部，然后隔着光半导体装置用粘着剂而固化粘着于元件装设部。因此，能成为一种光半导体装置用粘着剂，其不需要对前述元件装设部进行粘晶剂的戳印，能效率良好地制造光半导体装置，特别是能效率良好地进行直到固定于光半导体装置的元件装设部为止的作业。又，较优选是如前述的光半导体装置用粘着剂，其中，具有前述光半导体元件的对于前述元件装设部的粘着面的51%以上且225%以下的面积。如果是这种具有前述光半导体元件的对于该元件装设部的粘着面的51%以上且225%以下的面积的光半导体装置用粘着剂，则固化后能获得充分的粘着强度，而且能避免不必要地覆盖元件装设部，因此较优选。并且，较优选是如前述的光半导体装置用粘着剂，其中，对于被粘着物的粘着力是20kN/m2 以上且 300kN/m2 以下。如果是这种对于被粘着物的粘着力是20kN/m2以上且300kN/m2以下的光半导体装置用粘着剂，则因为从基材薄片上捡取光半导体元件时，光半导体元件与光半导体装置用粘着剂之间不易剥开，所以会成为一体而容易一起捡取，而且，因为进行捡取时，光半导体装置用粘着剂会容易地自基材薄片上剥离，所以光半导体元件与光半导体装置用粘着剂会成为一体而容易一起捡取，因此较优选。
又，较优选是如前述的光半导体装置用粘着剂，其中，含有聚硅氧烷组合物51质
量％以上。如果是这种含有光穿透性优异的聚硅氧烷组合物51质量％以上的光半导体装置用粘着剂，则因为使用该光半导体装置用粘着剂所制造的光半导体装置会是一种从光半导体元件取出光的效率良好的光半导体装置，因此较优选。并且，较优选是如前述的光半导体装置用粘着剂，其中，所述光半导体装置用粘着剂是半固化状态。如果是这种半固化状态的光半导体装置用粘着剂，则因为光半导体元件能良好地压接、贴附，而且光半导体元件与薄膜状的光半导体装置用粘着剂会成为一体而容易捡取，因此较优选。又，本发明提供一种光半导体装置用粘着剂薄片，其特征在于，其是在前述基材薄片上配置多个前述光半导体装置用粘着剂而成。如果是这种光半导体装置用粘着剂薄片，则因为是在基材薄片上配置多个光半导体装置用粘着剂而成，所以能于一片光半导体装置用粘着剂薄片上贴附多个光半导体元件。并且，在进行捡取时，光半导体元件与光半导体装置用粘着剂能成为一体而一起剥离及捡取，并且直接搭载于元件装设部，隔着光半导体装置用粘着剂而固化粘着于元件装设部。因此，能成为一种光半导体装置用粘着剂薄片，其不需要对前述元件装设部进行粘晶剂的戳印，能效率良好地制造光半导体装置，特别是能效率良好地进行直到固定于光半导体装置的元件装设部为止的作业。并且，本发明提供一种光半导体装置用粘着剂薄片的制造方法，其特征在于，在前述基材薄片上，通过网版印刷(screen printing)而配置前述多个光半导体装置用粘着剂。如果是这种光半导体装置用粘着剂薄片的制造方法，则能提高制造该光半导体装置用粘着剂薄片的生产量，而且根据配合被固化粘着于元件装设部的光半导体元件的粘着面积而使用适当图案的网版，则能成形并配置具有一致形状、面积及厚度的薄膜状的光半导体装置用粘着剂。又，本发明提供一种光半导体装置的制造方法，其是使自晶片切出并经分类的光半导体元件固化粘着于光半导体装置内的元件装设部来制造光半导体装置的方法，其特征在于，其具有下述工序:贴附工序，其将前述自晶片切出并经分类的光半导体元件，贴附于配置在基材薄片上的薄膜状的光半导体装置用粘着剂上；捡取工序，其将前述所贴附的光半导体元件，与前述薄膜状的光半导体装置用粘着剂一起自前述基材薄片上剥离而进行捡取；以及粘晶工序，其以使前述薄膜状的光半导体装置用粘着剂与前述元件装设部粘着的方式来搭载前述所捡取的光半导体元件，并使该薄膜状的光半导体装置用粘着剂固化，而将该光半导体元件固化粘着于前述光半导体装置。如果是这种光半导体装置的制造方法，则在贴附工序中，能在光半导体元件的要粘着在元件装设部的面上，贴附薄膜状的光半导体装置用粘着剂；在捡取工序中，光半导体元件与光半导体装置用粘着剂能成为一体而一起剥离及捡取；在粘晶工序中，所捡取的光半导体元件能直接被搭载于元件装设部，然后隔着光半导体装置用粘着剂而固化粘着于元件装设部。因此，会成为一种光半导体装置的制造方法，其不需要对前述元件装设部进行粘晶剂的戳印工序，能效率良好地制造光半导体装置，特别是能效率良好地进行直到固定于光半导体装置的元件装设部为止的作业。[发明的效果]如同以上所说明，根据本发明，则能提供一种光半导体装置用粘着剂、光半导体装置用粘着剂薄片、光半导体装置用粘着剂薄片的制造方法及光半导体装置的制造方法，该光半导体装置用粘着剂能效率良好地制造光半导体装置，特别是能效率良好地进行直到将光半导体元件固定于光半导体装置的元件装设部为止的作业，并且能削减将粘晶剂戳印于元件装设部的时间。
图1是本发明的光半导体装置用粘着剂薄片的俯视图。图2是本发明的光半导体装置用粘着剂薄片的侧视图。图3是将(A)使用本发明的光半导体装置用粘着剂而成的光半导体装置的制造流程与(B)现有的光半导体装置的制造流程加以并列表示的图。
具体实施例方式以下，详细地说明本发明的光半导体装置用粘着剂、光半导体装置用粘着剂薄片、光半导体装置用粘着剂薄片的制造方法及光半导体装置的制造方法，但本发明并不受这些说明所限定。如同前述，从高效率生产性、降低生产成本的观点而言，期望能有一种取代液状、糊膏状的粘晶剂的光半导体装置用粘着剂及使用该粘着剂的光半导体装置的制造方法。本发明的发明人为了解决上述课题而反复专心研究，结果发现一种光半导体装置用粘着剂，而终于完成本发明。本发明的光半导体装置用粘着剂，其是用以在从基材薄片上捡取自晶片切出并经分类的光半导体元件并且将前述光半导体元件搭载于光半导体装置内的元件装设部之后，将前述光半导体元件固化粘着于前述元件装设部，其特征在于，前述光半导体装置用粘着剂是被成形为薄膜状且被配置于前述基材薄片上，并且能自前述基材薄片上剥离。如果是这种光半导体装置用粘着剂，则能效率良好地进行具有以LED装置为首的光半导体元件的光半导体装置的制造，特别是能效率良好地进行直到将光半导体元件固定于光半导体装置的元件装设部为止的作业，并且能削减将粘晶剂戳印于元件装设部的时间。又，本发明的发明人发现一种光半导体装置的制造方法，而终于完成了本发明。本发明的光半导体装置的制造方法，其是使自晶片切出并经分类的光半导体元件固化粘着于光半导体装置内的元件装设部而制造光半导体装置，其特征在于，其具有下述工序:贴附工序，其将前述自晶片切出并经分类的光半导体元件，贴附于配置在基材薄片上的薄膜状的光半导体装置用粘着剂上；捡取工序，其将前述所贴附的光半导体元件，与前述薄膜状的光半导体装置用粘着剂形成为一体而一起自前述基材薄片上剥离而进行捡取；以及粘晶工序，其以使前述薄膜状的光半导体装置用粘着剂与前述元件装设部粘着的方式来搭载前述所捡取的光半导体元件，并使该薄膜状的光半导体装置用粘着剂固化，而将该光半导体元件固化粘着于前述光半导体装置。如果是这种光半导体装置的制造方法，则能效率良好地进行具有以LED装置为首的光半导体元件的光半导体装置的制造，特别是能效率良好地进行直到将光半导体元件固定于光半导体装置的元件装设部为止的作业，并且能削减将粘晶剂戳印于元件装设部的时间。本发明提供一种光半导体装置用粘着剂，其是用以在从基材薄片上捡取自晶片切出并经分类的光半导体元件并且将前述光半导体元件搭载于光半导体装置内的元件装设部后，将前述光半导体元件固化粘着于前述元件装设部，所述光半导体装置用粘着剂的特征在于:其被成形为薄膜状且被配置在前述基材薄片上，并且能自前述基材薄片上剥离。[光半导体元件]本发明的光半导体元件，其是自晶片切出并经分类的光半导体元件，只要是一般被作为光半导体元件来处理的元件即可，并无特别限制，可以例示如LED、LD。这种光半导体元件特有的问题，一般而言是光量或发光波长等的差异很大。所以，光半导体元件，在被固定于光半导体装置之前，会进行依发光波长等来分级的分类作业。分类时，因为是测定每一个光半导体元件的发光波长来进行，所以分类后的光半导体元件，通常必须先依等级而贴附于粘着薄片等。关于此点，本发明的光半导体元件，是在自晶片切出并经分类后，于将被粘着在元件装设部的面上贴附本发明的光半导体装置用粘着剂，并且在被搭载于光半导体装置内的元件装设部后，根据本发明的光半导体装置用粘着剂而被固化粘着于前述元件装设部。因此，在将经分类的光半导体元件贴附于基材薄片上的光半导体装置用粘着剂的工序中，能同时达成:先依等级而贴附经分类的光半导体元件、以及将光半导体装置用粘着剂压接而贴附。[基材薄片]本发明的基材薄片，只要是其上配置有本发明的光半导体装置用粘着剂，且本发明的光半导体装置用粘着剂能从其上剥离即可，并无特别限制。这种基材薄片，可以使用例如PET (poly (ethylene terephalate):聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜上涂布有脱模剂的PET隔片。前述自晶片切出并经分类的光半导体元件，被贴附于配置在前述基材薄片上的光半导体装置用粘着剂上，再自前述基材薄片上被捡取，并搭载于光半导体装置内的元件装设部。此时，前述基材薄片因为本发明的光半导体装置用粘着剂能剥离，所以光半导体装置用粘着剂会与所捡取的光半导体元件成为一体而一起自基材薄片上剥离、被捡取。[光半导体装置内的元件装设部]本发明的光半导体装置内的元件装设部，是搭载前述光半导体元件的部分。[光半导体装置用粘着剂]本发明的光半导体装置用粘着剂，其是用以将前述光半导体元件固化粘着于前述光半导体装置内的元件装设部，前述光半导体装置用粘着剂是被成形为薄膜状且被配置在前述基材薄片上，并且能自前述基材薄片上剥离。因此，首先，前述自晶片切出并经分类的光半导体元件，被贴附于配置在前述基材薄片上并成形为薄膜状的光半导体装置用粘着剂上(贴附工序)。继而，光半导体装置用粘着剂与所捡取的光半导体元件成为一体而一起自基材薄片上剥离、被捡取(捡取工序)。然后，在光半导体元件被搭载并固化粘着于元件装设部的工序中，前述光半导体元件隔着本发明的光半导体装置用粘着剂而被搭载并固化粘着于元件装设部(粘晶工序)。由此，若根据本发明的光半导体装置用粘着剂，则能在不戳印粘晶剂的情形下将前述光半导体元件固化粘着于前述元件装设部，并能效率良好地进行直到固定于光半导体装置的元件装设部为止的作业，而能提高制造光半导体装置的生产性。
.薄膜状的光半导体装置用粘着剂本发明的光半导体装置用粘着剂，是成形为薄膜状。因此，其容易成形于基材薄片上，而且也容易剥离。而且，因为能在前述光半导体元件上贴附具有一致形状、面积及厚度的光半导体装置用粘着剂的薄膜，所以固化粘着后的光半导体装置的品质也能保持于一定。本发明的光半导体装置用粘着剂，其是成形为薄膜状，其面积较优选是前述光半导体元件的对于前述元件装设部的粘着面的51%以上且225%以下，较优选为71%以上且200%以下。若薄膜面积是51%以上，则因为固化后能获得充分的粘着强度而较优选，若是225%以下，则因为能避免不必要地覆盖元件装设部而较优选。又，本发明的光半导体装置用粘着剂，其是成形为薄膜状，其厚度以Iym以上且150μπ 以下的范围为优选，特优选为3μπ 以上且100 μ m以下。若厚度是I μπ 以上，则因为固化后能获得充分的粘着强度而较优选，若厚度是150 μπ 以下，则因为能避免固化粘着有光半导体元件的光半导体装置太厚等而较优选。.配置于前述基材薄片上的光半导体装置用粘着剂本发明的光半导体装置用粘着剂，其是配置于前述基材薄片上。因此，从晶片切出后，视光量或发光波长等而分类的光半导体元件，能依等级而一个一个地贴附于配置在基材薄片上的光半导体装置用粘着剂上。.能自前述基材薄片上剥离的光半导体装置用粘着剂本发明的光半导体装置用粘着剂，其能自前述基材薄片上剥离。因此，光半导体装置用粘着剂会与所捡取的光半导体元件成为一体而一起自基材薄片上剥离、被捡取。然后，在粘晶工序中，前述光半导 体元件隔着本发明的光半导体装置用粘着剂而被搭载并固化粘着于元件装设部。由上述，若根据本发明的光半导体装置用粘着剂，则能在不戳印粘晶剂的情形下将前述光半导体元件固化粘着于前述元件装设部，并且能效率良好地进行直到固定于光半导体装置的元件装设部为止的作业，而能提高制造光半导体装置的生产性。本发明的光半导体装置用粘着剂，其能自前述基材薄片上剥离，对于被粘着物的粘着力是以20kN/m2以上且300kN/m2以下为优选，较优选为30kN/m2以上且200kN/m2以下。此粘着力是指JIS Z3284 “焊锡膏”的粘着性试验中的粘着力。若粘着力是20kN/m2以上，则从基材薄片上捡取时，光半导体元件与薄膜状的光半导体装置用粘着剂会成为一体而容易一起被捡取，因此较优选，若粘着力是300kN/m2以下，则捡取时，光半导体装置用粘着剂会容易自基材薄片上剥离，因此较优选。其他方面，本发明的光半导体装置用粘着剂，以含有聚硅氧烷组合物51质量％以上且100质量％以下为优选。根据含有聚硅氧烷组合物51质量％以上，使用光半导体装置用粘着剂来固化粘着光半导体元件而成的光半导体装置，会成为取出光的效率良好的光半导体装置。又，作为本发明的光半导体装置用粘着剂所含有的其他成分，可以调配适当量的粘着助剂、控制剂、固化催化剂、填料。又，本发明的光半导体装置用粘着剂的光吸收系数，以1.0X 104/m以下为优选。并且，本发明的光半导体装置用粘着剂，以半固化状态为优选。此所谓的半固化状态，是指Jis K6800“粘着剂、粘着用语”所定义的B阶段(热固化性树脂的固化中间体；此状态的树脂，若加热则会软化，若接触某种溶剂则会膨胀，但不会完全地融化、溶解)的状态。若薄膜状的光半导体装置用粘着剂是半固化状态，则能良好地贴附(压接)光半导体元件，而且光半导体元件与薄膜状的光半导体装置用粘着剂会成为一体而容易一起被捡取，因此较优选。[光半导体装置用粘着剂薄片]又，本发明提供一种光半导体装置用粘着剂薄片，其特征在于，在前述基材薄片上配置多个前述光半导体装置用粘着剂而成。图1中，是例示本发明的光半导体装置用粘着剂薄片的俯视图，图2则是例示侧视图。如此，本发明的光半导体装置用粘着剂薄片3，是在基材薄片2上配置多个薄膜状的前述光半导体装置用粘着剂I而成的薄片。自晶片切出并经分类的前述半导体元件，被一个一个地贴附于光半导体装置用粘着剂薄片的多个光半导体装置用粘着剂上(贴附工序)。因此，在一片光半导体装置用粘着剂薄片上贴附有多个光半导体元件。并且，捡取光半导体元件时，光半导体装置用粘着剂会与光半导体兀件成为一体而一起自基材薄片上剥离、被捡取(捡取工序)。然后，在光半导体元件被搭载并固化粘着于元件装设部的工序中，前述光半导体元件，隔着本发明的光半导体装置用粘着剂，而被搭载并固化粘着于元件装设部(粘晶工序)。由此，若根据本发明的光半导体装置用粘着剂薄片，则能在不戳印粘晶剂的情形下将前述光半导体元件固化粘着于前述元件装设部，并能效率良好地进行直到固定于光半导体装置的元件装设部为止的作业，而能提高制造光半导体装置的生产性。又，此时，使用形态可以设为:自晶片切出之后，将光半导体元件依光量或发光波长等来分类(分级)时，将具有特定等级的光半导体元件贴附于同一个光半导体装置用粘着剂薄片，并将具有与特定等级不同的等级的光半导体元件贴附于不同的光半导体装置用粘着剂薄片。结果，做成了依等级而贴附有光半导体元件的光半导体装置用粘着剂薄片。由此，能将粘着有特定等级的光半导体元件的光半导体装置用粘着剂薄片，直接设置于粘晶机(die bonder),来将具有特定等级的光半导体元件一并地粘合于元件装设部。若是此种使用形态，则从生产性的观点而言较优选。[光半导体装置用粘着剂薄片的制造方法]并且，本发明提供一种前述光半导体装置用粘着剂薄片的制造方法，其特征在于，在前述基材薄片上根据网版印刷而配置多个前述光半导体装置用粘着剂。由此，能提高制造光半导体装置用粘着剂薄片的生产量，而且根据配合被固化粘着于元件装设部的光半导体元件的粘着面积而使用适当图案的网版，则能成形为具有一致形状、面积及厚度的薄膜状的光半导体装置用粘着剂。[光半导体装置的制造方法]又，本发明提供一种光半导体装置的制造方法，其是使自晶片切出并经分类的光半导体元件固化粘着于光半导体装置内的元件装设部来制造光半导体装置的方法，其特征在于，其具有下述工序:贴附工序，其将前述自晶片切出并经分类的光半导体元件，贴附于配置在基材薄片上的薄膜状的光半导体装置用粘着剂上；捡取工序，其将前述所贴附的光半导体元件，与前述薄膜状的光半导体装置用粘着剂一起自前述基材薄片上剥离而进行捡取；以及粘晶工序，其以使前述薄膜状的光半导体装置用粘着剂与前述元件装设部粘着的方式来搭载前述所捡取的光半导体元件，并使该薄膜状的光半导体装置用粘着剂固化，而将该光半导体元件固化粘着于前述光半导体装置。
首先，使用图3(B)来说明使用液状、糊膏状的粘晶剂的先前的光半导体装置的制造方法。图3(B)是显示现有的光半导体装置的制造方法的流程图。首先，根据切割机11’而自晶片12’切出LED元件等光半导体元件13’(工序I’)。所切出的光半导体元件13’，由于光量或发光波长等的差异大，所以测定发光波长等而进行分类(分级)(工序2’)，被分类为各等级的光半导体元件13’，则进行依等级而贴附于粘着薄片21上的贴附工序(工序3’)。继而，进行捡取工序，其是从具有所选择的发光波长等级的粘着薄片21上，捡取前述所贴附的光半导体元件13’(工序4-1’)，同时，通过戳印方式将粘晶剂22涂布至另外配置的光半导体装置14’内的元件装设部15’(工序4-2’)，再进行粘晶工序，其是将所捡取的光半导体元件13’隔着粘晶剂22而搭载于元件装设部15’，再使粘晶剂22固化而粘着(工序5’)。但是，如同前述，上述光半导体装置的制造方法上，有着在粘晶剂的戳印(工序4-2’ )上耗费时间的问题，这个问题，只要是使用液状、糊膏状的粘晶剂，就无法避免。因此，期望能有取代液状、糊膏状的粘晶剂的光半导体装置用粘着剂及使用该粘着剂的光半导体装置的制造方法。继而，使用图3(A)来说明上述本发明的光半导体装置的制造方法的一种实施方案。图3(A)是显示本发明的光半导体装置的制造方法的流程图。首先，根据切割机11而自晶片12切出LED元件等光半导体元件13(工序I)。所切出的光半导体元件13，由于光量或发光波长等的差异大，所以测定发光波长等而进行分类(工序2)。此时，进行分类(分级)时，可以将具有特定等级的光半导体元件贴附于同一个光半导体装置用粘着剂薄片，并将具有与特定等级不同的等级的光半导体元件，贴附于不同的光半导体装置用粘着剂薄片。此情形中，在后续工序中，因为能将粘着有特定等级的光半导体元件的光半导体装置用粘着剂薄片，直接设置于粘晶机，来将具有特定等级的光半导体元件一并地粘合于元件装设部，因此较优选。(贴附工序)进行贴附工序(工序3)，其是将经分类为各等级的光半导体元件13，依等级而贴附于配置在基材薄片2上的薄膜状的光半导体装置用粘着剂I上。通过此贴附工序，能同时达成:先暂时贴附经分类的光半导体元件、以及将本发明的光半导体装置用粘着剂压接而贴附于光半导体元件。在此贴附工序之前，也可以将薄膜状的光半导体装置用粘着剂做成半固化状态。做成半固化状态的方法并无特别限定，可以例示如使用热风循环式烘箱来进行。使用热风循环式烘箱来干燥的温度，并无特别限定，但以40°C以上且小于150°C为优选，较优选为40°C以上且140°C以下。若温度是40°C以上，则可以抑制固化所需时间延长的现象，而且，若温度是小于150°C，则可以抑制因固化速度过快以致完全固化的现象，因此较优选。又，使用热风循环式烘箱来干燥的时间以10秒以上且小于2小时为优选，较优选为10秒以上且1.5小时以下。若时间是10秒以上，则可以良好地贴附(压接)光半导体元件，而且光半导体元件与薄膜状的光半导体装置用粘着剂会成为一体而变得容易一起被捡取，因此较优选，而若时间小于2小时，则能抑制完全固化的现象，因此较优选。(捡取工序)继而，进行捡取工序(工序4)，其是在所选择的发光波长等级的光半导体装置用粘着剂薄片3中，将前述所贴附的光半导体元件13，与前述薄膜状的光半导体装置用粘着剂I一起自前述基材薄片2上剥离而捡取，由此而捡取粘接有薄膜状的光半导体装置用粘着剂I的光半导体兀件13。(黏晶工序)进行粘晶工序(工序5)，其是以使前述薄膜状的光半导体装置用粘着剂I与半导体装置14的元件装设部15粘着的方式来搭载前述所捡取的光半导体元件13，并使该薄膜状的光半导体装置用粘着剂I固化，而将该光半导体元件13固化粘着于前述光半导体装置
14。由此，能成为一种光半导体装置的制造方法，其能在不戳印粘晶剂的情形下效率良好地进行直到将光半导体元件固定于光半导体装置的元件装设部为止的作业，而能提高制造光半导体装置的生产性。[实施例]以下，显示本发明的光半导体装置用粘着剂、光半导体装置用粘着剂薄片及光半导体装置的制造方法的实施例及比较例，以便更详细地说明本发明，但本发明并不受这些实施例及比较例所限制。首先，说明本发明的光半导体装置用粘着剂薄片的实施例1及实施例2。[光半导体装置用粘着剂、光半导体装置用粘着剂薄片及其制造方法](实施例1)使用KER-3000-M4 (信越化学工业股份有限公司制造)也就是固化性聚硅氧烷组合物来作为光半导体装置用粘着剂，使用38μπι的PET # 38x-41-3035 (TakaraIncorporation股份有限公司制造)的PET隔片来作为基材薄片，网版是使用将合计100个开口部彼此间隔0.5mm规则地排列而成的网版，100个开口部是将由ImmX Imm的四方形开口部10个所排成的列规则地排列10列而成，网版印刷机则是使用Mino Group公司制造的网版印刷机。使用上述材料，将刮板角度设为70 °、刮板速度设为300mm/SeC、间隙(clearance)量设为1_，而在基材薄片上根据网版印刷而配置100个光半导体装置用粘着齐U。然后，在120°C的热风循环式烘箱中，将印刷于每片PET隔片上的光半导体装置用粘着剂干燥120秒，由此获得在PET隔片上配置有半固化状态的薄膜状的光半导体装置用粘着剂的光半导体装置粘着剂薄片。此光半导体装置粘着剂，是ι_χ 1_ (与实施例中所粘着的光半导体元件之间的面积比例为100%)的四方形且厚度为10 μ m。如上述实施例1般进行而制造的光半导体装置用粘着剂薄片，是配置多个光半导体装置用粘着剂而成。而且，基材薄片上的光半导体装置用粘着剂，是被成形为薄膜状且被配置在前述基材薄片上，并且能自前述基材薄片上剥离。以下加以详细地说明。[粘着强度的评估]使用实施例1所获得的光半导体装置用粘着剂薄片上的薄膜状的光半导体装置用粘着剂，来评估光半导体元件的粘着强度。将具有l_x Imm的压接面积的蓝色LED元件压接于此薄膜状的光半导体装置用粘着剂后，以镊子夹住元件并提起，结果可以从PET隔片上容易地剥下光半导体装置用粘着剂。此时，薄膜状的光半导体装置用粘着剂是在维持完整地贴附于元件的一面(粘着于元件装设部的面)的状态下与光半导体元件成为一体而一起被捡取。然后，将此附有薄膜状的光半导体装置用粘着剂的光半导体元件，以隔着薄膜状的光半导体装置用粘着剂而粘着于施以镀银的铜板(相当于元件装设部)的方式进行压接后，在150 C的热风循环式供箱中加热2小时而使其固化粘着。固化粘着后的到切粘着强度是4MPa。剪切粘着强度是使用强度测试器(DAGE公司制造)来测定。(实施例2)又，除了将所使用的网版的四方形开口部设为IOOmmXlOOmm以外，其余与实施例1同样地进行，而获得配置有厚度为IOym的半固化状态的薄膜状的光半导体装置用粘着剂的光半导体装置用粘着剂薄片。继而，以下述方法来进行基材薄片上的光半导体装置用粘着剂的粘着力的评估、光穿透性的评估。[粘着力的评估]使用实施例2所获得的光半导体装置用粘着剂薄片上的薄膜状的光半导体装置用粘着剂，以粘着力测试机(Malcom股份有限公司制造)来进行评估。评估方法是以定压浸入方式(依照JIS规格)来进行。结果，粘着力是30kN/m2。[光穿透性(光吸收系数)的评估]使用实施例2所获得的光半导体装置用粘着剂薄片上的薄膜状的光半导体装置用粘着剂，以分光光度计( 日立High-Technologies股份有限公司制造)来评估光穿透性(光吸收系数)。在厚度Imm的石英玻璃上贴附实施例2的光半导体装置用粘着剂薄片上的薄膜状的光半导体装置用粘着剂，而做成测定样品。仅有空气(无测定样品)时将光穿透率设为1，将在波长400nm至SOOnm的测定平均值设作光穿透率。光吸收系数是根据后述的式(I)来定义，并根据式(2)来计算。T exp (— β.t) (I)此处，T是光穿透率，R是在界面的反射率，t是光半导体装置用粘着剂的厚度，β则是光吸收系数。由式(1)，光吸收系数β可以测定不同厚度的测定样品的光穿透率Τ，再由此光穿透率的对数In(T)与厚度t的图形的斜率来求出。也即，β = In (T2ZT1) / Ct1 — t2) (2)厚度t2与光穿透率!\、T2中，下标的1、2是表示不同厚度的光半导体装置用粘着剂样本的编号。本光穿透性评估中，h是设为ΙΟμπι，t2是设为将^重叠两片而成的20 μ m,然后测定各自的光穿透率!\、T2。结果，光半导体装置用粘着剂的光吸收系数是3.5X103/m。以下，说明光半导体装置的制造方法的实施例3 8，实施例3 8是与前述实施例I同样地进行而仅改变网版的四方形开口部的大小(与光半导体元件之间的面积比例)，而获得配置有薄膜状的光半导体装置用粘着剂的光半导体装置用粘着剂薄片后，使用该些薄片。另外，针对各实施例中的网版的四方形开口部的大小(粘着剂面积)、与元件之间的面积比例(对光半导体装置的元件装设部的粘着面积)、粘着力、固化粘着后的剪切粘着强度、光半导体装置的制造效率、光吸收系数，将整合后的结果显示于表I。另外，粘着力、固化粘着后的剪切粘着强度、光吸收系数是与上述评估中同样地进行而求出。(实施例3)除了将所使用的网版的四方形开口部设为0.7mmX0.7mm (与光半导体元件之间的面积比例是49%)以外，其余与实施例1同样地进行而获得光半导体装置用粘着剂薄片。然后，将100个自晶片切出并经分类的ImmX Imm蓝色LED元件贴附于配置在基材薄片上的薄膜状的光半导体装置用粘着剂上，再将所贴附的蓝色LED元件，与薄膜状的光半导体装置用粘着剂一起自基材薄片上剥离而捡取，以使薄膜状的光半导体装置用粘着剂粘着于元件装设部的方式来搭载所捡取的蓝色LED元件，并使薄膜状的光半导体装置用粘着剂固化，而将蓝色LED元件固化粘着于光半导体装置，制造出具有蓝色LED元件的光半导体装置。固化粘着后的剪切粘着强度是3.5MPa。又，薄膜状的光半导体装置用粘着剂的粘着力是30kN/m2，光吸收系数是3.5X 103/m。当将下述比较例I所需时间设为制造效率是I时，制造效率是1/5。(实施例4)除了将所使用的网版的四方形开口部设为1.5mmXl.5mm (与光半导体元件之间的面积比例是225%)以外，其余与实施例1同样地进行而获得光半导体装置用粘着剂薄片。而且，与实施例3同样地进行而制造出具有蓝色LED元件的光半导体装置。固化粘着后的剪切粘着强度是4.5MPa。又，薄膜状的光半导体装置用粘着剂的粘着力是30kN/m2，光吸收系数是3.5X103/m。制造效率是1/5。(实施例5)除了将所使用的网版的四方形开口部设为0.6_X0.6mm(与光半导体元件之间的面积比例是36%)以外，其余与实施例1同样地进行而获得光半导体装置用粘着剂薄片。而且，与实施例3同样地进行而制造出具有蓝色LED元件的光半导体装置。固化粘着后的剪切粘着强度是1.5MPa。又，薄膜状的光半导体装置用粘着剂的粘着力是30kN/m2，光吸收系数是3.5X103/m。制造效率是1/5。(实施例6)除了将所使用的网版的四方形开口部设为L6mmXL6mm (与光半导体元件之间的面积比例是256%)以外，其余与实施例1同样地进行而获得光半导体装置用粘着剂薄片。而且，与实施例3同样地进行而制造出具有蓝色LED元件的光半导体装置。此时，压接ImmX Imm的蓝色LED元件后，以镊子夹住元件并提起，结果从PET隔片剥下光半导体装置用粘着剂时，外缘部分弯折而无法完整地剥离者有10%。固化粘着后的剪切粘着强度是
4.7MPa。又，薄膜状的光半导体装置用粘着剂的粘着力是30kN/m2，光吸收系数是3.5 X IO3/m。制造效率是1/5。(实施例7)除了在120°C的热风循环式烘箱中，将印刷于每片PET隔片上的光半导体装置用粘着剂干燥90秒以外，其余与实施例1 (四方形开口部是l_Xlmm，与光半导体元件之间的面积比例是100%)同样地进行，而获得光半导体装置用粘着剂薄片。而且，与实施例3同样地进行而制造出具有蓝色LED元件的光半导体装置。固化粘着后的剪切粘着强度是3.5MPa。又，薄膜状的光半导体装置用粘着剂的粘着力是35kN/m2，光吸收系数是3.5 X IO3/m。制造效率是1/5。(实施例8)除了在80°C的热风循环式烘箱中，将印刷于每片PET隔片上的光半导体装置用粘着剂干燥20分钟以外，其余与实施例1(四方形开口部是1_X lmm,与光半导体元件之间的面积比例是100%)同样地进行，而获得光半导体装置用粘着剂薄片。而且，与实施例3同样地进行而制造出具有蓝色LED元件的光半导体装置。固化粘着后的剪切粘着强度是5MPa。又，薄膜状的光半导体装置用粘着剂的粘着力是50kN/m2，光吸收系数是3.5X 103/m。制造效率是1/5。(实施例9)除了在80°C的热风循环式烘箱中，将印刷于每片PET隔片上的光半导体装置用粘着剂干燥15分钟以外，其余与实施例1 (四方形开口部是ImmX 1mm，与光半导体元件之间的面积比例是100%)同样地进行，而获得光半导体装置用粘着剂薄片。而且，与实施例3同样地进行而制造出具有蓝色LED元件的光半导体装置。固化粘着后的剪切粘着强度是4.2MPa。又，薄膜状的光半导体装置用粘着剂的粘着力是300kN/m2，光吸收系数是
3.5 X IOVm0制造效率是1/5。(比较例I)使用糊膏状的粘晶剂的先前的光半导体装置的制造方法，其制造效率是根据与实施例同样的粘晶机(ASM Assembly Technology股份有限公司制造)来评估。将100个ImmXlmm的蓝色LED元件压接固定于粘着薄膜ELP V-8S(日东电工股份有限公司制造)上，设置于粘晶机而进行粘晶。在粘晶剂的戳印上相当耗费时间，共耗费了相较于使用光半导体装置粘着剂薄片的时间为5倍的制造时间(制造效率为I)。固化粘着后的剪切粘着强度是4.0MPa。光吸收系数是3.5X103/m。(比较例2)以150°C、2小时的条件，使实施例1所制作的厚度为IOym的半固化状态的光半导体装置用粘着剂完全固化，而做成固化物。在ImmX Imm(与元件之间的面积比例是100%)的四方形的完全固化薄膜上，贴附(压接)ImmX Imm的蓝色LED元件后，以镊子夹住元件并提起，结果光半导体装置用粘着剂完全无法贴附于蓝色LED元件的那一面，且无法自基材薄片上剥离。因此，无法计算制造效率。另外，在比较例2中，无法测定固化粘着后的剪切粘着强度，粘着力则是lkN/m2。由于无法自基材薄片上剥离，所以无法测定光吸收系数。表I
权利要求
1.一种光半导体装置用粘着剂，其是用以在从基材薄片上捡取自晶片切出并经分类的光半导体元件并且将前述光半导体元件搭载于光半导体装置内的元件装设部后，将前述光半导体元件固化粘着于前述元件装设部，其特征在于， 其被成形为薄膜状且被配置于前述基材薄片上，并且能自前述基材薄片上剥离。
2.如权利要求1所述的光半导体装置用粘着剂，其中，其具有前述光半导体元件的对于前述元件装设部的粘着面的51%以上且225%以下的面积。
3.如权利要求1或2所述的光半导体装置用粘着剂，其中，其对于被粘着物的粘着力是20kN/m2 以上且 300kN/m2 以下。
4.如权利要求1至3中任一项所述的光半导体装置用粘着剂，其中，其含有聚硅氧烷组合物51质量％以上。
5.如权利要求1至4中任一项所述的光半导体装置用粘着剂，其中，其是半固化状态。
6.一种光半导体装置用粘着剂薄片，其特征在于， 其是在前述基材薄片上，配置多个权利要求1至5中任一项所述的前述光半导体装置用粘着剂而成。
7.一种光半导体装置用粘着剂薄片的制造方法，其是制造权利要求6所述的光半导体装置用粘着剂薄片的方法，其特征在于， 在前述基材薄片上，根据网版印刷而配置前述多个光半导体装置用粘着剂。
8.一种光半导体装置的制造方法，其是使自晶片切出并经分类的光半导体元件固化粘着于光半导体装置内的元件装设部来制造光半导体装置的方法，其特征在于，其具有下述工序: 贴附工序，该贴附工序将前述自晶片切出并经分类的光半导体元件，贴附于已配置在基材薄片上的薄膜状的光半导体装置用粘着剂上； 捡取工序，该捡取工序将前述所贴附的光半导体元件，与前述薄膜状的光半导体装置用粘着剂一起自前述基材薄片上剥离而进行捡取；以及 粘晶工序，该粘晶工序以使前述薄膜状的光半导体装置用粘着剂与前述元件装设部粘着的方式来搭载前述所捡取的光半导体元件，并使该薄膜状的光半导体装置用粘着剂固化，而将该光半导体元件固化粘着于前述光半导体装置。
全文摘要
本发明提供一种光半导体装置用粘着剂，其是用以在从基材薄片上捡取自晶片切出并经分类的光半导体元件并且将前述光半导体元件搭载于光半导体装置内的元件装设部后，将前述光半导体元件固化粘着于前述元件装设部，其特征在于，其被成形为薄膜状且被配置于前述基材薄片上，并且能自前述基材薄片上剥离。由此，能提供一种光半导体装置用粘着剂、光半导体装置用粘着剂薄片、光半导体装置用粘着剂薄片的制造方法及光半导体装置的制造方法，其能效率良好地制造光半导体装置，特别是能效率良好地进行直到将以LED、LD为首的光半导体元件，固定于光半导体装置的元件装设部为止的作业，并且能提高制造光半导体装置的生产性。
文档编号H01L33/48GK103201860SQ201180052888
公开日2013年7月10日 申请日期2011年10月7日 优先权日2010年11月2日
发明者塩野嘉幸, 市六信広, 岩田充弘, 小材利之 申请人:信越化学工业株式会社