专利名称：浸没式渗透下片的制作方法
技术领域：
本发明属于LED芯片制备领域，涉及对研磨、抛光后的芯片从陶瓷盘上脱离的工艺。
背景技术：
在芯片的制备过程中需要对芯片表面进行研磨和抛光，通常为了加工方便，先把芯片通过石蜡及一定的压力固定在陶瓷盘上，然后对芯片进行研磨，减薄到所需厚度后进行抛光，在此过程中，固定在陶瓷盘上的芯片与研磨轮、抛光盘相互有着紧密接触式的摩擦，在摩擦的过程中研磨轮、抛光盘会对芯片产生一定的应力，通过加工，芯片越来越薄，应力也随之越来越大，芯片翘曲、碎片的几率会不断增大，相对增大了后续芯片从陶瓷盘上取下来的难度。现有工艺主要有两种，一种通过把抛光好的芯片，直接放在加热板上快速加热使陶瓷盘与芯片之间的蜡溶解，达到使芯片脱离陶瓷盘的目的，称之为加热脱片。由于芯片脱离陶瓷盘上的速度很快，芯片释放应力也随之加快，造成芯片的翘曲度非常大，芯片容易破碎。另一种人为推动芯片，称之为外力脱片。这个过程会有大量的不可控因素，一定要掌握好时机，该方法是通过对陶瓷盘进行加热，在加热过程中芯片与石蜡之间形成一定数量的气泡后，通过人为施力推动芯片，此过程石蜡融化时所形成的气泡状况，推片时机，及推片的力度都是需要我们人为判断的，必须要在合理的状态、合适的时间、适当的力度去推动芯片，过早了，推不动芯片，容易把芯片边缘推碎。过慢了，芯片会很快自动脱离陶瓷盘，受芯片材质的影响，芯片自动脱离陶瓷盘时，芯片的翘曲度和破片率都会增大。
发明内容
本发明的目的是为了解决芯片脱离陶瓷盘过程中易翘曲、破碎问题。为了解决上述问题，本发明的发明人通过无数次实验测试，结果发现通过浸没式渗透下片，即把陶瓷盘及通过蜡固定在其上的芯片，一并浸没在溶液内，通过加热溶液，同时超声波的震动及溶液的渗透使芯片慢慢与陶瓷盘、蜡脱离。由于芯片是通过溶液渗透及利用超声波超声使其脱离陶瓷盘的，释放应力的时间不是很快，同时溶液对芯片的压力也可控制芯片应力释放的速度，整个过程中芯片所受的力均是一个衡定的过程，并且芯片受热也是个缓慢递增的过程，所以芯片的翘曲度和碎片也会减少，让整体良率有所提升。浸没式渗透下片过程中所用的溶液选自:水、水溶液、含有碱性组分水溶液、含有表面活性剂的水溶液中的一种或多种。所述的水优选超纯水。所述的水溶液、含有碱性组分水溶液、含有表面活性剂的水溶液中水溶液为超纯水的水溶液。所述水溶液优选含有去蜡液的水溶液。所述的碱性组分选自碱金属氢氧化物，如氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾；碱土金属氢氧化物，如氢氧化钙、氢氧化镁、氢氧化钡；无机氢氧化铵，如氨、羟基胺；有机氢氧化铵，如单甲基氢氧化铵、二甲基氢氧化铵、三甲基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、正(异)四丙基氢氧化铵、正(异或叔)四丁基氢氧化铵、四戊基氢氧化铵、四己基氢氧化铵或胆碱中一种，或上述中两种或两种以上的混合物。这些碱性组分中优选氨、四甲基氢氧化铵或胆碱。所述的表面活性剂选自:非离子型表面活性剂、阴离子型表面活性剂、阳离子型表面活性剂、两性表面活性剂中一种，或上述两种或两种以上的混合物。
所述的加热溶液，是从常温下(25 °C)开始加热，溶液最高温度< 85°C。优选60 0C -85。。。所述的超声波，其频率为35kHz_55kHz，优选40kHz-45kHz。芯片在制备过程中，需要对芯片进行研磨及抛光，为加工方便，需要把芯片通过石蜡及一定的压力固定在陶瓷盘上，进行研磨、抛光，待研磨、抛光后再将芯片从陶瓷盘上取下来，再对取下来的芯片进行清洗。本发明主要是针对原研磨、抛光后的芯片从陶瓷盘上取下来这一工艺的改进，目的在于控制芯片从陶瓷盘上取下来这一过程中芯片翘曲度及其破碎率。芯片经研磨、抛光后，与陶瓷盘一并浸没在溶液内，对溶液进行加热，同时用超声仪利用超声波及溶液的渗透使芯片慢慢与陶瓷盘、蜡脱离。由于芯片是通过利用超声波超声及溶液渗透使其脱离陶瓷盘的，所以相对芯片脱离陶瓷盘的应力不大且整个过程中都保持衡定，另外因溶液的温度是从室温开始缓缓加热至最高温度的，不会使芯片温度剧变，减少了芯片的翘曲或破碎几率。在本发明的过程中芯片脱离陶瓷盘后会直接掉入容器底部，与容器有一定摩擦，芯片表面易划伤，另外多个芯片之间容易贴连，增加了后续取片的难度。本发明另一方面公开一种架子，称之浸没式渗透下片架如图1-2，该架子有两部分组成，一部分是用于放置陶瓷盘及固定在其上面的芯片，称之为陶瓷盘架，陶瓷盘架，另一部分是用于放置从陶瓷盘上脱落下的芯片，称之为芯片架，具体见附图1浸没式渗透下片架。陶瓷盘水平放置在浸没式渗透下片架内，陶瓷盘在上面，芯片在下面，每个芯片对应一个芯片架，当芯片从陶瓷盘上脱离后直接落入芯片架内，而不会出现掉入容器底部或多个芯片贴连现象。
下述附图只是为了对本发明进一步说明，而非是对本发明范围的限制。图1浸没式渗透下片架陶瓷盘架 图2浸没式渗透下片架芯片架
实施方式
下述实施例主要是为了进一步解释说明本发明，而不是对本发明的权利要求保护范围的限制。实施例1
取180片4英寸芯片，通过石蜡及压力分别固定在陶瓷盘上，经研磨、抛光后，随机分为A、B、C、D四组，每组各45片，A组进行加热脱片，把陶瓷盘及其上的芯片直接放在加热板上快速加热使陶瓷盘与芯片之间的蜡溶解，芯片从陶瓷盘上脱离。B组进行外力脱片，对陶瓷盘进行加热，在加热过程中芯片与石蜡之间形成一定数量的气泡后，施力推动芯片，芯片从陶瓷盘上脱离。C组进行浸泡式渗透下片，把陶瓷盘与其上的芯片放入浸泡式渗透下片架，芯片朝下，水平浸没在加有去蜡夜的超纯水溶液内，对室温下的该溶液进行加热，同时打开超声仪，频率调节至41kHz，利用超声波及溶液的渗透，并缓缓加热溶液至60°C，使芯片慢慢与陶瓷盘、蜡脱离，并落入芯片架内。D组进行浸泡式渗透下片，把陶瓷盘与其上的芯片放入浸泡式渗透下片架，芯片朝下，水平浸没在超纯水内，对室温下的超纯水进行加热，同时打开超声仪，频率调节至43kHz，利用超声波及超纯水的渗透，并缓缓加热溶液至67°C，使芯片慢慢与陶瓷盘、蜡脱离，并落入芯片架内。对脱离后的芯片进行翘曲及破碎量占试验芯片量的比例，得出各自的翘曲率及破碎率。具体见表I。
表I芯片从陶瓷盘上脱离后的质量
权利要求
1.一种使芯片从陶瓷盘上脱离的方法，其特征在于采用浸没、渗透的方式使芯片从陶瓷盘上脱离。
2.权利要求1所述的方法，其特征在于浸没、渗透方式为把陶瓷盘及通过蜡固定在其上的芯片，一并浸没在溶液内，通过加热溶液及溶液的渗透使芯片与陶瓷盘、蜡脱离。
3.权利要求2所述的方法，其特征在于陶瓷盘及通过蜡固定在其上的芯片浸没在溶液内，同时利用超声仪进行超声。
4.权利要求2或3所述的方法，其特征在于溶液的温度从常温开始加热，溶液的最高温度< 85。。。
5.权利要求4所述的方法，其特征在于60°C<溶液的最高温度<85°C。
6.权利要求3所述的方法，其特征在于超声仪的超声频率为35kHz-55kHz。
7.权利要求6所述的方法，其特征在于超声仪的超声频率优选40kHz-45kHz。
8.权利要求2所述的方法，其特征在于所述的溶液选自:水、水溶液、含有碱性组分水溶液、含有表面活性剂的水溶液中的一种或多种。
9.权利要求8所述的方法，其特征在于所述的水为超纯水，所述的水溶液、含有碱性组分水溶液、含有表面活性剂的水溶液中水溶液为超纯水的水溶液。
10.权利要求1-9的方法进一步包括一种浸没式渗透下片架，由两部分组成，一部分是用于放置陶瓷盘及固定在其上面的芯片，称之为陶瓷盘架，另一部分是用于放置从陶瓷盘上脱落下的芯片，称之为芯片架，陶瓷盘架、芯片架共同组成浸没式渗透下片架。
全文摘要
本发明为浸没式渗透下片，通过对研磨、抛光后的芯片从陶瓷盘上脱离的工艺改进，降低此过程中芯片的破碎、翘曲的新方法，从而提高芯片的产率及质量。
文档编号H01L21/67GK103208442SQ20121006783
公开日2013年7月17日 申请日期2012年3月15日 优先权日2012年3月15日
发明者孙雪英 申请人:江苏汉莱科技有限公司