专利名称：电气装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及电气装置及其制造方法。
背景技术：
作为构成要素而具备有机层的电子元件，例如有机电致发光元件(OrganicElectroluminescent Element)、有机光电转换元件、有机晶体管等的电子元件,一般由于被曝露在大气中而导致发光特性等比较容易劣化。为了抑制这样的电子元件的特性的劣化，通常会对具备有机层的电子元件实施密封工序。参照图5对于密封进行说明。图5是说明密封工序的概略的图。密封工序通过如下方式进行，例如，首先以将支承基板51上所搭载的电子元件54加以包围的方式配置密封构件52，其次经由该密封构件52将密封基板53贴合在支承基板51上。由此，电子元件54被支承基板51、密封基板53和密封构件52包围，且被与外界隔断。上述密封构件52使用阻气性高的材料。例如作为这样的密封构件52而使用含有玻璃(玻璃料)的熔接剂的熔封工序得到研究。玻璃料由在较低温下熔融的薄片状或粉末状的玻璃(以下，仅称为“熔接玻璃粉”。)构成。在熔封工序中使用的是将该熔接玻璃粉分散在溶剂中的膏状的熔接剂。在熔封工序中，首先，对于搭载有电子元件54的支承基板51按照持续包围该电子元件54的方式线状地供给熔接剂，其次进行预烧成，预先去除熔接剂的溶剂成分，其后在夹隔熔接剂下将支承基板51和密封基板53贴合。然后通过对熔接剂照射激光而加热熔接玻璃粉，一下子使之熔融。若停止激光的照射，则熔接剂的温度下降，熔接剂再次硬化。如此形成由熔接剂硬化的玻璃所构成的密封构件52，由支承基板51、密封基板53和密封构件52包围的区域被气密性地密封(例如参照专利文献I)。先行技术文献专利文献专利文献1:特开2003-123966号公报上述熔接剂的加热，通过将针对熔接剂的激光照射沿着所供给的熔接剂遍及全周地加以扫描而得以进行。在此加热时，若由于场所不同而导致熔接剂的加热温度产生不均匀，则熔接剂的熔融状态发生不均匀。其结果是，密封构件自身的性状、密封基板或支承基板和密封构件的密接性等产生不均，进而密封的可靠性降低。因此在熔封工序中需要将所供给的熔接剂遍及全周地均匀地加热而使之熔融。但是，仅仅单纯地使激光在遍及熔接剂的全周均匀地照射下，熔接剂仍会发生加热不均。熔接剂并非被供给(涂布)到由均匀的材质构成的衬底层之上，而通常被涂布到材质根据场所而有所不同的衬底层之上。例如在电气装置中，用于从外部将电信号输入到电子兀件的多条电气配线55以与熔接剂交叉的方式而设。因此作为涂布有熔接剂的衬底层，交替存在设有电气配线55的部位、和未设电气配线55的部位。照射激光时的熔接剂的温度上升特性，根据涂布熔接剂的衬底层的材质等而有所不同。因此，在上述的电气装置中，在电气配线55上所涂布的熔接剂、和在没有设置电气配线55的部位上所涂布的熔接剂，在照射激光时的熔接剂的加热温度会不同，熔接剂的熔融状态产生不均匀的问题存在。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供一种能够使封接材料(熔接剂)均匀地加热而使之熔融的这样的构成的电气装置。本发明提供下述[I] [6]。[I] 一种电气装置，其具有如下:设定有密封区域的支承基板；设于所述密封区域内的电路；在所述支承基板上，从所述密封区域内至密封区域外延伸地设置，且将电信号输入输出源和所述电路进行电连接的电气配线；以包围所述密封区域的方式在所述支承基板上所设置的密封构件；经由所述密封构件，贴合在所述支承基板上的密封基板，在所述电气装置中，所述电路具备具有有机层的电子元件，在所述电气配 线和所述密封构件交叉的交叉区域，所述电气配线由透光性的电气配线构成。[2]根据[I]所述的电气装置，其中，所述透光性的电气配线的厚度为50nm以上且低于300nm。[3]根据[I]或[2]所述的电气装置，其中，所述透光性的电气配线的电阻率低于300 μ Ω cm。[4]根据[I]或[2]所述的电气装置，其中，电子元件是有机电致发光元件、有机光电转换元件或有机晶体管。[5] 一种电气装置的制造方法，该电气装置是[I] [4]中任一项所述的电气装置，其中，所述制造方法包括如下工序:准备支承基板的工序，该支承基板设定有密封区域、且设置有电路及将电信号输入输出源与所述电路进行电连接的电气配线，并且所述电路设于该密封区域内；沿着所述密封区域的外缘进行封接材料供给的工序；经由所述封接材料，将所述密封基板和所述支承基板贴合的工序；对所述封接材料照射电磁束，而使所述封接材料加热且熔融的工序；使所述封接材料冷却、且硬化而构成密封构件的工序。[6]根据[5]所述的电气装置的制造方法，其中，在使所述封接材料加热且熔融的工序中，遍及配置有所述封接材料的整个区域，以相同强度照射所述电磁束。根据本发明，能够提供一种在不会降低设计的自由度下使封接材料均匀地加热且熔融的这样的构成的电气装置。
图1是模式化地表示显示装置的俯视图。图2是在图1的切面线I1-1I的位置切断的显示装置的概略的剖面图。图3是模式化地放大表示密封构件和电气配线交叉的区域的图。图4是在图3的切面线IV-1V的位置切断的显示装置的概略的剖面图。图5是说明密封工序的概略的图。
具体实施例方式以下，参照附图，对于本发明的实施方式进行说明。还有，各附图在能够理解发明的程度上，不过是概略性地表示构成要素的形状、大小和配置。本发明不受以下的记述限定，各构成要素在不脱离本发明的要旨的范围内可以适宜变更。在用于以下说明的附图中，对于同样的构成要素附加相同的符号加以表示，有省略重复的说明的情况。另外，本发明的实施方式的构成，并不一定按图示例的配置进行制造或使用。本发明的电气装置，具有如下:设定有密封区域的支承基板；设于所述密封区域内的电路；在所述支承基板上，从所述密封区域内至密封区域外延伸地设置，且将电信号输入输出源和所述电路进行电连接的电气配线；以包围所述密封区域的方式在所述支承基板上所设置的密封构件；经由所述密封构件，贴合在所述支承基板上的密封基板，并且，在所述电气装置中，所述电路具备有着有机层的电子元件，在所述电气配线与所述密封构件交叉的交叉区域，所述电气配线由透光性电气配线构成。本发明只要是具备有着有机层的电子元件、且组装有用于使电子元件工作的电路的电气装置，则哪种装置都能够适用。作为具有有机层的电子元件的例子，可列举有机电致发光元件、有机光电转换元件和有机晶体管等。例如本发明的电气装置，能够适用于:组装有作为像素的光源或背光所使用的有机电致发光元件和电路的显示装置；作为太阳能电池、光传感器所使用的有机光电转换元件和嵌入电路的光电转换装置；以及为了驱动或控制上述有机电致发光元件、有机光电转换元件和其他的电子元件所使用的有机晶体管被嵌入电路的电气装置。还有以下，以组装有作为像素的光源使用的有机电致发光元件和电路的显示装置为例，对于本发明的电气装置进行说明。显示装置大体分为有源矩阵驱动型的装置和无源矩阵驱动型的装置。本发明可以适用于这两种类型的显示装置，但在本实施方式中作为一例，对于有源矩阵驱动型的显示装置进行说明。<显示装置的构成>参照图1和图2，首先对于显示装置11的构成进行说明。图1是模式化地表示显示装置的俯视图。图2是在图1的切面线I1-1I的位置切断的显示装置的概略的剖面图。作为电气装置的显示装置11，具备如下:设定有密封区域的支承基板12 ;设于所述密封区域13内的电路14 ;在所述支承基板12上，从所述密封区域13内至密封区域13外延伸地设置，且将电信号输入输出源19和所述电路14进行电连接的电气配线15 ;以包围所述密封区域13的方式在所述支承基板12上所设置的密封构件16 ;经由所述密封构件16，贴合在所述支承基板12上的密封基板17。在图1中，包围电路14、且由虚线表示的区域，相当于密封构件16 ;该密封构件16所包围的部分相当于密封区域13。本实施方式的电路14，包含如下而构成:作为像素的光源而使用的多个有机电致发光元件；个别驱动有机电致发光元件的像素电路。就像素电路而言，从支承基板12的厚度方向的一方看(以下，称为“俯视”。)，在显示图像信息的区域(以下，称为图像显示区域18。)被形成。像素电路由有机晶体管、无机晶体管、电容器等构成。在形成于支承基板12上的像素电路上，形成有覆盖该像素电路的平坦化膜。平坦化膜例如由有机的绝缘膜、无机的绝缘膜构成。还有绝缘膜的一部分在加热熔接剂而使之熔融时被加热，因此绝缘膜优选使用具有耐热性的。因此，绝缘膜之中的、在使熔接剂加热而得以熔融时被加热的部位所设置的绝缘膜，从耐热性的观点出发，优选由无机绝缘膜构成。这样的无机绝缘膜中，例如，能够使用硅氧化膜、硅氮化膜和硅氧化氮化膜等的金属氧化膜。无机绝缘膜的厚度通常为50nm 3000nm左右。该绝缘膜在形成电路的工序中能够由等离子体CVD法、溅射法等的已知的成膜法形成。多个有机电致发光元件被设置在像素电路上。即有机电致发光元件，在图像显示区域18被设于上述平坦化膜上。有机电致发光元件，例如矩阵状配置，在图像显示区域18中，分别沿着行方向X和列方向Y空出规定的间隔而配置。有机电致发光元件和像素电路，由在厚度方向上贯通平坦化膜的导体电连接。如上述，电路14被设置在支承基板12上所设定的密封区域13内。换言之，就是密封区域13被设定在内含设有电路14的图像显示区域18的区域。设有电路14的支承基板12，例如由玻璃板、金属板、树脂薄膜、它们的层叠体构成。朝向支承基板12而使光出射的所谓底部发光型的有机电致发光元件被搭载于支承基板12时，支承基板12由示出光透过性的构件构成。在显示装置11中，设有用于将规定的电信号输入电路14的多条电气配线15。所谓规定的电信号，意思是用于使多个有机电致发光元件分别以规定的发光强度发光的电信号，例如，是用于在多个有机电致发光元件之中个别地选择应该要发光的有机电致发光元件的电信号，是用于指定有机电致发光元件的发光强度的电信号。显示装置11中设有多个有机电致发光元件，因此需要用于传输电信号的多条电气配线。上述电信号从外部的电信号输入输出源19被输入到电路14。在显示装置11中，电信号输入输出源19由所谓的驱动电路实现。多条电气配线15是为了使电信号输入输出源19和电路14连接而设置的，因此在支承基板12上以从密封区域13内延伸至密封区域13外的方式而设。还有，也有在此多条电气配线15上设置绝缘膜的情况。如图1所75,在本实施方式中，多条电气配线15以朝向电信号输入输出源19收敛的方式,通过矩形的密封区域13的外缘的一边，且从密封区域13内延伸至密封区域13外。多条电气配线15也可以将电路14作为中心、且从密封区域13内至密封区域13外放射状地延伸。还有电信号输入输出源19比密封区域13更靠外侧设置，如本实施方式，电气装置(显示装置11)可以具备电信号输入输出源19作为驱动电路，另外电气装置也可以不具备电信号输入输出源19。就密封构件16而言,在支承基板12上，以沿着密封区域13的外缘而包围密封区域13的方式设置。换言之，密封区域13是被密封构件16包围的区域，其外缘由密封构件16规定。如上述多条电气配线15从密封区域13内延伸至密封区域13外而设，因此，沿着密封区域的外缘而延伸的密封构件16，以在俯视下与多条电气配线15交叉的方式配置。参照图3和图4，对于显示装置的更具体的构成进行说明。图3是模式化地放大示出在俯视下密封构件16和电气配线15交叉的区域(区域A:参照图1。)的图。图4是在图3所示的切面线IV-1V的位置切断的显示装置的模式化的剖面图。在以下的说明中，在密封构件16延伸的整个区域之中，将在俯视下电气配线15和密封构件16交叉而彼此重合的区域称为交叉区域(LI)，将去除该交叉区域的其余的区域称为非交叉区域。如图3所不,多条电气配线15在俯视彼此分离排列。密封构件16设于多条电气配线15上，以跨越多条电气配线15的方式持续延伸。在电气配线15和密封构件16交叉的交叉区域，电气配线15由透光性的电气配线构成。电气配线15仅在交叉区域及其邻域由透光性的电气配线构成，优选在交叉区域及其邻域以外的部位，由比透光性的电气配线的电阻率小的电气配线构成。因为这能够减小电气配线整体的电阻。但是，电气配线15其全体也可以由透光性的电气配线构成。还有，因为一般不透光性的电气配线比透光性的电气配线的电阻率小,所以在电气配线15之中的交叉区域及其邻域以外的部位，作为比透光性的电气配线的电阻率小的电气配线，能够使用不透光性的电气配线。如图4所示，本实施方式的电气配线15，由像素侧配线部15a、交叉配线部15b、端子侧配线部15c构成。像素侧配线部15a是在密封区域13内、即像素电路侧所配置的电气配线，其一端与电路14连接。交叉配线部15b是在交叉区域及其邻域所配置的电气配线。端子侧配线部15c是在密封区域13外所配置的电气配线，其一端连接于电信号输入输出源19的端子。交叉配线部15b中，其一端与像素侧配线部15a的另一端物理性地接触连接；交叉配线部15b的另一端，与端子侧配线部15c的另一端物理性地连接。如此，像素侧配线部15a、交叉配线部15b、端子侧配线部15c被电连接。还有在图4所示的构成中，交叉配线部15b，其两端部以分别爬到像素侧配线部15a上和端子侧配线部15c上的方式连接。但是，交叉配线部15b、与像素侧配线部15a和端子侧配线部15c，也可以由如下方式构成:像素侧配线部15a和端子侧配线部15c之中的一方爬到交叉配线部15b的两端部上，并且交叉配线部15b爬到像素侧配线部15a和端子侧配线部15c之中的另一方上；或者像素侧配线部15a和端子侧配线部15c的两方爬到交叉配线部15b上。在本实施方式中，交叉配线部15b由透光性的电气配线构成，像素侧配线部15a和端子侧配线部15c分别是比交叉配线部15b的电阻率小的电气配线，由不透光性的电气配线构成。交叉配线部15b的延伸方向的长度L2,从电阻的观点出发优选短的一方。在此,交叉配线部15b的延伸方向的长度L2，意思是像素侧配线部15a的一端、与端子侧配线部15c的一端之间的交叉配线部15b的长度。如后述，交叉配线部15b上的密封构件16上被照射电磁束。因此交叉配线部15b的延伸方向的长度L2，优选比照射到密封构件16上的电磁束的点径大的一方。因为这能够防止电磁束照射到不透光性的电气配线上。在本说明书中，所谓电磁束的点径，意思是用与在照射方向上延伸的光轴正交的平面切断电磁束时，相对于光轴上的强度，在所述平面上能够使强度为“Ι/e2”的位置加以连结而成的近圆形的闭合曲线的直径。符号“e”是纳皮尔常数。还有近圆形的闭合曲线虽然不一定是正圆，但在要求得近圆形的闭合曲线的直径时，使近圆形的闭合曲线近似于圆而计算其直径即可。交叉配线部15b的延伸方向的长度L2，优选是密封构件16的宽度LI的3倍左右。在此所谓密封构件16的宽度LI，意思是在与支承基板12的厚度方向和密封构件16的延伸方向正交的宽度方向上的密封构件16的长度。电气配线15之中的、透光性的电气配线，由金属薄膜、透明导电性氧化物等的薄膜构成。具体来说，由 Au、Ag、Al、Cu、Cr、W、Mo、Mg、Ta、T1、氧化铟锡(Indium Tin Oxide:ΙΤ0)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide:IZ0)等的薄膜或其层叠膜构成。还有使用金属薄膜时，通过使厚度极薄，便能够作为透光性电极使用。但是，若金属薄膜的厚度过薄，则电阻变高，因此在透光性的电气配线中，优选适用ITO，IZO等的透明导电性氧化物的薄膜。透光性的电气配线的厚度优选为50nm以上、低于300nm。另外，优选透光性的电气配线的电阻率低于300 μ Ω cm。还有透光性的电气配线的电阻率的下限值没有特别限定。透光性的电气配线的电阻率通常为80 μ Qcm以上。透光性的电气配线，能够透过照射到封接材料16上的电磁束即可。透光性的电气配线，优选例如电磁束的总光线透射率为70%以上的，更优选为80%以上。另外透光性的电气配线，优选例如可视光透射率为80%以上的，更优选为90%以上。电气配线之中的像素部配线15a和端子部配线15c的示出不透光性的电气配线，例如由金属薄膜构成。具体来说由Au、Ag、Al、Cu、Cr、W、Mg、Ta、T1、和Mo等的薄膜或其层叠膜构成。示出不透光性的电气配线，通过使厚度加厚便能够降低电阻，因此其厚度通常为300A 10000 A，优选为1000 A 5000 A。如图3和图4所示，在密封构件16与电气配线15重叠的部位，电气配线15由透光性的电气配线构成，因此照射到密封构件16的电磁束透过电气配线15。由此，能够避免电气配线15吸收电磁束的能量、及因电磁束的照射造成的电气配线的温度上升，作为其结果是，能够减小电气配线 15的存在对密封构件16的温度上升造成的影响。因此，即使俯视下在电气配线15上设有密封构件16，也能够使交叉区域的密封构件16和非交叉区域的密封构件16以相同方式加热，能够抑制加热温度的偏差，使密接性、气密性均勻，进而能够使密封的可靠性提高。就密封构件16的宽度和厚度而言，考虑所需要的气密度、封接材料的特性等而进行设定。密封构件16的宽度LI，通常为500μπι 2000μπι左右，密封构件16的厚度通常^j5ym~50ym 。就密封基板17而言，经由密封构件16被贴合在支承基板12上。密封基板17由玻璃板、金属板、树脂薄膜和其层叠体构成。还有，有机电致发光元件是朝向密封基板17而使光出射的所谓顶部发光型的元件时，密封基板17由示出透光性的构件构成。<显示装置的制造方法>接下来，对于作为电气装置的显示装置的制造方法进行说明。本发明的电气装置的制造方法，包括如下工序:准备支承基板的工序，该支承基板设定有密封区域、且设置有电路及将所述电信号输入输出源与所述电路进行电连接的电气配线，并且所述电路设于该密封区域内；沿着所述密封区域的外缘进行封接材料供给的工序；经由封接材料而将所述密封基板和所述支承基板贴合的工序；对封接材料照射电磁束，而使所述封接材料加热熔融的工序；使所述封接材料冷却、且硬化而使所述密封构件构成的工序。(准备支承基板的工序)在本工序中，首先准备设有电路14和电气配线15的支承基板12。在本实施方式中，例如，准备在其上形成有由驱动有机电致发光元件的电路和多个有机电致发光元件构成的电路14、以及电气配线15的支承基板12。还有在本工序中，也可以从市场购买预设有电路14和电气配线15的基板作为支承基板12。另外，准备支承基板12时，也可以首先准备基板，在基板上形成驱动有机电致发光元件的电路和电气配线15，再在电气配线15上形成多个有机电致发光元件，由此成为设有电路14和电气配线15的支承基板12。已经说明的像素电路和电气配线15能够采用从所周知的半导体元件的制造技术来形成。还有电气配线15能够通过如下方式形成，例如首先形成像素侧配线部15a和端子侧配线部15c，其后再形成交叉配线部15b ;或者首先形成交叉配线部15b，其后再形成像素侧配线部15a和端子侧配线部15c。电气配线15，例如能够通过涂布法、蒸镀法，溅射法等形成。另外，电气配线15能够通过光刻法进行图案形成。 有机电致发光兀件,包含一对电极和在一对电极间所设置的发光层而构成。还有，在有机电致发光元件中，除了电极和发光层以外，还根据需要而设有规定的层。作为这样的规定的层，例如可列举空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层，电子传输层和空穴阻挡层等。就有机电致发光元件而言，通过将这些构成有机电致发光元件的多个层依次层叠而能够被形成于像素电路上。在有机电致发光元件中，有低分子型的有机电致发光元件、高分子型的有机电致发光元件，但本发明中无论何类型的有机电致发光元件都能够适用。有机电致发光元件的各层，能够使用蒸镀法、溅射法等的干式法，或喷墨法、喷嘴印刷法、旋涂法等的湿式法等的规定的方法依次层叠。(封接材料供给工序)在本工序中，沿着密封区域13的外缘供给封接材料。封接材料供给到支承基板12和密封基板17之中的至少任意一方即可。在本实施方式中，在密封基板17上供给封接材料。作为封接材料，在本实施方式中使用膏状的熔接剂。膏状的熔接剂含有熔接玻璃粉和载剂(vehicle)而构成。载剂由粘合剂及分散有该粘合剂和熔接玻璃粉的溶剂构成。在熔接玻璃粉中，能够使用以V205、W、SnO、SnO2, P2O5, Bi203、B2O3> ZnO 和 SiO2 等为含有成分的低熔点玻璃粉末。作为熔接玻璃粉，例如能够使用旭硝子株式会社社制的BASl 15、BNLl 15BB-N、FP-74(商品名)等。作为粘合剂，能够使用硝化纤维(nitro cellulose)、丙烯酸甲酯(methylacrylate)、丙烯酸乙酯(ethyl acrylate),丙烯酸丁酯(butyl acrylate)、乙基纤维素(ethyl cellulose)、轻基丙基纤维素(hydroxypropyl cellulose)、丁基纤维素(butylcellulose)等。作为溶剂、能够使用二甘醇卡必醇醋酸酯(butyl carbitol acetate)、丙二醇二乙酯(propylene glycol diacetate)、甲基乙基酮(methyl ethyl ketone)、乙基卡必醇醋酸酯(ethyl carbitol acetate)、酢酸戍酉旨(Amyl acetate)等。
就封接材料而言，例如通过规定的涂布法，被供给到支承基板12和密封基板17之中的至少一方。封接材料例如通过丝网印刷法、透印版印刷法、喷墨印刷法和喷嘴印刷法等的印刷法，以及使用了点胶机的涂布法等来供给。其中优选丝网印刷法。因为其容易控制被涂布面上的封接材料的厚度的均匀性、涂布状态的再现性等，并且可以在短时间完成涂布。接着，在本实施方式中进行预烧成。通过进行预烧成，能够去除封接材料之中不需要的成分。即，通过进行预烧成，溶剂气化，并且粘合剂燃烧，载剂被从熔接剂中去除。其结果是，在密封基板17上残留下熔接玻璃粉。预烧成以能够去除载剂的温度进行，例如以300°C 500°C进行。还有，除了封接材料以外，在密封基板17上还设有通过加热而发生化学变化这样的构件时，在预烧成中，优选只选择性地加热封接材料及其邻域。例如在密封基板17上还构成电路14的一部分时，优选以不加热在密封基板17上所形成的电路14的方式进行预烧成。另外在本实施方式中，虽然向密封基板17上供给封接材料，但假如在支承基板12上供给封接材料、再对封接材料进行预烧成，则为了防止有机电致发光元件和像素电路由于预烧成而劣化，优选仅加热封接材料及其周边区域。0060(贴合密封基板和支承基板的工序)接着将密封基板17贴合在支承基板12上。在本实施方式中，使用光固化性树脂进行暂封。就暂封而言，例如首先在所供给的封接材料的外侧的区域，沿着封接材料而供给光固化性树脂；其次，在真空中或惰性气体气氛中贴合密封基板17和支承基板12。密封基板17和支承基板12的贴合能够以对准标记作为基准进行。例如在密封基板17和支承基板12上分别预设对准标记，由光学传感器识别该对准标记的位置，再基于识别的位置信息，进行密封基板17和支承基板12的位置校正,其后,贴合密封基板17和支承基板12即可。贴合密封基板17和支承基板12之后，对光固化性树脂进行光照射，使光固化性树脂固化。由此密封区域13被暂封。作为光固化性树脂，例如能够使用紫外线固化型环氧树月旨、紫外线固化型丙烯酸树脂。图1 图4虽然没有示出光固化性树脂，但进行暂封时，光固化性树脂沿着密封构件16延伸，因此实际上，例如图1中表示密封构件16的线和表示光固化性树脂的线这两条线，会沿着密封区域13的外缘延伸。还有光固化性树脂和密封构件16靠近配置时，在封接材料由激光(电磁束)加热而使之熔融之际，光固化性树脂燃烧之虞存在，因此优选使光固化性树脂和密封构件16分开例如0.5mm以上而配置。另外作为其他的实施方式，在熔封工序后，虽然有暂封所需要的部位，但也可以将在电气装置的构成中不需要的部位从电气装置上切割下来。例如，也可以在暂封所使用的光固化性树脂和密封构件16之间进行切断，将比密封构件16更靠外侧的配置有光固化性树脂的部分作为不需要的部分而从电气装置上切割下来。这种情况下，在暂封时，光固化性树脂从密封构件16分隔开规定的距离，以包围密封构件16的方式配置即可。在真空中进行暂封时，真空度优选为IPa 90kPa。另外在惰性气体气氛中进行暂封时，优选在露点为_70°C以下的惰性气体气氛中进行暂封。还有，作为惰性气体，能够使用氩气、氮气。另外照射到光固化性树脂上的光能够使用紫外线。如此通过在真空中或惰性气体气氛中进行暂封，比起在大气中进行暂封，能够使密封区域中的水分浓度和氧浓度降低。还有，虽然在暂封中气密度未必高，但通过在暂封的状态下进行后述的熔封，能够提高密封区域的气密度，由此，能够将密封区域内的水分浓度和氧浓度保持在比大气有所降低的状态。(使封接材料加热且熔融的工序)在本实施方式中，暂封后，在大气中加热封接材料而使之熔融。封接材料的加热和熔融，通过对封接材料照射电磁束来进行。就电磁束的照射而言,在本实施方式中，从支承基板12和密封基板17之中的密封基板17侧进行。例如将出射电磁束的头(以下，称为电磁束照射头。)配置在密封基板17上，朝向密封基板17照射电磁束。从电磁束照射头出射的电磁束，透过密封基板17，照射至封接材料上。电磁束适合使用能量密度高的光，适合使用激光。另外作为电磁束，优选使用的是封接材料可高效率吸收光能的波长的光，并且使用以高透射率透过密封基板17的波长的光。换言之，密封基板17适合使用电磁束容易透过的构件，封接材料适合使用容易吸收电磁束的材料。电磁束所使用的光的峰值波长通常为190nm 1200nm,优选为300nm llOOnm。作为辐射电磁束的激光装置，例如能够使用YAG激光装置、半导体激光装置、氩离子激光装置和受激准分子激光装置等。就电磁束的照射而言，例如能够使用可以三维移动(扫描)电磁束照射头的控制装置进行。例如在与封接材料之间空出规定的间隔而配置电磁束照射头，一边对封接材料照射电磁束，一边沿着封接材料使电磁束照射头扫描即可。还有，电磁束的照射也可以在使电磁束的强度随时间变动下进行，但优选在不使电磁束的强度发生变动下在遍及配置有封接材料的整个区域以相同强度照射电磁束。因为这使装置的设定简便。另外，改变电磁束的强度时，还需要降低电磁束照射头的扫描的速度，但在一边保持强度固定、一边使电磁束照射头扫描时，则不需要降低扫描的速度，因此能够缩短沿着封接材料使电磁束照射头转一圈时所需的时间。还有，就电磁束的照射而言，相对于所贴合的密封基板17和支承基板12，使电磁束照射头相对地扫描即可，并不限于电磁束照射头，例如也可以通过使所贴合的密封基板17和支承基板12移动来进行，另外，也可以通过使所贴合的密封基板17和支承基板12、与电磁束照射头这两方移动来进行。所贴合的密封基板17和支承基板12的移动，能够通过在设有移动机构的载物台上，载置所贴合的密封基板17和支承基板12，通过使该载物台移动来进行。电磁束的点径优选进行适宜调整。点径的大小，能够利用聚光透镜等光学元件来进行调整。(构成密封构件的工序)接下来，使熔融的封接材料冷却，且使之硬化而形成密封构件16。还有，所熔融的封接材料，可以通过降低显示装置的周围的温度而加以冷却，另外也可以通过自然冷却而降低其温度。例如，通过停止电磁束的照射，封接材料的温度自然地降低，因此熔融的封接材料自然硬化。如此密封构件16形成，密封区域13被气密地密封。如以上说明的，在俯视下电气配线15和密封构件16交叉的交叉区域，电气配线15由透光性电气配线构成，因此照射到密封构件16的电磁束透过电气配线15。因此，能够抑制电气配线15吸收电磁束的能量，以及能够抑制因电磁束的照射造成的电气配线15的温度上升。作为结果是，能够减小由电气配线15的存在对密封构件16的温度上升造成的影响。因此，即使俯视下在电气配线15上设有密封构件16，也能够使交叉区域的密封构件16和非交叉区域的密封构件16以相同方式加热，能够抑制加热温度的偏差。由此能够均匀地加热熔融封接材料，作为结果是能够使密封构件16自身的性状、密封基板17或支承基板12与密封构件16的密接性等均匀，能够使密封的可靠性提高。另外，电气配线15的外形能够与现有的电气装置相同，因此通过蒸镀法形成电气配线15时使用的掩模的设计，能够有效利用现有的技术的掩模的设计。在上述的实施方式中，对于电路14设置在支承基板12的形态的显示装置进行了说明。但是，也可以在密封基板17侧设置电路14。例如也可以将像素电路设于支承基板12，将有机电致发光元件设于密封基板17。还有，设于支承基板12的像素电路、和设于密封基板17的有机电致发光元件，由规定的导电性构件进行电连接即可。另外在上述的实施方式中，对于有源矩阵驱动型的显示装置进行了说明，但本发明也能够适用于无源矩阵驱动型的显示装置。另外在上述的实施方式中，以作为具有有机层的电子元件设有有机电致发光元件的显示装置为例进行了说明，但作为具有有机层的电子元件的例子，还可列举有机晶体管。因此本发明也能够适用于在构成像素电路的一部分的晶体管使用了有机晶体管的显示装置。符号说明11 显示装置12 支承基板13 密封区域14 电路15 电气配线16 密封构件17 密封基板18 图像显示区域19 电信号输入输出源51 支承基板52 密封构件53 密封基板54 电子元件55 电气配线
权利要求
1.一种电气装置，其具有: 设定有密封区域的支承基板； 设于所述密封区域内的电路； 在所述支承基板上，从所述密封区域内至密封区域外延伸地设置，且将电信号输入输出源和所述电路进行电连接的电气配线； 以包围所述密封区域的方式在所述支承基板上所设置的密封构件； 经由所述密封构件，贴合在所述支承基板上的密封基板， 其中， 所述电路具备有着有机层的电子元件， 在所述电气配线和所述密封构件交叉的交叉区域，所述电气配线由透光性的电气配线构成。
2.根据权利要求1所述的电气装置，其中， 所述透光性的电气配线的厚度为50nm以上且低于300nm。
3.根据权利要求1所述的电气装置，其中， 所述透光性的电气配线的电阻率低于300 μ Qcrn。
4.根据权利要求1所述的电气装置，其中， 电子元件是有机电致发光元件、有机光电转换元件或有机晶体管。
5.一种电气装置的制造方法，该电气装置是权利要求1所述的电气装置，其中， 所述电气装置的制造方法包括: 准备支承基板的工序，该支承基板设定有密封区域、且设置有电路及将电信号输入输出源与所述电路进行电连接的电气配线，并且所述电路设于所述密封区域内； 沿着所述密封区域的外缘进行封接材料供给的工序； 经由所述封接材料，将所述密封基板和所述支承基板贴合的工序； 对所述封接材料照射电磁束，而使所述封接材料加热且熔融的工序； 使所述封接材料冷却、且硬化而使密封构件构成的工序。
6.根据权利要求5所述的电气装置的制造方法，其中， 在使所述封接材料加热且熔融的工序中，遍及配置有所述封接材料的整个区域，以相同的强度照射所述电磁束。
全文摘要
本发明提供一种能够使封接材料均匀加热熔融的构成的电气装置。该电气装置具有如下设定有密封区域的支承基板(12)；设于所述密封区域内的电路(14)；在所述支承基板上，从所述密封区域内至密封区域外延伸地设置，且将电信号输入输出源和所述电路进行电连接的电气配线(15)；以包围所述密封区域的方式在所述支承基板上所设置的密封构件(16)；经由所述密封构件，贴合在所述支承基板上的密封基板(17)，并且，该电气装置中，所述电路具备有着有机层的电子元件，在所述电气配线和所述密封构件交叉的交叉区域，所述电气配线由透光性的电气配线构成。
文档编号H01L27/32GK103222338SQ20118005625
公开日2013年7月24日 申请日期2011年11月25日 优先权日2010年12月3日
发明者西冈幸也 申请人:住友化学株式会社