专利名称：具有传感器的集成电路及制造这种集成电路的方法
技术领域：
本发明涉及一种集成电路(1C)，包括承载多个电路元件的衬底；互连所述电路元件的金属化叠层，所述金属化叠层包括图案化上金属化层，该图案化上金属化层包括第一金属部；覆盖金属化叠层的钝化叠层；以及传感器。本发明还涉及制造这种IC的方法。
背景技术：
如今，集成电路(IC)可以包括湿敏传感器，如相对湿度(RH)传感器或浸液检测传感器。由于多种原因，这种传感器可以包括在IC设计中。例如，这种传感器可以包括在IC中，以确定如已经返回其制造厂商的故障IC是否 由于暴露至湿气，如浸水事件，而已经损坏，或者确定IC本身是否存在故障。这种作为故障原因的外部影响的确定对于确定将IC或包括该IC的电子装置返回的消费者是否有权利对该装置要求保修主张来说可能是至关重要的，因为诸如前述浸水事件之类的误用通常使保修无效。可替换地，这种传感器可以为IC功能性的一部分。例如，存在为近场通信IC如射频(RF)识别(ID)芯片提供各种传感器的趋势，传感器如温度传感器、环境光传感器、机械冲击传感器、浸液传感器、湿度传感器、CO2传感器、O2传感器、pH传感器和乙烯传感器，其例如可以用来监控贴有该芯片的产品的环境条件，以便能够通过监控芯片的传感器读数实现产品质量控制。特别吸引人的是将这些传感器中的至少一些集成在IC制造工艺的后端，如集成在金属化叠层中，因为这便于经济划算地达成这种集成，这归功于可以在对工艺流程变更最少的情况下实现这种集成。然而，IC设计者在将多个传感器集成在金属化叠层中时所面临的一个挑战是环境传感器必须与环境可连通的接触。这增加了湿气渗透金属化叠层并干扰IC的下层电路元件正确操作的风险。为此，诸如Ta2O5层的湿气阻挡层或钝化层可以沉积在金属化叠层上方以避免下层电路暴露至湿气。不幸的是，当在金属化层中集成具有不同功能的多个传感器时，总是不能避免这种阻挡层的部分去除。US 4，057，823公开了一种环境传感器的示例，即一种用于相对湿度监测的结构，其可以构建在集成电路芯片中。通过阳极浸蚀法使硅芯片上的一小片区域成为多孔的。随后氧化该区域，并且在该多孔区域的一部分上沉积金属对电极(counter electrode)。由于对电极下的电介质中相对大的表面积和该结构的开放性，环境湿气会快速地扩散到电极下面的电介质中并吸附在二氧化硅表面上，以便通过该装置的电容或电导的可测量变化来反映环境湿度的变化。明显的是，由于多种原因(它们中的一些已经在上文提出)，存在将多种传感器集成在IC上的要求。然而，湿敏传感器的集成不是没有问题，因为证实至少难以以经济划算的方式防止IC的其它电路暴露至湿气。
发明内容
本发明旨在提供一种包括低成本传感器的1C，其中防止湿气经由传感器渗入金属
化叠层。本发明还旨在提供一种制造这种IC的方法。根据本发明的第一方面，提供了一种集成电路(1C)，包括衬底，承载多个电路元件；金属化叠层，将所述电路元件互连，所述金属化叠层包括图案化上金属化层，所述图案化上金属化层包括至少一个传感器电极部和键合焊盘部，湿气阻挡膜至少覆盖图案化上金属化层的所述至少一个传感器电极部；以及钝化叠层，覆盖金属化叠层，所述钝化叠层包括露出所述至少一个传感器电极部的第一沟槽以及露出所述键合焊盘部的第二沟槽，所述第一沟槽填充有传感器活性材料。这种IC可以以更节省成本的方式来制造，这是因为，为了在IC设计中实现传感器，标准制造工艺需要很少的修改或不需要修改。通过对沟槽进行加衬或密封除了键合焊 盘接触表面之外的整个图案化上金属化层，利用湿气阻挡膜(例如Ta2O5薄层)将作为湿气能够到达的区域(即，第一沟槽)密封。优选地，Ta2O5膜是化学气相沉积膜，因为这种膜具有高保形度(conformality)并且能够防止断裂，从而进一步降低了湿气渗入金属化叠层的风险。此外，Ta2O5的介电常数(k = 22)比诸如Si3N4之类的金属化叠层电介质材料的介电常数(k = 5)高，所以在覆盖其电极时进一步提闻了传感器的灵敏度。在实施例中，IC还包括直接位于图案化上金属化层下方的蚀刻停止层。这具有的优点是，在形成沟槽时，所述至少一个电极部的侧部也可以露出，从而由于传感器的接触表面增大而提高了传感器的灵敏度。这在所述至少一个传感器电极部包括通过传感器活性材料横向分离的电极对的情况下是特别有意义的。根据本发明的另一方面，提供了一种制造包括传感器的集成电路的方法，包括提供承载多个电路元件的衬底；在衬底上方形成将电路元件互连的金属化叠层，所述金属化叠层包括图案化上金属化层，所述图案化上金属化层包括至少一个传感器电极部和键合焊盘部；形成至少覆盖图案化上金属化层的所述至少一个传感器电极部的湿气阻挡层；以及在金属化叠层上方形成钝化叠层；将钝化叠层图案化，以形成露出所述至少一个传感器电极部的第一沟槽以及露出所述键合焊盘部的第二沟槽；以及利用传感器活性材料来填充第一沟槽。本领域技术人员将清楚，本发明的工艺步骤全都可以使用诸如CMOS工艺步骤等标准工艺步骤来执行，使得IC的制造工艺不需要许多(任何)附加工艺步骤，从而产出节省成本的传感器。尽管在标准IC中可以不形成湿气阻挡膜，然而可以使用诸如标准CMOS工艺等标准工艺中已经可用的工艺技术(例如，化学气相沉积(CVD))来形成这种湿气阻挡膜。优选地以CVD Ta2O5膜作为湿气阻挡膜，因为这种层即使在应用于台阶式轮廓时也具有高保形度并且能够防止断裂，并且如前所述当传感器被Ta2O5膜覆盖时可以提高传感器的灵敏度。在实施例中，形成金属化叠层的步骤包括形成直接位于图案化上金属化层下方的蚀刻停止层，将钝化叠层图案化的步骤包括蚀刻钝化叠层以形成第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的蚀刻终止于蚀刻停止层。这需要将蚀刻停止层添加到金属化叠层形成工艺中的单一附加工艺步骤，这产生的优点是能够使传感器电极的侧部露出，进而提高传感器灵敏度。各个沟槽可以顺序地形成。例如，该方法可以包括形成第一沟槽；在得到的结构上形成湿气阻挡层；在得到的结构上形成图案化抗蚀剂层，所述图案化抗蚀剂层露出钝化层在键合焊盘部上方的区域；形成第二沟槽；去除图案化抗蚀剂层；以及利用传感器活性材料来填充第一沟槽。这具有的优点是，由于第二沟槽的蚀刻原本可能会引起第一沟槽的过蚀刻，所以改善了对沟槽形成工艺的控制。备选地，将钝化叠层图案化以形成露出所述至少一个传感器电极部的第一沟槽以及露出所述键合焊盘部的第二沟槽的步骤可以包括同时打开第一沟槽和第二沟槽。该实施例在第一沟槽的过蚀刻是可接受的情况下是特别有意义的，因为这简化了制造工艺，从 而进一步降低了具有传感器的IC的制造成本。
参照附图，通过非限制性示例更详细地描述本发明的实施例，其中图I示意性地示出了根据本发明实施例的IC的制造方法；图2示意性地示出了根据本发明另一实施例的IC的制造方法；图3示意性地示出了根据本发明另一实施例的IC的制造方法；以及图4示出了相比于被Si3N4膜覆盖的相对湿度传感器，具有被Ta2O5膜覆盖的相对湿度传感器的本发明IC的灵敏度仿真结果。
具体实施例方式应当理解，附图仅仅是示意性的且未按比例绘制。还应当理解，相同的附图标记在整个附图中用来指示相同或相似的部件。图I示意性地图示了根据本发明实施例的制造具有环境传感器(即，暴露至IC的环境中的传感器)的IC的方法的各个步骤，其中，实现了对防止湿气渗透到IC内部的保护改进。如步骤(a)所示，可以设置包括衬底10的1C，金属化叠层形成在衬底10上。这种金属化叠层通常包括通过电绝缘层即电介质层14彼此电绝缘的图案化金属层12的叠层。不同金属化层12中的金属部可以通过通路(via) 16彼此电连接，通路16延伸穿过将这种金属部彼此隔开的电介质层14。衬底10可以为任何合适的衬底材料，如单晶Si、SiGe、绝缘体上硅等等，并且可以承载多个电路元件，如晶体管、二极管等等。同样地，金属化叠层可以以任何合适的方式形成，并且可以包括任何合适数量的金属层12和电介质层14。应当理解，示出了三个金属层仅作为非限制性示例。为清楚起见，每个金属层12和电介质层14在图2中图示为单层。应当认识到，这些层可以由多个堆叠的子层组成，例如亚微米CMOS工艺中，Ti、TiN, AlCu, TiN的叠层可以用来限定金属化叠层中的单个金属层。每个电介质层14也可以包括多于单个的层。例如，这种电介质层可以为包括FSG (氟硅酸盐玻璃)、SiO2和HDP氧化物(高密度等离子体)的叠层或任何其它适合的电介质材料组合。也可以使用其它合适的材料。
类似地，将会明白，通路16可以由多于单种的材料形成。例如，在前述CMOS 14技术中，通路16可以由Ti/TiN衬层和W插塞形成。其它半导体工艺可以采用不同的材料，如Cu,用于金属层12和通路16。在图I中，金属化叠层的上金属层包括传感器电极部20和键合焊盘部22。在CMOS工艺中，传感器电极部20和键合焊盘部22可以是铝。传感器电极部20优选地包括横向分离的电极对，所述横向分离的电极对优选地具有较大的表面积，例如叉指(interdigitated)(指状)电极。在包括(一个或多个)传感器电极部20和键合焊盘部22的图案化上金属化层上形成电绝缘的湿气阻挡膜23，例如薄电介质层。这种湿气阻挡膜23例如可以是Ta2O5膜，并且可以是使用诸如等离子体气相沉积或化学气相沉积等合适的沉积技术来形成的。优选的是化学气相沉积，因为化学气相沉积产生能够以高度抗断裂性形成在台阶式表面上的高度保形层，从而确保可靠的湿气阻挡23。在步骤(b)中，在包括湿气阻挡膜23的金属化叠层上形成钝化叠层。钝化叠层的形成可以包括沉积高密度等离子体氧化物24，然后执行氧化物平坦化步骤，例如化学机械抛光(CMP)步骤，然后可以沉积SiO2层26和Si3N4层28达到任何合适厚度。在备选实 施例中，省略氧化物CMP步骤，因为该步骤对于本发明来说并不是必须的；即，可以提供一种具有非平坦化钝化叠层的1C。还可以想到用于钝化叠层的其他层材料。例如，在不脱离本发明教义的前提下，可以例如在沉积HDP氧化物24之后将TEOS层添加到叠层。如何形成这种钝化叠层本身是本领域技术人员已知的，仅为了简明起见在此没有对其进行详细描述。该方法如步骤(C)所示继续进行，在步骤(C)中，抗蚀剂30沉积在钝化叠层上，随后被图案化以露出钝化叠层在电极部20上方的部分。任何合适的抗蚀剂材料可以用于此目的，如负抗蚀剂或正抗蚀剂材料。所产生的结构随后经受刻蚀处理，如反应离子刻蚀(RIE)，以从传感器电极部20和键合焊盘部22上方选择性地去除钝化叠层的各层，使得传感器电极部20和键合焊盘部22分别通过沟槽32和34而露出，如步骤(d)所示。在该工艺中，湿气阻挡膜23可以用作蚀刻停止层。接下来如步骤(e)所示，将图案化的抗蚀剂30从图案化的钝化叠层剥离，用传感器活性材料36 (即，使传感器对感兴趣分析物敏感的材料)填充传感器电极部20上方的沟槽32。在湿气传感器或浸液传感器的情况下，传感器活性材料36可以是湿敏材料，所述湿敏材料的介电常数与该材料中的湿气含量有关。传感器活性材料36的合适实施例的非限制性示例是聚酰亚胺。应注意，在图1(e)中，传感器活性材料36使电极部20横向分离，S卩，延伸超过这些电极部的上表面。这显著提高了传感器的灵敏度。此外，在图1(e)中，以非限制性示例的方式将传感器活性材料36示为相对于平坦化叠层而平坦化。使传感器活性材料36延伸超过平坦化叠层且在横向延伸超过沟槽32的边缘同样是可行的，这可以进一步提高包括一个或多个电极部20的传感器的灵敏度，并降低了对于在沟槽32中形成传感器活性材料36的光刻步骤的精度需求。最后，如步骤(f)所示，通过去除电绝缘的湿气阻挡膜23和任何其他残余层，露出键合焊盘部22。自此，可以以任何合适的方式完成本发明的1C，例如通过提供与IC的键合焊盘(已经由单一键合焊盘部22表征)的外部接触来完成本发明的1C。本领域技术人员会认识到，仅仅是为了清楚起见而示出了单一键合焊盘部22，IC典型地包括多个键合焊盘部22。图2示出了本发明的制造方法的备选实施例。在步骤(a)中，可以提供IC，IC包括衬底10，金属化叠层按照与以上详细说明中图I的步骤(a)中描述的方式相同的方式形成到衬底10上。然而，将蚀刻停止层40添加到金属化叠层中，直接位于图案化上金属化层的下方，即，直接位于所述一个或多个电极部20和键合焊盘部22的下方。这种蚀刻停止层40例如可以是通过对形成通路16的工艺步骤加以改变而形成的。用于蚀刻停止层的合适材料的非限制性示例包括氮化硅(Si3N4)和富硅氧化硅(Si0x，x<2)。另一区别在于，在该阶段不形成湿气阻挡膜23。在步骤(b)，如前所述形成钝化叠层，在步骤(C)，如前所述在所述一个或多个电极部20和键合焊盘部22上方形成沟槽32和34。在步骤(d)，将抗蚀剂30从钝化叠层剥离，然后如步骤(e)所示在得到的结构上方沉积湿气阻挡膜23。优选地，该膜23是通过化学气相沉积(CVD)形成的Ta2O5膜，以防止 该膜断裂，已知膜的断裂在使用备选技术沉积的诸如Ta2O5膜之类的湿气阻挡膜中是成问题的。此外，CVD膜是高度保形的，因此提高了所沉积的湿气阻挡膜23的平坦性。接下来，如步骤(f)所示，在所述一个或多个传感器电极部20上方的沟槽32中形成传感器活性材料36。传感器活性材料36还用作在沟槽32内形成的湿气阻挡膜23的保护性掩模。这与最终步骤(g)相关，在最终步骤(g)中，如前所述，从钝化层的剩余部分和键合焊盘部22去除湿气阻挡膜23，以露出键合焊盘部22。自此，可以如前所述使用标准制造技术来完成1C。在图2(g)所示步骤的备选步骤中，湿气阻挡膜23可以保留在钝化叠层的上表面上，即，可以选择性地仅从沟槽34去除湿气阻挡膜23。在另一备选实施例中，可以选择性地仅从键合焊盘去除湿气阻挡膜23，从而使沟槽34的竖直壁保持衬有湿气阻挡膜23。本领域技术人员将清楚，本发明实施例中IC与环境的接触表面受湿气阻挡膜23保护的面积越大，IC在外露于湿气的情况下鲁棒性越强。图3示出了本发明方法的另一实施例。方法的前几步与图2所示的步骤(a)和(b)相同，因此为了简明起见而未示出。方法进行至步骤(C)，在步骤(C)中在钝化叠层上方形成图案化抗蚀剂30。图案化抗蚀剂30在所述一个或多个传感器电极部20上方的钝化叠层区域上包括开口 32，但覆盖键合焊盘部22上方的钝化叠层区域。接下来，在钝化叠层中形成沟槽32，以露出所述一个或多个电极部20。步骤(d)示出了得到的结构。在单独的步骤中形成沟槽32的优点在于由于沟槽32和34的纵横比可能不同，所以难以提供一种不会将两个沟槽中较窄的沟槽(通常为所述一个或多个电极部20上方的第一沟槽32)横向过蚀刻的蚀刻处理。通过分别在不同步骤中形成沟槽32和34，可以针对每个沟槽优化蚀刻处理，从而对沟槽形成工艺提供改进的控制。蚀刻处理优化是本领域技术人员的常规工作，因此仅为了简明起见不再对其进行更详细的说明。在如步骤(e)所示从钝化叠层剥离图案化抗蚀剂30之后，方法进行至步骤(f)，在步骤(f)中在得到的结构上方形成湿气阻挡膜23。同样，CVD Ta2O5膜是优选的，因为其在台阶式表面上具有高保形度并且能够防止断裂。接下来，在湿气阻挡膜23上方沉积另一图案化抗蚀剂42，使键合焊盘部22上方的区域露出。步骤(g)中示出了这一操作。可以将任何合适的抗蚀剂材料用于所述另一图案化抗蚀剂42，例如，采用与图案化抗蚀剂30所用材料相同的材料。随后使用合适的蚀刻步骤形成使键合焊盘部22露出的沟槽34，优选地优化沟槽34的纵横比。这种蚀刻步骤的非限制性示例是反应离子蚀刻，该反应离子蚀刻在例如Al之类的键合焊盘金属上停止，以去除由所述另一图案化抗蚀剂42露出的区域中的钝化叠层，然后以任何合适的方式将所述另一图案化抗蚀剂42从湿气阻挡膜23剥离，从而得到图3的步骤(h)所示的结构。最后，如步骤(i)所示，在沟槽32中形成传感器活性材料36，以完成本发明的IC的传感器。同样，可以如前所述以任何合适的方式完成1C。在本发明的实施例中，传感器包括叉指电极20对，叉指电极20例如是曲折(meandering)电极或指状(finger)电极，电极通过湿气吸附传感器活性材料36 (如,聚酰亚胺或其他合适的电绝缘材料)彼此电绝缘。这有效地提供了一种电容器，该电容器具有叉指电极20形式的大表面积电容器极板，其中感测材料36起到电容器电介质的作用。备选地，传感器电极部20可以是衬底10上的晶体管的延伸栅极，在这种情况下传感器活性材料36中感兴趣分析物的含量(例如，湿气含量)的变化将会影响晶体管感测到的栅极电位。本领域技术人员将会清楚其他布置。 示例使用Rafael 仿真软件提供了对以下IC的仿真具有相对湿度传感器的多个1C，所述相对湿度传感器具有被各种厚度的Ta2O5膜23覆盖的叉指电极20 (三角形)；具有相对湿度传感器的多个1C，所述相对湿度传感器具有被各种厚度的Si3N4膜覆盖的叉指电极20。在选定的电介质层厚度以及30%和70%的相对湿度下，使用实际IC测量结果来对软件进行校准。在仿真中，对于每个厚度，使相应的IC处于相对湿度从10%至90%逐步上升的气氛中，测量在该范围的极值之间的电容变化。图4示出了仿真结果。以三角形示出了 Ta2O5覆盖传感器的结果，以方形示出了 Si3N4覆盖传感器的结果。显然，对于Ta2O5层23，传感器灵敏度随着该层厚度的增大而增大；而对于被同样厚度的Si3N4层覆盖的传感器，呈现了相反的效果。因此，出了提供改进的湿气阻挡特性之外，Ta2O5层23还提高了本发明IC的相对湿度传感器或湿气传感器的灵敏度。尽管上述实施例被描述为使本发明的IC具有单一环境传感器，然而应理解，在不脱离本发明范围的前提下IC设计中可以包括其他传感器。本发明的IC可以集成在任何适合的电子装置中，如，诸如移动电话之类的移动通信装置、个人数字助理等等，或者可以用作用于监测目的的物品用标签，在这种情况中，IC可以扩展为具有RF功能，如通信地连接至该IC的传感器的RF收发器。应当注意到，上述实施方式是说明而不是限制本发明，并且本领域技术人员在不偏离所附权利要求的保护范围下将能够设计多种替换实施方式。在权利要求书中，放在括号之间的任何附图标记不应被解释为限制该权利要求。措词"包括"不排除权利要求中列出的元件或步骤之外的其它元件或步骤的存在。元件之前的词语"一"或"一个"不排除多个这种元件的存在。可以借助于包括若干不同元件的硬件来实现本发明。在列举几种装置的产品权利要求中，这些装置中的一些可以由同一硬件来实施。在彼此不同的从属权利要求中阐述某些措施的事实并不表明不能有利地使用这些措施的组合。
权利要求
1.一种集成电路，包括 衬底(10)，承载多个电路元件； 金属化叠层(12，14，16)，将所述电路元件互连，所述金属化叠层包括图案化上金属化层，所述图案化上金属化层包括至少一个传感器电极部(20)和键合焊盘部(22)，湿气阻挡膜(23)至少覆盖所述图案化上金属化层的所述至少一个传感器电极部；以及 钝化叠层(24，26，28)，覆盖金属化叠层，所述钝化叠层包括露出所述至少一个传感器电极部的第一沟槽(32)以及露出所述键合焊盘部的第二沟槽(34)，所述第一沟槽填充有传感器活性材料(36)。
2.根据权利要求I所述的集成电路，其中，湿气阻挡膜(23)包括Ta2O5膜。
3.根据权利要求I所述的集成电路，其中，Ta2O5膜是具有高保形度的化学气相沉积膜。
4.根据权利要求I至3中任一项权利要求所述的集成电路，还包括直接位于所述图案化上金属化层下方的蚀刻停止层(40)。
5.根据权利要求I至4中任一项权利要求所述的集成电路，其中，图案化上金属化层包括招。
6.根据权利要求I至5中任一项权利要求所述的集成电路，其中，图案化上金属化层被湿气阻挡膜(23)覆盖，而键合焊盘部(22)通过第二沟槽(34)露出。
7.根据权利要求I至5中任一项权利要求所述的集成电路，其中，包括传感器电极部(20)的第一沟槽(32)衬有湿气阻挡膜(23)。
8.根据权利要求I至7中任一项权利要求所述的集成电路，其中，所述至少一个传感器电极部(20)包括通过传感器活性材料(23)横向隔开的电极对。
9.一种制造包括传感器的集成电路的方法，包括 提供承载多个电路元件的衬底(10)； 在所述衬底上方形成将所述电路元件互连的金属化叠层(12，14，16)，所述金属化叠层包括图案化上金属化层，所述图案化上金属化层包括至少一个传感器电极部(20)和键合焊盘部(22)； 形成至少覆盖所述图案化上金属化层的所述至少一个传感器电极部的湿气阻挡层(23)； 在金属化叠层上方形成钝化叠层(24，26，28)； 将钝化叠层图案化，以形成露出所述至少一个传感器电极部的第一沟槽(32)以及露出所述键合焊盘部的第二沟槽(34);以及 利用传感器活性材料(36)来填充第一沟槽。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成金属化叠层(12，14，16)的步骤包括形成直接位于所述图案化上金属化层下方的蚀刻停止层(40)，将钝化叠层(24，26，28)图案化的步骤包括蚀刻所述钝化叠层以形成第一沟槽(32)和第二沟槽(34)，所述第一沟槽的蚀刻终止于蚀刻停止层上。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，蚀刻停止层(40)是氮化硅层或富硅氧化硅层。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其中，将钝化叠层(24，26，28)图案化以形成露出所述至少一个传感器电极部(20)的第一沟槽(32)以及露出所述键合焊盘部(22)的第二沟槽(34)的步骤包括形成所述第一沟槽； 在得到的结构上形成湿气阻挡层(23)； 在得到的结构上形成图案化抗蚀剂层(42)，所述图案化抗蚀剂层露出钝化层在键合焊盘部上方的区域； 形成第二沟槽； 去除图案化抗蚀剂层；以及 利用传感器活性材料(36)来填充第一沟槽。
13.根据权利要求9-11中任一项权利要求所述的方法，其中，将钝化叠层(24，26，28)图案化以形成露出所述至少一个传感器电极部(20)的第一沟槽(32)以及露出所述键合焊盘部(22)的第二沟槽(34)的步骤包括同时形成第一沟槽和第二沟槽。
14.根据权利要求9-13中任一项权利要求所述的方法，其中，形成湿气阻挡层的步骤包括沉积Ta2O5膜。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，沉积Ta2O5膜的步骤包括通过化学气相沉积来沉积Ta2O5膜。
全文摘要
公开了一种集成电路(IC)，包括衬底(10)，承载多个电路元件；金属化叠层(12，14，16)，将所述电路元件互连，所述金属化叠层包括图案化上金属化层，所述图案化上金属化层包括至少一个传感器电极部(20)和键合焊盘部(22)，湿气阻挡膜(23)至少覆盖所述图案化上金属化层的所述至少一个传感器电极部；以及钝化叠层(24，26，28)，覆盖金属化叠层，所述钝化叠层包括露出所述至少一个传感器电极部的第一沟槽(32)以及露出所述键合焊盘部的第二沟槽(34)，所述第一沟槽填充有传感器活性材料(36)。还公开了一种制造这种IC的方法。
文档编号H01L23/31GK102800665SQ20121016271
公开日2012年11月28日 申请日期2012年5月23日 优先权日2011年5月27日
发明者罗埃尔·达门, 卡斯珀·于费尔曼斯, 约瑟夫斯·盖伦, 罗伯特斯·沃特斯 申请人:Nxp股份有限公司