专利名称：一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法。
背景技术：
随着集成电路エ艺的发展以及关键尺寸不断縮小，エ厂需要引入更加先进、更加昂贵的缺陷检测设备，以满足对在线エ艺步骤品质监控的要求。其中，亮场缺陷检测就是应用最为广泛并且有着很高灵敏度的ー类机台。由于在生产过程中，半导体器件表面上的图形会随着不同的制程而不断变化着形貌，在某些表面图形的特殊影响下就出现了光斑抑制问题；图I是本发明背景技术中缺陷检查时形成光斑的示意图，如图I所示，由于芯片I的表面上部分图形11对机台入射光的反射形成有规律的光波叠加12形成光斑13，从而影响了正常的反射光收集，降低了扫描灵敏度。目前，业界对于光斑问题是被动的做出一系列的光斑阻挡层，即事先分析可能出现的光斑形状，然后制作相对应的光斑阻挡，最后再实际应用于生产中，这种方法虽然可以良好的抑制一些类型的光斑，但随着半导体尺寸以及技术的不断发展，可能出现的光斑形态是无法预知的，所以，设计制作一种新的光斑分析及阻挡系统是亮场半导体缺陷扫描机台的迫切需要。
发明内容
本发明公开了ー种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，其中，包括以下步骤
步骤SI :制备ー要进行缺陷扫描的半导体器件，对所述半导体器件在亮场缺陷检测机台上产生的光斑进行信息的采集和分析；
步骤S2 :将采集到的光斑的信息转化为光斑图形；
步骤S3 :根据所述光斑图形，描绘出光斑阻挡形状；
步骤S4 :根据所述光斑阻挡形状，生成光斑阻挡板，并利用该光斑阻挡板对所述半导体器件进行缺陷检测エ艺。上述的平板亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，其中，所述步骤SI中采用光斑分析系统对所述半导体器件在亮场缺陷检测机台上产生的光斑进行信息的采集和分析。上述的平板亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，其中，所述步骤S2中采用光斑图形转化系统将采集到的光斑的信息转化为光斑图形。上述的平板亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，其中，所述步骤S3中利用自定义光斑阻挡设计系统描绘出光斑阻挡形状。上述的平板亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，其中，所述步骤S4中通过自动光斑阻挡生成装置生成光斑阻挡板。综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明提出一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，通过实时的对进行缺陷扫描的半导体器件产生的光斑进行收集和分析后，并将该实时光斑信息及时的转化为光斑图形，井根据该光斑图形制备匹配形状的光斑阻挡板，根据该光斑阻挡板进行缺陷检测工艺；这样能有效避免因产生预料之外的光斑图形对エ艺进度的影响，进而有效的抑制光斑对缺陷检测エ艺的影响，极大的提高扫描质量，从而保证机台的扫描灵敏度。
图I是本发明背景技术中缺陷检查时形成光斑的示意 图2-4是本发明亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法实施例的流程结构示意 图5是未采用本发明亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法进行缺陷检测エ艺的半导体器件表面反射图形的示意 图6是采用本发明亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法进行缺陷检测エ艺的半导体器件表面反射图形的示意图。
具体实施例方式 下面结合附图对本发明的具体实施方式
作进ー步的说明
图2-4是本发明亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法实施例的流程结构示意图。如图2-4所示，首先，制备一半导体器件，在对其进行缺陷扫描エ艺时，先采用光斑分析系统(lobes collection)对该半导体器件在亮场缺陷检测机台上产生的光斑进行信息的采集和分析，获取到半导体器件表面所能形成的光斑形态和位置；然后，采用光斑图形转化系统(lobes image mode)将采集到的光斑的信息转化为光斑图形2,其中，该光斑图形2包括第一光斑图形21、第二光斑图形22、第三光斑图形23和第四光斑图形24 ;之后，自定义光斑阻挡设计系统(lobes patterning)根据光斑图形2描绘出光斑阻挡形状；最后，自动光斑阻挡生成装置(auto lobes mask)根据上述的光斑阻挡形状,生成光斑阻挡板3,该光斑阻挡板3包括分别对应第一光斑图形21、第二光斑图形22、第三光斑图形23和第四光斑图形24的第一光斑阻挡板31、第二光斑阻挡板32、第三光斑阻挡板33和第四光斑阻挡板34，上述阻挡板可以在反射光收集器的范围内精确的移动，以达到精确的阻挡光斑的作用；以第一光斑阻挡板31、第二光斑阻挡板32、第三光斑阻挡板33和第四光斑阻挡板34为挡板进行缺陷检测エ艺，如图4所示，第一光斑阻挡板31、第二光斑阻挡板32、第三光斑阻挡板33和第四光斑阻挡板34分别对应阻挡产生光斑的第一光斑区域41、第二光斑区域42、第三光斑区域43和第四光斑区域44，使得其不会对没有光斑的区域4的反射光产生影响。图5是未采用本发明亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法进行缺陷检测エ艺的半导体器件表面反射图形的示意图，图6是采用本发明亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法进行缺陷检测エ艺的半导体器件表面反射图形的示意图；对比图5和图6可知，未采用本发明亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法进行缺陷检测エ艺的半导体器件表面反射图形5上由于有明显的光斑51的影响，无法检测到半导体器件上的缺陷，而采用本发明亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法进行缺陷检测エ艺的半导体器件表面反射图形6上，由于特殊图形的光斑影响基本被消除，光斑阻挡效果明显，能明显的突出缺陷信号61，进而有效的抑制光斑对缺陷检测エ艺的影响，极大的提高扫描质量，从而保证机台的扫描灵敏度。综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明实施例提出一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，通过实时的对进行缺陷扫描的半导体器件产生的光斑进行收集和分析后，并将该实时光斑信息及时的转化为光斑图形，井根据该光斑图形制备匹配形状的光斑阻挡板，根据该光斑阻挡板进行缺陷检测エ艺；这样能有效避免因产生预料之外的光斑图形对エ艺进度的影响，进而有效的抑制光斑对缺陷检测エ艺的影响，极大的提高扫描质量，从而保证机台的扫描灵敏度。通过说明和附图，给出了具体实施方式
的特定结构的典型实施例，基于本发明精ネ申，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为 局限。对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。
权利要求
1.一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，其特征在于，包括以下步骤 步骤SI :制备一要进行缺陷扫描的半导体器件，对所述半导体器件在亮场缺陷检测机台上产生的光斑进行信息的采集和分析； 步骤S2 :将采集到的光斑的信息转化为光斑图形； 步骤S3 :根据所述光斑图形，描绘出光斑阻挡形状； 步骤S4 :根据所述光斑阻挡形状，生成光斑阻挡板，并利用该光斑阻挡板对所述半导体器件进行缺陷检测工艺。
2.根据权利要求I所述的平板亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，其特征在于，所述步骤SI中采用光斑分析系统对所述半导体器件在亮场缺陷检测机台上产生的光斑进行信息的采集和分析。
3.根据权利要求I所述的平板亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，其特征在于，所述步骤S2中采用光斑图形转化系统将采集到的光斑的信息转化为光斑图形。
4.根据权利要求I所述的平板亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，其特征在于，所述步骤S3中利用自定义光斑阻挡设计系统描绘出光斑阻挡形状。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的平板亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，其特征在于，所述步骤S4中通过自动光斑阻挡生成装置生成光斑阻挡板。
全文摘要
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法。本发明提出一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，通过实时的对进行缺陷扫描的半导体器件产生的光斑进行收集和分析后，并将该实时光斑信息及时的转化为光斑图形，并根据该光斑图形制备匹配形状的光斑阻挡板，根据该光斑阻挡板进行缺陷检测工艺；这样能有效避免因产生预料之外的光斑图形对工艺进度的影响，进而有效的抑制光斑对缺陷检测工艺的影响，极大的提高扫描质量，从而保证机台的扫描灵敏度。
文档编号H01L21/66GK102768969SQ201210225808
公开日2012年11月7日 申请日期2012年7月3日 优先权日2012年7月3日
发明者倪棋梁, 王洲男, 郭明升, 陈宏璘, 龙吟 申请人:上海华力微电子有限公司