专利名称：一种类单晶硅片的烧结方法
技术领域：
本发明属于太阳能电池领域，具体涉及到一种类单晶硅片的烧结方法。
背景技术：
在太阳能电池领域中，常规晶体硅电池有单晶电池和多晶电池两种。单晶电池缺陷少，通过碱绒的各向异性腐蚀原理形成金字塔形织构化表面，增加光的吸收次数，提高转换效率，效率要比多晶高I. 5%以上；多晶电池产量大，成本低，衰减小。随着铸锭技术的发展，现多晶炉生产出的类单晶集合了大部分单晶和多晶的优势。但是在生产过程中，该类硅片除了大部分面积是(100)晶向外，不可避免的存在一部分其它各种晶向的晶粒，该晶粒经、过碱绒后，织构化效果要比(100)晶向的单晶差很多。对于晶体硅电池，烧结是最后一道工序，烧结的目的就是使得Ag-Si形成良好的欧姆接触。类单晶多晶区域碱绒形成的表面形貌与单晶(100)晶向碱绒后的形貌有着明显的区别，而不同的表面织构化对Ag-Si的接触有一定的影响，常规的双温区低温烧结会使得Ag-Si接触不良，产生显著的电池功率损耗，因此对于类单晶硅片，影响Ag-Si烧结工艺需要选择合适的烧结工艺。
发明内容
本发明的目的是提供一种简单的、适合类单晶多晶区域的烧结方法，对8、9温区进行温度调整，找到适合类单晶多晶区域绒面的烧结方式，使得Ag-Si接触牢固，同时又不破坏P-N结，该方法工艺简单，烧结效果好。一种类单晶硅片的烧结方法，具体步骤如下
1、采用有一定多晶区域156X156的P型类单晶硅片，进行1%_2%浓度的NaOH制绒；
2、采用常规156X156单晶的扩散、刻蚀、PECVD；
3、烧结把单晶放入烧结炉中，烧结炉中的烘干区I区温度330°C持续时间7.6s，2区温度320°C持续时间7. 6s，3区温度350°C持续时间7. 6s，4区温度550°C持续时间7. 6s，5区温度520°C持续时间7. 6s，6区温度530°C持续时间7. 6s，7区温度550°C持续时间7. 6s，烧结区8区温度615°C持续时间4. 7s，9区温度895°C持续时间2. 8s。由于类单晶电池绒面不是很均匀，在常规工艺下接触不是很好，因此通过降低8区温度，提高9区温度，延长液态Ag更充分接触到类单晶硅表面，然后进行短时间高温迅速加热，使得Ag与Si能更好的成为合金，为了有一定的温度梯度，所以在降低8区的温度的同时时，降低了 7区的温度。因此本发明的烧结方式是高温、快速，多晶区域的接触电阻有明显的改善，电池效率还有O. 5%左右的提高。
具体实施例下面结合具体实施例对本发明做进一步的说明，以助于理解本发明的内容。实施例I :一种类单晶硅片的烧结方法，具体步骤如下
1、采用有一定多晶区域156X156的P型类单晶硅片，进行1%浓度的NaOH制绒；
2、采用常规156X156单晶的扩散、 刻蚀、PECVD；
3、烧结把单晶放入烧结炉中，烧结炉中的烘干区I区温度330°C持续时间7.6s，2区温度320°C持续时间7. 6s，3区温度350°C持续时间7. 6s，4区温度550°C持续时间7. 6s，5区温度520°C持续时间7. 6s，6区温度530°C持续时间7. 6s，7区温度550°C持续时间7. 6s，烧结区8区温度615°C持续时间4. 7s，9区温度895°C持续时间2. 8s。实施例2
一种类单晶硅片的烧结方法，具体步骤如下
1、采用有一定多晶区域156X156的P型类单晶硅片，进行I.5%浓度的NaOH制绒；
2、采用常规156X156单晶的扩散、刻蚀、PECVD；
3、烧结把单晶放入烧结炉中，烧结炉中的烘干区I区温度330°C持续时间7.6s，2区温度320°C持续时间7. 6s，3区温度350°C持续时间7. 6s，4区温度550°C持续时间7. 6s，5区温度520°C持续时间7. 6s，6区温度530°C持续时间7. 6s，7区温度550°C持续时间7. 6s，烧结区8区温度615°C持续时间4. 7s，9区温度895°C持续时间2. 8s。实施例3
一种类单晶硅片的烧结方法，具体步骤如下
1、采用有一定多晶区域156X156的P型类单晶硅片，进行2%浓度的NaOH制绒；
2、采用常规156X156单晶的扩散、刻蚀、PECVD；
3、烧结把单晶放入烧结炉中，烧结炉中的烘干区I区温度330°C持续时间7.6s，2区温度320°C持续时间7. 6s，3区温度350°C持续时间7. 6s，4区温度550°C持续时间7. 6s，5区温度520°C持续时间7. 6s，6区温度530°C持续时间7. 6s，7区温度550°C持续时间7. 6s，烧结区8区温度615°C持续时间4. 7s，9区温度895°C持续时间2. 8s。实施例4:
传统的一种类单晶硅片的烧结方法，具体步骤如下
1、采用有一定多晶区域156X156的P型类单晶硅片，进行I.5%浓度的NaOH制绒；
2、采用常规156X156单晶的扩散、刻蚀、PECVD；
3、烧结把单晶放入烧结炉中，烧结炉中的烘干区I区温度330°C持续时间7.6s，2区温度320°C持续时间7. 6s，3区温度350°C持续时间7. 6s，4区温度550°C持续时间7. 6s，5区温度520°C持续时间7. 6s，6区温度530°C持续时间7. 6s，7区温度620°C持续时间7. 6s，烧结区8区温度825°C持续时间4. 7s，9区温度870°C持续时间2. 8s。采用各实施例的烧结方法得到的类单晶电池性能参数如下表所示
权利要求
1.一种类单晶硅片的烧结方法，其特征在于 具体步骤如下 (1)采用有一定多晶区域156X156的P型类单晶硅片，进行1%_2%浓度的NaOH制绒； (2)采用常规156X156单晶的扩散、刻蚀、PECVD； (3)烧结把单晶放入烧结炉中，烧结炉中的烘干区I区温度330°C持续时间7.6s，2区温度320°C持续时间7. 6s，3区温度350°C持续时间7. 6s，4区温度550°C持续时间7. 6s，5区温度520°C持续时间7. 6s，6区温度530°C持续时间7. 6s，7区温度550°C持续时间7. 6s，烧结区8区温度615°C持续时间4. 7s，9区温度895°C持续时间2. 8s。
2.如权利要求I所述的一种类单晶硅片的烧结方法，其特征在于具体步骤如下 (1)采用有一定多晶区域156X156的P型类单晶硅片，进行I.5%浓度的NaOH制绒； (2)采用常规156X156单晶的扩散、刻蚀、PECVD； (3)烧结把单晶放入烧结炉中，烧结炉中的烘干区I区温度330°C持续时间7.6s，2区温度320°C持续时间7. 6s，3区温度350°C持续时间7. 6s，4区温度550°C持续时间7. 6s，5区温度520°C持续时间7. 6s，6区温度530°C持续时间7. 6s，7区温度550°C持续时间7. 6s，烧结区8区温度615°C持续时间4. 7s，9区温度895°C持续时间2. 8s。
全文摘要
本发明涉及一种简单的、适合类单晶多晶区域的烧结方法，通过降低8区温度，提高9区温度，延长液态Ag更充分接触到类单晶硅表面，然后进行短时间高温迅速加热，使得Ag与Si能更好的成为合金，为了有一定的温度梯度，所以在降低8区的温度的同时时，降低了7区的温度。因此本发明的烧结方式是高温、快速，Ag-Si接触牢固，同时又不破坏P-N结，多晶区域的接触电阻有明显的改善，电池效率还有0.5%左右的提高，该方法工艺简单，烧结效果好。
文档编号H01L21/324GK102737989SQ20121017717
公开日2012年10月17日 申请日期2012年6月1日 优先权日2012年6月1日
发明者包兵兵, 柳杉, 梅超, 王鹏, 范亚妮, 蔡理洋, 黄治国 申请人:上饶光电高科技有限公司